JP2021047331A - マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置 - Google Patents

マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置 Download PDF

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Abstract

【課題】マークの位置を高い精度で検出するために有利な技術を提供する。【解決手段】マーク位置決定方法は、マークを撮像するスコープを使って取得した画像におけるマーク画像の位置に基づいて前記マーク画像の仮位置を決定する第1工程S212と、前記スコープのディストーション量の2次元分布を示すディストーションマップと前記マーク画像とに基づいて、前記仮位置を補正するための補正量を決定する第2工程S213と、前記仮位置を前記補正量に基づいて補正することによって前記マークの位置を決定する第3工程S214と、を含む。【選択図】図6

Description

本発明は、マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置に関する。
基板等に設けられたマークの位置の検出は、スコープを使って該マークを撮像し、これによって得られた画像を処理することによってなされうる。スコープが無視できないディストーション(歪曲収差)を有する場合、そのディストーションがマークの位置の検出精度に影響を与えうる。特許文献1には、ターゲットの位置を計測した後、光学系の視野中心にターゲットを送り込んで、再びターゲットの位置を計測する方法が記載されている。特許文献2には、ターゲットを観察した領域とディストーションとの影響をあらかじめ取得しておき、計測値を補正する方法が記載されている。
特開2005−285916号公報 特開2006−30021号公報
しかし、特許文献1に記載された方法では、ターゲットを視野中心に追い込む処理が必要であり、そのために、計測に要する時間が長くなる。特許文献2に記載された方法では、マークの形状に応じてディストーションの影響量が変化するので、高精度な補正ができない。
本発明は、マークの位置を高い精度で検出するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、マーク位置決定方法に係り、前記マーク位置決定方法は、マークを撮像するスコープを使って取得した画像におけるマーク画像の位置に基づいて前記マーク画像の仮位置を決定する第1工程と、前記スコープのディストーション量の2次元分布を示すディストーションマップと前記マーク画像とに基づいて、前記仮位置を補正するための補正量を決定する第2工程と、前記仮位置を前記補正量に基づいて補正することによって前記マークの位置を決定する第3工程と、を含む。
本発明によれば、マークの位置を高い精度で検出するために有利な技術が提供される。
本発明の一実施形態のリソグラフィー装置の構成を模式的に示す図。 アライメントスコープの構成例を示す図。 プリアライメント用のマークを例示する図。 ファインアライメント用のマークを例示する図。 第1モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理の流れを示す図。 第2モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理の流れを示す図。 ディストーションを説明するための図。 視野における周辺部に位置する領域を例示する。 ディストーションマップを例示する図。 第1例のマーク画像を示す図。 第1例のマーク画像とディストーションとの関係を示す図。 第1例のマーク画像のX方向の位置の検出に影響を与えるディストーション量を示す図。 第1例のマーク画像のY方向の位置の検出に影響を与えるディストーション量を示す図。 第2例のマーク画像を示す図。 第2例のマーク画像とディストーションとの関係を示す図。 第1の変形例のディストーションマップの生成方法を模式的に示す図。 第2の変形例のディストーションマップの生成方法を模式的に示す図。 補正量の決定方法の他の例を説明するための図。 補正量の決定方法の他の例を説明するための図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図1には、本発明の一実施形態のリソグラフィー装置1の構成が模式的に示されている。リソグラフィー装置1は、基板4にパターンを転写する転写装置として構成されうる。本実施形態では、リソグラフィー装置1は、基板4(のフォトレジスト膜)に原版2のパターンを転写する露光装置として構成されているが、リソグラフィー装置1は、基板4の上のインプリント材に原版(型)のパターンを転写する装置として構成されてもよい。
