JP2021032939A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】好適な表示特性を実現することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板と、基板に設けられた複数の画素と、複数の画素の各々に設けられる複数の発光素子と、を有し、複数の発光素子は、赤色の光を出射する複数の第１発光素子と、緑色の光を出射する複数の第２発光素子と、青色の光を出射する複数の第３発光素子とを含み、複数の第１発光素子は、基板に第１方向に配列されるとともに、第１方向と交差する第２方向に配列され、１つの画素を第１方向に見て、第３発光素子には第１発光素子及び第２発光素子とは重ならない部分があり、１つの画素を第２方向に見て、第３発光素子には第１発光素子及び第２発光素子とは重ならない部分がある。
【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、表示素子として微小サイズの発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））を用いたディスプレイが注目されている（例えば、特許文献１参照）。複数の発光ダイオードは、アレイ基板（特許文献１ではドライババックプレーン）の平坦な面上に実装される。複数の発光ダイオードは、異なる色（例えばＲＧＢ）の光を出射する発光ダイオードが配列される。

特表２０１７−５２９５５７号公報

微小サイズの発光ダイオードを用いたディスプレイでは、発光ダイオードの配列構造や、観察者の観察方向によって、一部の色の発光ダイオードが他の色の発光ダイオードと重なり、表示特性が低下する可能性がある。

本発明は、好適な表示特性を実現することができる表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素と、複数の前記画素の各々に設けられる複数の発光素子と、を有し、複数の前記発光素子は、赤色の光を出射する複数の第１発光素子と、緑色の光を出射する複数の第２発光素子と、青色の光を出射する複数の第３発光素子とを含み、複数の前記第１発光素子は、前記基板に第１方向に配列されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向に配列され、１つの前記画素を前記第１方向に見て、前記第３発光素子には前記第１発光素子及び前記第２発光素子とは重ならない部分があり、１つの前記画素を前記第２方向に見て、前記第３発光素子には前記第１発光素子及び前記第２発光素子とは重ならない部分がある。

図１は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。 図２は、複数の副画素を示す平面図である。 図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図である。 図４は、複数の画素の配列を示す平面図である。 図５は、図４のＶ−Ｖ’断面から奥行方向（図４における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。 図６は、図４のＶＩ−ＶＩ’断面から奥行方向（図４における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。 図７は、第２実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。 図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面から奥行方向（図７における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。 図９は、図７のＩＸ−ＩＸ’断面図から奥行方向（図７における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。 図１０は、第３実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。 図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ’断面から奥行方向（図１０における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。 図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面から奥行方向（図１０における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。 図１３は、第４実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。 図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ’断面から奥行方向（図１３における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。 図１５は、図１３のＸＶ−ＸＶ’断面から奥行方向（図１３における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。 図１６は、第５実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す斜視図である。 図１７は、第５実施形態に係る表示装置の、アレイ基板を示す斜視図である。 図１８は、第５実施形態の変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、画素Ｐｉｘと、駆動回路１２と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２１０と、カソード配線６０と、を含む。アレイ基板２は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板２は、基板２１、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。特に図示しないが、アレイ基板２上には、駆動回路１２及び駆動ＩＣ２１０を駆動するための制御信号及び電力を入力するためのフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等が接続されていてもよい。

図１に示すように、表示装置１は、表示領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘと重なって配置され、画像を表示する領域である。周辺領域ＧＡは、複数の画素Ｐｉｘと重ならない領域であり、表示領域ＡＡの外側に配置される。

複数の画素Ｐｉｘは、基板２１の表示領域ＡＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。なお、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、基板２１の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、基板２１の法線方向に対応する。なお、以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。

表示領域ＡＡは、第１辺ＡＡｓ１、第２辺ＡＡｓ２、第３辺ＡＡｓ３及び第４辺ＡＡｓ４を有する。第１辺ＡＡｓ１と第２辺ＡＡｓ２とは、平行な方向に延在する。第３辺ＡＡｓ３と第４辺ＡＡｓ４とは、平行な方向に延在し、第１辺ＡＡｓ１と第２辺ＡＡｓ２との間に設けられる。本明細書では、第１方向Ｄｘは、表示領域ＡＡの第１辺ＡＡｓ１及び第２辺ＡＡｓ２に沿った方向である。また、第２方向Ｄｙは、表示領域ＡＡの第３辺ＡＡｓ３及び第４辺ＡＡｓ４に沿った方向である。

駆動回路１２は、駆動ＩＣ２１０又は外部からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線を駆動する回路である。駆動回路１２は、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、駆動回路１２は、ゲート線に接続された複数の画素Ｐｉｘを選択する。

駆動ＩＣ２１０は、表示装置１の表示を制御する回路である。駆動ＩＣ２１０は、基板２１の周辺領域ＧＡにＣＯＧ（Chip On Glass）として実装される。これに限定されず、駆動ＩＣ２１０は、基板２１の周辺領域ＧＡに接続されたフレキシブルプリント基板やリジット基板の上にＣＯＦ（Chip On Film）として実装されてもよい。

カソード配線６０は、基板２１の周辺領域ＧＡに設けられる。カソード配線６０は、表示領域ＡＡの複数の画素Ｐｉｘ及び周辺領域ＧＡの駆動回路１２を囲んで設けられる。複数の発光素子３のカソードは、共通のカソード配線６０に電気的に接続され、固定電位（例えば、グランド電位）が供給される。より具体的には、発光素子３のカソード端子３２（図３参照）は、カソード電極２２を介して、カソード配線６０に接続される。

