JP2021044476A - 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回収槽における処理液の濃度の調製を円滑に実行しつつ、処理液の回収率を向上できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置５００は、回収配管Ｑ２と、回収槽ＴＲと、排出配管Ｑ１と、禁止部１５と、制御部Ｕ２１とを備える。回収配管Ｑ２には、基板Ｗから飛散した処理液が流入する。回収槽ＴＲは、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収する。排出配管Ｑ１には、基板Ｗへの処理液の供給が停止された後であって、基板Ｗにリンス液が供給されている第１期間Ｔ１において、基板Ｗから飛散したリンス液が流入する。禁止部１５は、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを禁止することが可能である。制御部Ｕ２１は、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止するように、禁止部１５を制御する。第１期間Ｔ１の一部又は全部において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法に関する。

特許文献１に記載されている基板処理装置は、回収システムと、排液システムとを備える。

回収システムは、処理カップと、回収配管と、回収バルブとを含む。処理カップは、基板から飛散する燐酸水溶液を受け止める。回収配管は、処理カップによって受け止められた燐酸水溶液を燐酸タンクに案内する。回収バルブは、回収配管を開閉する。排液システムは、排液配管と、排液バルブとを含む。排液配管は、回収バルブの上流で回収配管に接続される。排液バルブは、排液配管を開閉する。

具体的には、回収バルブが開かれ、排液バルブが閉じられた回収状態のとき、処理カップによって受け止められた燐酸水溶液は、回収配管によって燐酸タンクに回収される。回収バルブが閉じられ、排液バルブが開かれた排液状態のとき、処理カップによって受け止められた燐酸水溶液は、回収配管を通って排液配管に排出される。

また、特許文献１に記載されている基板処理装置では、燐酸供給工程の後に、リンス液供給工程が実行される。従って、基板上の燐酸水溶液は、リンス液によって洗い流される。

特開２０１８−１８２２２８号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置において、燐酸水溶液を排出する時に使用する回収配管と排液配管とによって、リンス液が排出される場合には、燐酸水溶液を回収するための十分な時間を確保できない可能性がある。なぜなら、燐酸供給工程の後、直ちにリンス液供給工程が実行されるからである。

燐酸水溶液を回収するための十分な時間を確保できないと、燐酸水溶液の回収率が低くなる。従って、燐酸水溶液の回収率を向上することが要望される。

特に、例えば、燐酸水溶液及び硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）のように、粘度の高い処理液では、粘度の低い処理液と比較して、重力による回収（処理液の自重による回収）に時間が掛かる。

また、燐酸水溶液の回収率を高めるために、十分な時間を確保してリンス液によって燐酸水溶液を回収すると、燐酸水溶液だけでなく、想定外の量のリンス液が、燐酸タンクに流入する。その結果、燐酸タンク（回収槽）において、燐酸水溶液の濃度の調製が困難になる可能性がある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、回収槽における処理液の濃度の調製を円滑に実行しつつ、処理液の回収率を向上できる基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板に処理液を供給して前記処理液によって前記基板を処理する。基板処理装置は、基板保持部と、回収配管と、回収槽と、排出配管と、禁止部と、制御部とを備える。基板保持部は、前記基板を保持して回転する。回収配管には、回転中の前記基板から飛散した前記処理液が流入する。回収槽は、前記回収配管に接続され、前記回収配管を通して前記処理液を回収する。排出配管には、前記基板への前記処理液の供給が停止された後であって、回転中の前記基板にリンス液が供給されている第１期間において、回転中の前記基板から飛散した前記リンス液が流入する。禁止部は、前記リンス液が前記回収配管に流入することを禁止することが可能である。制御部は、前記第１期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するように、前記禁止部を制御する。前記第１期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。

本発明の基板処理装置において、前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管であることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記禁止部は、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第１ガードを含むことが好ましい。前記第１ガードは、前記第１期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に案内しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記第１ガードは、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。前記禁止部は、前記第１ガードと異なる位置において、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第２ガードをさらに含むことが好ましい。前記第２ガードは、前記第２期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に案内することが好ましい。前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されていることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記第２期間で前記第２ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第１期間で前記第１ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第１期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記制御部は、前記基板保持部の回転数を制御することが好ましい。

本発明の基板処理装置は、共通配管をさらに備えることが好ましい。共通配管には、前記処理液と前記リンス液とが異なる時間帯に流入することが好ましい。前記共通配管は、前記回収配管及び前記排出配管よりも上流に位置し、前記回収配管及び前記排出配管に接続されることが好ましい。前記禁止部は、前記第１期間において、前記共通配管から前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するバルブを含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記禁止部は、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されていることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管とを備える。前記基板処理方法は、回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、前記基板に前記リンス液が供給されている第１期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記第１期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程とを含む。前記第１期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。

本発明の基板処理方法において、前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管であることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記基板処理装置は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第１ガードとをさらに備えることが好ましい。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記第１ガードが、前記第１期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記基板処理装置は、前記第１ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第２ガードをさらに備えることが好ましい。前記基板処理方法は、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記第２ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程をさらに含むことが好ましい。前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。前記第１ガードは、前記第２期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されていることが好ましい。

本発明の基板処理方法は、前記第２期間で前記第２ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第１期間で前記第１ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第１期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記基板処理装置は、前記処理液と前記リンス液とが異なる時間帯に流入する共通配管と、バルブとをさらに備えることが好ましい。前記共通配管は、前記回収配管及び前記排出配管よりも上流に位置し、前記回収配管及び前記排出配管に接続されることが好ましい。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記バルブが、前記第１期間において、前記共通配管から前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されていることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。

本発明の更に他の局面によれば、半導体製造方法は、基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管とを備える。前記半導体製造方法は、回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、前記半導体基板に前記リンス液が供給されている期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程とを含む。前記期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。

本発明によれば、回収槽における処理液の濃度の調製を円滑に実行しつつ、処理液の回収率を向上できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置における処理装置の内部を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置による処理液の回収動作を示すタイムチャートである。 （ａ）は、実施形態１に係る基板処理装置において、処理液による処理期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板処理装置において、リンス処理のための第１期間での処理液の回収工程を示す図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置による処理液の回収動作を示すタイムチャートである。 （ａ）は、比較例に係る基板処理装置において、処理液による処理期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、比較例に係る基板処理装置において、処理液の振り切り期間での処理液の回収工程を示す図である。 （ａ）は、比較例に係る基板処理装置において、リンス処理の初期期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、比較例に係る基板処理装置において、リンス液の排出工程を示す図である。 （ａ）は、実施形態２に係る基板処理装置において、処理液による処理期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態２に係る基板処理装置において、処理液の振り切り期間での処理液の回収工程を示す図である。 （ａ）は、実施形態２に係る基板処理装置において、リンス処理のための第２期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態２に係る基板処理装置において、リンス処理のための第１期間での処理液の回収工程を示す図である。 実施形態２に係る基板処理装置が実行する基板処理方法の一部を示すフローチャートである。 実施形態２に係る基板処理装置が実行する基板処理方法の他の一部を示すフローチャートである。 実施形態２に係る基板処理装置の好適な構成を示す図である。 （ａ）〜（ｆ）は、実施形態２に係る基板処理装置における処理液の流れの変化を説明するための図である。 実施形態２に係る第１回収槽及び第２回収槽による燐酸液の回収タイミングを示すタイムチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置における処理装置の内部を示す図である。 （ａ）は、実施形態３に係る基板処理装置において、処理液による処理期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態３に係る基板処理装置において、リンス処理のための第１期間での処理液の回収工程を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態４に係る基板処理装置において、処理液による処理期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態４に係る基板処理装置において、処理液の振り切り期間での処理液の回収工程を示す図である。 （ａ）は、実施形態４に係る基板処理装置において、リンス処理のための第２期間での処理液の回収工程を示す図である。（ｂ）は、実施形態４に係る基板処理装置において、リンス処理のための第１期間での処理液の回収工程を示す図である。 （ａ）は、比較例に係る基板処理装置における燐酸液の排液量を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施例に係る基板処理装置における燐酸液の排液量を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

（実施形態１）
図１〜図４を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置５００を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置５００を説明する。図１は、基板処理装置５００を示す平面図である。基板処理装置５００は、基板Ｗに処理液を供給して処理液によって基板Ｗを処理する。具体的には、基板処理装置５００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。

図１に示すように、基板処理装置５００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理装置Ｕ１と、制御装置Ｕ２とを備える。なお、基板処理装置５００は、単数の処理装置Ｕ１を備えていてもよい。

制御装置Ｕ２は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び、複数の処理装置Ｕ１を制御する。制御装置Ｕ２は、制御部Ｕ２１と、記憶部Ｕ２２とを含む。制御部Ｕ２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部Ｕ２２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部Ｕ２２は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部Ｕ２２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。

具体的には、制御装置Ｕ２において、制御部Ｕ２１のプロセッサーは、記憶部Ｕ２２の記憶装置に記憶されたコンピュータープログラムを実行して、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び、複数の処理装置Ｕ１を制御する。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理装置Ｕ１との間で基板Ｗを搬送する。処理装置Ｕ１の各々は、基板Ｗを回転しながら、基板Ｗに処理液を供給して、処理液によって基板Ｗを処理する。

具体的には、複数の処理装置Ｕ１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（実施形態１では４つのタワーＴＷ）を構成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理装置Ｕ１（実施形態１では３つの処理装置Ｕ１）を含む。

次に、図２を参照して、実施形態１に係る基板処理装置５００を説明する。図２は、基板処理装置５００における処理装置Ｕ１の内部を示す図である。なお、図２では、図面の簡略化のために、１つ処理装置Ｕ１を図示している。

図２に示すように、処理装置Ｕ１は、チャンバー１と、スピンチャック３と、スピン軸５と、スピンモーター７と、ノズル９と、ノズル移動部１１と、ノズル１３と、禁止部１５と、昇降部１７と、カップ部１９とを備える。また、基板処理装置５００は、処理液供給装置Ｕ３と、バルブＶ１と、配管Ｐ１と、バルブＶ２と、配管Ｐ２と、排出配管Ｑ１と、排出バルブＱ１１と、排液槽Ｕ４と、回収配管Ｑ２と、回収バルブＱ２１とをさらに備える。

チャンバー１は略箱形状を有する。チャンバー１は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピン軸５、スピンモーター７、ノズル９、ノズル移動部１１、ノズル１３、禁止部１５、昇降部１７、カップ部１９、配管Ｐ１の一部、配管Ｐ２の一部、排出配管Ｑ１の一部、及び、回収配管Ｑ２の一部を収容する。

スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー１内で基板Ｗを水平に保持しながら、スピンチャック３の回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。スピンチャック３は、「基板保持部」の一例に相当する。

スピンチャック３は、複数のチャック部材３１と、スピンベース３３とを含む。複数のチャック部材３１はスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３１は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３１を支持する。

スピン軸５は、スピンベース３３に固定される。また、スピン軸５は、スピンモーター７の駆動軸に固定される。そして、スピンモーター７は、スピン軸５を回転させることによって、スピンベース３３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３１に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。

ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けて処理液を供給する。実施形態１では、ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は、典型的には、薬液である。本明細書において、処理液とは、基板Ｗを処理する液体のうち、基板Ｗを処理する目的に直接寄与する液体のことである。従って、処理液は、基板Ｗを処理する液体のうちのリンス液とは区別される。

例えば、処理装置Ｕ１が基板Ｗに対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸液を含む。燐酸液は、燐酸及び水を含有する。エッチング処理を実行する場合は、基板Ｗは、例えば、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が形成された半導体ウエハである。エッチング処理とは、半導体ウエハの表面から、シリコン窒化膜を選択的にエッチングする処理のことである。基板Ｗに燐酸液を供給してエッチング処理を実行するときの燐酸液の温度は、例えば、１７５℃である。

