JP2000164426A - 薄膜インダクタ及び薄膜インダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い平坦性を有する軟磁性膜を具備して高周
波特性に優れた薄膜インダクタを提供すると共に、高い
平坦性を有する軟磁性膜を具備する薄膜インダクタの製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 仮基板３２上に少なくともインダクタン
ス導体５を有する導体部品３０と、基板２ａ上に少なく
とも一方の軟磁性膜６を有する基板部品３１とを形成
し、インダクタンス導体５と一方の軟磁性膜６との絶縁
をとり、かつ互いに向き合うようにして導体部品３０と
基板部品３１とが貼り合わされた後に仮基板３２を除去
して、基板部品３１にインダクタンス導体５を転写する
ことを特徴とする薄膜インダクタの製造方法を採用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜インダクタ及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化の要請
に対応するために、回路素子の小型化の開発が進められ
ている。その中でも磁気素子であるインダクタは、精力
的に小型化が進められている回路素子の一つである。そ
こで最近では、小型で厚さが極めて薄い薄膜インダクタ
が開発されている。この薄膜インダクタは、絶縁基板上
に下部軟磁性膜、下部絶縁膜、自己インダクタンスとし
て作用するインダクタンス導体、上部絶縁膜、上部軟磁
性膜を順次積層することにより製造される。この従来の
薄膜インダクタの製造時においては、インダクタンス導
体が下部絶縁膜上にて渦巻き状に形成され、上部絶縁膜
がこのインダクタンス導体とインダクタンス導体の下に
ある下部絶縁膜とを覆うようにして形成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜イ
ンダクタにおいては、インダクタンス導体の厚さが厚い
ために、インダクタンス導体の形状に合わせて上部絶縁
膜が凹凸状に形成され、これにより上部絶縁膜に積層さ
れる上部軟磁性膜の平坦度が低下する。従って、従来の
薄膜インダクタの製造方法では、インダクタンス導体の
形成後に積層される軟磁性膜を平坦に形成することが困
難であり、このような平坦度の低い軟磁性膜は、磁区の
異方性分散が大きくなって透磁率が低下するために、薄
膜インダクタの高周波特性が低下してしまうという課題
があった。

【０００４】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、高い平坦性を有する軟磁性膜を具
備して高周波特性に優れた薄膜インダクタを提供すると
共に、高い平坦性を有する軟磁性膜を具備する薄膜イン
ダクタの製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜イ
ンダクタは、基体に自己インダクタンスとして作用する
インダクタンス導体と、前記インダクタンス導体とは絶
縁され、かつ前記インダクタンス導体を挟んで対向する
２つの軟磁性膜とを有し、前記２つの軟磁性膜が共に平
坦とされていることを特徴とする。また、本発明の薄膜
インダクタは、仮基板上に少なくともインダクタンス導
体を有する導体部品と、基板上に少なくとも一方の前記
軟磁性膜を有する基板部品とが形成され、前記インダク
タンス導体と前記一方の軟磁性膜とが向き合わされると
共に絶縁されつつ前記導体部品と前記基板部品とが貼り
合わされた後に前記仮基板が除去されることにより、前
記基板部品に前記インダクタンス導体が転写され、他方
の前記軟磁性膜が前記インダクタンス導体に絶縁されつ
つ積層されてなることを特徴とする。

【０００６】また、本発明の薄膜インダクタは、前記基
体の外面に取り付けられた２つの電極と、該基体の内部
に設けられた前記インダクタンス導体と、該基体の内部
に設けられて前記インダクタンス導体と離間かつ対向し
て前記インダクタンス導体を挟む前記２つの軟磁性膜
と、前記インダクタンス導体の両端と前記の２つの電極
をそれぞれ接続する接続導体とを具備してなり、前記イ
ンダクタンス導体は、導体が前記２つの軟磁性膜に対し
て平行に渦巻き状に成形されて、一方の前記軟磁性膜と
対向する面が導体の幅方向に沿って凸曲面とされ、他方
の前記軟磁性膜と対向する面が平面とされてなり、前記
他方の軟磁性膜が前記導体の前記平面に対して平行に形
成されたことを特徴とする。また、インダクタンス導体
の形状は渦巻き状に限られず、つづら折れ状に形成され
たものであっても良い。

【０００７】また、本発明の薄膜インダクタは、先に記
載の薄膜インダクタであって、前記基体は少なくとも基
板と絶縁層とが積層されてなり、前記一方の軟磁性膜が
前記基板と前記絶縁層との間に設けられ、前記インダク
タンス導体が前記絶縁層に埋め込まれると共に前記絶縁
層の上面が平面とされ、前記他方の軟磁性膜が前記絶縁
層の上面に積層されたことを特徴とする。

