JP2021034095A - 磁気記録媒体、テープカートリッジ、及びデータ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
全厚が薄く且つ下地層の厚みが薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】
本技術は、 磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、テープ状の磁気記録媒体を提供する。
【選択図】図１

Description

本技術は、磁気記録媒体、テープカートリッジ、及びデータ処理方法に関する。

例えばＩｏＴ、ビッグデータ、及び人工知能などの発展に伴い、収集及び保存されるデータの量が大幅に増加している。大量のデータを記録するための媒体として、しばしば磁気記録媒体が用いられる。

磁気記録媒体に関して、これまでに種々の技術が提案されている。例えば下記特許文献１には、非磁性支持体の少なくとも一主面上に、少なくとも結合剤と磁性粉末とを含有する磁性層を有する磁気記録媒体に関する技術が開示されている。当該磁気記録媒体は、前記磁性層の膜厚が０．１２μｍ以下であり、前記磁性層形成面の表面の二乗平均表面粗さ（Ｒｑ）が４．０ｎｍ以下であり、且つ、前記磁性層形成面の表面プロファイルにおける歪度（Ｓｋ：Skewness）が−１以上＋１以下であることを特徴とする。

また、近年、コンピュータ用データストレージとして利用されている磁気記録媒体では、データの記録密度を向上するために、トラック幅及び隣接するトラック間の距離は非常に狭くなっている。このようにトラック幅及びトラック間の距離が狭くなると、例えば温湿度変化などの環境要因に起因するテープ自体の寸法変化量として最大許容される変化量がますます小さくなる。

寸法変化量を小さくするための技術がこれまでにいくつか提案されてきている。例えば、下記特許文献２に開示された磁気テープ媒体は、非磁性支持体の幅方向のヤング率をＸ且つバック層の幅方向のヤング率をＹとしたときに、Ｘが８５０ｋｇ／ｍｍ^２以上であるか又は８５０ｋｇ／ｍｍ^２未満の場合はＸ×Ｙが６×１０５以上であり、且つ、磁性層を含む層の幅方向のヤング率をＺとしたときＹ／Ｚが６．０以下であることを特徴とする。

特開２００６−６５９５３号公報 特開２００５−３３２５１０号公報

本技術は、全厚が薄く且つ下地層の厚みが薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適した磁気記録媒体を提供することを主目的とする。

本技術は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、
テープ状の磁気記録媒体を提供する。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａは２．５ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍは８０ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含みうる。
前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率は０．３以下でありうる。
前記磁気記録媒体の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量が、４．０μｍ以上５．０μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ酸化鉄を含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０でありうる。
長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０でありうる。
前記細孔の平均直径は６ｎｍ以上１０ｎｍ以下でありうる。
前記細孔の平均直径は７ｎｍ以上９ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記バック層の平均厚みは０．５μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比は１．０以上３．５以下でありうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と、
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、テープカートリッジも提供する。
前記調整情報は、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、
前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体にデータを記録し及び／又は前記磁気記録媒体に記録された前記データを再生するデータ処理工程と、
を含み、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される、
データ処理方法も提供する。
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、
前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に基づいて調整されうる。
前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整されうる。
前記データ処理方法は、前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程を更に含んでよく、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整されうる。

本技術に従う磁気記録媒体の一例の断面の模式図である。 磁気記録媒体に設けられるデータバンド及びサーボバンドの例を示す図である。 サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。 サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。 磁性面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数の測定方法を説明するための図である。 記録再生装置の構成を示す概略図である。 変形例の磁気記録媒体の断面の模式図である。 磁性層のＴＥＭ写真の例である。 測定装置の構成を示す斜視図である。 測定装置の詳細を示す模式図である。 カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 記録再生方法の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。

本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置
（６）カートリッジ
（７）データ処理方法
（８）効果
（９）変形例
３．実施例

１．本技術の説明

磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジに収容される。磁気記録カートリッジ１つ当たりの記録容量をさらに増やすために、磁気記録カートリッジに収容される磁気記録媒体（例えば磁気記録テープ）をより薄くして（全厚を低減して）、磁気記録カートリッジ１つ当たりのテープ長を増加させることが考えられる。そのため、磁気記録媒体の全厚は薄いことが望ましい。
また、磁気記録媒体の記録又は再生のために、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することによって当該磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる記録再生装置が用いられることがある。当該記録再生装置は、例えば磁気記録媒体の幅方向の寸法又は寸法変化を検知し、検知結果に基づき長手方向のテンションを調整する。当該装置は、例えば、サーボトラック幅が所定の幅より広い場合は長手方向のテンションを高めて、サーボトラック幅を一定に保ち、サーボトラック幅が当該所定の幅より狭い場合は長手方向のテンションを弱めて、サーボトラック幅を一定に保つ。このようにして磁気記録媒体の幅が一定に保たれる。磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整するためには、例えば磁気記録媒体のヤング率は低いことが望ましい。
そこで、本発明者らは、磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適しており且つ全厚が薄い磁気記録媒体について検討した。

磁気記録媒体の全厚を低減するために、磁気記録媒体の全厚のうちの大部分を成すベース層の厚みを低減することが考えられる。しかしながら、一般に、磁気記録媒体において、ベース層は、ベース層以外の層よりも軟らかく、ヤング率が低い材料（例えばＰＥＴ又はＰＥＮなどのポリエステル系樹脂）で構成されることが多い。このため、ベース層の厚みを低減すると、ベース層以外の層の構成割合が高まり、磁気記録媒体全体としてのヤング率は高くなる。

そこで、磁気記録媒体全体のヤング率を低くしつつ磁気記録媒体の全厚を薄くするために、下地層の厚みを低減することが考えられる。しかしながら、下地層の厚みを低減した場合は、走行安定性に悪影響が及ぶ場合がある。例えば下地層に潤滑剤が含まれている場合には、下地層がより薄くなることによって潤滑剤による走行安定性向上効果が低減され、例えば磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力が高まりうる。

本発明者らは、特定の構成を有する磁気記録媒体が、全厚及び下地層が薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適していることを見出した。

具体的には、本発明者らは、種々の全厚薄い磁気記録媒体について検討した。その結果、本発明者らは、特定の構成を有する磁気記録媒体が、全厚が薄いにもかかわらず走行安定性に優れていることを見出した。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、テープ状の磁気記録媒体を提供する。

本技術に従う磁気記録媒体の長手方向のヤング率は、７．９０ＧＰａ以下であり、より好ましくは７．８５以下であり、さらにより好ましくは７．８０ＧＰａ以下である。前記ヤング率は、例えば３．００ＧＰａ以上であってよく、好ましくは４．００Ｇｐａ以上、より好ましくは５．００Ｇｐａ以上、さらにより好ましくは６．００ＧＰａ以上、さらにより一層好ましくは７．００ＧＰａ以上である。前記ヤング率が上記数値範囲内にあることは、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整することによって幅方向の寸法を調整することができる全厚の薄い磁気記録媒体の実現に貢献する。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、上記数値範囲内にあるヤング率を有することによって、長手方向のテンション調整により幅方向の寸法を調整する記録再生装置における使用に適している。

本技術に従う磁気記録媒体は細孔を有し、且つ当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。当該平均直径は、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは９ｎｍ以下である。当該平均直径は、好ましくは６．５ｎｍ以上、より好ましくは７ｎｍ以上、さらにより好ましくは７．５ｎｍ以上、特に好ましくは８ｎｍ以上である。前記平均直径は、より好ましくは６ｎｍ以上１０ｎｍ以下、より好ましくは６．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７ｎｍ以上９ｎｍ以下である。平均細孔直径が上記数値範囲内にあることによって、繰り返し記録又は再生を行った後の動摩擦係数の増加を抑制することができる。平均細孔直径が上記数値範囲外にある場合、磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦が磁気記録媒体の走行に伴い徐々に上昇し、走行安定性が悪化しうる。上記数値範囲内の平均直径によって、適切な量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、これが全厚の薄い磁気記録媒体の走行安定性の向上に貢献すると考えられる。当該細孔は、例えば当該磁気記録媒体の表面に形成されていてよく、より特には磁性層側の表面に形成されていてよい。当該細孔は、例えば磁性層に存在するものであってよい。磁性層に存在する細孔は、磁性層だけに形成されていてよく、又は、磁性層に形成された細孔が他の層に及ぶものであってもよく、例えば下地層に及ぶものであってもよい。