例えば、処理装置Ｕ１が基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。レジスト除去処理を実行する場合は、基板Ｗは、例えば、レジストが形成された半導体ウエハである。レジスト除去処理とは、半導体ウエハの表面から、レジストを除去する処理のことである。基板ＷにＳＰＭを供給してレジスト除去処理を実行するときのＳＰＭの温度は、例えば、２００℃である。

ノズル移動部１１は、処理位置と退避位置との間でノズル９を移動する。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。ノズル９は、処理位置に位置するときに、基板Ｗに向けて処理液を供給する。退避位置は、基板Ｗよりも基板Ｗの径方向外側の位置を示す。

具体的には、ノズル移動部１１は、アーム１１１と、回動軸１１７と、ノズル移動機構１１５とを含む。アーム１１１は略水平方向に沿って延びる。アーム１１１の先端部にはノズル９が取り付けられる。アーム１１１は回動軸１１７に結合される。回動軸１１７は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構１１５は、回動軸１１７を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム１１１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズル９が略水平面に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構１１５は、回動軸１１７を回動軸線のまわりに回動させるアーム揺動モーターを含む。アーム揺動モーターは、例えば、サーボモータである。また、ノズル移動機構１１５は、回動軸１１７を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム１１１を昇降させる。その結果、ノズル９が略鉛直方向に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構１１５は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるアーム昇降モーターとを含む。アーム昇降モーターは、例えば、サーボモータである。

処理液供給装置Ｕ３は、配管Ｐ１に処理液を供給する。そして、配管Ｐ１はノズル９に処理液を供給する。バルブＶ１は、配管Ｐ１に介挿されて、ノズル９に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

具体的には、処理液供給装置Ｕ３は供給槽ＴＤを含む。供給槽ＴＤは処理液を貯留する。処理液供給装置Ｕ３は、供給槽ＴＤに貯留した処理液を配管Ｐ１に供給する。また、処理液供給装置Ｕ３は回収槽ＴＲをさらに含む。回収槽ＴＲについては後述する。

ノズル１３は、処理液によって基板Ｗが処理された後に、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を供給する。つまり、ノズル１３は、リンス液によって、基板Ｗに付着した処理液を洗い流す。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。リンス液の種類は、基板Ｗをリンスできる限りにおいては、特に限定されない。処理液がＳＰＭを含む場合、リンス液は、例えば、過酸化水素水であってもよい。

配管Ｐ２はノズル１３にリンス液を供給する。バルブＶ２は、配管Ｐ２に介挿されて、ノズル１３に対するリンス液の供給開始と供給停止とを切り替える。

禁止部１５は、第１ガードＧ１と、第２ガードＧ２とを含む。第１ガードＧ１及び第２ガードＧ２は、回転軸線ＡＸを中心とする同心円状に配置される。

第１ガードＧ１は、回転中の基板Ｗからリンス液を受け止める。具体的には、第１ガードＧ１は、スピンチャック３の径方向外側において、スピンチャック３の周方向に沿って配置される。第１ガードＧ１は、筒部Ｇ１１と、天井部Ｇ１２とを含む。筒部Ｇ１１は略筒形状を有する。天井部Ｇ１２は、筒部Ｇ１１の上端部から回転軸線ＡＸに向かって斜め上方に延びる。天井部Ｇ１２は略円環形状を有する。

第２ガードＧ２は、回転中の基板Ｗから処理液を受け止める。具体的には、第２ガードＧ２は、スピンチャック３の径方向外側において、スピンチャック３の周方向に沿って配置される。第２ガードＧ２は、スピンチャック３の径方向において、第１ガードＧ１と異なる位置に配置される。第２ガードＧ２は、筒部Ｇ２１と、天井部Ｇ２２とを含む。筒部Ｇ２１は略筒形状を有する。筒部Ｇ２１は、第１ガードＧ１の筒部Ｇ１１よりも、スピンチャック３の径方向外側に位置する。天井部Ｇ２２は、筒部Ｇ２１の上端部から回転軸線ＡＸに向かって斜め上方に延びる。天井部Ｇ２２は略円環形状を有する。

すなわち、禁止部１５は、回転中の基板Ｗから飛散した処理液又はリンス液を受け止める。

昇降部１７は、禁止部１５を上昇又は下降させる。具体的には、昇降部１７は、第１昇降機構Ｄ１と、第２昇降機構Ｄ２とを含む。

第１昇降機構Ｄ１は、受液位置と退避位置との間で、第１ガードＧ１を上昇又は下降させる。受液位置は、第１ガードＧ１が上昇して第１ガードＧ１の上端が基板Ｗよりも鉛直方向上側に位置するときの位置を示す。退避位置は、第１ガードＧ１が下降して第１ガードＧ１の上端が基板Ｗよりも鉛直方向下側に位置するときの位置を示す。第１昇降機構Ｄ１は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるモーターとを含む。

第２昇降機構Ｄ２は、受液位置と退避位置との間で、第２ガードＧ２を上昇又は下降させる。受液位置は、第２ガードＧ２が上昇して第２ガードＧ２の上端が基板Ｗよりも鉛直方向上側に位置するときの位置を示す。退避位置は、第２ガードＧ２が下降して第２ガードＧ２の上端が基板Ｗよりも鉛直方向下側に位置するときの位置を示す。第２昇降機構Ｄ２は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるモーターとを含む。

カップ部１９は、禁止部１５によって下方に案内された処理液又はリンス液を受け止める。具体的には、カップ部１９は、第１カップＣ１と、第２カップＣ２とを含む。

第１カップＣ１は、第１ガードＧ１によって下方に案内されたリンス液を受け止める。第１カップＣ１の底部は、第１ガードＧ１（具体的には筒部Ｇ１１）の下方に配置される。第１カップＣ１は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。

第２カップＣ２は、第２ガードＧ２によって下方に案内された処理液を受け止める。第２カップＣ２の底部は、第２ガードＧ２（具体的には筒部Ｇ２１）の下方に配置される。第２カップＣ２は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。

排出配管Ｑ１には、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液が流入する。具体的には、排出配管Ｑ１は、第１カップＣ１に接続される。従って、排出配管Ｑ１には、第１ガードＧ１によって第１カップＣ１に案内されたリンス液が流入する。つまり、排出配管Ｑ１には、第１ガードＧ１及び第１カップＣ１を介してリンス液が流入する。排出配管Ｑ１は、排液槽Ｕ４に接続され、排液槽Ｕ４にリンス液を排出する。その結果、排液槽Ｕ４は、リンス液を貯留する。

すなわち、第１ガードＧ１が受け止めたリンス液は、第１カップＣ１及び排出配管Ｑ１を介して、排液槽Ｕ４に排出される。排出バルブＱ１１は、排出配管Ｑ１に介挿される。そして、排出バルブＱ１１が開くと、排出配管Ｑ１の流路が開放される。その結果、リンス液が排出配管Ｑ１を通って排液槽Ｕ４へ排出される。一方、排出バルブＱ１１が閉じると、排出配管Ｑ１の流路が閉塞される。その結果、排液槽Ｕ４へのリンス液の排出が停止される。

回収配管Ｑ２には、回転中の基板Ｗから飛散した処理液が流入する。具体的には、回収配管Ｑ２は、第２カップＣ２に接続される。従って、回収配管Ｑ２には、第２ガードＧ２によって第２カップＣ２に案内された処理液が流入する。つまり、回収配管Ｑ２には、第２ガードＧ２及び第２カップＣ２を介して処理液が流入する。回収配管Ｑ２は、回収槽ＴＲに接続され、回収槽ＴＲに処理液を案内する。従って、回収槽ＴＲは、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収して、処理液を貯留する。処理液供給装置Ｕ３は、回収槽ＴＲに貯留された処理液を目標濃度及び目標温度に調製する。そして、処理液供給装置Ｕ３は、濃度及び温度が調製された処理液を、回収槽ＴＲから供給槽ＴＤに供給する。

すなわち、第２ガードＧ２が受け止めた処理液は、第２カップＣ２及び回収配管Ｑ２を介して、回収槽ＴＲに回収される。回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２に介挿される。そして、回収バルブＱ２１が開くと、回収配管Ｑ２の流路が開放される。その結果、処理液が回収配管Ｑ２を通って回収槽ＴＲへ案内される。一方、回収バルブＱ２１が閉じると、回収配管Ｑ２の流路が閉塞される。その結果、回収槽ＴＲへの処理液の案内が停止される。

制御装置Ｕ２は、処理装置Ｕ１の各構成を制御する。具体的には、制御部Ｕ２１のプロセッサーは、記憶部Ｕ２２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、スピンチャック３、スピンモーター７、ノズル移動部１１、禁止部１５、昇降部１７、及び、カップ部１９を制御する。また、制御部Ｕ２１のプロセッサーは、記憶部Ｕ２２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、バルブＶ１、処理液供給装置Ｕ３、バルブＶ２、排出バルブＱ１１、及び、回収バルブＱ２１を制御する。

次に、図２及び図３を参照して、基板処理装置５００による処理液の回収動作を説明する。図３は、基板処理装置５００による処理液の回収動作を示すタイムチャートである。図３では、横軸は、時間ｔを示している。

図２及び図３に示すように、処理期間Ｔｘにおいて、処理装置Ｕ１は、処理液によって基板Ｗを処理する。従って、処理期間Ｔｘにおいて、ノズル９は基板Ｗに処理液を供給する。処理期間Ｔｘは、処理液によって基板Ｗを処理する期間を示す。なお、処理期間Ｔｘは、前処理期間及び／又は後処理期間を含んでいてもよい。前処理期間は、処理液を基板Ｗに供給するための準備期間を示す。後処理期間は、処理液を基板Ｗに供給した後であって、リンス液を供給する前の期間を示す。後処理期間は、例えば、処理液の振り切り期間を含んでもよい。振り切り期間は、処理液が供給された後に、基板Ｗの回転によって基板Ｗから処理液を振り切る期間を示す。振り切り期間では、基板Ｗから処理液を完全に除去するのではなく、基板Ｗの表面が露出しない程度に、処理液を基板Ｗから振り切ることが好ましい。

処理期間Ｔｘにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液が、第２ガードＧ２及び第２カップＣ２に案内されて、回収配管Ｑ２に流入する。一方、処理期間Ｔｘにおいて、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。従って、処理期間Ｔｘにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液は、回収配管Ｑ２によって、回収槽ＴＲに案内される。その結果、回収槽ＴＲは、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収する。

次に、処理期間Ｔｘの後の第１期間Ｔ１において、処理装置Ｕ１はリンス処理を実行する。つまり、処理装置Ｕ１は、リンス液によって基板Ｗの表面に付着した処理液を洗い流す。従って、第１期間Ｔ１において、ノズル１３は基板Ｗにリンス液を供給する。具体的には、第１期間Ｔ１は、基板Ｗへの処理液の供給が停止された後であって、回転中の基板Ｗにリンス液が供給されている期間を示す。つまり、第１期間Ｔ１は、リンス処理を実行する期間を示す。なお、第１期間Ｔ１は、リンス前処理期間及び／又はリンス後処理期間を含んでいてもよい。リンス前処理期間は、処理期間Ｔｘの後であって、リンス液を基板Ｗに供給するための準備期間を示す。リンス後処理期間は、リンス液を基板Ｗに供給した後の期間を示す。リンス後処理期間は、例えば、リンス液の振り切り期間を含んでいてもよい。振り切り期間は、リンス液が供給された後に、基板Ｗの回転によって基板Ｗからリンス液を振り切る期間を示す。

第１期間Ｔ１において、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液が、第１ガードＧ１及び第１カップＣ１に案内されて、排出配管Ｑ１に流入する。一方、第１期間Ｔ１において、排出バルブＱ１１は、排出配管Ｑ１の流路を開放している。従って、第１期間Ｔ１において、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液は、排出配管Ｑ１によって、排液槽Ｕ４に案内される。排出バルブＱ１１は、第１期間Ｔ１の終了後に、開かれたままであってもよいし、閉じられてもよい。