リソグラフィー装置1は、投影光学系3、基板チャック5、基板駆動機構6、アライメントスコープ(スコープ)7および制御部(プロセッサ)20を備えうる。投影光学系3は、不図示の照明光学系によって照明された原版2のパターンを基板4に投影する。基板チャック5は、基板4を保持する。基板4には、例えば、前工程で形成された下地パターンおよびマーク(アライメントマーク)11、12と、それらを覆うように配置されたフォトレジスト膜とを有しうる。マーク11は、プリアライメントマークでありうる。マーク12は、ファインアライメントマークでありうる。
基板駆動機構6は、基板チャック5を駆動することによって基板4を駆動する。アライメントスコープ7は、顕微鏡および撮像素子を含み、基板4に設けられたマークを撮像する。制御部20は、アライメントスコープ7によって撮像された画像に基づいて基板4のマークの位置を検出しうる。制御部20は、その他、基板4に対する原版2のパターンの転写に関する動作などを制御する。制御部20は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。該コンピュータをこの明細書で説明された方法(例えば、マーク位置検出方法)を実行させるプログラムおよびそれを格納したメモリ媒体(コンピュータ可読メモリ媒体)も発明を構成する。
図2には、アライメントスコープ7の構成例が示されている。アライメントスコープ7は、例えば、光源8、ビームスプリッタ9、光学系10、13および撮像素子14を含みうる。光源8から射出された照明光は、ビームスプリッタ9で反射され、光学系10を通って基板4のマーク11(12)を照明する。マーク11からの回折光は、光学系10、ビームスプリッタ9、光学系13を通って撮像素子14に入射し、撮像素子14の撮像面にマーク11(12)の光学像を形成する。撮像素子14は、該光学像を撮像し、マーク11の画像(画像データ)であるマーク画像(マーク画像データ)を含む画像(画像データ)を出力する。光源8、ビームスプリッタ9、光学系10、13は、マーク11(12)を観察するための顕微鏡を構成する。
顕微鏡は、広範囲にわたってマークを探索可能なプリアライメント計測と、高精度な計測が可能なファインアライメント計測との両立が可能な倍率を有しうる。従来は、プリアライメント計測とファインアライメント計測とで異なる光学系を用いる構成が多かったため、アライメントマークもそのような用途によって異なる形状を使用していた。図3には、プリアライメント用のマーク11が例示され、図4には、ファインアライメント用のマーク12が例示されている。マーク11、12の形状は、ウエハのプロセスに応じた最適なものが使用されることが多く、その形状も様々なものが存在する。
リソグラフィー装置1は、アライメント計測に関して第1モードおよび第2モードを有しうる。以下では、まず第1モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理を説明し、その後に、第2モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理を説明する。
図5には、第1モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理の流れが示されている。この処理は、制御部20によって制御される。工程S101では、基板4がリソグラフィー装置1に搬入され、基板チャック5によって保持される。工程S102では、プリアライメント計測がなされる。具体的には、プリアライメント計測では、アライメントスコープ7を使ってプリアライメント用のマーク11の位置が検出され、その結果に基づいて基板4の位置がラフに算出される。ここで、マーク11の位置の検出は、基板4の複数のショット領域に関して行われ、基板4の全体のシフトと1次線形成分(倍率、回転)が算出されうる。
次に、工程S103では、プリアライメント計測の結果に基づいて、追い込み駆動がなされる。追い込み駆動では、プリアライメント計測の結果に基づいて、アライメントスコープ7の視野の中央部にファインアライメント用のマーク12が収まるように基板駆動機構6によって基板4が駆動される。工程S104では、ファインアライメント計測がなされる。具体的には、ファインアライメント計測では、アライメントスコープ7を使ってプリアライメント用のマーク12の位置が検出され、基板4の位置が検出され、その結果に基づいて基板4の全体のシフトと1次線形成分(倍率、回転)が精密に算出されうる。ここで、マーク12の位置の検出は、工程S103、S104を繰り返すことによって、基板4の複数のショット領域(複数のサンプルショット領域)に関して行われる。位置を検出するマーク12の数を増やすことによって、基板4の高次変形成分が精密に算出されてもよい。
次に、工程S105では、ファインアライメント計測の結果に基づいて、基板4の各ショット領域と原版2とがアライメントされ、各ショット領域が露光される。その後、工程S106では、基板4が搬出される。
図6には、第2モードでアライメント計測を行いながら基板を露光する処理の流れが示されている。この処理は、制御部20によって制御される。第2モードでは、プリアライメント計測がなされない。図6(a)には、第2モードの動作の概要が示され、図6(b)には、図6(a)の工程S202(ファインアライメント計測)の詳細が示されている。