【０００８】更に、本発明の薄膜インダクタは、先に記
載の薄膜インダクタであって、前記絶縁層は、第１絶縁
膜（絶縁膜）と第２絶縁膜（別の絶縁膜）とが一体化さ
れてなり、前記インダクタンス導体は、その前記平面が
前記第１絶縁膜の上面に露出するように前記第１絶縁膜
に埋め込まれ、前記第２絶縁膜は、前記インダクタンス
導体の前記平面を覆うように前記第１絶縁膜に積層され
たことを特徴とする。また、前記一方の軟磁性膜と前記
絶縁層（別の絶縁膜）との間には密着層が設けられてい
ることが好ましい。密着層の材質は、Ａｌ₂Ｏ₃、窒化ア
ルミニウム、ポリイミド等を例示できる。また、レジス
ト材を用いて接着しても良い。

【０００９】本発明の薄膜インダクタにおいては、２つ
の軟磁性膜が平坦とされ、またインダクタンス導体が、
導体を前記２つの軟磁性膜に対して平行に渦巻き状に成
形されて、前記他方の前記軟磁性膜と対向する面が平面
とされたものであり、インダクタンス導体が形成された
後に積層される他方の軟磁性膜が平坦に形成されて透磁
率を高くすることができ、薄膜インダクタの高周波特性
を向上することが可能になる。

【００１０】また、本発明の薄膜インダクタにおいて
は、前記一方の軟磁性膜が基板上に設けられているの
で、一方の軟磁性膜の平坦度が高くなって透磁率を高く
することができ、薄膜インダクタの高周波特性をより向
上することが可能になる。また、前記インダクタンス導
体は絶縁層に埋め込まれているので、２つの軟磁性膜と
接触して短絡することがなく、薄膜インダクタのインダ
クタンスの低下を防止できる。更に、絶縁層の上面が平
面とされているので、他方の軟磁性膜の平坦度を容易に
確保することが可能になる。

【００１１】更に、本発明の薄膜インダクタにおいて
は、前記インダクタンス導体が第１絶縁膜に埋め込まれ
てその平面が第１絶縁膜の上面に露出することにより、
第１絶縁膜の上面と導体の平面とが同一平面を形成し、
この同一平面上（第１絶縁膜上）に積層される第２絶縁
膜（別の絶縁膜）が平坦とされることにより絶縁層の上
面が平坦となり、この第２絶縁膜（別の絶縁膜）に積層
される他方の軟磁性膜の平坦度がより向上して、薄膜イ
ンダクタの高周波特性を向上することが可能になる。ま
た、密着層が設けられている場合には、軟磁性膜と絶縁
層（絶縁膜）の密着性が高くなって軟磁性膜と絶縁層
（絶縁膜）の剥離を防止できる。

【００１２】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、基
体に自己インダクタンスとして作用するインダクタンス
導体と、前記インダクタンス導体とは絶縁され、かつ前
記インダクタンス導体を挟んで対向する２つの軟磁性膜
とを有してなる薄膜インダクタを製造する際に、仮基板
上に少なくとも前記インダクタンス導体を有する導体部
品と、前記基板上に少なくとも一方の前記軟磁性膜を有
する基板部品とを形成し、前記インダクタンス導体と前
記一方の軟磁性膜との絶縁をとり、かつ互いに向き合う
ようにして前記導体部品と前記基板部品とが貼り合わさ
れた後に前記仮基板を除去して、前記基板部品に前記イ
ンダクタンス導体を転写することを特徴とする。上記の
薄膜インダクタの製造方法においては、前記基板に転写
された前記インダクタンス導体の上に絶縁をとり、さら
に他方の前記軟磁性膜を積層することが好ましい。ま
た、上記の薄膜インダクタの製造方法においては、前記
インダクタンス導体と前記他方の軟磁性膜との絶縁は、
絶縁層が積層されてなることが好ましい。

【００１３】また、本発明の薄膜インダクタの製造方法
は、基体に自己インダクタンスとして作用するインダク
タンス導体と、前記インダクタンス導体とは絶縁され、
かつ前記インダクタンス導体を挟んで対向する２つの軟
磁性膜とを有してなる薄膜インダクタを製造する際に、
仮基板上に少なくとも前記インダクタンス導体を有する
導体部品と、前記基板上に少なくとも一方の前記軟磁性
膜を有する基板部品とを形成し、前記インダクタンス導
体と前記一方の軟磁性膜とを向き合わせ、絶縁層を硬化
させて前記導体部品と前記基板部品とを貼り合わせるこ
とを特徴とする。上記の薄膜インダクタの製造方法にお
いては、前記導体部品と前記基板部品とを貼り合わせた
後、前記仮基板を除去して、前記基板部品に前記インダ
クタンス導体を転写することが好ましい。また、上記の
薄膜インダクタの製造方法においては、前記基板部品に
転写された前記インダクタンス導体の上に別の絶縁層を
積層し、さらに他方の前記軟磁性膜を積層することが好
ましい。更に、上記の薄膜インダクタの製造方法におい
ては、前記基板部品を形成する際に、前記一方の軟磁性
膜に密着層を積層することが好ましい。