ここで、禁止部１５は、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを禁止することが可能である。そこで、制御部Ｕ２１は、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止するように、禁止部１５を制御する。一方、第１期間Ｔ１の一部又は全部において、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。つまり、第１期間Ｔ１の一部又は全部において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。

従って、実施形態１によれば、リンス処理が実行される第１期間Ｔ１においても、処理期間Ｔｘに引き続き、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。第１期間Ｔ１では、例えば、第２ガードＧ２に付着した処理液が、重力（処理液の自重）によって、第２カップＣ２を介して回収配管Ｑ２に流入する。さらに、第１期間Ｔ１では、例えば、回収配管Ｑ２に付着した処理液が、重力（処理液の自重）によって、回収配管Ｑ２を回収槽ＴＲに向かって移動する。この場合、回収配管Ｑ２の構造及び配置に応じて、処理液は、回収配管Ｑ２の途中まで移動してもよいし、回収槽ＴＲまで移動してもよい。特に、実施形態１では、第１期間Ｔ１では、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止されているため、処理液が回収配管Ｑ２の途中までしか移動しない場合であっても、次のサイクルの処理期間Ｔｘにおいて、回収配管Ｑ２に残存する処理液を回収槽ＴＲに回収できる。

特に、処理液の粘度が比較的高い場合であっても、処理液の回収に十分な時間を確保できるため、処理液の回収率を向上できる。例えば、処理液が、燐酸液を含む場合、又は、ＳＰＭを含む場合でも、処理液の回収率を向上できる。燐酸液又はＳＰＭを含む処理液は、粘度の高い処理液の一例である。燐酸液の温度及び濃度によって異なるが、例えば、燐酸液の粘度は約２５℃で約１００ＣＰ（センチポアズ）である。ＳＰＭの濃度及び温度によって異なるが、例えば、ＳＰＭの粘度は約２５℃で約２３ＣＰ（センチポアズ）である。なお、リンス処理が実行される第１期間Ｔ１では、第２ガードＧ２及び／又は回収配管Ｑ２に付着した処理液の温度は、基板Ｗの処理時の温度よりも低下している。従って、第１期間Ｔ１における処理液の回収時では、第２ガードＧ２及び／又は回収配管Ｑ２に付着した処理液の粘度は、処理時の処理液の粘度よりも高い。しかしながら、実施形態１では、第１期間Ｔ１においても回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できるため、例えば燐酸液及びＳＰＭのような粘度が比較的高い処理液であっても、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。

加えて、実施形態１では、リンス処理が実行される第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止されている。従って、第１期間Ｔ１において、リンス液が回収槽ＴＲに流入することが抑制される。その結果、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。

また、第１期間Ｔ１の経過後においても、引き続き、禁止部１５は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止していてもよい。そして、第１期間Ｔ１の経過後においても、引き続き、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放していてもよい。この場合、処理液の回収のために更に十分な時間を確保できる。その結果、処理液の回収率を更に向上できる。

以上、図２及び図３を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板処理装置５００は、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行しつつ、処理液の回収率を向上できる。

特に、実施形態１では、回収配管Ｑ２と排出配管Ｑ１とは、互いに分離した異なる系列の配管である。従って、リンス処理を実行する第１期間Ｔ１において、禁止部１５は、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを容易に禁止できる。

次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、基板処理装置５００による処理液の回収動作の詳細を説明する。図４（ａ）は、処理液による処理期間Ｔｘでの処理液の回収工程を示す図である。図４（ｂ）は、リンス処理のための第１期間Ｔ１での処理液の回収工程を示す図である。

図４（ａ）に示すように、処理期間Ｔｘにおいて、第２ガードＧ２は、受液位置に位置する。従って、処理期間Ｔｘにおいて、第２ガードＧ２は、回転中の基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、第２カップＣ２を介して、処理液を回収配管Ｑ２に案内する。一方、処理期間Ｔｘでは、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。従って、処理液は、回収配管Ｑ２を通って回収槽ＴＲに回収される。

一方、処理期間Ｔｘにおいて、第１ガードＧ１は、退避位置に位置する。従って、処理液は、排出配管Ｑ１に流入しない。処理期間Ｔｘにおいて、排出バルブＱ１１は、排出配管Ｑ１の流路を、開放していてもよいし、閉塞していてもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、第１期間Ｔ１において、第２ガードＧ２は、受液位置に位置する。ただし、第１期間Ｔ１では、第２ガードＧ２よりも内側の第１ガードＧ１が受液位置に位置する。従って、第１ガードＧ１は、第１期間Ｔ１において、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、第１カップＣ１を介してリンス液を排出配管Ｑ１に案内しつつ、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。その結果、実施形態１によれば、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。よって、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、リンス液が回収配管Ｑ２に流入しないため、リンス液が回収槽ＴＲに流入することが抑制される。その結果、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。

具体的には、第１期間Ｔ１において、第１ガードＧ１によって受け止められたリンス液は、第１カップＣ１を経由して、排出配管Ｑ１に流入する。加えて、第１期間Ｔ１において、排出配管Ｑ１の流路は開放されている。従って、リンス液は、排出配管Ｑ１を通って排液槽Ｕ４に排出される。

一方、第１期間Ｔ１において、第２ガードＧ２に付着している処理液は、自重によって、第２カップＣ２を介して回収配管Ｑ２に流入する。加えて、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。従って、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。また、第１期間Ｔ１では、第１ガードＧ１が受液位置に位置しているため、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することが禁止される。

次に、図２及び図５を参照して、基板処理装置５００が実行する基板処理方法を説明する。図５は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ１０を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置５００によって実行される。

図２及び図５に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、基板Ｗの回転を開始する。具体的には、制御部Ｕ２１は、スピンチャック３が回転するように、スピンモーター７を制御する。その結果、スピンチャック３が回転して、スピンチャック３に保持された基板Ｗが回転する。

次に、基板処理装置５００は、処理期間Ｔｘ（図３）において、工程Ｓ２と工程Ｓ３とを並行して実行する。

すなわち、工程Ｓ２において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、回転中の基板Ｗに処理液を供給して、基板Ｗを処理する。

具体的には、制御部Ｕ２１は、ノズル９が処理液を基板Ｗに向けて供給するように、バルブＶ１を制御する。その結果、ノズル９は、処理液を、回転中の基板Ｗに向けて供給する。よって、処理期間Ｔｘにおいて、基板Ｗが処理液によって処理される。

一方、工程Ｓ３において、基板処理装置５００は、処理液の回収を開始する。従って、基板Ｗから飛散した処理液は、回収配管Ｑ２を通して回収槽ＴＲに回収される。

具体的には、制御部Ｕ２１は、回収バルブＱ２１が開くように回収バルブＱ２１を制御する。その結果、回収バルブＱ２１が開いて、回収配管Ｑ２の流路が開放される。加えて、制御部Ｕ２１は、第１ガードＧ１が退避位置に位置するように、第１昇降機構Ｄ１を制御する。その結果、第１ガードＧ１は、処理期間Ｔｘにおいて、退避位置に位置する。加えて、制御部Ｕ２１は、第２ガードＧ２が受液位置に位置するように、第２昇降機構Ｄ２を制御する。その結果、第２ガードＧ２は、処理期間Ｔｘにおいて、受液位置に位置する。よって、処理期間Ｔｘにおいて、第２ガードＧ２は、処理液を受け止めて、第２カップＣ２を介して処理液を回収配管Ｑ２に案内する。

工程Ｓ２の終了後においても、引き続き、基板処理装置５００は、処理液の回収を継続する。つまり、工程Ｓ２の終了後においても、引き続き、第２ガードＧ２は、第２ガードＧ２に残存する処理液を、第２カップＣ２を介して回収配管Ｑ２に案内する。具体的には、工程Ｓ２の終了後においても、引き続き、第２ガードＧ２に残存する処理液が自重によって第２カップＣ２を経由して回収配管Ｑ２に流入する。加えて、工程Ｓ２の終了後においても、引き続き、回収配管Ｑ２の流路が開放されているため、回収配管Ｑ２に残存する処理液が自重によって回収槽ＴＲに向かって移動する。

次に、工程Ｓ４において、基板処理装置５００の禁止部１５は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

具体的には、制御部Ｕ２１は、第１ガードＧ１が受液位置に位置するように、第１昇降機構Ｄ１を制御する。その結果、第１ガードＧ１は、受液位置に位置する。よって、第１ガードＧ１は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

次に、基板処理装置５００は、第１期間Ｔ１（図３）において、工程Ｓ５と工程Ｓ６とを並行して実行する。

すなわち、工程Ｓ５において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、回転中の基板Ｗにリンス液を供給して、基板Ｗに付着した処理液を洗い流す。

具体的には、制御部Ｕ２１は、ノズル１３がリンス液を基板Ｗに向けて供給するように、バルブＶ２を制御する。その結果、ノズル１３は、リンス液を、回転中の基板Ｗに向けて供給する。よって、第１期間Ｔ１において、基板Ｗがリンス液によって洗浄される。つまり、基板Ｗに処理液が供給された後に、回転中の基板Ｗにリンス液が供給される。

一方、工程Ｓ６において、基板処理装置５００は、リンス液の排出を開始する。従って、基板Ｗから飛散したリンス液は、排出配管Ｑ１を通して排液槽Ｕ４に回収される。

具体的には、制御部Ｕ２１は、排出バルブＱ１１が開くように排出バルブＱ１１を制御する。その結果、排出バルブＱ１１が開いて、排出配管Ｑ１の流路が開放される。加えて、第１ガードＧ１は、第１期間Ｔ１において、工程Ｓ４から継続して受液位置に位置する。従って、第１期間Ｔ１において、第１ガードＧ１は、リンス液を受け止めて、第１カップＣ１を介してリンス液を排出配管Ｑ１に案内する。その結果、第１期間Ｔ１において、排出配管Ｑ１を通してリンス液が排出される。

工程Ｓ５及び工程Ｓ６の前に工程Ｓ４が実行されているため、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行中において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される。つまり、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される。

従って、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行中においても、引き続き、基板処理装置５００は、処理液の回収を継続する。つまり、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行中においても、引き続き、第２ガードＧ２は、第２ガードＧ２に残存する処理液を、第２カップＣ２を介して回収配管Ｑ２に案内する。具体的には、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行中においても、引き続き、第２ガードＧ２に残存する処理液が自重によって第２カップＣ２を経由して回収配管Ｑ２に流入する。加えて、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行中においても、引き続き、回収配管Ｑ２の流路が開放されているため、回収配管Ｑ２に残存する処理液が自重によって回収槽ＴＲに向かって移動する。

次に、工程Ｓ７において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、基板Ｗを回転させて、基板Ｗに付着したリンス液を振り切って、基板Ｗを乾燥させる。

次に、工程Ｓ８において、処理装置Ｕ１は、基板Ｗの回転を停止する。具体的には、制御部Ｕ２１は、スピンチャック３が停止するように、スピンモーター７を制御する。その結果、スピンチャック３が停止して、スピンチャック３に保持された基板Ｗが停止する。

次に、工程Ｓ９において、基板処理装置５００は、リンス液の排出を停止する。具体的には、制御部Ｕ２１は、排出バルブＱ１１が閉じるように排出バルブＱ１１を制御する。その結果、排出バルブＱ１１が閉じて、排出配管Ｑ１の流路が閉塞される。

次に、工程Ｓ１０において、基板処理装置５００は、処理液の回収を停止する。具体的には、制御部Ｕ２１は、回収バルブＱ２１が閉じるように回収バルブＱ２１を制御する。その結果、回収バルブＱ２１が閉じて、回収配管Ｑ２の流路が閉塞される。工程Ｓ１０が終了すると、１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了する。なお、工程Ｓ９の後に工程Ｓ８が実行されてもよい。