本技術に従う磁気記録媒体の前記下地層の厚みは、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、好ましくは０．６μｍ以上０．８μｍ以下である。前記下地層の厚みが上記数値範囲内にあることは、全厚を薄くしつつ前記ヤング率を下げること及び磁性層側表面へ潤滑剤を安定して供給することの双方に貢献する。すなわち、磁気記録媒体において、前記下地層の厚みが上記数値範囲内にあることは、上記記録再生装置における使用への適性及び走行安定性を向上することの一因となる。

本技術に従う磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、５．６μｍ以下であり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下又は４．６μｍ以下でありうる。本技術に従う磁気記録媒体の全厚はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。
本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ〜３０ｍｍであり、特には７ｍｍ〜２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ〜２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ〜１９ｍｍでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ〜１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

本技術に従う磁気記録媒体はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。

本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備えている。これら４層は、この順に積層されていてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、これらの層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体でありうる。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。

本技術の好ましい実施態様に従い、前記磁気記録媒体は、垂直方向における角形比が６５％以上であり、前記磁気記録媒体の磁性層側表面の表面粗度Ｒ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下でありうる。これにより、薄い磁気記録媒体における記録再生特性が向上する。

本技術に従うテープ状の磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径（細孔に対するガス脱着時における細孔容積が最大となるときの細孔直径）が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下であり、且つ、磁性層、下地層、及びバック層の厚みの合計値のベース層の厚みに対する比率が０．３８以下であってもよい。
当該磁気記録媒体は、全厚が薄く且つ下地層の厚みが薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適している。
さらに、磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適性にとって、比較的硬い塗布層（磁性層、下地層、及びバック層）の厚みの合計値と、比較的柔らかいベース層の厚みとの比が重要であることが分かった。当該比が上記数値範囲内に調整されていることによって、走行安定性とテンション調整のしやすさをさらに両立しやすくなる。

本技術に従うテープ状の磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径（細孔に対するガス脱着時における細孔容積が最大となるときの細孔直径）が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下であり、且つ、前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０であってもよい。
当該磁気記録媒体は、全厚が薄く且つ下地層の厚みが薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適している。さらに、当該磁気記録媒体は、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が上記数値範囲内にあることによって、ヘッドの接触状態を左右する張力を変えてもヘッドとの摩擦係数がある一定の範囲にあり、走行安定性に優れている。

本技術に従うテープ状の磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径（細孔に対するガス脱着時における細孔容積が最大となるときの細孔直径）が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下であり、前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０であり、且つ、長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０であってもよい。
当該磁気記録媒体は、全厚が薄く且つ下地層の厚みが薄いにも関わらず、走行安定性に優れており且つ磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置における使用に適している。さらに、当該磁気記録媒体は、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）及び摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が上記数値範囲内にあることによって、走行を繰り返し且つヘッドの接触状態を左右する張力を変えても、ヘッドとの摩擦係数がある一定の範囲にあり、常に安定した走行性を発揮することができる。

２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）

（１）磁気記録媒体の構成

まず、図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、例えば垂直配向処理を施した磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状のベース層（基体ともいう）１１と、ベース層１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた磁性層（記録層ともいう）１３と、ベース層１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。本明細書内において、磁気記録媒体１０の両主面のうち、磁性層１３が設けられた側の面を磁性面又は磁性層側表面ともいい、当該磁性面とは反対側の面（バック層１４が設けられた側の面）をバック面ともいう。

磁気記録媒体１０はテープ状であり、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下でありうる。

（２）各層の説明

（ベース層）

ベース層１１は、磁気記録媒体１０の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層１１の厚みは、例えば８μｍ以下、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下、さらにより好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは４．２μｍ以下である。ベース層１１の厚みは、例えば２μｍ以上、好ましくは２．２μｍ以上、より好ましくは２．５μｍ以上、さらにより好ましくは２．６μｍ以上でありうる。
ベース層１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３及びバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（ベース層１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。本明細書において、当該測定装置で算出された値は、小数点２桁目を四捨五入して、小数点１桁目までを表記するものとする。

本技術の一つの実施態様において、ベース層１１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含みうる。前記ポリエステルによって、磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率を上記数値範囲内に調整することが容易になる。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレート、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、ベース層を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えばベース層１１の主たる成分がポリエステルであることは、ベース層１１中のポリエステルの含有割合が例えばベース層１１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、ベース層１１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。
この実施態様において、ベース層１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

本技術の他の実施態様において、ベース層１１は、ポリエステル系樹脂以外の樹脂から形成されていてもよい。ベース層１１を形成する樹脂は、例えばポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層１１は、これら樹脂のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は積層されていてもよい。

ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１はＰＥＥＫから形成されてよい。

（磁性層）

磁性層１３は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤を含みうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤に加えて、例えば結着剤を含んでよく、特には結着剤及び導電性粒子をさらに含んでよい。磁性層１３は、必要に応じて、例えば研磨剤及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３は細孔を有する。すなわち、磁性層１３は、多数の細孔が設けられた表面を有する。好ましくは、磁性層１３のうち、磁気記録媒体１０の記録及び／又は再生において磁気ヘッドと接触する領域に細孔が設けられており、特に好ましくは、当該領域の全体にわたって細孔が設けられていてよい。
当該細孔は、磁性層１３の表面に対して垂直に開口していてよい。当該細孔は、例えば、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を押し当てることにより形成されうる。この場合、当該細孔は、当該突部に対応するものでありうる。
なお、図１において当該細孔が符号１３Ａにより示されているが、図１は、本技術のより良い理解のための模式図であり、図１に示される細孔１３Ａの形状は、必ずしも実際の形状を示すものでない。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍでありうる。磁性層１３の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。
特に好ましくは、前記磁性層の平均厚みｔ_ｍは８０ｎｍ以下である。この数値範囲内の平均厚みを有することが、磁気記録媒体１０の記録再生特性の向上に貢献する。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、例えば、以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

磁性層１３は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。当該角形比Ｓ１の測定方法は、以下で別途説明する。
なお、磁性層１３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。

（サーボパターン）

磁性層１３には、サーボパターンが記録されている。例えば、図２Ａに示されるとおり、磁性層は、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを有していてよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれていてよい。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録されうる。

磁性層１３は、例えば少なくとも一つのデータバンドと少なくとも二つのサーボバンドとを有しうる。データバンドの数は例えば２〜１０であり、特には３〜６、より特には４又は５でありうる。サーボバンドの数は、例えば３〜１１であり、特には４〜７であり、より特には５又は６でありうる。これらサーボバンド及びデータバンドは、例えばテープ状の磁気記録媒体（特には長尺状の磁気記録テープ）の長手方向に延びるように、特には略平行となるように配置されていてよい。このようにデータバンド及びサーボバンドを有する磁気記録媒体として、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に従う磁気記録テープを挙げることができる。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ規格に従う磁気記録テープであってよい。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ８又はそれ以降の規格に従う磁気記録テープであってよい。

磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳＳＢの比率ＲＳ（＝（ＳＳＢ／Ｓ）×１００）は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。
なお、サーボバンドＳＢのサーボバンド幅ＷＳＢは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷＳＢは、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。

磁性層１３は、例えば５以上のサーボバンドを有しうる。５以上のサーボトラックを確保するために、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳＳＢの割合ＲＳは、好ましくは０．８％以上でありうる。

磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳＳＢの比率ＲＳは、以下のようにして求められる。例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅ＷＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合ＲＳを求める。
割合ＲＳ［％］＝（（（サーボバンド幅ＷＳＢ）×（サーボバンド本数））／（磁気記録
媒体１０の幅））×１００

磁性層１３は、図２Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。この場合、データトラック幅ＷＴｋは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらにより好ましくは１．０μｍ以下である。データトラック幅ＷＴｋは、磁性粒子サイズの観点から、好ましくは０．０２μｍ以上である。データトラック幅ＷＴｋは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅ＷＴｋである。なお、前記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離Ｌの最小値が好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離Ｌの最小値は、磁性粒子サイズによって考慮される。磁化反転間距離Ｌの最小値は以下のようにして求められる。
例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得
る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離Ｌの最小値とする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