【００１４】更に、本発明の薄膜インダクタの製造方法
は、基体の外面に取り付けられた２つの電極と、該基体
の内部に設けられて自己インダクタンスとして作用する
インダクタンス導体と、該基体の内部に設けられて前記
インダクタンス導体と離間かつ対向して前記インダクタ
ンス導体を挟む２つの軟磁性膜と、前記インダクタンス
導体の両端と前記の２つの電極をそれぞれ接続する接続
導体とを具備してなる薄膜インダクタを製造する方法で
あり、仮基板上に前記インダクタンス導体と前記インダ
クタンス導体を覆う第１絶縁膜（絶縁膜）とを積層して
導体部品を形成し、基板上に一方の前記軟磁性膜を形成
して基板部品を形成し、前記第１絶縁膜（絶縁膜）と前
記一方の軟磁性膜とが向き合うように前記導体部品と前
記基板部品とを貼り合わせた後に前記仮基板を除去し
て、前記基板部品に前記インダクタンス導体及び前記第
１絶縁膜（絶縁膜）を転写し、転写された前記第１絶縁
膜（絶縁膜）に第２絶縁膜（別の絶縁膜）を積層するこ
とにより、前記第１絶縁膜（絶縁膜）の上面に露出して
いる前記インダクタンス導体を前記第２絶縁膜（別の絶
縁膜）で覆い、前記第２絶縁膜（別の絶縁膜）に他方の
前記軟磁性膜を積層することを特徴とする。

【００１５】本発明の薄膜インダクタの製造方法におい
ては、仮基板上にインダクタンス導体と第１絶縁膜（絶
縁膜）とを形成することにより、仮基板と対向するイン
ダクタンス導体及び第１絶縁膜（絶縁膜）の各面がそれ
ぞれ平面となって同一平面を形成し、この同一平面が基
板部品と導体部品を貼り合わせて仮基板を除去した際に
第１絶縁膜の上面となり、この同一平面（第１絶縁膜の
上面）上に第２絶縁膜（別の絶縁膜）と他方の軟磁性膜
とが順次積層されるので、インダクタンス導体が形成さ
れた後に積層される他方の軟磁性膜を平坦に形成するこ
とができ、この他方の軟磁性膜の透磁率を高めることが
可能になり、高周波特性に優れた薄膜インダクタを製造
することが可能になる。また、基板上に一方の軟磁性膜
を積層するので、この一方の軟磁性膜の平坦性が高くな
って透磁率が向上し、より高周波特性に優れた薄膜イン
ダクタを製造することが可能になる。更に、インダクタ
ンス導体及び第１絶縁膜を、既に形成されている一方の
軟磁性膜上に転写することにより、インダクタンス導体
が第１絶縁膜を介して一方の軟磁性膜上に積層されるこ
とになるので、一方の軟磁性膜の平坦度が損なわれるこ
とがなく、また軟磁性膜と第１絶縁膜との間に隙間が生
じることもない。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態である薄膜イン
ダクタを図面を参照して説明する。図１〜図３に示す本
発明の薄膜インダクタ１は、基体２と、基体２の側面２
２、２３に取り付けられた２つの電極３、４と、基体２
の内部に埋め込まれて自己インダクタンスとして作用す
るインダクタンス導体５と、インダクタンス導体５を挟
む２つの軟磁性膜６、７と、インダクタンス導体５の両
端５ａ、５ｂと電極３、４とを接続する接続導体８、９
とを主体として構成されている。

【００１７】基体２は、基板２ａと、基板２ａに積層さ
れた絶縁層２１及び第３絶縁膜２ｄとからなる。絶縁層
２１は、第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）と第２絶縁膜２ｃ
（別の絶縁膜）とが一体化されてなるものであって、そ
の内部にインダクタンス導体５が埋め込まれている。基
板２ａは、少なくとも軟磁性膜７が積層される面が絶縁
材料からなるものであればよく、例えば金属板に絶縁材
料からなる膜を成膜したものであればよい。また、基板
２ａの全体が絶縁材料からなるものであってもよい。上
記の絶縁材料としては、ポリイミド系樹脂、ノボラック
系樹脂、オレフィン樹脂、Ｓｉ、アルミナ、ジルコニ
ア、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、ステアタ
イト、ムライト、コージライト、フォルステライト等を
例示できる。また絶縁膜２ｂ〜２ｄは、ポリイミド系樹
脂、ノボラック系樹脂、オレフィン樹脂、ＳｉＯ₂、ガ
ラス、硬質炭素膜等からなることが好ましく、ポリイミ
ドからなることがより好ましい。

【００１８】インダクタンス導体５は、略角棒状の導体
５ｃがその一端５ａから他端５ｂに向けて渦巻き状に巻
回されるように成形されてなり、導体５ｃは、その断面
形状が略台形状とされ、軟磁性膜６（一方の軟磁性膜）
と対向する面が凸曲面５ｄとされ、軟磁性膜７（他方の
軟磁性膜）と対向する面が平面５ｅとされている。ま
た、インダクタンス導体５は、第１絶縁膜２ｂに埋め込
まれてその平面５ｅが第１絶縁膜２ｂの上面２ｅに露出
し、この第１絶縁膜２ｂの上面２ｅと導体５ｃの平面５
ｅとにより同一平面２ｆを形成している。また第２絶縁
膜２ｃがこの同一平面２ｆ上に積層されて平坦に形成さ
れている。インダクタンス導体５の材質は、良好な導電
性のある金属材料、例えばＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕある
いはこれらの合金等を例示できるが、その中でも特にＣ
ｕが好ましい。