以上、図５を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ４を実行することで、工程Ｓ５及び工程Ｓ６の実行期間である第１期間Ｔ１（図３）において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される。従って、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、第１期間Ｔ１においてリンス液が回収配管Ｑ２及び回収槽ＴＲに流入しないため、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。

また、実施形態１に係る半導体製造方法では、工程Ｓ１〜工程Ｓ１０を含む基板処理方法によって半導体基板Ｗを処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。つまり、実施形態１に係る半導体製造方法では、基板処理装置５００によって半導体基板Ｗを処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。

ここで、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１が複数枚の基板Ｗを連続して処理する場合には、工程Ｓ１〜工程Ｓ８が繰り返し実行され、複数枚の基板Ｗのうち最後の基板Ｗの処理において、工程Ｓ９及び工程Ｓ１０が実行される。また、この場合、複数枚の基板Ｗのうちの最初の基板Ｗの処理での工程Ｓ３及び工程Ｓ６において、回収バルブＱ２１及び排出バルブＱ１１を開くことで、２枚目以降の基板Ｗの処理では、回収バルブＱ２１及び排出バルブＱ１１は継続して開いたままである。

なお、図１及び図２に示す基板処理装置５００において、処理液供給装置Ｕ３は、１つの処理装置Ｕ１に対して設けられていてもよいし、複数の処理装置Ｕ１で共用されていてもよい。また、基板処理装置５００は、１つの供給槽ＴＤに対して複数の回収槽ＴＲを備えていてもよい。

（実施形態２）
図６〜図１５を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置５００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置５００が、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。実施形態２に係る基板処理装置５００のハードウェア構成は、実施形態１に係る基板処理装置５００のハードウェア構成と同様であるため、実施形態２の説明において、図２を適宜参照する。

まず、図２及び図６を参照して、基板処理装置５００を説明する。図６は、実施形態２に係る基板処理装置５００による処理液の回収動作を示すタイムチャートである。図２及び図６に示すように、処理期間Ｔｘにおいて、処理装置Ｕ１は、処理液によって基板Ｗを処理する。また、処理期間Ｔｘにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液が、第２ガードＧ２及び第２カップＣ２に案内されて、回収配管Ｑ２に流入する。そして、処理液は、回収配管Ｑ２を通って、回収槽ＴＲに回収される。その他、処理期間Ｔｘにおける処理液による処理及び処理液の回収動作は、図３に示す実施形態１と同様である。

次に、処理期間Ｔｘの後の振り切り期間Ｔｙにおいて、処理装置Ｕ１は、基板Ｗへの処理液の供給を停止し、更に、処理期間Ｔｘでの基板Ｗの回転数よりも高い回転数で基板Ｗを回転して、基板Ｗに付着した処理液を振り切る。振り切り期間Ｔｙは、処理液が供給された後に、基板Ｗの回転によって基板Ｗから処理液を振り切る期間を示す。振り切り期間Ｔｙでの振り切り処理は、図３を参照して説明した振り切り期間での振り切り処理と同様である。

振り切り期間Ｔｙにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液が、第２ガードＧ２及び第２カップＣ２に案内されて、回収配管Ｑ２に流入する。一方、振り切り期間Ｔｙにおいて、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。従って、振り切り期間Ｔｙにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液は、回収配管Ｑ２によって、回収槽ＴＲに案内される。振り切り期間Ｔｙにおいても処理液が回収されるため、処理液の回収率を更に向上できる。

次に、振り切り期間Ｔｙの後の第２期間Ｔ２と、第２期間Ｔ２に後続する第１期間Ｔ１とにおいて、処理装置Ｕ１はリンス処理を実行する。つまり、処理装置Ｕ１は、リンス液によって基板Ｗの表面に付着した処理液を洗い流す。従って、第２期間Ｔ２と第１期間Ｔ１とにおいて、ノズル１３は、基板Ｗにリンス液を継続して供給する。第２期間Ｔ２及び第１期間Ｔ１は、リンス処理を実行する期間を示す。

具体的には、第２期間Ｔ２は、基板Ｗへの処理液の供給が停止された後であって、回転中の基板Ｗにリンス液が供給されている期間を示す。また、第２期間Ｔ２は、第１期間Ｔ１よりも前の期間であって、第１期間Ｔ１に連続し、基板Ｗへのリンス液の供給開始時を含む期間である。さらに、第２期間Ｔ２は、第１期間Ｔ１よりも短い。なお、第２期間Ｔ２は、図３を参照して説明したリンス前処理期間を含んでいてもよい。

また、第２期間Ｔ２において、禁止部１５は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止しない。従って、回収配管Ｑ２には、リンス液が流入する。一方、第２期間Ｔ２の一部又は全部において、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。つまり、第２期間Ｔ２の一部又は全部において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。従って、第２ガードＧ２及び回収配管Ｑ２に付着した処理液が、リンス液によって回収槽ＴＲへ搬送される。その結果、実施形態２によれば、処理液の回収率を更に向上できる。

特に、処理液の粘度が比較的高い場合であっても、実施形態２では、リンス液によって、回収配管Ｑ２に付着した処理液を回収槽ＴＲへ搬送できるため、粘度が比較的高い処理液の回収率を更に向上できる。例えば、処理液が、燐酸液を含む場合、又は、ＳＰＭを含む場合でも、処理液の回収率を更に向上できる。

加えて、第２期間Ｔ２に後続する第１期間Ｔ１では、図３を参照して説明した実施形態１の第１期間Ｔ１と同様に、制御部Ｕ２１は、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを禁止するように、禁止部１５を制御する。従って、第１期間Ｔ１よりも短い第２期間Ｔ２でだけ、リンス液が回収配管Ｑ２を通って回収槽ＴＲに流入するに過ぎない。その結果、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製に対するリンス液の影響を低減できる。つまり、第２期間Ｔ２において回収槽ＴＲにリンス液が流入した場合でも、処理液供給装置Ｕ３は、限られた期間内で、回収槽ＴＲに貯留された処理液を目標濃度及び目標温度に調製できる。

また、第１期間Ｔ１において、処理装置Ｕ１は、第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数よりも高い回転数で基板Ｗを回転して、リンス処理を実行する。加えて、第１期間Ｔ１において、基板処理装置５００は、リンス液を、排出配管Ｑ１を通して排液槽Ｕ４に排出する。その他、リンス処理及びリンス液の排出動作は、図３に示す実施形態１と同様である。

さらに、実施形態２では、実施形態１と同様に、第１期間Ｔ１において回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止され、かつ、第１期間Ｔ１の一部又は全部において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。

従って、実施形態２によれば、リンス処理が実行される第１期間Ｔ１においても、第２期間Ｔ２に引き続き、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。その他、第１期間Ｔ１での処理液の回収動作は、図３に示す実施形態１と同様である。

特に、実施形態２では、実施形態１と同様に、処理液の粘度が比較的高い場合であっても、処理液の回収に十分な時間を確保できるため、処理液の回収率を向上できる。

加えて、実施形態２では、実施形態１と同様に、リンス処理が実行される第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止されている。従って、リンス液が回収槽ＴＲに流入することが抑制されて、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。

また、実施形態２でも、実施形態１と同様に、第１期間Ｔ１の経過後においても、引き続き、禁止部１５は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止していてもよい。そして、第１期間Ｔ１の経過後においても、引き続き、回収配管Ｑ２の流路が開放されていてもよい。この場合、処理液の回収のために更に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を更に向上できる。

以上、図２及び図６を参照して説明したように、実施形態２によれば、基板処理装置５００は、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行しつつ、処理液の回収率を向上できる。その他、実施形態２では、実施形態１と同様の効果を有する。なお、図６の振り切り期間Ｔｙを設けなくてもよい。例えば、処理液がＳＰＭの場合は、振り切り期間Ｔｙを設けなくてもよい。

次に、実施形態２における処理液の回収動作の理解を容易にするために、図７（ａ）〜図８（ｂ）を参照して、比較例における処理液の回収動作を説明する。

図７（ａ）は、比較例に係る基板処理装置において、処理液による処理期間（以下、「処理期間Ｔｘｃ」と記載する。）での処理液の回収工程を示す図である。図７（ｂ）は、比較例に係る基板処理装置において、処理液の振り切り期間（以下、「振り切り期間Ｔｙｃ」と記載する。）での処理液の回収工程を示す図である。図８（ａ）は、比較例に係る基板処理装置において、リンス処理の初期期間（以下、「リンス初期期間Ｔ２ｃ」と記載する。）での処理液の回収工程を示す図である。図８（ｂ）は、比較例に係る基板処理装置において、リンス処理期間Ｔｃに後続するリンス期間（以下、「リンス期間Ｔ１ｃ」と記載する。）でのリンス液の排出工程を示す図である。

図７（ａ）〜図８（ｂ）の排出バルブＱ１１、回収バルブＱ２１、及び、排出バルブＱＸ１において、黒塗りのバルブ（例えば、７（ａ）の排出バルブＱ１１）は、バルブが閉じていることを示し、白抜きのバルブ（例えば、図７（ａ）の回収バルブＱ２１）は、バルブが開いていることを示す。

図７（ａ）に示すように、比較例では、回収配管Ｑ２から分岐して、排出配管ＱＸが設けられている。そして、排出配管ＱＸに排出バルブＱＸ１が介挿される。また、排出配管ＱＸに排液槽ＵＸ２が接続されている。さらに、比較例では、図７（ａ）〜図８（ｂ）に示すように、第１ガードＧ１は、常に退避位置に位置し、第２ガードＧ２は、常に受液位置に位置する。

まず、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、処理液による処理期間Ｔｘｃ及び処理液の振り切り期間Ｔｙｃにおいて、回転中の基板Ｗから飛散した処理液は、第２ガードＧ２、第２カップＣ２、及び、回収配管Ｑ２を経由して、回収槽ＴＲに回収される。この場合、処理液が排液槽ＵＸ２に流入しないように、排出バルブＱＸ１は閉じている。

次に、図８（ａ）に示すように、リンス初期期間Ｔ２ｃにおいても、回収バルブＱ２１が開いており、第２ガードＧ２に付着した処理液、及び、回収配管Ｑ２に付着した処理液が、リンス液によって回収槽ＴＲへ搬送される。この場合、処理液が排液槽ＵＸ２に流入しないように、排出バルブＱＸ１は閉じている。

次に、図８（ｂ）に示すように、リンス期間Ｔ１ｃでは、回収バルブＱ２１が閉じており、排出バルブＱＸ１が開いている。従って、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液は、第２ガードＧ２、第２カップＣ２、回収配管Ｑ２、及び、排出配管ＱＸを経由して、排液槽ＵＸ２に排出される。

以上、図７（ａ）〜図８（ｂ）を参照して説明したように、比較例では、リンス液を排液するための排出配管ＱＸが、回収配管Ｑ２の下流において、回収配管Ｑ２に接続されている。つまり、処理液の回収とリンス液の排出とが同じ系列の配管で行われる。そして、処理液の回収率を高めるためにリンス初期期間Ｔ２ｃを長くし、十分な時間を確保してリンス液によって処理液を回収すると、処理液だけでなく、想定外の量のリンス液が、回収槽ＴＲに流入する。その結果、比較例では、回収槽ＴＲにおいて、処理液の濃度の調製が困難になる可能性がある。

そこで、実施形態２では、図２に示すように、処理液を回収する回収配管Ｑ２と、リンス液を排出する排出配管Ｑ１とを分離して、禁止部１５が、リンス処理を行う第１期間Ｔ１（図６）において、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを禁止する。そして、リンス処理と並行して、処理液を回収配管Ｑ２によって回収する。従って、リンス液を使用して処理液を回収する第２期間Ｔ２（図６）を、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製に対するリンス液の影響を低減できるような短い期間に設定しつつも、処理液を回収するための十分な時間を確保できる。