工程S201では、基板4がリソグラフィー装置1に搬入され、基板チャック5によって保持される。工程S202では、ファインアライメント計測がなされる。ファインアライメント計測では、アライメントスコープ7を使ってファインアライメント用のマーク12の位置が検出される。マーク12の位置の検出は、基板4の複数のショット領域(複数のサンプルショット領域)に関して行われる。ここで、第2モードでは、プリアライメント計測および追い込み駆動がなされないので、マーク12は、アライメントスコープ7の視野の中央部に配置されるとは限らない。つまり、マーク12は、アライメントスコープ7の視野の周辺部に配置される可能性がある。したがって、アライメントスコープ7によって観察(撮像)されるマーク12の画像(マーク画像)の位置は、アライメントスコープ7(顕微鏡)のディストーションの影響を受けうる。そこで、この影響を補正するための処理(図6(b))が実施される。
次に、工程S203では、ファインアライメント計測の結果に基づいて、基板4の各ショット領域と原版2とがアライメントされ、各ショット領域が露光される。その後、工程S204では、基板4が搬出される。
以下、図6(b)を参照しながら図6(a)の工程S202(ファインアライメント計測)に適用されるマーク位置決定方法を説明する。工程S211では、アライメントスコープ7を使ってプリアライメント用のマーク12が撮像される。これによって、マーク12の画像(画像データ)であるマーク画像(マーク画像データ)を含む画像(画像データ)が取得される。工程S212(第1工程)では、工程S211で取得した画像におけるマーク画像の位置が仮位置として決定される。この仮位置は、アライメントスコープ7(顕微鏡)のディストーションの影響を受けた不正確な位置(誤差を含む位置)である可能性がある。
工程S213(第2工程)では、アライメントスコープ7のディストーション量の2次元分布を示すディストーションマップ(後述)と工程S211で取得したマーク画像とに基づいて、工程S212で決定した仮位置を補正するための補正量が決定される。工程S214(第3工程)では、工程S212で決定した仮位置を工程S213で決定した補正量に基づいて補正することによってマーク12の位置が決定される。なお、図6(b)に示された処理は、第1モードにおけるファインアライメント計測に適用されてもよい。
以下、図6(b)に示された処理を具体例を挙げながら説明する。図7には、正方格子の各格子要素にドットが配置されたドットチャートをアライメントスコープ7によって撮像して得られる画像が示されている。図7(A)は、アライメントスコープ7がディストーションを有しない場合の画像を示し、図7(B)は、アライメントスコープ7がディストーションを有する場合の画像を例示している。ディストーションが無い場合は、ドットチャートがきれいな正方格子を構成するように配置されるが、ディストーションがある場合は、アライメントスコープ7の視野の周辺部でドットチャートが歪む。そのため、マーク12の画像がアライメントスコープ7の視野の周辺部に位置する場合、工程S212では、実際にマーク12が存在する位置とは異なる位置がマーク12に対応するマーク画像の仮位置として検出される。
次に、アライメントスコープ7がディストーションを有する場合にマーク12の検出位置にどのようにずれが発生するかについて具体的に説明する。図8には、アライメントスコープ7の視野が示されている。以下、図8に示された視野における周辺部に位置する領域100を例として説明する。図9には、領域100についてのディストーションマップが例示されている。ディストーションマップは、アライメントスコープ7のディストーション量(ディストーションがない場合の位置(即ち理想位置)からのずれ量)の2次元分布を示す。換言すると、ディストーションマップは、アライメントスコープ7のディストーション量を格子を構成する各格子要素に配置したものである。
図9において、各格子要素内に2つの数値が記載されている。上側の数値は、X方向のディストーション量(第1ディストーション量)を示し、下側の数値は、Y方向のディストーション量(第2ディストーション量)を示している。ここでは具体例の提供のために単位をμmとするが、これは一例である。例えば、一番右上の格子要素は、ディストーション量(理想位置からのずれ量)が、X=+0.800μm、Y=+0.800μmであることを示している。図9に示されるディストーションがある場合において、図10に示されたマーク画像200の位置は、領域100における中心位置210として検出される。しかし、マーク画像200に対応する基板上のマークが実際に存在する位置は、格子要素内のディストーション量の影響によるずれ量分だけ中心位置210からシフトした位置である。
マーク画像の位置は、マーク画像のエッジの情報から算出される。よって、X方向とY方向のディストーション量の影響によるマーク画像のずれ量は、例えば、図11に示すマーク画像のエッジに対応する、ディストーションマップにおける複数の格子要素内のディストーション量を統計処理することによって得ることができる。統計処理は、例えば、平均値(例えば、算術平均値)を求める処理でありうる。ここで、マーク画像は、X方向(第1方向)を横切る第1エッジ(Y方向に延びるエッジ)と、X方向と直交するY方向(第2方向)を横切る第2エッジ(X方向に延びるエッジ)とを有しうる。