【００１９】２つの軟磁性膜６、７は、インダクタンス
導体５と離間し、かつインダクタンス導体５を挟むよう
にして設けられている。軟磁性膜６は、基板２ａと絶縁
層２１（第１絶縁膜２ｂ）との間に位置して基板２ａ上
に積層されて平坦に形成され、第１絶縁膜２ｂによりイ
ンダクタンス導体５と離間されている。軟磁性膜７は、
平坦な第２絶縁膜２ｃ（絶縁膜）の上面２１ａに積層さ
れて平坦に形成され、第２絶縁膜２ｃによりインダクタ
ンス導体５と離間している。また、軟磁性膜７は、平坦
な第２絶縁膜２ｃを介してインダクタンス導体５の平面
５ｅと対向して、インダクタンス導体５の平面５ｅに対
して平行に形成されている。更に、軟磁性膜７は、絶縁
層２１の側面を覆って基板２ａに向けて延在し、基板２
ａ上にて絶縁層２１からはみ出た軟磁性膜６と磁気的に
接続されている。

【００２０】軟磁性膜７が、平坦な第２絶縁膜２ｃ（絶
縁層２１）の上面２１ａに積層されるので、その平坦度
を容易に確保できる。軟磁性膜６、７は、必ずしも磁気
的に接続されて閉じている必要はなく、接続しないで磁
気的に解放されていても良い。また、図３に示すよう
に、軟磁性膜６、７が互いに磁気的に接続される場合に
は、インダクタンス導体５が軟磁性膜６、７に囲い込ま
れて、インダクタンス導体５の磁束が薄膜インダクタ１
から漏れることがない。また、軟磁性膜６、７を各々多
層膜で形成しても良い。

【００２１】第３絶縁膜２ｄは、軟磁性膜７に積層さ
れ、かつ基体２の側面２２、２３にて軟磁性膜６、７を
覆うように延在して基板２ａと接合し、軟磁性膜６、７
と電極３、４との間に位置して軟磁性膜６、７と電極
３、４とを絶縁している。

【００２２】接続導体８は、電極３とインダクタンス導
体５の一端５ａを接続するものであって、第２絶縁膜２
ｃ、２ｄ及び軟磁性膜７の孔７ａを貫通するスルーホー
ル８ａと、スルーホール８ａ及び電極３を連結する竿導
体８ｂとからなる。接続導体９は、電極４とインダクタ
ンス導体５の他端５ｂを接続するものであって、第２絶
縁膜２ｃ、２ｄ及び軟磁性膜７の孔７ｂを貫通するスル
ーホール９ａと、スルーホール９ａ及び電極４を連結す
る竿導体９ｂとからなる。竿導体８ｂ、９ｂは、スルー
ホール８ａ、９ａから電極３、４に向けてそれぞれ延在
し、基体２の側面２２、２３にて第３絶縁膜２ｄと電極
３、４との間に挟まれて電極３、４と接触している。こ
のようにして竿導体８ｂ、９ｂと電極３、４とが接触す
るので、電極３、４と接続導体８、９の接触面積を大き
くすることが可能になって、電極３、４と接続導体８、
９の間の接触抵抗が低減される。

【００２３】また、図３に示すように、軟磁性膜６と絶
縁層２１（第１絶縁膜２ｂ）との間に密着層１０が設け
られていることが好ましい。。密着層１０は、Ａｌ
₂Ｏ₃、窒化アルミニウム、ポリイミド等を例示できる。
また、レジスト材を用いても良い。密着層１０は、絶縁
層２１（第１絶縁膜２ｂ）と軟磁性膜６との密着性を高
めて、絶縁層２１と軟磁性膜６との剥離を防止するもの
である。

【００２４】上述の薄膜インダクタ１の作動時において
は、インダクタンス導体５に交流電流が流れてインダク
タンス導体５から発生する磁束の方向が逐次変化する。
軟磁性膜６、７はそれぞれ平坦に形成されて透磁率が高
くなるので、この磁束の方向の変化に十分に追従するこ
とが可能であり、インダクタンス導体５のインダクタン
スを高く保つことが可能となる。

【００２５】次に、本発明の薄膜インダクタの製造方法
を、図４〜１５を参照して説明する。本発明の薄膜イン
ダクタの製造方法は、仮基板上にインダクタンス導体５
と第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）とを積層して導体部品を形
成し、基板２ａに軟磁性膜６（一方の軟磁性膜）を積層
して基板部品を形成し、第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）と軟
磁性膜６とが向き合うように導体部品と基板部品とを貼
り合わせた後に仮基板を除去して、基板部品にインダク
タンス導体５と第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）を転写し、第
１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）及びインダクタンス導体５を覆
う第２絶縁膜２ｃ（別の絶縁膜）を形成し、第２絶縁膜
２ｃ（別の絶縁膜）に軟磁性膜７（他方の軟磁性膜）を
積層するというものである。