具体的には、図９（ａ）〜図１０（ｂ）に示す処理液の回収動作が実行される。図９（ａ）は、処理液による処理期間Ｔｘでの処理液の回収工程を示す図である。図９（ｂ）は、処理液の振り切り期間Ｔｙでの処理液の回収工程を示す図である。図１０（ａ）は、リンス処理のための第２期間Ｔ２での処理液の回収工程を示す図である。図１０（ｂ）は、リンス処理のための第１期間Ｔ１での処理液の回収工程を示す図である。

図９（ａ）に示すように、処理液による処理期間Ｔｘにおいて、第２ガードＧ２は、受液位置に位置する。従って、処理期間Ｔｘにおいて、第２ガードＧ２は、回転中の基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、第２カップＣ２を介して、処理液を回収配管Ｑ２に案内する。一方、処理期間Ｔｘでは、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。従って、処理液は、回収配管Ｑ２を通って回収槽ＴＲに回収される。その他、処理期間Ｔｘでの動作は、図４（ａ）を参照して説明した実施形態１に係る処理期間Ｔｘでの動作と同様である。

次に、図９（ｂ）に示すように、処理液の振り切り期間Ｔｙでは、第１ガードＧ１、第２ガードＧ２、排出バルブＱ１１、及び、回収バルブＱ２１の状態は、それぞれ、処理期間Ｔｘでの第１ガードＧ１、第２ガードＧ２、排出バルブＱ１１、及び、回収バルブＱ２１の状態と同じである。従って、振り切り期間Ｔｙでも、処理期間Ｔｘと同様に、処理液が回収槽ＴＲに回収される。振り切り期間Ｔｙでの基板Ｗの回転数は、処理期間Ｔｘでの基板Ｗの回転数よりも高い。

次に、図１０（ａ）に示すように、リンス処理のための第２期間Ｔ２において、第１ガードＧ１は、退避位置に位置する。従って、第２期間Ｔ２において、第１ガードＧ１は、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めず、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止しない。そして、第２期間Ｔ２において、第２ガードＧ２は、受液位置に位置する。従って、第２ガードＧ２は、第２期間Ｔ２において、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、リンス液を回収配管Ｑ２に案内する。一方、第２期間Ｔ２では、回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２の流路を開放している。従って、第２ガードＧ２に付着している処理液、及び、回収配管Ｑ２に付着している処理液は、リンス液によって、回収槽ＴＲへ搬送される。第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数は、振り切り期間Ｔｙでの基板Ｗの回転数よりも低い。

次に、図１０（ｂ）に示すように、リンス処理のための第１期間Ｔ１において、第２ガードＧ２は、受液位置に位置する。ただし、第１期間Ｔ１では、第２ガードＧ２よりも内側の第１ガードＧ１が受液位置に位置する。従って、第１ガードＧ１は、第１期間Ｔ１において、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、第１カップＣ１を介してリンス液を排出配管Ｑ１に案内しつつ、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。その結果、実施形態２によれば、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。よって、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、リンス液が回収配管Ｑ２に流入しないため、リンス液が回収槽ＴＲに流入することが抑制される。その結果、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。その他、第１期間Ｔ１での動作は、図４（ｂ）を参照して説明した実施形態１に係る第１期間Ｔ１での動作と同様である。第１期間Ｔ１での基板Ｗの回転数は、第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数よりも高い。

以上、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照して説明したように、実施形態２によれば、第２期間Ｔ２に後続する第１期間Ｔ１では、第１ガードＧ１は、リンス液が回収配管Ｑ２に流入することを禁止する。従って、第１期間Ｔ１よりも短い第２期間Ｔ２でだけ、第２ガードＧ２によってリンス液が回収配管Ｑ２に案内され、リンス液が回収槽ＴＲに流入するに過ぎない。その結果、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製に対するリンス液の影響を低減できる。

特に、実施形態２では、図１０（ｂ）に示す第１期間Ｔ１での基板Ｗの回転数は、図１０（ａ）に示す第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数よりも高い。そこで、第２期間Ｔ２で退避位置に位置する第１ガードＧ１を受液位置まで上昇させた後に、第１期間Ｔ１で基板Ｗの回転数を高くする。

すなわち、実施形態２では、第２期間Ｔ２で第２ガードＧ２がリンス液を受け止める状態から第１期間Ｔ１で第１ガードＧ１がリンス液を受け止める状態への切替時における基板Ｗの回転数が、第１期間Ｔ１における基板Ｗの回転数よりも小さくなるように、制御部Ｕ２１は、スピンチャック３の回転数を制御する。

従って、実施形態２によれば、第２ガードＧ２による受液から第１ガードＧ１による受液への切替時において、第１ガードＧ１によるリンス液の飛散を抑制できる。

次に、図２、図１１、及び、図１２を参照して、実施形態２に係る基板処理装置５００が実行する基板処理方法を説明する。図１１及び図１２は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１１及び図１２に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３４を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置５００によって実行される。

図２及び図１１に示すように、工程Ｓ２１において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、基板Ｗの回転を開始する。その他、工程Ｓ２１の処理は、図５の工程Ｓ１の処理と同様である。

次に、基板処理装置５００は、処理期間Ｔｘ（図６）において、工程Ｓ２２と工程Ｓ２３とを並行して実行する。

すなわち、工程Ｓ２において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、回転中の基板Ｗに処理液を供給して、基板Ｗを処理する。

一方、工程Ｓ３において、基板処理装置５００は、処理液の回収を開始する。従って、基板Ｗから飛散した処理液は、回収配管Ｑ２を通して回収槽ＴＲに回収される。

その他、工程Ｓ２２及び工程Ｓ２３の処理は、それぞれ、図５の工程Ｓ２及び工程Ｓ３の処理と同様である。

工程Ｓ２２の終了後においても、引き続き、基板処理装置５００は、処理液の回収を継続する。この点は、図５を参照して説明した工程Ｓ２の終了後と同様である。

次に、工程Ｓ２４において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、回転中の基板Ｗへの処理液の供給を停止して、基板Ｗに付着した処理液を振り切る。工程Ｓ２４は、振り切り期間Ｔｙ（図６）に実行される。

具体的には、制御部Ｕ２１は、ノズル９が基板Ｗへの処理液の供給を停止するように、バルブＶ１を制御する。その結果、バルブＶ１が閉じて、ノズル９からの処理液の供給が停止される。また、振り切り期間Ｔｙでの基板Ｗの回転数が、処理期間Ｔｘでの基板Ｗの回転数よりも大きくなるように、制御部Ｕ２１は、スピンモーター７を介してスピンチャック３の回転数を制御する。振り切り期間Ｔｙが終了すると、処理は工程Ｓ２５に進む。

次に、工程Ｓ２５において、振り切り期間Ｔｙでの基板Ｗの回転数よりも基板Ｗの回転数が低くなるように、制御部Ｕ２１は、スピンモーター７を介してスピンチャック３の回転数を制御する。そして、処理は、図１２の工程Ｓ２６及び工程Ｓ２７に進む。

次に、図１２に示すように、基板処理装置５００は、工程Ｓ２６と、工程Ｓ２７〜工程Ｓ３０とを並行して実行する。

すなわち、工程Ｓ２６において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、回転中の基板Ｗにリンス液を供給して、基板Ｗに付着した処理液を洗い流す。その他、工程Ｓ２６の処理は、図５の工程Ｓ５の処理と同様である。工程Ｓ２６は、第２期間Ｔ２（図６）と、第２期間Ｔ２に後続する第１期間Ｔ１（図６）とにわたって実行される。

一方、工程Ｓ２７において、制御部Ｕ２１は、第２期間Ｔ２が終了したか否かを判定する。

工程Ｓ２７で第２期間Ｔ２が終了していないと判定された場合（Ｎｏ）、制御部Ｕ２１は、第２期間Ｔ２が終了するまで待機する。

特に、第１ガードＧ１は、第２期間Ｔ２において、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めず、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止しない。また、第２期間Ｔ２において、第２ガードＧ２は、基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、リンス液を回収配管Ｑ２に供給する。さらに、第２期間Ｔ２の一部又は全部において、回収配管Ｑ２の流路は開放されている。従って、第２期間Ｔ２では、第２ガードＧ２及び回収配管Ｑ２に付着している処理液は、リンス液によって回収配管Ｑ２から回収槽ＴＲに搬送される。

一方、工程Ｓ２７で第２期間Ｔ２が終了したと判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ２８に進む。

次に、工程Ｓ２８において、基板処理装置５００の禁止部１５は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

具体的には、制御部Ｕ２１は、第１ガードＧ１が受液位置に位置するように、第１昇降機構Ｄ１を制御する。その結果、第１ガードＧ１は、受液位置に位置する。よって、第１ガードＧ１は、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

次に、工程Ｓ２９において、基板処理装置５００は、リンス液の排出を開始する。従って、基板Ｗから飛散したリンス液は、排出配管Ｑ１を通して排液槽Ｕ４に回収される。工程Ｓ２９は第１期間Ｔ１に実行される。その他、工程Ｓ２９の処理は、図５の工程Ｓ６の処理と同様である。

次に、工程Ｓ３０において、第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数よりも基板Ｗの回転数が高くなるように、制御部Ｕ２１は、スピンモーター７を介してスピンチャック３の回転数を制御する。工程Ｓ３０は第１期間Ｔ１に実行される。従って、第１期間Ｔ１では、第２期間Ｔ２での基板Ｗの回転数よりも高い回転数でリンス処理が実行される。

工程Ｓ２９の前に工程Ｓ２８が実行されているため、工程Ｓ２６及び工程Ｓ２９の実行中において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される。つまり、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される。従って、第２期間Ｔ２に後続する第１期間Ｔ１においても、引き続き、基板処理装置５００は、処理液の回収を継続する。

次に、工程Ｓ３１において、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１は、基板Ｗを回転させて、基板Ｗに付着したリンス液を振り切って、基板Ｗを乾燥させる。

次に、工程Ｓ３２において、処理装置Ｕ１は、基板Ｗの回転を停止する。その他、工程Ｓ３２の処理は、図５の工程Ｓ８の処理と同様である。

次に、工程Ｓ３３において、基板処理装置５００は、リンス液の排出を停止する。その他、工程Ｓ３２の処理は、図５の工程Ｓ９の処理と同様である。

次に、工程Ｓ３４において、基板処理装置５００は、処理液の回収を停止する。その他、工程Ｓ３４の処理は、図５の工程Ｓ１０の処理と同様である。工程Ｓ３４が終了すると、１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了する。なお、工程Ｓ３４の後に工程Ｓ３３が実行されてもよい。

以上、図１１及び図１２を参照して説明したように、実施形態２に係る基板処理方法によれば、リンス処理のための第１期間Ｔ１（図６）において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入が禁止される（工程Ｓ２８）。従って、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、第１期間Ｔ１においてリンス液が回収配管Ｑ２及び回収槽ＴＲに流入しないため、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。さらに、実施形態２によれば、第２期間Ｔ２でだけリンス液による処理液の回収を実行することで（工程Ｓ２７）、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製に対するリンス液の影響を低減できる。

また、実施形態２に係る半導体製造方法では、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３４を含む基板処理方法によって半導体基板Ｗを処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。つまり、実施形態２に係る半導体製造方法では、基板処理装置５００によって半導体基板Ｗを処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。

ここで、基板処理装置５００の処理装置Ｕ１が複数枚の基板Ｗを連続して処理する場合には、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３２が繰り返し実行され、複数枚の基板Ｗのうち最後の基板Ｗの処理において、工程Ｓ３３及び工程Ｓ３４が実行される。また、この場合、複数枚の基板Ｗのうちの最初の基板Ｗの処理での工程Ｓ２３及び工程Ｓ２９において、回収バルブＱ２１及び排出バルブＱ１１を開くことで、２枚目以降の基板Ｗの処理では、回収バルブＱ２１及び排出バルブＱは継続して開いたままである。