図12には、X方向のディストーション量によるマーク画像のずれ量(第1補正量)を計算するための格子要素が示されている。これは、X方向(第1方向)を横切る第1エッジ(Y方向に延びるエッジ)を含む格子要素を図11から抽出したものである。これに基づいて、工程S213では、X方向のずれ量が、マーク画像の仮位置をX方向に関して補正するための補正量として、以下のように計算されうる。
X=(0.281+0.240+0.204+0.173+0.316+0.274+0.410+0.362+0.583+0.522+0.468+0.421)/12
図13には、Y方向のディストーション量によるマーク画像のずれ量(第2補正量)を計算するための格子要素が示されている。これは、Y方向(第2方向)を横切る第2エッジ(X方向に延びるエッジ)を含む格子要素を図11から抽出したものである。これに基づいて、工程S213では、Y方向のずれ量が、マーク画像の仮位置をY方向に関して補正するための補正量として、以下のように計算されうる。
Y=(0.421+0.468+0.522+0.583+0.362+0.410+0.274+0.316+0.173+0.204+0.240+0.281)/12
上記の例では、X方向に関する補正量ΔxおよびY方向に関する補正量Δyは、共に+0.355μmとなる。つまり、アライメントスコープ7が図7(b)に示されるディストーションを有する場合、領域100において図10のように撮像されたマーク画像の位置は、基板4上の対応するマークの実際の位置に対してX、Y方向に+0.355μmの計測ずれを有する。工程S213では、工程S212で決定された補正量(上記の例では、Δx=+0.355μm、Δy=+0.355μm)に基づいて工程S211で決定されたマーク画像の仮位置を補正する。具体的には、仮位置を(x’、y’)とすると、補正されたマークの位置を(x、y)、補正量を(Δx,Δy)とすると、以下の式にしたがって、マークの位置を計算することができる。
(x、y)=(x’、y’)−(Δx,Δy)
以下、他の形状を有するマークの検出について説明する。図14に示されるマーク画像201がアライメントスコープ7を使って撮像された場合は、マーク画像201の位置は、領域100における中心位置210であり、これがマーク画像201の仮位置として検出される。
この例においても、マーク画像201のずれ量、即ち補正量は、図15に示されるように、マーク画像のエッジが存在する格子要素内のディストーション量の平均値(例えば、算術平均値)として算出できる。この例では、補正量(Δx,Δy)=(+0.403um、+0.403um)である。
図10の例と図14の例とでは、ずれ量(補正量)が互いに異なる。これは、マーク画像の中心位置がアライメントスコープ7の視野内の同じ位置にある場合であっても、ずれ量(補正量)がマーク画像(マーク)の形状によって異なることを示している。つまり、このディストーションの影響を除去する場合、マークの形状に応じた補正量を決定する必要がある。本実施形態では、工程S213において、ディストーションマップと工程S211で取得したマーク画像とに基づいて、工程S212で決定した仮位置を補正するための補正量が決定される。
ディストーションマップは、アライメントスコープ7の視野を複数の格子要素に分割し、各格子要素のディストーション量を決定することによって生成されうる。各格子要素のディストーション量は、例えば、図7に示されたドットチャートをアライメントスコープ7の視野の全域で撮像し、撮像した各ドットの位置のずれ量と格子要素とを対応付けることによって生成することができる。その際、各ドットの計測再現性の影響を最小化するため、複数回にわたって各ドットのずれ量を求め、それらを平均化することができる。また、ディストーションの発生量は、アライメントマークを観察する際のアライメント光の波長や、照明条件によっても異なるため、条件毎にディストーションマップを取得して、使い分けることでより正確な補正を行うこともできる。リソグラフィー装置1において、ディストーションマップを生成する工程は、初期設定時において、定期的または任意のメンテナンス時において実施されうる。該工程では、制御部20は、複数のドットが配置されたドットチャートをアライメントスコープ7を使って、撮像して得られた画像に基づいてディストーションマップを生成しうる。
補正量の決定方法は、工程S213に関して先に説明した方法に限定されるものではない。工程S212においてマーク画像の位置の決定するための演算方法に応じて、補正量の決定方法を選択してもよい。例えば、マーク画像を微分してマーク画像のエッジ部を抽出し、エッジ部の強度情報の重心を計算することでマーク画像の位置を決定する方法がある。このような方法でマーク画像の仮位置を決定する場合、各格子要素内の微分値に応じた重み付け平均値を計算することによって補正量を得ることができる。以下に具体例を説明する。