【００２６】最初に、導体部品３０の製造方法を説明す
る。まず図４に示すように、十分に平坦化された仮基板
３２の上に下地層３３を積層し、この下地層３３にレジ
スト３４を塗布してパターニングし、レジスト３４のパ
ターンにＣｕ等の金属をスパッタリング法、蒸着法、メ
ッキ法等の手段により埋め込んでインダクタンス導体５
を形成する。特に、メッキ法は、十分な電流を流すのに
必要なインダクタンス導体５の厚みを安価に確保できる
ことからより好ましい。レジスト３４は、インダクタン
ス導体５がその一端５ａから他端５ｂに向けて渦巻き状
に巻回するようにパターニングされる。インダクタンス
導体５（導体５ｃ）は、レジスト３４のパターン内に形
成される。インダクタンス導体５を例えばメッキ法で作
製した場合、図４に示すように等方的な成長となるた
め、その上面が凸曲面５ｄとなる。

【００２７】インダクタンス導体５（導体５ｃ）と下地
層３３は、同じ材料からなることが好ましく、特にＣｕ
からなることが好ましい。また、仮基板３２は、インダ
クタンス導体５よりもエッチング速度が高い材料であれ
ばどのようなものでも良く、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｓｉ等の金属を例示できる。インダク
タンス導体５及び下地層３３がＣｕからなる場合には、
仮基板３２はＡｌよりなることが好ましい。ＡｌとＣｕ
のエッチング速度が異なるためである。

【００２８】次に図５において、レジスト３４を除去
し、更に図６において、導体５ｃが形成された以外の部
分の下地層３をエッチング等により除去する。この時点
で、下地層３３はインダクタンス導体５と一体化されて
インダクタンス導体５の一部となる。

【００２９】次に図７において、インダクタンス導体５
及び仮基板３２を覆う第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）を積層
する。第１絶縁膜２ｂは、絶縁樹脂を溶解した溶剤を塗
布するか、若しくは仮基板３２ごと溶剤に侵積すること
により塗布される。また、第１絶縁膜２ｂの材質をポリ
イミドとした場合には、ポリイミドの前駆体を溶剤に溶
解し、これをインダクタンス導体５及び仮基板３２に塗
布し、前駆体を溶解していた溶剤を揮発させた状態にし
ておく。この時点で前駆体を熱処理することにより重合
させてポリイミド膜（第１絶縁膜）を形成すると、ポリ
イミド膜が収縮してその上面がインダクタンス導体５の
形状により凹凸状になってしまうので好ましくない。イ
ンダクタンス導体５の仮基板３２と接する面は、仮基板
３２の表面形状が転写されて平面５ｅとされ、また、第
１絶縁膜２ｂの仮基板３２と接する面は、インダクタン
ス導体５の場合と同様に平面２ｅとされて、インダクタ
ンス導体５及び第１絶縁膜２ｂにより同一平面２ｆが形
成される。このようにして導体部品３０を製造する。

【００３０】次に、基板部品の製造方法を説明する。ま
ず図８に示すように、十分に平坦な基板２ａの上に軟磁
性膜６及び密着層１０を積層する。軟磁性膜６及び密着
層１０は、いわゆるリソグラフィ技術により所定の形状
に形成する。また、密着層１０は形成しなくとも良い。
このようにして平坦な基板２ａに軟磁性膜６が積層され
るので、軟磁性膜６が平坦に形成される。このようにし
て基板部品３１を製造する。

【００３１】次に、導体部品３０と基板部品３１を貼り
合わせ、仮基板３２を除去して薄膜インダクタ１を得る
方法を説明する。まず図９に示すように、導体部品３０
と基板部品３１とを、第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）と軟磁
性膜６とが向き合うようにして貼り合わせる。そして、
導体部品３０の製造時に第１絶縁膜２ｂとしてポリイミ
ドの前駆体を塗布した場合には、導体部品３０と基板部
品３１とを貼り合わせた時点で硬化させ、ポリイミドの
前駆体を重合させる。上記硬化は熱処理あるいは露光等
により行われる。このようにすれば、軟磁性膜６に接す
る第１絶縁膜２ｂの面が、インダクタンス導体５の形状
によって凹凸状になることがなく、軟磁性膜６と第１絶
縁膜２ｂとの間に隙間が生じることがない。また、密着
層１０と絶縁膜貼り合わせが強固になる。また、導体部
品３０と基板部品３１との貼り合わせに接着剤を用いて
も良い。

【００３２】次に図１０に示すように、仮基板３２をエ
ッチング等の手段により除去する。インダクタンス導体
５のエッチング速度が仮基板３２より速いと、仮基板３
２と同時にインダクタンス導体５がエッチングされてし
まうので好ましくない。例えば、前述のようにインダク
タンス導体５がＣｕからなり、仮基板３２がＡｌからな
るとすれば、エッチング液として非酸化性の塩酸等を用
いることにより、仮基板３２のみをエッチングして除去
することが可能になる。また、インダクタンス導体５と
仮基板３２がその他の材質からなる場合、これらの材質
を考慮してエッチング速度の異なる硝酸、過塩素酸、硫
酸、リン酸等を適宜用いればよい。仮基板３２を除去す
ることにより、第１絶縁膜２ｂの上面２ｅとインダクタ
ンス導体５の平面５ｅからなる同一平面２ｆが露出す
る。このようにして、基板部品３１にインダクタンス導
体５及び第１絶縁膜２ｂを転写する。