次に、図１３及び図１４を参照して、実施形態２の更に好ましい例を説明する。図１３及び図１４では、処理液が燐酸液の場合を説明する。図１３は、実施形態２に係る基板処理装置５００の好適な構成を示す図である。図１３に示すように、基板処理装置５００は、２つの回収槽ＴＲを備えることが好ましい。以下、２つの回収槽ＴＲのうち、一方の回収槽ＴＲを「第１回収槽ＴＲ１」と記載し、他方の回収槽ＴＲを「第２回収槽ＴＲ２」と記載する場合がある。また、基板処理装置５００は、回収配管Ｑ２Ａ及び回収バルブＱ２１Ａを備えることが好ましい。

具体的には、基板処理装置５００の処理液供給装置Ｕ３は、燐酸液を貯留する貯留部１０２と、新液供給部１４０とを備える。貯留部１０２において、燐酸液は調製される。貯留部１０２は、燐酸液を目標温度および目標濃度に調製する。

貯留部１０２は、第１貯留部１１０と、第２貯留部１２０と、第３貯留部１３０とを含む。第１貯留部１１０は、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給する。第２貯留部１２０と第３貯留部１３０とは、第１貯留部１１０に燐酸液を交互に補充する。また、第２貯留部１２０及び第３貯留部１３０は、処理装置Ｕ１において用いられた燐酸液を交互に回収する。

第１貯留部１１０は、供給槽ＴＤと、第１配管１１３と、第１計測部１１４とを含む。供給槽ＴＤは、処理液として燐酸液を貯留する。

第１配管１１３は、配管Ｐ１を介して供給槽ＴＤと処理装置Ｕ１とを連絡する。また、第１配管１１３は、途中で供給槽ＴＤに戻る循環配管１１３ａを有する。

第１計測部１１４は、供給槽ＴＤに取り付けられる。第１計測部１１４は、供給槽ＴＤに貯留された燐酸液の濃度を直接的又は間接的に計測する。

第１貯留部１１０は、ポンプ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、フィルタ１１５ｃ、バルブ１１５ｄ、バルブ１１５ｅをさらに含む。ポンプ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、フィルタ１１５ｃ、バルブ１１５ｄは、第１配管１１３に配置されている。バルブ１１５ｅは、循環配管１１３ａに配置されている。

ポンプ１１５ａは、燐酸液を一旦吸い込んだ後、吸い込んだ燐酸液を下流に向けて押し出す。ポンプ１１５ａにより、燐酸液は、第１配管１１３内に押し出される。ヒータ１１５ｂは、燐酸液を加熱する。

フィルタ１１５ｃは、燐酸液の浮遊物を濾過する。バルブ１１５ｄは、燐酸液の流れを制御する。バルブ１１５ｄが開くことにより、燐酸液は、処理装置Ｕ１に向かって流れる。バルブ１１５ｄが閉じることにより、燐酸液は、処理液供給装置Ｕ３から処理装置Ｕ１に向かって流れなくなる。

また、バルブ１１５ｅは、燐酸液の流れを制御する。バルブ１１５ｅが開くことにより、燐酸液は、供給槽ＴＤに向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１１５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

例えば、バルブ１１５ｄが閉じた状態でバルブ１１５ｅが開いていることにより、供給槽ＴＤの燐酸液は、循環配管１１３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１１５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、供給槽ＴＤの燐酸液を目標温度に設定できる。

また、バルブ１１５ｄおよびバルブ１１５ｅが開いていることにより、供給槽ＴＤの燐酸液は、循環配管１１３ａを介して循環するとともに第１配管１１３を介して処理装置Ｕ１に供給される。このため、処理装置Ｕ１は、目標温度及び目標濃度の燐酸液で基板Ｗを処理できる。

また、第１貯留部１１０は、第１水供給部１１６ａと、第１燐酸供給部１１６ｂと、第１ガス供給部１１６ｃとをさらに含む。第１水供給部１１６ａは、供給槽ＴＤに水（例えば、脱イオン水）を供給する。第１燐酸供給部１１６ｂは、供給槽ＴＤに燐酸液を供給する。第１ガス供給部１１６ｃは、供給槽ＴＤにガスを供給する。

例えば、供給槽ＴＤ内の燐酸液の濃度は、第１計測部１１４の計測結果に基づいて、第１水供給部１１６ａから供給される水の量および／または第１燐酸供給部１１６ｂから供給される燐酸の量を制御することで制御される。その結果、燐酸液の濃度が目標濃度に設定される。

供給槽ＴＤは、本体槽１１２ａと、循環槽１１２ｂとを有する。本体槽１１２ａは、循環槽１１２ｂから溢れる燐酸液が流れ込むように配置される。

循環槽１１２ｂには、循環配管１１３ａの先端が位置している。循環配管１１３ａを通過した燐酸液は、供給槽ＴＤの循環槽１１２ｂに戻り、循環槽１１２ｂから溢れて本体槽１１２ａに達し、再び、第１配管１１３を通過する。

第１貯留部１１０は、液面センサ１１４ａをさらに備えてもよい。液面センサ１１４ａは、供給槽ＴＤ内の燐酸液の液面の高さを検知する。

第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に対応する構成を有している。第２貯留部１２０は、第１回収槽ＴＲ１と、第２配管１２３と、第２計測部１２４と、ポンプ１２５ａと、ヒータ１２５ｂと、フィルタ１２５ｃと、バルブ１２５ｄと、バルブ１２５ｅと、第２水供給部１２６ａと、第２燐酸供給部１２６ｂと、第２ガス供給部１２６ｃとを含む。冗長な説明を避けるために第２貯留部１２０についての重複する記載を省略する。

第２貯留部１２０の第２配管１２３は、第１回収槽ＴＲ１と供給槽ＴＤとを連絡する。また、バルブ１２５ｄは、第１回収槽ＴＲ１から供給槽ＴＤに向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ１２５ｄが開くことにより、燐酸液は、供給槽ＴＤに向かって流れる。バルブ１２５ｄが閉じることにより、燐酸液は、第１回収槽ＴＲ１から供給槽ＴＤに向かって流れなくなる。

また、バルブ１２５ｅが開くことにより、燐酸液は、第１回収槽ＴＲ１に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１２５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

例えば、バルブ１２５ｄが閉じた状態でバルブ１２５ｅが開いていることにより、第１回収槽ＴＲ１の燐酸液は、循環配管１２３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１２５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、第１回収槽ＴＲ１の燐酸液を目標温度に設定できる。

また、バルブ１２５ｄおよびバルブ１２５ｅが開いていることにより、第１回収槽ＴＲ１の燐酸液は、循環配管１２３ａを介して循環するとともに第２配管１２３を介して供給槽ＴＤに供給される。このため、第１回収槽ＴＲ１は、供給槽ＴＤの燐酸液を補充できる。

また、第２配管１２３は、途中で第１回収槽ＴＲ１に戻る循環配管１２３ａを有する。さらに、回収配管Ｑ２は、処理装置Ｕ１と第１回収槽ＴＲ１とを連絡している。回収配管Ｑ２には、処理装置Ｕ１において第２ガードＧ２によって回収された燐酸液が流れる。回収配管Ｑ２を通過する燐酸液は、第１回収槽ＴＲ１の本体槽１２２ａに戻る。

また、回収配管Ｑ２には、回収バルブＱ２１が介挿されている。回収バルブＱ２１は、回収配管Ｑ２内の燐酸液の流れを制御する。回収バルブＱ２１が開くことにより、燐酸液は、処理装置Ｕ１から第１回収槽ＴＲ１に向かって流れる。回収バルブＱ２１が閉じることにより、燐酸液は、第１回収槽ＴＲ１に向かって流れなくなる。

また、第２水供給部１２６ａは、第１回収槽ＴＲ１に水（例えば、脱イオン水）を供給する。第２燐酸供給部１２６ｂは、第１回収槽ＴＲ１に燐酸液を供給する。第２ガス供給部１２６ｃは、第１回収槽ＴＲ１にガスを供給する。

例えば、第１回収槽ＴＲ１内の燐酸液の濃度は、第２計測部１２４の計測結果に基づいて、第２水供給部１２６ａから供給される水の量および／または第２燐酸供給部１２６ｂから供給される燐酸の量を制御することで制御される。その結果、第１回収槽ＴＲ１において、燐酸液の濃度が目標濃度に設定される。

第３貯留部１３０は、第１貯留部１１０および／または第２貯留部１２０に対応する構成を有している。第３貯留部１３０は、第２回収槽ＴＲ２と、第３配管１３３と、第３計測部１３４と、ポンプ１３５ａと、ヒータ１３５ｂと、フィルタ１３５ｃと、バルブ１３５ｄと、バルブ１３５ｅと、第３水供給部１３６ａと、第３燐酸供給部１３６ｂと、第３ガス供給部１３６ｃとを含む。冗長な説明を避けるために第３貯留部１３０についての重複する記載を省略する。

第３貯留部１３０の第３配管１３３は、第２回収槽ＴＲ２と供給槽ＴＤとを連絡する。また、バルブ１３５ｄは、第２回収槽ＴＲ２から供給槽ＴＤに向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ１３５ｄが開くことにより、燐酸液は、供給槽ＴＤに向かって流れる。バルブ１３５ｄが閉じることにより、燐酸液は、第２回収槽ＴＲ２から供給槽ＴＤに向かって流れなくなる。

また、バルブ１３５ｅが開くことにより、燐酸液は、第２回収槽ＴＲ２に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１３５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

例えば、バルブ１３５ｄが閉じた状態でバルブ１３５ｅが開いていることにより、第２回収槽ＴＲ２の燐酸液は、循環配管１３３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１３５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、第２回収槽ＴＲ２の燐酸液を目標温度に設定できる。

また、バルブ１３５ｄおよびバルブ１３５ｅが開いていることにより、第２回収槽ＴＲ２の燐酸液は、循環配管１３３ａを介して循環するとともに第３配管１３３を介して供給槽ＴＤに供給される。このため、第２回収槽ＴＲ２は、供給槽ＴＤの燐酸液を補充できる。

さらに、回収配管Ｑ２Ａは、処理装置Ｕ１と第２回収槽ＴＲ２とを連絡する。具体的には、回収配管Ｑ２Ａは、回収配管Ｑ２から分岐して、第２回収槽ＴＲ２まで延びている。回収配管Ｑ２Ａには、処理装置Ｕ１において第２ガードＧ２によって回収された燐酸液が流れる。回収配管Ｑ２Ａを通過する燐酸液は、第２回収槽ＴＲ２の本体槽１３２ａに戻る。また、回収配管Ｑ２Ａには、回収バルブＱ２１Ａが介挿されている。回収バルブＱ２１Ａは、回収配管Ｑ２Ａ内の燐酸液の流れを制御する。回収バルブＱ２１Ａが開くことにより、燐酸液は、処理装置Ｕ１から第２回収槽ＴＲ２に向かって流れる。回収バルブＱ２１Ａが閉じることにより、燐酸液は、第２回収槽ＴＲ２に向かって流れなくなる。

また、第３水供給部１３６ａは、第２回収槽ＴＲ２に水（例えば、脱イオン水）を供給する。第３燐酸供給部１３６ｂは、第２回収槽ＴＲ２に燐酸液を供給する。第３ガス供給部１３６ｃは、第２回収槽ＴＲ２にガスを供給する。

例えば、第２回収槽ＴＲ２内の燐酸液の濃度は、第３計測部１３４の計測結果に基づいて、第３水供給部１３６ａから供給される水の量および／または第３燐酸供給部１３６ｂから供給される燐酸の量を制御することで制御される。その結果、第２回収槽ＴＲ２において、燐酸液の濃度が目標濃度に設定される。