図18には、マーク画像のX方向を横切るエッジの微分値を1.0で正規化した値(以下、正規化微分値)が例示されている。図18に例示されるように、マーク画像の左側と右側とで正規化微分値が異なっている場合、図19に例示さるように、各格子要素内のディストーション量を正規化微分値で重み付けし、重み付け平均値を計算し、これを補正量とすることができる。
本実施形態によれば、アライメントスコープ7のディストーションによるマークの位置を高い精度で検出することができる。これは、第2モードのように、プリアライメント計測を行わない場合、即ち、アライメントスコープ7の視野の周辺部にマークが存在しうる状況でファインアライメント計測を実施する場合に特に有用である。ただし、本実施形態における仮位置の補正は、第1モードにも適用可能であり、この場合にもマークの位置を高い精度で検出することができる。
以下、ディストーションマップを生成する工程の変形例を説明する。第1の変形例では、制御部20は、アライメントスコープ7の視野内の複数の位置に順次にドットマークを配置し、アライメントスコープ7を使って撮像された画像に基づいて、ディストーションマップを生成するようにディストーションマップの生成処理を制御する。
図16には、第1の変形例のディストーションマップの生成方法が模式的に示されている。まず、基板チャック5の上に、ドットマークを有する基板が配置されうる。次に、ディストーションマップの1つの格子要素に対応する観察視野位置にドットマークが配置されるように基板駆動機構6を動作させ、アライメントスコープ7によってそのドットマークを撮像し、それによって得られたドットマーク画像の位置を検出する。このときの基板上のドットマークの位置は、基板駆動機構6の位置決め精度によって保証され、基板上のドットマークのドットマーク画像の位置とのずれ量がディストーション量である。以下、ディストーション量を決定する格子要素の位置を順次に変更しながら同様の処理がなされる。基板駆動機構6の駆動精度が高精度であれば、ほぼ理想的な位置にドットマークを移動させることができるため、基板上のドットマークの位置とドットマーク画像の位置とのずれ量をディストーション量とすることができる。第1変形例では、正確に複数のドットが配置されたドットチャートを使用しなくても、ディストーションマップを生成することができる。
第2の変形例では、制御部20は、アライメントスコープ7の視野内の複数の位置に順次にアライメントマークを配置し、アライメントスコープ7を使って撮像された画像に基づいて、ディストーションマップを生成する。通常、アライメントマークの形状は任意のものが使用されるため、その形状は様々であるが、標準的に推奨されるアライメントマークなど、比較的に使用頻度が高いアライメントマークがある。そのような場合は、そのアライメントマークに限定した処理として、そのアライメントマークを用いて、以下の手順でディストーションマップを生成することで、より高精度な補正が可能となる。
図17には、第2の変形例のディストーションマップの生成方法が模式的に示されている。まず、基板チャック5の上に、選択されたアライメントマークを有する基板が配置されうる。次に、ディストーションマップの1つの格子要素に対応する観察視野位置にアライメントマークが配置されるように基板駆動機構6を動作させ、アライメントスコープ7によってそのアライメントマークが撮像される。そして、それによって得られたアライメントマーク画像の位置が検出される。このときの基板上のアライメントマークの位置は、基板駆動機構6の位置決め精度によって保証され、基板上のアライメントマークの位置とアライメントの位置とのずれ量がディストーション量である。以下、ディストーション量を決定する格子要素の位置を順次に変更しながら同様の処理がなされる。
第2の変形例では、ディストーションマップを構成する各格子要素のディストーション量は、ディストーションマップの生成のために使用されたアライメントマークの形状に固有の検出誤差を含んでいる。したがって、アライメント計測のためのアライメントマークとディストーションマップの生成のためのアライメントマークの形状とが類似している場合には、補正量としてディストーションマップのディストーション量をそのまま使用してもよい。この場合、工程S213では、アライメント計測のためのアライメントマークとディストーションマップの生成のためのアライメントマークの形状とが類似しているがどうかを判断すればよい。両者が類似していれば、補正量としてディストーションマップのディストーション量をそのまま使用してもよい。一方、両者が類似していなければ、上記の実施形態に従って補正量が決定される。あるいは、より厳しく判断し、両者が一致していなければ、上記の実施形態に従って補正量が決定されうる。
あるいは、複数種類のアライメントマークのそれぞれについてディストーションマップが準備されてもよい。この場合、アライメントにおいて使用されるアライメントマークと近似しているアライメントマークを使用して生成されたディストーションマップのディストーション量が補正量として使用されうる。
マーク画像の位置の補正の際に、マーク画像の中心が格子要素のサイズ以下の量だけオフセットしている場合などは、隣接する格子要素のディストーション量から補間(例えば線形補間)などによって補正量を決定してもよい。