【００３３】次に図１１に示すように、第１絶縁膜２ｂ
とインダクタンス導体５を覆う第２絶縁膜２ｃ（別の絶
縁膜）を積層する。また、第２絶縁膜２ｃは、導体５ｃ
の一端５ａ及び他端５ｂを露出させるための孔４０ａ、
４１ａを具備して形成される。第２絶縁膜２は、第１絶
縁膜２ｂの上面２ｅとインダクタンス導体５の平面５ｅ
とにより形成された同一平面２ｆ上に積層されるので、
その平坦度が高くなる。また、第１絶縁膜２ｂに第２絶
縁膜２ｃが積層して一体化することにより、インダクタ
ンス導体５を埋め込む絶縁層２１が形成される。

【００３４】次に図１２に示すように、第２絶縁膜２ｃ
（別の絶縁膜）に軟磁性膜７を積層する。軟磁性膜７
は、絶縁層２１の側面を覆って基板２ａに向けて延在
し、基板２ａ上にて絶縁層２１からはみ出た軟磁性膜６
と磁気的に接続するように形成する。また、磁気的に接
続しないように積層しても良い。また、軟磁性膜７は、
第２絶縁膜２ｃに設けられた孔４０ａ、４１ａと連通す
る孔４０ｂ、４１ｂを具備して形成される。軟磁性膜６
は、平坦に形成された第２絶縁膜２ｃ（絶縁層２１）の
上面２１ａに形成されるので、おのずと平坦に形成され
る。

【００３５】次に図１３に示すように、軟磁性膜７に第
３絶縁膜２ｄを積層する。第３絶縁膜２ｄは、軟磁性膜
７を完全に覆って基板２ａに接合するように積層され
る。また、第３絶縁膜２ｄは、既設の孔４０ａ、４０
ｂ、４１ａ、４１ｂと連通する孔４０ｃ、４１ｃを具備
して形成され、孔４０ａ、４０ｂ、４０ｃによりインダ
クタンス導体５の一端５ａを露出させる孔４０が形成さ
れ、孔４１ａ、４１ｂ、４１ｃによりインダクタンス導
体５の他端５ｂを露出させる孔４１が形成される。ま
た、基板２ａ、絶縁層２１及び第３絶縁膜２ｄにより基
体２が形成される。

【００３６】次に図１４に示すように、孔４０、４１
に、導電性の金属をスパッタリング、蒸着またはメッキ
等の手段により埋め込んでスルーホール８ａ、９ａを形
成する。スルーホール８ａは、孔４０を貫通して導体５
ｃの一端５ａと接続し、スルーホール９ａは、孔４１を
貫通して導体５ｃの他端５ｂと接続する。また、スルー
ホール８ａ、９ａから基体２の側面２２２３に向けて延
在する竿導体８ｂ、９ｂを形成する。

【００３７】最後に、図１５に示すように基板２ａを切
断し、更に電極３、４を基体２の側壁面２２、２３に取
り付けて、図１〜図３に示す薄膜インダクタ１が得られ
る。

【００３８】上述の薄膜インダクタ１においては、イン
ダクタンス導体５が、略角棒状の導体５ｃを２つの軟磁
性膜６、７に対して平行に渦巻き状に捲回してなると共
に、軟磁性膜７（他方の軟磁性膜）と対向する面が平面
５ｅとされたものであるので、軟磁性膜７の平坦度が高
くなって磁区の異方性分散が低くなり、従って透磁率を
高くすることができ、薄膜インダクタ１の高周波特性を
向上することが可能になる。

【００３９】また、上述の薄膜インダクタ１において
は、軟磁性膜６（一方の軟磁性膜）が基板２ａ上に設け
られているので、軟磁性膜６の平坦度が高くなって透磁
率を高くすることができ、薄膜インダクタ１の高周波特
性をより向上することが可能になる。また、インダクタ
ンス導体５は絶縁層２１に埋め込まれているので、軟磁
性膜６、７と接触して短絡することがなく、薄膜インダ
クタ１のインダクタンスの低下を防止できる。更に、絶
縁層２１の上面２１ａが平面とされているので、軟磁性
膜７の平坦度を容易に確保することが可能になる。

【００４０】更に、上述の薄膜インダクタ１において
は、インダクタンス導体５が第１絶縁膜２ｂ（絶縁膜）
に埋め込まれてその平面５ｅが第１絶縁膜２ｂの上面２
ｅに露出することにより同一平面２ｆを形成することに
なるので、第１絶縁膜２ｂに積層される第２絶縁膜２ｃ
（別の絶縁膜）の平坦度を高くすることが可能になっ
て、第２絶縁膜２ｃに積層される軟磁性膜７の平坦度を
より向上することが可能となる。また、密着層１０が設
けられている場合には、軟磁性膜６と絶縁層２１の密着
性が高くなり軟磁性膜６と絶縁層２１の剥離を防止でき
る。