なお、配管Ｐ１は、第１貯留部１１０の第１配管１１３と、処理装置Ｕ１とを接続する。バルブＶ１は、配管Ｐ１内の燐酸液の流れを制御する。バルブＶ１が開くことにより、燐酸液は、処理装置Ｕ１に向かってノズル９を介して基板Ｗに吐出される。バルブＶ１が閉じることにより、燐酸液は、処理装置Ｕ１に向かって流れなくなる。

新液供給部１４０は、貯留槽１４２と、配管１４３と、燐酸供給部１４６とを有する。貯留槽１４２には、燐酸が貯留される。燐酸供給部１４６は、貯留槽１４２に燐酸液を供給する。配管１４３は、貯留槽１４２と、第１回収槽ＴＲ１および第２回収槽ＴＲ２とを連絡する。新液供給部１４０は、配管１４３を介して、貯留槽１４２から、第１回収槽ＴＲ１又は第２回収槽ＴＲ２に燐酸液を供給する。

なお、図１３に示す基板処理装置５００の構成が、実施形態１で採用されてもよい。

以下、図１４を参照して、図１３に示した基板処理装置５００における燐酸液の流れの変化を説明する。図１４（ａ）〜図１４（ｆ）は、図１３に示した基板処理装置５００における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。なお、図１４（ａ）〜図１４（ｆ）では、供給槽ＴＤ、第１回収槽ＴＲ１および第２回収槽ＴＲ２内の燐酸液の量の変化を矢印で示している。上向きの矢印は、燐酸液の量が増加することを示し、下向きの矢印は、燐酸液の量が減少することを示す。

図１４（ａ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給することを開始する。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、燐酸液を循環する。第２回収槽ＴＲ２は、燐酸液を循環する。また、第２回収槽ＴＲ２は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収する。処理装置Ｕ１において使用された燐酸液は、回収配管Ｑ２、Ｑ２Ａを通って第２回収槽ＴＲ２に到達する。供給槽ＴＤ、第１回収槽ＴＲ１および第２回収槽ＴＲ２の燐酸液は同じ温度に設定される。

図１４（ｂ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給し続ける。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、供給槽ＴＤに燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第２回収槽ＴＲ２は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収し続ける。また、第２回収槽ＴＲ２は、燐酸液を循環する。

図１４（ｃ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給し続ける。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、燐酸液を循環する。また、第１回収槽ＴＲ１は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収する。処理装置Ｕ１において使用された燐酸液は、回収配管Ｑ２を通って第１回収槽ＴＲ１に到達する。第２回収槽ＴＲ２は、燐酸液を循環する。また、第２回収槽ＴＲ２には、新液供給部１４０から新たな燐酸液が供給される。

図１４（ｄ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給し続ける。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収し続ける。また、第１回収槽ＴＲ１は、燐酸液を循環する。第２回収槽ＴＲ２は、供給槽ＴＤに燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。

図１４（ｅ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給し続ける。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、燐酸液を循環する。また、第１回収槽ＴＲ１には、新液供給部１４０から新たな燐酸液が供給される。第２回収槽ＴＲ２は、燐酸液を循環する。また、第２回収槽ＴＲ２は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収する。処理装置Ｕ１において使用された燐酸液は、回収配管Ｑ２、Ｑ２Ａを通って第２回収槽ＴＲ２に到達する。

図１４（ｆ）に示すように、供給槽ＴＤは処理装置Ｕ１に燐酸液を供給し続ける。供給槽ＴＤは、処理装置Ｕ１に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第１回収槽ＴＲ１は、供給槽ＴＤに燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環する。第２回収槽ＴＲ２は、処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収し続ける。また、第２回収槽ＴＲ２は、燐酸液を循環する。

その後、さらに、図１４（ｃ）〜図１４（ｆ）のように燐酸液の流れを切り替えることにより、目標濃度及び目標温度の燐酸液を処理装置Ｕ１に連続的に供給できる。以上のように、実施形態２によれば、第１回収槽ＴＲ１および第２回収槽ＴＲ２は、交互に処理装置Ｕ１において使用された燐酸液を回収するとともに、供給槽ＴＤに燐酸液を供給する。

次に、図１５を参照して、第１回収槽ＴＲ１及び第２回収槽ＴＲ２による燐酸液の回収タイミングを説明する。図１５では、処理液が燐酸液の場合を説明する。図１５は、第１回収槽ＴＲ１及び第２回収槽ＴＲ２による燐酸液の回収タイミングを示すタイムチャートである。図１５では、図面の簡略化のために、処理期間Ｔｘと振り切り期間Ｔｙとを合わせて、「処理期間Ｔｚ」と記載している（図６参照）。

図１５に示すように、時刻ｔ１〜時刻ｔ３において、１枚の基板Ｗに対する燐酸液による処理とリンス処理とが実行される。時刻ｔ３〜時刻ｔ５、時刻ｔ５〜時刻ｔ７、時刻ｔ７〜時刻ｔ９、時刻ｔ９〜時刻ｔ１１、及び、時刻ｔ１〜時刻ｔ１３についても同様である。

そして、各処理期間Ｔｚにおいて、供給槽ＴＤからからノズル９に燐酸液が供給される。

図１５の例では、時刻ｔ１〜時刻ｔ５において、第２回収槽ＴＲ２によって燐酸液が回収される。従って、回収バルブＱ２１が閉じており、回収バルブＱ２１Ａが開いている。具体的には、時刻ｔ１〜時刻ｔ５において、各処理期間Ｔｚ、各第２期間Ｔ２、及び、各第１期間Ｔ１において、第２回収槽ＴＲ２によって燐酸液が回収される。そして、時刻ｔ１〜時刻ｔ５における燐酸液の回収期間を含む時刻ｔ１〜時刻ｔ７において、第２回収槽ＴＲ２に貯留された燐酸液の濃度が目標濃度に調製される。つまり、第２回収槽ＴＲ２では、燐酸液を回収しつつ、燐酸液の濃度が調製される。そして、時刻ｔ７〜時刻ｔ９において、第２回収槽ＴＲ２から供給槽ＴＤへ燐酸液が供給される。以降、第２回収槽ＴＲ２は、周期Ｔ２０で、燐酸液の回収と調製と供給とを繰り返す。

一方、第１回収槽ＴＲ１は、時刻ｔ３〜時刻ｔ５において、供給槽ＴＤへ燐酸液を供給する。つまり、第２回収槽ＴＲ２における燐酸液の回収及び濃度調製と並行して、第１回収槽ＴＲ１は、供給槽ＴＤへ燐酸液を供給する。

そして、第１回収槽ＴＲ１から供給槽ＴＤへの燐酸液の供給が終了すると、時刻ｔ５〜時刻ｔ９において、第１回収槽ＴＲ１によって燐酸液が回収される。従って、回収バルブＱ２１が開いており、回収バルブＱ２１Ａが閉じている。具体的には、時刻ｔ５〜時刻ｔ９において、各処理期間Ｔｚ、各第２期間Ｔ２、及び、各第１期間Ｔ１において、第１回収槽ＴＲ１によって燐酸液が回収される。そして、時刻ｔ５〜時刻ｔ９における燐酸液の回収期間を含む時刻ｔ５〜時刻ｔ１１において、第１回収槽ＴＲ１に貯留された燐酸液の濃度が目標濃度に調製される。つまり、第１回収槽ＴＲ１では、燐酸液を回収しつつ、燐酸液の濃度が調製される。そして、時刻ｔ１１〜時刻ｔ１３において、第１回収槽ＴＲ１から供給槽ＴＤへ燐酸液が供給される。以降、第１回収槽ＴＲ１は、周期Ｔ１０で、燐酸液の回収と調製と供給とを繰り返す。周期Ｔ１０の長さと、周期Ｔ２０の長さとは、同じである。

ここで、図１５から理解できるように、第１回収槽ＴＲ１の周期Ｔ１０の一部の期間と、第２回収槽ＴＲ２の周期Ｔ２０の一部の期間とは重複している。従って、第１回収槽ＴＲ１の周期Ｔ１０の開始時（例えば時刻ｔ５）は、第２回収槽ＴＲ２の周期Ｔ２０の途中に存在し、第１回収槽ＴＲ１の周期Ｔ１０の終了時（例えば時刻ｔ１３）が、次の第２回収槽ＴＲ２の周期Ｔ２０の途中に存在する。同様に、第２回収槽ＴＲ２の周期Ｔ２０の開始時（例えば時刻ｔ１）は、第１回収槽ＴＲ１の周期Ｔ１０の途中に存在し、第２回収槽ＴＲ２の周期Ｔ２０の終了時（例えば時刻ｔ９）が、次の第１回収槽ＴＲ１の周期Ｔ１０の途中に存在する。

周期Ｔ１０、Ｔ２０は、例えば、基板処理装置５００の仕様及びスループット、並びに、基板Ｗの処理内容を考慮して予め設定される。従って、周期Ｔ１０及び周期Ｔ２０が維持されるように、かつ、周期Ｔ１０と周期Ｔ２０との関係が維持されるように、リンス液を使用した燐酸液の回収のための第２期間Ｔ２の長さが設定される。第２期間Ｔ２が長いと、燐酸液の回収率を向上できるが、第２期間Ｔ２が長すぎると、第１回収槽ＴＲ１及び第２回収槽ＴＲ２に貯留される燐酸液の濃度がリンス液によって低くなる。その結果、濃度調製に時間が掛かってしまい、周期Ｔ１０及び周期Ｔ２０を維持できない。そこで、実施形態２では、周期Ｔ１０及び周期Ｔ２０を維持でき、かつ、周期Ｔ１０と周期Ｔ２０との関係を維持できる範囲内において、最長の時間が第２期間Ｔ２として設定される。

ここで、処理液供給装置Ｕ３は、１つの処理装置Ｕ１に対して設けられていてもよいし、複数の処理装置Ｕ１で共用されていてもよい。処理液供給装置Ｕ３が供給する処理装置Ｕ１が少ない程、第２期間Ｔ２を長く設定できる。理由は次の通りである。すなわち、処理液供給装置Ｕ３が燐酸液を供給する処理装置Ｕ１が少ない程、供給槽ＴＤにおける燐酸液の減少量が少ない。従って、周期Ｔ１０、Ｔ２０を長く設定できる。その結果、第１回収槽ＴＲ１及び第２回収槽ＴＲ２に流入するリンス液の量が多くても、十分な濃度調製期間を確保できる。よって、供給槽ＴＤの燐酸液が下限値になる前に、第１回収槽ＴＲ１及び第２回収槽ＴＲ２の燐酸液を目標濃度に設定できる。

第２期間Ｔ２は、特に限定されないが、例えば、１秒以上３秒以下である。例えば、処理液供給装置Ｕ３が１つの処理装置Ｕ１に対して設けられている場合は、第２期間Ｔ２は３秒である。例えば、処理液供給装置Ｕ３が６つの処理装置Ｕ１に共用されている場合は、第２期間Ｔ２は１秒である。

（実施形態３）
図１６〜図１７（ｂ）を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置５００Ａを説明する。実施形態３に係る基板処理装置５００Ａが、リンス液と処理液とが異なる時間帯に流入する共通配管Ｑ３を備える点で、実施形態３は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。また、実施形態３の説明において、図３を適宜参照する。

図１６は、実施形態３に係る基板処理装置５００Ａを示す図である。図１６に示すように、基板処理装置５００Ａは、共通配管Ｑ３と、禁止部１５Ａとを備える。実施形態３では、第１ガードＧ１は「禁止部」として機能しない。実施形態３に係る禁止部１５Ａは、バルブＱ３１を含む。