本技術の磁気記録媒体の磁性層１３に記録されるサーボパターンのより具体的な例を以下で図３及び図４を参照して説明する。図３は、磁気記録媒体１０の磁性層１３に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図４は、各サーボバンドが有するサーボパターンを示す図である。
図３に示されるとおり、磁性層１３は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。磁性層１３は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。
図４に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度φで傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＡ１〜Ａ５）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＢ１〜Ｂ５）と、所定角度φで傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＣ１〜Ｃ４）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＤ１〜Ｄ４）と、からなるフレーム単位（１サーボフレーム）を繰り返し有する。前記所定角度φは、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２５°でありうる。
サーボバンドＳ０〜Ｓ４それぞれのサーボバンド幅Ｌ１（図３参照）は、例えば１００μｍ以下、特には６０μｍ以下、より特には５０μｍ以下であり、さらには４０μｍ以下であってもよい。サーボバンド幅Ｌ１は、例えば１５μｍ以上、特には２５μｍ以上であってよい。

（磁性粉）

磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば六方晶フェライト、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、Ｃｏ含有スピネルフェライト、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。特に好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライトである。前記六方晶フェライトは、特に好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。前記ε酸化鉄は、特に好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．８以下、特に好ましくは１．１以上２．５以下でありうる。

（磁性粉が六方晶フェライトを含む実施態様）

本技術の好ましい実施態様に従い、磁性粉は六方晶フェライトを含み、より特には六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。例えば、前記磁性粉の平均粒子サイズは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上３．２以下、より好ましくは１以上２．５以下、さらにより好ましくは１以上２．１以下、さらにより一層好ましくは１以上１．８以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性を向上もたらしうる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図１０にＴＥＭ写真の例を示す。図１０において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_aveを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図１０において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_aveを求める。平均板径ＤＢ_aveが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡ_ave及び平均板径ＤＢ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ave／ＤＡ_ave）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上３４００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ³以上２５００ｎｍ³以下である。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば５９００ｎｍ³以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ³以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べたとおり、平均最大板厚ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

本技術の特に好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉又はストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであることが好ましく、特に好ましくは８０ｎｍ以下である。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。

（磁性粉がε酸化鉄を含む実施態様）

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図５に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金又はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子は、図６に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳ／Ｎを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．５以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。

まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５５００ｎｍ³以下、より好ましくは２７０ｎｍ³以上５５００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ³以上５５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が５５００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２７０ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（磁性粉がＣｏ含有スピネルフェライトを含む実施態様）

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」ともいう）の粉末を含みうる。すなわち、当該磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトは、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び平均粒子サイズは、磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合と同じ方法で求められる。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ³以下、より好ましくは１０００ｎｍ³以上１２０００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が１０００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同じである。

（潤滑剤）

前記磁性層は、潤滑剤を含む。前記潤滑剤は、例えば脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルから選ばれる１種又は２以上であってよく、好ましくは脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含みうる。前記磁性層が潤滑剤を含むことが、特には前記磁性層が脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気記録媒体の走行安定性の向上に貢献する。より特には、前記磁性層が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気記録媒体の磁性層側表面の動摩擦係数が前記潤滑剤により、磁気記録媒体の走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）又は（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物及び一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、前記一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、前記一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（結着剤）

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応が行われた構造を有する樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムから選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせが用いられうる。

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよい。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えばリチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ⁻は、例えば弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

（添加剤）

磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

（下地層）

下地層１２は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２は、さらに潤滑剤を含む。上述の磁性層１３に含まれる結着剤及び潤滑剤に関する説明が、下地層１２に含まれる結着剤及び潤滑剤についても当てはまる。下地層１２は、必要に応じて、導電性粒子、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、０．５μｍ以上０．９μｍ以下である。下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．８８μｍ以下であってよく、より好ましくは０．８５μｍ以下であってよく、さらにより好ましくは０．８０μｍ以下であってよい。また、下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．５２μｍ以上であってよく、より好ましくは０．５５μｍ以上であってよく、さらにより好ましくは０．６０μｍ以上であってよい。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

下地層１２は、細孔を有していてよく、すなわち、下地層１２は、多数の細孔が設けられていてもよい。下地層１２の細孔は、例えば磁性層１３に細孔を形成することに伴い形成されてよく、特には、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を磁性層側表面に押し当てることによって形成されうる。すなわち、突部の形に対応する凹部が磁性層側表面に形成されることによって、磁性層１３及び下地層１２に細孔が形成されうる。
また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層１３を形成するために磁性層形成用塗料を下地層１２の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通り、下地層１２内に浸透しうる。そののち磁性層１３の乾燥工程において下地層１２内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層１２内に浸透した溶剤が下地層１２から磁性層１３の表面へ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層１３と下地層１２とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。
磁性層１３及び下地層１２の両方に細孔が形成されていることによって、良好な走行安定性のために特に適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。

（非磁性粉）

下地層１２に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。

（バック層）

バック層１４は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層１４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層１４に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。

バック層１４の平均厚みｔｂは、ｔｂ≦０．６μｍであることが好ましく、ｔｂ≦０．５μｍであることがより好ましい。バック層１４の平均厚みｔｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔをｔ_Ｔ≦５．６μｍにした場合でも、下地層１２及びベース層１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。

バック層１４の平均厚みｔｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は以下「（３）物性及び構造」に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］
本明細書において、当該測定装置で算出された値は、小数点２桁目を四捨五入して、小数点１桁目までを表記するものとする。

バック層１４の２つの面のうち、磁気記録媒体１０のバック層側表面を形成する面は、好ましくは多数の突部が設けられている。磁気記録媒体１０がロール状に巻き取られることによって、当該多数の突部によって、磁性層１３に多数の細孔が形成されうる。

突部は、例えばバック層形成用塗料中に粒子を含めることによって形成されうる。当該粒子は、例えばカーボンブラックなどの無機粒子でありうる。当該粒子の粒径は、磁性層１３に形成されるべき細孔のサイズに応じて適宜選択されうる。

バック層１４に含まれる粒子（特には無機粒子）の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記のε酸化鉄磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。

（３）物性及び構造

（幅変化量）

磁気記録媒体１０の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量（以下、幅変化量という。）は、幅変化量は、好ましくは４．０以上、より好ましくは４．１μｍ以上、さらにより好ましくは４．２μｍ以上でありうる。また、幅変化量は、好ましくは６．０μｍ以下であってよく、例えば５．０μｍ以下であってもよい。前記幅変化量は、例えば４．０μｍ以上６．０μｍ以下であり、特には４．２μｍ以上６．０μｍ以下でありうる。
幅変化量が上記範囲内にあることによって、磁気記録媒体１０の長手方向にかかるテンションを調整することによる幅方向の寸法の調整のしやすさ（以下、幅方向の寸法の制御性又は幅制御性ともいう。）が向上する。
磁気記録媒体１０は、その製造後に、時間の経過によって（特には長期保存によって）及び／又は磁気記録媒体１０周辺の環境（例えば温度及び／又は湿度など）の変化によって、幅方向の寸法が変化しうる。当該幅方向の寸法変化は、極めてわずかではあるが、記録密度の向上のためにサーボバンド幅及び／又はデータバンド幅が狭い磁気記録媒体には、影響を及ぼしうる。例えば、幅方向の寸法変化は、例えばオフトラック現象などの磁気記録にとって望ましくない現象を引き起こしうる。そこで、上記で述べた、磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整する記録再生装置が用いられうる。幅変化量が上記範囲内にあることによって、例えば当該記録再生装置による幅方向の寸法の調整がしやすくなる。なお、オフトラック現象は、磁気ヘッドが読み取るべきトラック位置に対象のトラックが存在しないこと、又は、磁気ヘッドが間違ったトラック位置を読み取ることをいう。

幅変化量は、以下のようにして測定することができる。
まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを作製する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．５Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．５Ｎ及び１．０Ｎの荷重それぞれをかけた場合におけるサンプル１０Ｓの幅Ｗａ及びＷｂをそれぞれ測定する。測定されたＷａとＷｂの差分（Ｗａ−Ｗｂ）を０．５Ｎ追加荷重時の幅変化量とする。