本実施形態によれば、アライメントスコープ7のディストーションによって発生するマーク画像の位置検出結果を補正することによって高い精度でマークの位置を検出することができる。
リソグラフィー装置1を使って実施されるリソグラフィー方法は、基板4のマークの位置を上記のマーク位置決定方法に従って検出する検出工程と、該検出工程で検出されたマークの位置に基づいて基板4の目標位置にパターンを転写する転写工程と、を含みうる。
1つの実施形態の物品製造方法は、上記のリソグラフィー方法によって基板4の上にパターンを転写する転写工程と、該転写工程を経た基板4を処理する処理工程と、を含み、該処理工程を経た基板4から物品が得られる。該処理は、例えば、現像、エッチング、イオン注入、成膜等を含みうる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
1:リソグラフィー装置、7:アライメントスコープ(スコープ)、11:マーク、12:マーク

Claims (15)

  1. マークを撮像するスコープを使って取得した画像におけるマーク画像の位置に基づいて前記マーク画像の仮位置を決定する第1工程と、
    前記スコープのディストーション量の2次元分布を示すディストーションマップと前記マーク画像とに基づいて、前記仮位置を補正するための補正量を決定する第2工程と、
    前記仮位置を前記補正量に基づいて補正することによって前記マークの位置を決定する第3工程と、
    を含むことを特徴とするマーク位置決定方法。
  2. 前記第2工程では、前記マーク画像のエッジの位置に対応する、前記ディストーションマップにおける前記ディストーション量に基づいて、前記補正量を決定する、
    ことを特徴とする請求項1に記載のマーク位置決定方法。
  3. 前記マーク画像は、第1方向を横切る第1エッジと、前記第1方向に直交する第2方向を横切る第2エッジとを有し、
    前記ディストーション量は、前記第1方向における第1ディストーション量と、前記第2方向における第2ディストーション量とを含み、
    前記補正量は、前記第1方向に関する第1補正量と、前記第2方向に関する第2補正量とを含み、
    前記第2工程では、前記第1エッジの位置に対応する、前記ディストーションマップにおける前記第1ディストーション量に基づいて前記第1補正量を決定し、前記第2エッジの位置に対応する、前記ディストーションマップにおける前記第2ディストーション量に基づいて前記第1補正量を決定する、
    ことを特徴とする請求項1に記載のマーク位置決定方法。
  4. 前記第2工程では、複数の前記第1エッジの位置に対応する複数の第1ディストーション量を統計処理して前記第1補正量を決定し、複数の前記第2エッジの位置に対応する複数の第2ディストーション量を統計処理して前記第2補正量を決定する、
    ことを特徴とする請求項3に記載のマーク位置決定方法。
  5. 前記統計処理は、平均値を求める処理を含む、
    ことを特徴とする請求項4に記載のマーク位置決定方法。
  6. 前記平均値は、算術平均値である、
    ことを特徴とする請求項5に記載のマーク位置決定方法。
  7. 前記平均値は、重み付け平均値である、
    ことを特徴とする請求項5に記載のマーク位置決定方法。
  8. 複数のドットが配置されたドットチャートを前記スコープを使って撮像して得られた画像に基づいて前記ディストーションマップを生成する工程を更に含む、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のマーク位置決定方法。
  9. 前記スコープの視野内の複数の位置に順次にマークを配置し、前記スコープを使って撮像された画像に基づいて、前記ディストーションマップを生成する工程を更に含む、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のマーク位置決定方法。
  10. 前記マークは、ドットマークである、
    ことを特徴とする請求項9に記載のマーク位置決定方法。
  11. 前記マークは、アライメントマークである、
    ことを特徴とする請求項9に記載のマーク位置決定方法。
  12. 基板にパターンを転写するリソグラフィー方法であって、
    前記基板に設けられたマークの位置を請求項1乃至11のいずれか1項に記載のマーク位置決定方法に従って検出する検出工程と、
    前記検出工程で検出されたマークの位置に基づいて前記基板の目標位置にパターンを転写する転写工程と、
    を含むことを特徴とするリソグラフィー方法。
  13. 請求項12に記載のリソグラフィー方法によって基板の上にパターンを転写する転写工程と、
    前記転写工程を経た前記基板を処理する処理工程と、を含み、
    前記処理工程を経た前記基板から物品を得ることを特徴とする物品製造方法。
  14. コンピュータに請求項1乃至11のいずれか1項に記載のマーク位置決定方法を実行させることを特徴とするプログラム。