共通配管Ｑ３は第１カップＣ１に接続される。また、共通配管Ｑ３には、第１カップＣ１を介して、処理液とリンス液とが異なる時間帯に流入する。具体的には、処理液による処理期間Ｔｘ（図３）では、共通配管Ｑ３に処理液が流入する。また、リンス処理のための第１期間Ｔ１（図３）では、共通配管Ｑ３には、リンス液が流入する。共通配管Ｑ３は、回収配管Ｑ２及び排出配管Ｑ１よりも上流に位置し、回収配管Ｑ２及び排出配管Ｑ１に接続される。具体的には、回収配管Ｑ２及び排出配管Ｑ１は、共通配管Ｑ３の下流から分岐している。

禁止部１５Ａは、図１に示す禁止部１５と同様に、第１期間Ｔ１（図３）において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。従って、実施形態３では、実施形態１と同様に、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、第１期間Ｔ１においてリンス液が回収配管Ｑ２及び回収槽ＴＲに流入しないため、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。その他、実施形態３では、実施形態１と同様の効果を有する。

制御部Ｕ２１のプロセッサーは、記憶部Ｕ２２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、スピンチャック３、スピンモーター７、ノズル移動部１１、昇降部１７、及び、カップ部１９を制御する。また、制御部Ｕ２１のプロセッサーは、記憶部Ｕ２２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、バルブＶ１、処理液供給装置Ｕ３、バルブＶ２、排出バルブＱ１１、回収バルブＱ２１、及び、禁止部１５Ａを制御する。

次に、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照して、基板処理装置５００Ａによる処理液の回収動作の詳細を説明する。図１７（ａ）は、処理液による処理期間Ｔｘでの処理液の回収工程を示す図である。図１７（ｂ）は、リンス処理のための第１期間Ｔ１での処理液の回収工程を示す図である。

図１７（ａ）に示すように、処理期間Ｔｘにおいて、第１ガードＧ１は、受液位置に位置する。従って、処理期間Ｔｘにおいて、第１ガードＧ１は、回転中の基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、第１カップＣ１を介して、処理液を共通配管Ｑ３に案内する。また、処理期間Ｔｘでは、排出バルブＱ１１は閉じており、回収バルブＱ２１及びバルブＱ３１は開いている。従って、処理液は、共通配管Ｑ３から回収配管Ｑ２を通って回収槽ＴＲに回収される。また、処理期間Ｔｘでは、処理液は排液槽Ｕ４に流入しない。

次に、図１７（ｂ）に示すように、第１期間Ｔ１において、第１ガードＧ１は、受液位置に位置する。従って、第１期間Ｔ１において、第１ガードＧ１は、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、第１カップＣ１を介して、リンス液を共通配管Ｑ３に案内する。また、第１期間Ｔ１では、排出バルブＱ１１及び回収バルブＱ２１は開いている。さらに、第１期間Ｔ１では、バルブＱ３１は閉じている。つまり、バルブＱ３１は、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。従って、実施形態３では、リンス液の排出と並行して、回収配管Ｑ２を通して処理液を回収できる。その結果、処理液の回収に十分な時間を確保できて、処理液の回収率を向上できる。加えて、第１期間Ｔ１においてリンス液が回収配管Ｑ２及び回収槽ＴＲに流入しないため、回収槽ＴＲにおける処理液の濃度の調製を円滑に実行できる。

具体的には、第１期間Ｔ１において、回収配管Ｑ２に残存している処理液が、自重によって、回収槽ＴＲに向かって移動する。

なお、実施形態３に係る基板処理方法及び半導体製造方法は、図５を参照して説明した実施形態１に係る基板処理方法及び半導体製造方法と同様である。ただし、実施形態３では、図５の工程Ｓ４において、禁止部１５Ａが、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

（実施形態４）
図１６及び図１８（ａ）〜図１９（ｂ）を参照して、本発明の実施形態４に係る基板処理装置５００Ａを説明する。実施形態４に係る基板処理装置５００Ａが、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態４は実施形態３と主に異なる。また、実施形態４は、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態２と共通する。従って、実施形態４の説明において、図６を適宜参照する。以下、実施形態４が実施形態３及び実施形態２と異なる点を主に説明する。

図１８（ａ）は、処理液による処理期間Ｔｘでの処理液の回収工程を示す図である。図１８（ｂ）は、処理液の振り切り期間Ｔｙでの処理液の回収工程を示す図である。図１９（ａ）は、リンス処理のための第２期間Ｔ２での処理液の回収工程を示す図である。図１９（ｂ）は、リンス処理のための第１期間Ｔ１での処理液の回収工程を示す図である。

図１８（ａ）に示すように、実施形態４での処理期間Ｔｘの動作は、図１７（ａ）を参照して説明した実施形態３での処理期間Ｔｘの動作と同様であり、説明を省略する。

次に、図１８（ｂ）に示すように、処理液の振り切り期間Ｔｙでは、排出バルブＱ１１、回収バルブＱ２１、及び、バルブＱ３１の状態は、それぞれ、処理期間Ｔｘでの排出バルブＱ１１、回収バルブＱ２１、及び、バルブＱ３１の状態と同じである。従って、振り切り期間Ｔｙでも、処理期間Ｔｘと同様に、処理液が回収槽ＴＲに回収される。なお、振り切り期間Ｔｙを設けなくてもよい。例えば、処理液がＳＰＭの場合は、振り切り期間Ｔｙを設けなくてもよい。

次に、図１９（ａ）に示すように、リンス処理のための第２期間Ｔ２において、第１ガードＧ１は、回転中の基板Ｗから飛散したリンス液を受け止めて、第１カップＣ１を介して、リンス液を共通配管Ｑ３に案内する。また、第２期間Ｔ２では、排出バルブＱ１１は閉じており、回収バルブＱ２１及びバルブＱ３１は開いている。従って、第１ガードＧ１に付着している処理液、共通配管Ｑ３に付着している処理液、及び、回収配管Ｑ２に付着している処理液は、リンス液によって、回収槽ＴＲへ搬送される。また、第２期間Ｔ２では、処理液は排液槽Ｕ４に流入しない。

次に、図１９（ｂ）に示すように、実施形態４での第１期間Ｔ１の動作は、図１７（ｂ）を参照して説明した実施形態３での第１期間Ｔ１の動作と同様であり、説明を省略する。

なお、実施形態４に係る基板処理方法及び半導体製造方法は、図１１及び図１２を参照して説明した実施形態３に係る基板処理方法及び半導体製造方法と同様である。ただし、実施形態４では、図１２の工程Ｓ２８において、禁止部１５Ａが、回収配管Ｑ２へのリンス液の流入を禁止する。

次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。

本発明の実施例では、図２及び図９（ａ）〜図１０（ｂ）を参照して説明した実施形態２に係る基板処理装置５００を使用した。また、比較例では、図７（ａ）〜図８（ｂ）を参照して説明した基板処理装置を使用した。また、処理液として燐酸液を使用した。そして、本実施例の排出配管Ｑ１及び比較例の排出配管ＱＸへの燐酸液の排液量を検出した。燐酸液の排液量は、本実施例の排出バルブＱ１１及び比較例の排出バルブＱＸ１の下流で検出された。そして、燐酸液の排液量によって、燐酸液の回収率を評価した。従って、排出配管Ｑ１、ＱＸへの燐酸液の排液量が少ない程、燐酸液の回収率が高いことが示される。

図２０（ａ）は、比較例に係る基板処理装置における燐酸液の排液量を示す図である。図２０（ｂ）は、本実施例に係る基板処理装置５００における燐酸液の排液量を示す図である。

図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、本実施例及び比較例において、燐酸液の振り切り期間Ｔｙ、Ｔｙｃ（図９（ｂ）、図７（ｂ））は、３秒であった。

また、図２０（ａ）に示すように、比較例に係る図８（ｂ）の排出バルブＱＸ１の開時間は、１２秒であった。この場合、排出バルブＱＸ１の下流における排出配管ＱＸへの燐酸液の排液量は１６０ｃｃであった。

一方、図２０（ｂ）に示すように、本実施例に係る図１０（ｂ）の排出バルブＱ１１の開時間は、１２秒であった。この場合、排出バルブＱ１１の下流における排出配管Ｑ１への燐酸液の排液量は０．０９ｃｃであった。

従って、本実施例における燐酸液の排液量は、比較例における燐酸液の排液量よりも、大幅に少なかった。よって、本実施例では、比較例に対して、燐酸液の回収率が大幅に向上していることが確認できた。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

３ スピンチャック（基板保持部）
１５、１５Ａ 禁止部
５００、５００Ａ 基板処理装置
Ｇ１ 第１ガード
Ｇ２ 第２ガード
Ｑ１ 排出配管
Ｑ２、Ｑ２Ａ 回収配管
Ｑ３ 共通配管
Ｑ３１ バルブ
ＴＲ 回収槽
Ｕ２１ 制御部
Ｗ 基板

Claims (17)

1. 基板に処理液を供給して前記処理液によって前記基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持して回転する基板保持部と、
   回転中の前記基板から飛散した前記処理液が流入する回収配管と、
   前記回収配管に接続され、前記回収配管を通して前記処理液を回収する回収槽と、
   前記基板への前記処理液の供給が停止された後であって、回転中の前記基板にリンス液が供給されている第１期間において、回転中の前記基板から飛散した前記リンス液が流入する排出配管と、
   前記リンス液が前記回収配管に流入することを禁止することの可能な禁止部と、
   前記第１期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するように、前記禁止部を制御する制御部と
   を備え、
   前記第１期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、基板処理装置。
2. 前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管である、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記禁止部は、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第１ガードを含み、
   前記第１ガードは、前記第１期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に案内しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記第１ガードは、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
   前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であり、
   前記禁止部は、前記第１ガードと異なる位置において、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第２ガードをさらに含み、
   前記第２ガードは、前記第２期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に案内し、
   前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記第２期間で前記第２ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第１期間で前記第１ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第１期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記制御部は、前記基板保持部の回転数を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記処理液と前記リンス液とが異なる時間帯に流入する共通配管をさらに備え、
   前記共通配管は、前記回収配管及び前記排出配管よりも上流に位置し、前記回収配管及び前記排出配管に接続され、
   前記禁止部は、前記第１期間において、前記共通配管から前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するバルブを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
7. 回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記禁止部は、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
   前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であり、
   前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、請求項１、請求項２、又は、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
   前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管とを備え、
   前記基板処理方法は、
   回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、
   前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
   前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、
   前記基板に前記リンス液が供給されている第１期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
   前記第１期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と
   を含み、
   前記第１期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、基板処理方法。
10. 前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管である、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記基板処理装置は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第１ガードとをさらに備え、
    前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
    前記第１ガードが、前記第１期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記基板処理装置は、前記第１ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第２ガードをさらに備え、
    前記基板処理方法は、
    回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記第２ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程をさらに含み、
    前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であり、
    前記第１ガードは、前記第２期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
    前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記第２期間で前記第２ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第１期間で前記第１ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第１期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記基板処理装置は、前記処理液と前記リンス液とが異なる時間帯に流入する共通配管と、バルブとをさらに備え、
    前記共通配管は、前記回収配管及び前記排出配管よりも上流に位置し、前記回収配管及び前記排出配管に接続され、
    前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
    前記バルブが、前記第１期間において、前記共通配管から前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する、請求項９に記載の基板処理方法。
15. 回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている第２期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
    前記第２期間は、前記第１期間よりも前の期間であって、前記第１期間に連続し、前記第１期間よりも短く、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であり、
    前記第２期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、請求項９、請求項１０、又は、請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項９から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する半導体製造方法であって、
    前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管とを備え、
    前記半導体製造方法は、
    回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、
    前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
    前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、
    前記半導体基板に前記リンス液が供給されている期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
    前記期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と
    を含み、
    前記期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている、半導体製造方法。

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