各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ−７０００を組み込んだ、図１１Ａに示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気記録媒体）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定する。次に、図１１Ａに示されるとおり、サンプル１０Ｓを、５本の略円柱状且つ棒状の支持部材２３２に乗せる。サンプル１０Ｓは、そのバック面が５本の支持部材２３２に接するように、これら支持部材に乗せられる。５本の支持部材２３２（特にその表面）はいずれもステンレス鋼ＳＵＳ３０４から形成されており、その表面粗さＲｚ（最大高さ）は０．１５μｍ〜０．３μｍである。

５本の棒状の支持部材２３２の配置を、図１１Ｂを参照しながら説明する。図１１Ｂに示されるとおり、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２３２に乗せられている。５本の支持部材２３２について、以下では、固定部２３１に最も近いほうから「第１支持部材」、「第２支持部材」、「第３支持部材」（スリット２３２Ａを有する）、「第４支持部材」、及び「第５支持部材」（重り２３３に最も近い）という。これら５本の支持部材の直径は、７ｍｍである。第１支持部材と第２支持部材との距離ｄ１（特にはこれら支持部材の中心の間の距離）は２０ｍｍである。第２支持部材と第３支持部材との距離ｄ２は３０ｍｍである。第３支持部材と第４支持部材との距離ｄ３は３０ｍｍである。第４支持部材と第５支持部材との距離ｄ４は２０ｍｍである。また、サンプル１０Ｓのうち第２支持部材、第３支持部材、及び第４支持部材の間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直の平面を形成するように、これら３つの支持部材は配置されている。また、サンプル１０Ｓが、第１支持部材と第２支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ１＝３０°の角度を形成するように、第１支持部材及び第２支持部材は配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、第４支持部材と第５支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ２＝３０°の角度を形成するように、第４支持部材及び第５支持部材は配置されている。
また、５本の支持部材２３２のうち、第３支持部材は回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材は全て回転可能である。

サンプル１０Ｓは、支持部材２３２上でサンプル１０Ｓの幅方向に移動しないように保持される。なお、支持部材２３２のうち、発光器２３４及び受光器２３５の間に位置し且つ固定部２３１と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２３２にはスリット２３２Ａが設けられている。スリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２３２Ａのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２３２Ａの枠に遮られることなく、当該幅を通り抜けられる。

続いて、温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下に制御されたチャンバー内に測定装置を収容した後、サンプル１０Ｓの他端に、０．５Ｎの荷重をかけるための重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境内に２時間置く。２時間置いた後に、サンプル１０Ｓの幅Ｗａを測定する。次に、０．５Ｎの荷重をかけるための重りを、１．０Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅Ｗｂを測定する。
以上のとおり、重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。各荷重が取り付けられた状態で、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。当該幅の測定は、サンプル１０Ｓがカールしていない状態で行われる。発光器２３４及び受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ−７０００に備えられているものである。

（磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ）

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは、ｔ_Ｔ≦５．６μｍであり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔが上記数値範囲内にあることによって（例えばｔ_Ｔ≦５．６μｍであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。本明細書において、当該測定装置で算出された値は、小数点２桁目を四捨五入して、小数点１桁目までを表記するものとする。

（磁気記録媒体の長手方向のヤング率）

磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、７．９０ＧＰａ以下であり、より好ましくは７．８５以下であり、さらにより好ましくは７．８０ＧＰａ以下である。上記ヤング率は、例えば３．００ＧＰａ以上であってよく、好ましくは４．００Ｇｐａ以上、より好ましくは５．００Ｇｐａ以上、さらにより好ましくは６．００ＧＰａ以上、さらにより一層好ましくは７．００ＧＰａ以上である。ヤング率が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体１０は、その長手方向におけるテンションを調整することによって磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つ記録再生装置における使用に適している。当該記録再生装置は、例えば磁気記録媒体の幅方向の寸法又は寸法変化を検知し、検知結果に基づき長手方向のテンションを調整しうる。

磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、以下のようにして測定することができる。
上記ヤング率は、引っ張り試験機（株式会社島津製作所製、AG-100D）を用いて測定される。まず、１／２インチの幅を有する磁気記録媒体１０を１８０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機に、当該測定サンプルをその幅全体をカバーするように固定できる２つの治具を取り付ける。当該２つの治具によって、当該測定サンプルの長さ方向における２つの端をそれぞれチャックする。チャック間距離は１００ｍｍとする。当該測定サンプルのチャック後、当該測定サンプルを長さ方向に引っ張るように応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は0.1mm/minとする。このときの応力の変化及び伸び量から、以下の式を用いてヤング率を算出する。

上記式において、Eはヤング率（Ｎ/ｍ^２）、ΔNは応力の変化（Ｎ）、Sは測定サンプルの断面積（ｍｍ^２）、Δxは伸び量（ｍｍ）、Lは前記２つの治具間の距離（チャック間距離）（ｍｍ）を示す。
上記引っ張り試験機により測定サンプルを引っ張るときの応力は、０．５Ｎから１．０Ｎへ変化される。このように応力が変化されたときの応力変化（ΔＮ）及び伸び量（Δｘ）が、上記式による計算に使用される。

（塗布膜厚／ベース厚）

磁気記録媒体１０において、前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の膜厚の合計値の、前記ベース層の膜厚に対する比率（以下、塗布膜厚／ベース厚とよぶ）は、好ましくは０．３８以下であり、より好ましくは０．３４以下であり、さらにより好ましくは０．３２以下であり、さらにより一層好ましくは０．３０以下である。
塗布膜厚／ベース厚は、好ましくは０．２０以上であり、より好ましくは０．２２以上であり、さらにより好ましくは０．２４以上である。
塗布膜厚／ベース厚が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体１０は、その長手方向におけるテンションを調整することによって磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つ記録再生装置における使用により適したものとなる。
一般に、塗布膜（磁性層、下地層及びバック層）のヤング率は、ベース層のヤング率よりも高い。塗布膜厚／ベース厚を上記数値範囲内とすることによって、磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率を、前記記録再生装置における使用に適したものへと調整することができる。なお、塗布膜厚は、磁性層の厚さと、下地層の厚さと、バック層の厚さとを加算した値である。
なお、本技術は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、 前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率が０．３８以下である、テープ状の磁気記録媒体も提供する。

（磁気記録媒体の細孔の平均直径）

磁気記録媒体１０の細孔の平均直径（脱着時最大細孔容積の細孔直径である）は、磁気記録媒体１０から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、好ましくは６ｎｍ以上１０ｎｍ以下、より好ましくは６．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７ｎｍ以上９ｎｍ以下である。平均細孔直径が上記数値範囲内にあることによって、繰り返し記録又は再生を行った後の動摩擦係数の増加を抑制する効果をさらに向上することができる。

磁気記録媒体１０に形成されている細孔の平均直径（脱着時最大細孔容積の細孔直径である）は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定される。前記測定は、具体的には、以下のとおりにして行われる。
まず、面積０．１２６５ｍ^２より１割程度大きいサイズの磁気記録媒体１０をヘキサン中（テープが十分に浸漬できる量、例えば、１５０ｍＬ）に２４時間浸したのち、自然乾燥させ、面積０．１２６５ｍ^２（例えば、乾燥後のテープの両端５０ｃｍを切り落とし、テープ幅×１０ｍを準備する。）のサイズに切り出すことにより、測定サンプルを作製する。前記ヘキサン中での２４時間の浸漬によって、潤滑剤が磁気記録媒体１０から除去され、そして、前記自然乾燥によって、磁気記録媒体１０が乾燥される。
次に、比表面積・細孔分布測定装置を用いて、ＢＪＨ法により細孔の平均直径が測定される。以下に、測定装置および測定条件を示す。このようにして、細孔の平均直径が測定される。
測定環境：室温
測定装置：Micromeritics社製3FLEX
測定吸着質：Ｎ2ガス
測定圧力範囲（P/P⁰）：０〜０．９９５
前記測定圧力範囲に関して、圧力は以下の表の通りに変化される。以下の表における圧力値は相対圧P/P⁰である。以下の表において、例えばステップ１において、開始圧０．０００から到達圧０．０１０へ、１０秒当たり０．００１変化するように、圧力が変化される。圧力が到達圧に達したら、次のステップにおける圧力変化が行われる。ステップ２〜１０においても同様である。ただし、各ステップにおいて、圧力が平衡に達していない場合は、装置は圧力が平衡になるのを待ってから次のステップに移行する。

（摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ））

磁気記録媒体１０は、好ましくは、磁気記録媒体１０の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０であり、より好ましくは１．０〜１．８であり、さらにより好ましくは１．０〜１．６である。摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が上記数値範囲内にあることによって、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。

摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）を算出するための動摩擦係数μ_Ａ及び動摩擦係数μ_Ｂは以下のとおりにして求められる。
先ず、図７（ａ）に示すように、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール７３−１及び７３−２に磁性面が接触するように載せる。２本のガイドロール７３−１及び７３−２は、硬い板状部材７６に固定されており、これにより互いの位置関係が固定されている。
次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）７４に対し、磁気記録媒体１０を、磁性面が接触するように且つ抱き角θ_１（°）＝５．６°となるように接触させる。ヘッドブロック７４は、ガイドロール７３−１及び７３−２の略中心に配置される。ヘッドブロック７４は、抱き角θ１を変更することができるように、板状部材７６に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ_１（°）が５．６°となったらその位置が板状部材７６に対して固定され、これにより、ガイドロール７３−１及び７３−２とヘッドブロック７４との位置関係も固定される。
磁気記録媒体１０の一端を、ジグ７２を介して可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。磁気記録媒体１０は、図７（ｂ）に示されるとおりにジグ７２に固定される。
磁気記録媒体１０の他端に錘７５を繋ぐ。錘７５によって、０．４ＮのテンションＴ_０［Ｎ］が磁気記録媒体１０の長手方向に付与される。
可動式ストレインゲージ７１は、台７７上に固定されている。台７７と板状部材７６の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール７３−１及び７３−２、ヘッドブロック７４、及び可動式ストレインゲージ７１の位置関係が固定されている。
可動式ストレインゲージ７１によって、磁気記録媒体１０が１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージ７１へ向かうように、磁気記録媒体１０をヘッドブロック７４上を６０ｍｍ摺動させる。当該摺動時の可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。前記６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回Ｔ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔ_ave［Ｎ］が得られる。
その後、以下の式より動摩擦係数μ_Ａを求める。

前記直線関係は以下のとおりに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ７１に０．４Ｎの荷重をかけた場合と１．５Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と前記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記のとおり、摺動時の可動式ストレインゲージ７１による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。

動摩擦係数μ_Ｂは、前記他端に付与されるテンションＴ_０［Ｎ］を１．２Ｎとすること以外は動摩擦係数μ_Ａの測定方法と同じ方法で測定される。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μ_Ａ及び動摩擦係数μ_Ｂから、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が算出される。

（摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５）））

磁気記録媒体１０は、好ましくは、長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０であり、より好ましくは１．０〜１．８であり、さらにより好ましくは１．０〜１．６である。摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が上記数値範囲内にあることによって、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。

摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））を算出するための動摩擦係数μ_Ｃ（５）及び動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}は以下のとおりにして求められる。
磁気記録媒体１０の前記他端に付与されるテンションＴ_０［Ｎ］を０．６Ｎとすること以外は動摩擦係数μ_Ａの測定方法と同じようにして、磁気記録媒体１０を可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。そして、磁気記録媒体１０を、ヘッドブロック７４に対して１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージへ向かって６０ｍｍ摺動させ（往路）及び可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。この往復動作を１０００回繰り返す。この１０００回の往復動作のうち、５回目の往路の６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、ストレインゲージの出力値（電圧）を１３回取得し、動摩擦係数μ_Ａに関して述べたとおりに求めた出力値と荷重との直線関係に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。最初と最後の計２回を除いた１１個を単純平均することによりＴ_ave［Ｎ］を求める。以下の式により、動摩擦係数μ_Ｃ（５）を求める。

さらに、動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}は、1000回目の往路の測定をすること以外は動摩擦係数μ_Ｃ（５）と同様にして求める。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μ_Ｃ（５）及び動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}から、摩擦係数比μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５）が算出される。

（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）

磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７３％以上、さらにより好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。

垂直方向における角形比Ｓ２は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ２（％）が計算される。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ２（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（長手方向に測定した角形比Ｓ１）

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、２７％以下、又は２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。

長手方向における角形比Ｓ１は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０及びベース層１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ２と同様にして求められる。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（算術平均粗さＲ_ａ）

磁気記録媒体１０の磁性層側表面（以下「磁性面」ともいう）の算術平均粗さＲ_ａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１．９ｎｍ以下である。Ｒ_ａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。

算術平均粗さＲ_ａは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面をＡＦＭにより観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトを用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い（注１）、タッピング周波数として、200-400Hzのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１〜262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚ_ave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝｜Ｚ（ｉ）−Ｚ_ave｜）を求め、算術平均粗さＲ_ａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（262,144））／262,144）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order 2及びplanefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ
算術平均粗さＲ_ａは、後述する塗膜乾燥工程における乾燥温度及び乾燥時間を変更することによって調整することができる。算術平均粗さＲ_ａは、乾燥温度が高いほど、さらには乾燥時間が長いほど、大きくなる傾向にある。
まら、算術平均粗さＲ_ａは、後述するカレンダー工程における温度条件、圧力条件を変えることでも、調整することができる。算術平均粗さＲ_ａは、カレンダ―工程における圧力条件が低いほど、さらには温度条件が低いほど、大きくなる傾向にある。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃは、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃは、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向にける保磁力Ｈｃの下限値が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（４）磁気記録媒体の製造方法

次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤及び非磁性粉などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料、及びバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料をベース層１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理によって、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）を向上することができる。磁性層１３の形成後、ベース層１１の他方の主面にバック層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度の調整、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度の調整、又は磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（例えば乾燥温度及び乾燥時間など）の調整により、所望の値に設定されうる。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１及びＳ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

その後、得られた磁気記録媒体１０にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面を平滑化する。次に、カレンダー処理が施された磁気記録媒体１０をロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気記録媒体１０に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面の多数の突部１４Ａを磁性層１３の表面に転写する。これにより、磁性層１３の表面に細孔（多数の孔部１３Ａ）が形成される。

前記加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。この数値範囲内の温度を前記加熱処理の温度として採用することによって、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の温度が低すぎる場合（例えば５５℃未満）である場合、突部の形状が十分に転写されないことがある。前記加熱処理の温度が高すぎる場合（例えば７５℃超）である場合、細孔量が多くなりすぎ、磁性層１３の表面の潤滑剤が過多になってしまう虞がある。ここで、前記加熱処理の温度は、磁気記録媒体１０を保持する雰囲気の温度である。

前記加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。前記加熱処理の時間をこの数値範囲内とすることにより、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の時間が短すぎる場合（例えば１５時間未満である場合）、突部の形状が十分に転写されないことがある。生産性の低下の抑制のために、前記加熱処理の時間は例えば４０時間以下とすることが望ましい。

最後に、磁気記録媒体１０を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。磁気記録媒体１０にはサーボパターンが記録される。サーボパターンの記録は、例えば当技術分野で既知のサーボライタにより行われてよい。

以上の製造方法では、バック層１４の表面に設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面に転写することにより、磁性層１３の表面に細孔が形成されるが、細孔の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類の調整及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件の調整によって、磁性層１３の表面に細孔が形成されてもよい。また、例えば磁性層形成用塗料の溶剤が乾燥する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる固形物と溶剤の偏在により細孔が形成されうる。また、磁性層形成用塗料を塗布する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤は、下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通って下地層１２にも吸収されうる。前記塗布後の乾燥工程で下地層１２から磁性層１３を通って溶剤が移動することによって、磁性層１３と下地層１２とを連通する細孔が形成されうる。

（５）記録再生装置

［記録再生装置の構成］

次に、図８を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。

記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。

記録再生装置３０は、図８に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。

スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。

スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。

ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
また、制御装置３８は、後述する、磁気記録媒体１０を内蔵するカートリッジ１０Ａが有するカートリッジメモリ２１１に記憶された情報に基づいて、リール駆動装置３４及びスピンドル駆動装置３３の少なくとも一方の回転駆動トルクを制御することにより、磁気記録媒体１０の長手方向にかかるテンションを調整可能である。