【００４１】また、従来の薄膜インダクタでは、基板に
軟磁性膜と下部絶縁膜を積層した後にインダクタンス導
体を形成していたため、インダクタンス導体の基板に対
向する面は必ず平面となる。これに対して上述の薄膜イ
ンダクタ１では、インダクタンス導体５の基板２ａに対
向する面が凸曲面５ｄとなり、その反対側の面が平面５
ｅとなっている。このような上述の薄膜インダクタ１の
構造は、予め仮基板３２にインダクタンス導体５を形成
し、これを基板２ａ上の軟磁性膜６に転写することによ
ってのみ得られる特有の構造であり、この構造は、上述
の薄膜インダクタ１がインダクタンス導体５を別個に形
成して転写することにより得られたものであることを示
唆している。

【００４２】上述の薄膜インダクタ１の製造方法におい
ては、仮基板３２上にインダクタンス導体５と第１絶縁
膜２ｂとを形成することにより、インダクタンス導体５
及び第１絶縁膜２ｂの仮基板３２に対向する面がそれぞ
れ平面となって同一平面２ｆを形成し、この同一平面２
ｆが、基板部品３１と導体部品３０とを貼り合わせて仮
基板３２を除去した際に第１絶縁膜２ｂの上面２ｅとし
て露出し、この同一平面２ｆ上に第２絶縁膜２ｃと軟磁
性膜７とが順次積層されるので、第２絶縁膜２ｃ及び軟
磁性膜７を平坦に形成してこの軟磁性膜７の透磁率を高
めることが可能になり、高周波特性に優れた薄膜インダ
クタ１を製造することが可能になる。また、基板上に一
方の軟磁性膜を積層するので、この一方の軟磁性膜の平
坦性が高くなって透磁率が向上するので、より高周波特
性に優れた薄膜インダクタを製造することが可能にな
る。更に、インダクタンス導体５を埋め込んだ第１絶縁
膜２ｂが、既に形成されている軟磁性膜６に貼り合わさ
れるので、軟磁性膜６の平坦性が低下することがない。

【００４３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
薄膜インダクタは、基体に自己インダクタンスとして作
用するインダクタンス導体と、前記インダクタンス導体
とは絶縁され、かつ前記インダクタンス導体を挟んで対
向する２つの軟磁性膜とを有し、前記２つの軟磁性膜が
共に平坦とされているので、軟磁性膜の磁区の異方性分
散が低くなって軟磁性膜の透磁率を高くすることがで
き、薄膜インダクタの高周波特性を向上することができ
る。

【００４４】また、本発明の薄膜インダクタにおいて
は、仮基板上に少なくともインダクタンス導体を有する
導体部品と、基板上に少なくとも一方の前記軟磁性膜を
有する基板部品とが形成され、前記インダクタンス導体
と前記一方の軟磁性膜とが向き合わされると共に絶縁さ
れつつ前記導体部品と前記基板部品とが貼り合わされた
後に前記仮基板が除去されることにより、前記基板部品
に前記インダクタンス導体が転写され、他方の前記軟磁
性膜が前記インダクタンス導体と絶縁されつつ積層され
てなるので、インダクタンス導体が形成された後に積層
される他方の軟磁性膜を平坦に形成することができ、こ
の他方の軟磁性膜の透磁率を高めることが可能になり、
薄膜インダクタの高周波特性を向上させることができ
る。また、基板上に一方の軟磁性膜を積層するので、こ
の一方の軟磁性膜の平坦性が高くなって透磁率が向上
し、薄膜インダクタの高周波特性を向上させることがで
きる。また、前記インダクタンス導体と前記他方の軟磁
性膜とが絶縁されているので、インダクタンス導体が軟
磁性膜と接触して短絡することがなく、薄膜インダクタ
のインダクタンスの低下を防止できる。

【００４５】本発明の薄膜インダクタの製造方法におい
ては、仮基板上にインダクタンス導体を形成することに
より、仮基板と対向するインダクタンス導体の面が平面
となり、この平面が、基板部品と導体部品を貼り合わせ
て仮基板を除去した際にインダクタンス導体の上面とな
り、この上面上に別の絶縁膜を介して他方の軟磁性膜が
積層されるので、インダクタンス導体が形成された後に
積層される他方の軟磁性膜を平坦に形成することがで
き、この他方の軟磁性膜の透磁率を高めることが可能に
なり、高周波特性に優れた薄膜インダクタを製造するこ
とができる。また、基板上に一方の軟磁性膜を積層する
ので、この一方の軟磁性膜の平坦性が高くなって透磁率
が向上し、より高周波特性に優れた薄膜インダクタを製
造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態である薄膜インダクタを示
す斜視図である。

【図２】 本発明の実施形態である薄膜インダクタを示
す斜視図である。

【図３】 本発明の実施形態である薄膜インダクタを示
す図であって、図１におけるＸ−Ｘ’線の断面図であ
る。

【図４】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を説明する
ための図であって、導体部品の製造方法を示す一工程図
である。