  15. 基板に設けられたマークを撮像するスコープと、前記スコープによって撮像された画像に基づいて前記マークの位置を検出するプロセッサと、を備え、前記プロセッサによって検出された前記マークの位置に基づいて前記基板の目標位置にパターンを転写するリソグラフィー装置であって、
    前記プロセッサは、
    マークを撮像するスコープを使って取得した画像におけるマーク画像の位置に基づいて前記マーク画像の仮位置を決定し、
    前記スコープのディストーション量の2次元分布を示すディストーションマップと前記マーク画像とに基づいて、前記仮位置を補正するための補正量を決定し、
    前記仮位置を前記補正量に基づいて補正することによって前記マークの位置を決定する、
    ことを特徴とするリソグラフィー装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102541500B1 (ko) * 2022-11-14 2023-06-13 (주)오로스테크놀로지 상관관계 기반 오버레이 키 센터링 시스템 및 그 방법
KR102560241B1 (ko) * 2022-11-14 2023-07-28 (주)오로스테크놀로지 딥러닝 기반 오버레이 키 센터링 시스템 및 그 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176751A (ja) * 1997-10-09 1999-07-02 Canon Inc 露光方法
JP2006030021A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Nikon Corp 位置検出装置及び位置検出方法
JP2007017763A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 画像位置計測装置及び露光装置
JP2011018864A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Nikon Corp 位置検出装置、基板重ね合わせ装置及び位置検出方法
JP2012068104A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 位置合わせ測定方法及び位置合わせ測定装置
JP2013520826A (ja) * 2010-02-26 2013-06-06 マイクロニック マイデータ エービー パターンアライメントを行うための方法および装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307424A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Hitachi Ltd 半導体製造方法および製造装置、ならびにそれにより製造された半導体デバイス
SG108975A1 (en) * 2003-07-11 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern
JP5523207B2 (ja) * 2010-06-01 2014-06-18 株式会社トプコン 露光装置
JP6401501B2 (ja) * 2014-06-02 2018-10-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
WO2017109958A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 オリンパス株式会社 光走査型内視鏡および光走査型内視鏡の作動方法
JP6945316B2 (ja) * 2017-03-24 2021-10-06 キヤノン株式会社 検出装置、パターン形成装置、取得方法、検出方法、および物品製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176751A (ja) * 1997-10-09 1999-07-02 Canon Inc 露光方法
JP2006030021A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Nikon Corp 位置検出装置及び位置検出方法
JP2007017763A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 画像位置計測装置及び露光装置
JP2011018864A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Nikon Corp 位置検出装置、基板重ね合わせ装置及び位置検出方法
JP2013520826A (ja) * 2010-02-26 2013-06-06 マイクロニック マイデータ エービー パターンアライメントを行うための方法および装置
JP2012068104A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 位置合わせ測定方法及び位置合わせ測定装置

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