［記録再生装置の動作］

次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。

まず、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。

次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６にリール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。よって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

（６）カートリッジ

［カートリッジの構成］

本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。前記調整情報は、例えば、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。当該幅方向の寸法情報は、以下［カートリッジメモリの構成］において述べる磁気記録媒体の製造時（製造後の初期）の寸法情報、及び／又は、以下「（７）データ処理方法」において述べる寸法情報取得工程において取得される寸法情報であってよい。

図１２を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０を備えるカートリッジ１０Ａの構成の一例について説明する。

図１２は、カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録媒体カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）１０が巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープ１０の一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。

カートリッジメモリ２１１は、カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置３０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。

［カートリッジメモリの構成］

図１３を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。

図１３は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。

メモリ３３６は、カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ−９規格またはＬＴＯ−１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は、約３２ＫＢの記憶容量を有する。

メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０Ａに関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープ１０に記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、初期情報として、磁気記録媒体１０の製造時（製造後の初期）の幅方向の寸法情報を含む。なお、磁気記録媒体１０の製造時の幅方向の寸法情報は、長手方向の任意の位置で一定の値（規定値）である。

メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ−９規格またはＬＴＯ−１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置３０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置３０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０に送信する。

（７）データ処理方法

本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を用いるデータ処理方法も提供する。当該データ処理方法は、例えば本技術に従う磁気記録媒体にデータを記録する記録方法であってよく、本技術に従う磁気記録媒体に記録されたデータを再生する再生方法であってよく、又は、本技術に従う磁気記録媒体にデータを記録すること及び当該磁気記録媒体に記録されたデータを再生することの両方を行う方法であってもよい。

当該データ処理方法は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体にデータを記録し、及び／又は、前記磁気記録媒体に記録されたデータを再生するデータ処理工程とを含む。前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される。

本技術に従うデータ処理方法は、上記のとおり張力を調整しながらデータの記録及び／又は再生が行われる。当該方法において用いられる本技術に従う磁気記録媒体は、磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整しながら記録再生を行うデータ処理方法における使用に適している。そのため、本技術に従うデータ処理方法によって、本技術に従う磁気記録媒体の利点が効果的に発揮される。

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に基づいて調整されてよい。

当該寸法初期情報は、例えば、当該寸法取得工程を行う前のいずれかの時点における前記磁気記録媒体の幅方向の寸法情報であってよい。例えば、前記磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジが販売され、そして、その後当該磁気記録カートリッジに含まれる当該磁気記録媒体を用いて本技術に従うデータ処理方法が行われる場合を想定する。この場合において、当該寸法初期情報は、前記磁気記録カートリッジが販売される前のいずれかの時点において取得されたものであってよく、又は、当該磁気記録カートリッジが販売された後から本技術に従うデータ処理方法が行われる前までのいずれかの時点において取得されたものであってもよい。前者の場合、当該寸法初期情報は、例えば、上記「（６）カートリッジ」において述べた磁気記録媒体１０の製造時（製造後の初期）の幅方向の寸法情報に相当しうる。後者の場合、当該寸法初期情報は、例えば当該磁気記録カートリッジへ初めてデータ記録が行われる際に取得されたものであってよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジへ初めてデータ記録を行うために、当該磁気記録カートリッジをドライブへ挿入した場合に取得されるものであってよい。

好ましくは、当該寸法初期情報は、前記寸法情報取得工程において前記寸法情報が取得された長手方向の前記複数位置で取得された、前記磁気記録媒体の幅方向の寸法情報である。すなわち、前記寸法情報が取得された長手方向における位置と、前記寸法初期情報が取得された長手方向における位置とが、同じであることが好ましい。これにより、データ処理工程において前記磁気記録媒体の長手方向に付与されるべき張力を、より容易に算出することができる。
前記寸法初期情報の取得は、寸法情報取得工程における前記寸法情報の取得と同じ手法で行われてよく又は異なる手法で行われてもよいが、好ましくは同じ手法で行われる。

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整されうる。例えば、前記寸法初期情報として記録された前記複数位置のそれぞれでの寸法に、前記寸法情報として記録された前記複数位置のそれぞれでの寸法が近づくように当該張力が調整されてよく、より好ましくは前記寸法情報として記録された前記複数位置のそれぞれでの寸法に一致するように当該張力が調整されてよい。

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記データ処理方法は、前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程をさらに含んでよく、前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整されうる。当該張力の調整において、前記寸法情報に加えて前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方が考慮されることで、より適切な張力を磁気記録媒体に付与することが可能となる。
前記環境情報は、好ましくは前記磁気記録媒体の周辺の温度情報及び湿度情報のうちの一方又は両方を含む。前記走行条件情報は、好ましくは前記磁気記録媒体の巻取り時の張力情報を含む。温度情報及び湿度情報は磁気記録媒体の寸法に影響しうるので、また、前記磁気記録媒体の巻取り時の張力情報は磁気記録媒体の幅制御性に影響しうるので、これらの情報が用いられることによって、より適切な張力を磁気記録媒体に付与することが可能となる。

図１４のフローチャートを参照して、本技術に従う方法を用いて磁気記録媒体にデータを記録するために行われる手順の例を説明する。当該例において、図８に示された記録再生装置３０を用いて磁気記録媒体１０にデータが記録されるものとする。また、記録再生装置３０又はカートリッジ１０Ａは温湿度計（図示されていない）を有し、該温湿度計から、磁気記録媒体１０の周辺（例えば記録再生装置３０が置かれている環境）の温度情報及び／又は湿度情報が制御装置３８に送られるように構成されているものとする。

ステップＳ１０１において、磁気記録媒体１０（磁気テープ）を備えるカートリッジ１０Ａ（テープカートリッジ）が記録再生装置３０（ドライブ）にセットされる。カートリッジ１０Ａがセットされたことに応じて、制御装置３８は、カートリッジ１０Ａのカートリッジメモリ２１１（特にはメモリ３３６）に寸法初期情報が記憶されているかを判定する。制御装置３８は、寸法初期情報が記憶されていないことに応じて、処理をステップＳ１０２に進める。寸法初期情報が記憶されている場合は、ステップＳ１０２及び１０３を行うことなく、ステップＳ１０４が行われてよい。

ステップＳ１０２において、制御装置３８が、リール駆動装置３４及びスピンドル駆動装置３３を駆動して、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール１０Ｃからリール３２へ向かって走行する。当該走行完了後、制御装置３８が、リール駆動装置３４及びスピンドル駆動装置３３を駆動して、リール３２からリール１０Ｃへ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃへ向かって走行する。このように走行される過程で、制御装置３８は、磁気記録媒体１０の長手方向における複数の位置のそれぞれでの、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法情報を取得する。当該寸法情報の取得のために、例えばヘッドユニット３６により取得されるサーボ信号が用いられてよい。例えば磁気記録媒体１０に予め記録されたサーボ信号を用いることで、幅方向の寸法情報（例えばサーボバンド幅など）を取得することができる。制御装置３８は、取得された寸法情報をカートリッジメモリ２１１（特にはメモリ３３６）に記憶させる。当該寸法情報は、当該寸法情報が取得された位置と関連付けられて、カートリッジメモリ２１１に記録される。

ステップＳ１０２において、磁気記録媒体１０に付与される張力は一定であってよく、例えば０．１Ｎ〜２Ｎ、特には０．２Ｎ〜１Ｎ、より特には０．３Ｎ〜０．８Ｎ、さらにより特には０．４Ｎ〜０．６Ｎであってよい。
ステップＳ１０２において、幅方向の寸法情報が取得される前記複数の位置は、例えば磁気記録媒体１０の全長を例えば１０〜５００、特には２０〜２００、より特には５０〜１５０、さらにより特には８０〜１２０に均等分割したときの分割位置のそれぞれであってよい。