【図５】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を説明する
ための図であって、導体部品の製造方法を示す一工程図
である。

【図６】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を説明する
ための図であって、導体部品の製造方法を示す一工程図
である。

【図７】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を説明する
ための図であって、導体部品の製造方法を示す一工程図
である。

【図８】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を説明する
ための図であって、基板部品の製造方法を示す一工程図
である。

【図９】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一工
程図である。

【図１０】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【図１１】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【図１２】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【図１３】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【図１４】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【図１５】 本発明の薄膜インダクタ製造方法を示す一
工程図である。

【符号の説明】

１ 薄膜インダクタ ２ 基体 ２ａ 基板 ２ｂ 第１絶縁膜（絶縁膜） ２ｃ 第２絶縁膜（別の絶縁膜） ２ｄ 第３絶縁膜 ２ｅ 第１絶縁膜の上面 ２ｆ 同一平面 ３、４ 電極 ５ インダクタンス導体 ５ａ 一端 ５ｂ 他端 ５ｃ 導体 ５ｄ 凸曲面 ５ｅ 平面 ６ 一方の軟磁性膜 ７ 他方の軟磁性膜 ８、９ 接続導体 １０ 密着層 ２１ 絶縁層 ２１ａ 絶縁層の上面 ２２、２３ 基体の側面 ３０ 導体部品 ３１ 基板部品 ３２ 仮基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑内 隆史 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E062 DD01 5E070 AA01 AB02 AB07 CB20

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体に自己インダクタンスとして作用す
   るインダクタンス導体と、前記インダクタンス導体とは
   絶縁され、かつ前記インダクタンス導体を挟んで対向す
   る２つの軟磁性膜とを有し、前記２つの軟磁性膜が共に
   平坦とされていることを特徴とする薄膜インダクタ。
2. 【請求項２】 仮基板上に少なくともインダクタンス導
   体を有する導体部品と、基板上に少なくとも一方の前記
   軟磁性膜を有する基板部品とが形成され、 前記インダクタンス導体と前記一方の軟磁性膜とが向き
   合わされると共に絶縁されつつ前記導体部品と前記基板
   部品とが貼り合わされた後に前記仮基板が除去されるこ
   とにより、前記基板部品に前記インダクタンス導体が転
   写され、 他方の前記軟磁性膜が前記インダクタンス導体に絶縁さ
   れつつ積層されてなることを特徴とする請求項１記載の
   薄膜インダクタ。
3. 【請求項３】 基体に自己インダクタンスとして作用す
   るインダクタンス導体と、前記インダクタンス導体とは
   絶縁され、かつ前記インダクタンス導体を挟んで対向す
   る２つの軟磁性膜とを有してなる薄膜インダクタを製造
   する際に、 仮基板上に少なくとも前記インダクタンス導体を有する
   導体部品と、前記基板上に少なくとも一方の前記軟磁性
   膜を有する基板部品とを形成し、 前記インダクタンス導体と前記一方の軟磁性膜との絶縁
   をとり、かつ互いに向き合うようにして前記導体部品と
   前記基板部品とが貼り合わされた後に前記仮基板を除去
   して、前記基板部品に前記インダクタンス導体を転写す
   ることを特徴とする薄膜インダクタの製造方法。
4. 【請求項４】 前記基板に転写された前記インダクタン
   ス導体の上に絶縁をとり、さらに他方の前記軟磁性膜を
   積層することを特徴とする請求項３記載の薄膜インダク
   タの製造方法。
5. 【請求項５】 前記インダクタンス導体と前記他方の軟
   磁性膜との絶縁は、絶縁膜が積層されてなることを特徴
   とする請求項３ないし請求項４記載の薄膜インダクタの
   製造方法。
6. 【請求項６】 基体に自己インダクタンスとして作用す
   るインダクタンス導体と、前記インダクタンス導体とは
   絶縁され、かつ前記インダクタンス導体を挟んで対向す
   る２つの軟磁性膜とを有してなる薄膜インダクタを製造
   する際に、 仮基板上に少なくとも前記インダクタンス導体を有する
   導体部品と、前記基板上に少なくとも一方の前記軟磁性
   膜を有する基板部品とを形成し、 前記インダクタンス導体と前記一方の軟磁性膜とを向き
   合わせ、絶縁膜を硬化させて前記導体部品と前記基板部
   品とを貼り合わせることを特徴とする薄膜インダクタの
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記導体部品と前記基板部品とを貼り合
   わせた後、前記仮基板を除去して、前記基板部品に前記
   インダクタンス導体を転写することを特徴とする請求項
   ６記載の薄膜インダクタの製造方法。
8. 【請求項８】 前記基板部品に転写された前記インダク
   タンス導体の上に別の絶縁膜を積層し、さらに他方の前
   記軟磁性膜を積層することを特徴とする請求項７記載の
   薄膜インダクタの製造方法。
9. 【請求項９】 前記基板部品を形成する際に、前記一方
   の軟磁性膜に密着層を積層することを特徴とする請求項
   ３ないし８記載の薄膜インダクタの製造方法。