ステップＳ１０３において、制御装置３８は、環境情報を取得しうる。例えば、制御装置３８は、温湿度計からの温度情報及び／又は湿度情報を取得し、そして、取得した温度情報及び／又は湿度情報をカートリッジメモリ２１１に記憶させる。また、ステップＳ１０３において、制御装置３８は、環境情報に加えて又は環境情報に代えて、走行条件情報を取得してもよい。走行条件情報は、例えばステップＳ１０２において適用された張力でありうる。ステップＳ１０３は行われなくてもよいが、ステップＳ１０３によって、より適切な張力を磁気記録媒体に付与することが可能となる。

ステップＳ１０４において、制御装置３８は、データ記録開始要求を受けとる。当該データ記録開始要求は、例えば磁気記録媒体１０のユーザによる記録再生装置３０の操作によって、制御装置３８へ送信されうる。データ記録開始要求を受け取った制御装置３８は、処理をステップＳ１０５に進める。

ステップＳ１０５において、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２などの情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。例えば、当該記録は、磁気記録媒体１０を、リール１０Ｃからリール３２へ向かって走行させる。
以上のとおり、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５において、初期の幅情報がカートリッジメモリに記録されていない磁気記録カートリッジに対して、初期の幅情報がカートリッジメモリに記録され、そしてその後、データが磁気記録媒体に記録される。

上記ステップＳ１０５が行われ、そして、磁気記録媒体１０が短期保存又は長期保存された後に、データの記録及び／又は再生が行われる。当該記録及び／又は再生が、本技術に従うデータ処理方法に従い行われる。すなわち、前記寸法情報取得工程及び前記データ処理工程が少なくとも行われる。

（８）効果

本技術に従う磁気記録媒体１０において、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記下地層の厚みが０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である。これにより、磁気記録媒体１０は、全厚及び下地層が薄いにもかかわらず走行安定性に優れ、且つ、磁気記録媒体１０の長手方向にかかるテンションを調整することにより磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化を抑制する記録再生装置における使用に適している。

本技術に従うデータ処理方法において、上記のとおり張力を調整しながらデータの記録及び／又は再生が行われ、当該方法において用いられる本技術に従う磁気記録媒体は、磁気記録媒体の長手方向のテンション調整により磁気記録媒体の幅を調整しながら記録再生を行うデータ処理方法における使用に適している。そのため、本技術に従うデータ処理方法によって、本技術に従う磁気記録媒体の利点が効果的に発揮される。

（９）変形例

［変形例１］

磁気記録媒体１０が、図９に示すように、ベース層１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、環境に応じたベース層１１の寸法変化を抑える為の層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例としてベース層１１の吸湿性が挙げられ、バリア層１５によりベース層１１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層１５は、金属又は金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、及びＺｒＯ_２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを用いることもできる。

バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。

［変形例２］

磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。

３．実施例

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例及び比較例において、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁性層の表面粗度（磁性層側表面の算術平均粗さ）Ｒ_ａ、角形比Ｓ２、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、細孔の平均直径、ＳＮＲ、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）、及び摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により求められた値である。

（１）磁気テープの製造
以下に述べるとおり、実施例１〜２１及び比較例１〜７の磁気テープを製造した。下記表１に、これら磁気テープの角形比Ｓ２、角形比Ｓ１、細孔の平均直径、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、下地層の平均厚み、ベース層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、塗布膜厚／ベース厚、ヤング率、磁性層の表面粗度（磁性面粗度）Ｒ_ａ、磁性粉の種類、形状、アスペクト比及び粒子体積がまとめられている。

［実施例１］

（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子の粉末（六角板状、平均粒子体積１９５０ｎｍ³）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：６５質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。塩化ビニル系樹脂の詳細は以下のとおりであった：重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：５５．６質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：２０．０質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体（ベース層）である、平均厚み４．００μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが０．６０μｍとなるように下地層を以下のように形成し、そして、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが０．０８μｍとなるように磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度及び乾燥時間）を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１及び長手方向における角形比Ｓ２を表１に示す値に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、平均厚み０．３０μｍのバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。この磁気テープの磁性面粗度Ｒ_ａ（算術平均粗さ）は、１．８０μｍであった。

（カレンダー工程、転写工程）
続いて、所定の温度条件、圧力条件の下で、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた磁気テープをロール状に巻き取った後、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気テープをロール状に巻き直したのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。

（裁断工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープ（平均厚み５．０μｍ）が得られた。

［実施例２］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．２μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例３］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を２７％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７１％に設定したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例４］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を２９％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７０％に設定するとともに、下地層及びバック層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．５μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例５］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を６ｎｍに変更し、且つ、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を低くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．７０μｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例６］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．３μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例７］
下地層の厚み及びベース層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを４．７μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例８］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からε酸化鉄粒子の粉末に変更するとともに、下地層の厚みを変更して平均厚みｔ_Ｔを５．０μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例９］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からＣｏ酸化鉄粒子の粉末に変更するとともに、下地層の厚みを変更して平均厚みｔ_Ｔを５．０μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例１０］
ベース層及びバック層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．６μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例１１］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を１０ｎｍに変更するとともに、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を高くし、且つ、乾燥時間を長くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍに変更したこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例１２］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を６ｎｍに変更したこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。なお、実施例１２では、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を低くし、且つ、上記カレンダー工程で圧力条件を低くすることにより、磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを実施例６と同じ値（１．８０μｍ）としている。

［実施例１３］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を２３％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７５％に設定したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１４］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を２０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を８０％に設定したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。
［実施例１５］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定し、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を１１ｎｍに変更するとともに、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を非常に高くし、且つ、乾燥時間を長くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例１６］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３０％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを４．９μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例１７］
磁性層及び下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．０μｍとし、上記カレンダー工程で圧力条件を低くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。
［実施例１８］
磁性層及び下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを４．９μｍとし、上記カレンダー工程で圧力条件を低くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。
［実施例１９］
非磁性支持体（ベース層）として、ＰＥＮフィルムに代えて、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のフィルム（以下、ＰＥＴフィルムという。）を用い、且つ、磁性層、下地層及びベース層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．１μｍとするとともに、上記カレンダー工程で圧力条件を低くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍとしたこと以外は実施例６と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例２０］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を４２％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６０％に設定したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［実施例２１］
磁性層及び下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．２μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例１］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を５ｎｍに変更し、且つ、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を低くし、且つ、乾燥時間を長くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．６０μｍにしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例２］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を１０ｎｍに変更し、且つ、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．４μｍとし、且つ、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を高くし、且つ、乾燥時間を長くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例３］
下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを４．８μｍにするとともに、上記カレンダー工程で温度条件を高くし、且つ、圧力条件を高くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．７０μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例４］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を１２ｎｍに変更し、且つ、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．２μｍとし、且つ、上記塗膜乾燥工程で乾燥温度を高くし、且つ、乾燥時間を長くし、且つ、カレンダー工程での圧力条件を低くすることにより、磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを２．００μｍにしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例５］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、下地層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．６μｍとし、カレンダー工程での圧力条件を低くすることにより磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍにしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例６］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、下地層、ベース層及びバック層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．７μｍとし、且つ、カレンダー工程での圧力条件を低くすることにより磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍにしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

［比較例７］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの長手方向における角形比Ｓ１を３１％に設定し、且つ、厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６６％に設定するとともに、磁性層、下地層及びバック層の厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．７μｍとし、且つ、カレンダー工程での圧力条件を低くすることにより磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを１．９０μｍにしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。

（２）評価
上記（１）において製造された実施例１〜２１及び比較例１〜７の磁気テープについて、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）、摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））及び幅変化量を測定した。これらの測定は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により行われた。測定結果は下記表１に示されている。

さらに、実施例１〜２１及び比較例１〜７の磁気テープについてＳＮＲを評価した。評価結果は下記表１に示されている。ＳＮＲの評価方法は以下のとおりであった。

（ＳＮＲ）

まず、記録／再生ヘッド及び記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例１のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で表１に示す。
Y. Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”, IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

表１に示される結果より、以下のことが分かる。

実施例１〜２１の磁気テープはいずれも、テープ全厚ｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり且つ下地層の厚みが０．５μｍ以上０．９μｍ以下であるにもかかわらず、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）及び摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０以上２．０以下であり、走行安定性が高いことが分かる。さらに、実施例１〜２０の磁気テープはいずれも、幅変化量が４．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、幅制御性が良好であることが分かる。よって、本技術に従う磁気記録媒体は、磁気記録媒体の全厚及び下地層が薄いにもかかわらず、走行安定性に優れ且つ幅制御性に優れることが分かる。

また、実施例１〜２１の結果と比較例５〜７の結果とを比較すると、磁気テープの長手方向のヤング率が例えば７．９０Ｇｐａ以下であることによって、幅制御性が向上することが分かる。
また、実施例１〜２１の結果と比較例７の結果とを比較すると、塗布膜厚／ベース厚が例えば０．３８以下であることも、幅制御性の向上に貢献していると考えられる。

また、実施例１〜２１の結果と比較例１及び４の結果とを比較すると、細孔の平均直径が６ｎｍ〜１１ｎｍであることによって、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）及び（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が良好に制御され、走行安定性が向上されることが分かる。

また、実施例１〜２０の結果と比較例２及び３の結果とを比較すると、下地層の厚みが０．５μｍ以上０．９μｍ以下であることが、走行安定性及びＳＮＲの向上に貢献していることが分かる。

また、実施例１と実施例２０とを比較すると、前者では角形比Ｓ２が６５％であり、ＳＮＲが０であったのに対し、後者では角形比Ｓ２が６０％であり、ＳＮＲが−０．５であった。この結果より、角形比Ｓ２を例えば６５％以上とすることによって、ＳＮＲがさらに改善され、すなわち記録再生特性が向上することが分かる。

また、実施例１と実施例２１とを比較すると、磁性層の厚みを例えば０．０９μｍ以下、好ましくは０．０８μｍ以下とすることによって、ＳＮＲがさらに改善され、すなわち記録再生特性が向上することが分かる。

実施例８、９の磁気テープは、実施例１と磁性粉の種類が異なるが、実施例１と同程度の走行安定性及び記録再生特性を有する。そのため、磁性粉の種類を変更しても、本技術の効果が奏されることが分かる。

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕前記ベース層が、ポリエステル系樹脂から形成されている、〔１〕〜〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率が０．３８以下である、〔１〕〜〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕前記磁気記録媒体の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量が、４．０μｍ以上５．０μｍ以下である、〔１〕〜〔６〕のいずれか一つに記載のテープ状の磁気記録媒体。
〔８〕前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ酸化鉄を含む、〔１〕〜〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、〔８〕に記載の磁気記録媒体。
〔１０〕前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０である、〔１〕〜〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０である、〔１〕〜〔１０〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕前記細孔の平均直径が６ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕前記細孔の平均直径が７ｎｍ以上９ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕前記ベース層の平均厚みが４．２μｍ以下である、〔１〕〜〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕前記バック層の平均厚みが０．５μｍ以下である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、〔１〕〜〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕〔１〕に記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と、
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、テープカートリッジ。
〔１８〕前記調整情報は、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含む、〔１７〕に記載のテープカートリッジ。
〔１９〕〔１〕に記載のテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、
前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体にデータを記録し及び／又は前記磁気記録媒体に記録されたデータを再生するデータ処理工程と、
を含み、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される、
データ処理方法。
〔２０〕前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に基づいて調整される、〔１９〕に記載のデータ処理方法。
〔２１〕前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整される、〔２０〕に記載のデータ処理方法。
〔２２〕前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程を更に含み、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整される、
〔１９〕〜〔２１〕のいずれか一つに記載のデータ処理方法。
〔２３〕磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率が０．３８以下である、
テープ状の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１１ ベース層
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

本技術は、テープ状の磁気記録媒体であって、
前記磁気記録媒体は磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備え、
前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、
前記磁気記録媒体を提供する。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａは２．５ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍは８０ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含みうる。
前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率は０．３以下でありうる。
前記磁気記録媒体の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量が、４．０μｍ以上５．０μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ酸化鉄を含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０でありうる。
長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０でありうる。
前記細孔の平均直径は６ｎｍ以上１０ｎｍ以下でありうる。
前記細孔の平均直径は７ｎｍ以上９ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記バック層の平均厚みは０．５μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比は１．０以上３．５以下でありうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と、
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、テープカートリッジも提供する。
前記調整情報は、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、
前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体にデータを記録し及び／又は前記磁気記録媒体に記録された前記データを再生するデータ処理工程と、
を含み、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される、
データ処理方法も提供する。
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、
前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に
基づいて調整されうる。
前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整されうる。
前記データ処理方法は、前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程を更に含んでよく、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整されうる。

本技術は、テープ状の磁気記録媒体であって、
前記磁気記録媒体は磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備え、
前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下であり、且つ、
前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ _Ａ と、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ _Ｂ との摩擦係数比（μ _Ｂ ／μ _Ａ ）が１．０〜２．０である、
前記磁気記録媒体を提供する。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａは２．５ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍは８０ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含みうる。
前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率は０．３以下でありうる。
前記磁気記録媒体の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量が、４．０μｍ以上５．０μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ酸化鉄を含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０でありうる。
前記細孔の平均直径は６ｎｍ以上１０ｎｍ以下でありうる。
前記細孔の平均直径は７ｎｍ以上９ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記バック層の平均厚みは０．５μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比は１．０以上３．５以下でありうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と、
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、テープカートリッジも提供する。
前記調整情報は、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。
また、本技術は、本技術に従うテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、
前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体にデータを記録し及び／又は前記磁気記録媒体に記録された前記データを再生するデータ処理工程と、
を含み、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される、
データ処理方法も提供する。
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、
前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に基づいて調整されうる。
前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整されうる。
前記データ処理方法は、前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程を更に含んでよく、
前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整されうる。

Claims (22)

1. 磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
   前記下地層の厚みが、０．５μｍ以上０．９μｍ以下であり、
   磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
   前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、
   前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、
   長手方向のヤング率が、７．９０ＧＰａ以下である、
   テープ状の磁気記録媒体。
2. 垂直方向における角形比が６５％以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 前記ベース層が、ポリエステルを主たる成分として含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 前記磁性層、前記下地層、及び前記バック層の厚みの合計値の前記ベース層の厚みに対する比率が０．３８以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁気記録媒体の長手方向に０．５Ｎの張力を加えた状態と１．０Ｎの張力を加えた状態との間での前記磁気記録媒体の幅方向の寸法の変化量が、４．０μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１に記載のテープ状の磁気記録媒体。
8. 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ酸化鉄を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、請求項８に記載の磁気記録媒体。
10. 前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
11. 長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
12. 前記細孔の平均直径が６ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
13. 前記細孔の平均直径が７ｎｍ以上９ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
14. 前記ベース層の平均厚みが４．２μｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
15. 前記バック層の平均厚みが０．５μｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
16. 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
17. 請求項１に記載のテープ状の磁気記録媒体と、
    記録再生装置と通信を行う通信部と、
    記憶部と、
    前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と、
    を備え、
    前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、テープカートリッジ。
18. 前記調整情報は、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含む、請求項１７に記載のテープカートリッジ。
19. 請求項１に記載のテープ状の磁気記録媒体を、長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記磁気記録媒体の長手方向における複数位置での幅方向の寸法情報を取得する寸法情報取得工程と、
    前記寸法情報取得工程後に、前記磁気記録媒体を長手方向に張力を付与しつつ走行させながら、前記媒磁気記録体にデータを記録し及び／又は前記磁気記録媒体に記録されたデータを再生するデータ処理工程と、
    を含み、
    前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報に基づいて調整される、
    データ処理方法。
20. 前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記寸法情報取得工程を行う前に予め取得された寸法初期情報と、に基づいて調整される、請求項１９に記載のデータ処理方法。
21. 前記データ処理工程において、前記寸法情報が前記寸法初期情報に対応するように、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が調整される、請求項２０に記載のデータ処理方法。
22. 前記磁気記録媒体の周辺の環境情報及び走行条件情報の少なくとも一方を取得する情報取得工程を更に含み、
    前記データ処理工程において、前記磁気記録媒体の長手方向に付与される張力が、前記寸法情報と、前記環境情報及び前記走行条件情報の少なくとも一方とに基づいて調整される、
    請求項１９に記載のデータ処理方法。