図２は、複数の副画素を示す平面図である。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、複数の副画素４９を含む。例えば、画素Ｐｉｘは、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとを有する。第１副画素４９Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２副画素４９Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３副画素４９Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する斜め方向に並ぶ。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素４９という。

副画素４９は、それぞれ発光素子３と、アノード電極２３と、を有する。発光素子３は、複数の副画素４９の各々に設けられる。表示装置１は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂにおいて、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂごとに異なる光を出射することで画像を表示する。第１発光素子３Ｒは、赤色の光を出射する。第２発光素子３Ｇは、緑色の光を出射する。第３発光素子３Ｂは、青色の光を出射する。以下において、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂをそれぞれ区別する必要がない場合、発光素子３という。なお、複数の発光素子３は、４色以上の異なる光を出射してもよい。

発光素子３は、平面視で、３μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）チップである。厳密な定義ではないが、チップサイズが１００μｍを下回るものは、マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と呼ばれる。各画素にマイクロＬＥＤを備える表示装置１は、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、発光素子３の大きさを限定するものではない。

次に、表示装置１の断面構成について説明する。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図である。図３に示すように、発光素子３は、アレイ基板２の上に設けられる。アレイ基板２は、基板２１、アノード電極２３、実装電極２４、対向電極２５、接続電極２６ａ、各種トランジスタ、各種配線及び各種絶縁膜を有する。

基板２１は絶縁基板であり、例えば、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、又はポリイミド等の樹脂基板が用いられる。基板２１として、可撓性を有する樹脂基板を用いた場合には、シートディスプレイとして表示装置１を構成することができる。また、基板２１は、ポリイミドに限らず、他の樹脂材料を用いても良い。

なお、本明細書において、基板２１の表面に垂直な方向において、基板２１から発光素子３に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、発光素子３から基板２１に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。

基板２１の上にアンダーコート膜９１が設けられる。アンダーコート膜９１は、例えば、絶縁膜９１ａ、９１ｂ、９１ｃを有する３層積層構造である。絶縁膜９１ａはシリコン酸化膜であり、絶縁膜９１ｂはシリコン窒化膜であり、絶縁膜９１ｃはシリコン酸化膜である。下層の絶縁膜９１ａは、基板２１とアンダーコート膜９１との密着性向上のために設けられる。中層の絶縁膜９１ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として設けられる。上層の絶縁膜９１ｃは、絶縁膜９１ｂのシリコン窒化膜中に含有する水素原子が半導体層６１側に拡散しないようにするブロック膜として設けられる。

アンダーコート膜９１の構成は、図３に示すものに限定されない。例えば、アンダーコート膜９１は、単層膜あるいは２層積層膜であってもよく、４層以上積層されていてもよい。また、基板２１がガラス基板である場合、シリコン窒化膜は比較的密着性が良いため、基板２１上に直接シリコン窒化膜を形成してもよい。

遮光膜６５は、絶縁膜９１ａの上に設けられる。遮光膜６５は、半導体層６１と基板２１との間に設けられる。遮光膜６５により、半導体層６１のチャネル領域６１ａへの基板２１側からの光の侵入を抑制することができる。あるいは、遮光膜６５を導電性材料で形成して、所定の電位を与えることで、駆動トランジスタＤＲＴへのバックゲート効果を与えることができる。なお、遮光膜６５は、基板２１上に設けられ、遮光膜６５を覆って絶縁膜９１ａが設けられていてもよい。

駆動トランジスタＤＲＴは、アンダーコート膜９１の上に設けられる。なお、図３では、発光素子３に対応して１つの駆動トランジスタＤＲＴを示しているが、１つの発光素子３に対応して、画素回路を構成する複数のトランジスタが設けられていてもよい。

駆動トランジスタＤＲＴは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を有する。半導体層６１は、アンダーコート膜９１の上に設けられる。半導体層６１は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層６１は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン等であってもよい。駆動トランジスタＤＲＴとして、ｎ型ＴＦＴのみ示しているが、ｐ型ＴＦＴを同時に形成しても良い。ｎ型ＴＦＴでは、半導体層６１は、チャネル領域６１ａ、ソース領域６１ｂ、ドレイン領域６１ｃ及び低濃度不純物領域６１ｄを有する。低濃度不純物領域６１ｄは、チャネル領域６１ａとソース領域６１ｂとの間に設けられ、また、チャネル領域６１ａとドレイン領域６１ｃとの間に設けられる。

ゲート絶縁膜９２は、半導体層６１を覆ってアンダーコート膜９１の上に設けられる。ゲート絶縁膜９２は、例えばシリコン酸化膜である。ゲート電極６４は、ゲート絶縁膜９２の上に設けられる。また、ゲート電極６４と同層に第１配線６６が設けられる。ゲート電極６４及び第１配線６６は、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）が用いられる。図３に示す例では、駆動トランジスタＤＲＴは、ゲート電極６４が半導体層６１の上側に設けられたトップゲート構造である。ただし、これに限定されず、駆動トランジスタＤＲＴは、半導体層６１の下側にゲート電極６４が設けられたボトムゲート構造でもよく、半導体層６１の上側及び下側の両方にゲート電極６４が設けられたデュアルゲート構造でもよい。

層間絶縁膜９３は、ゲート電極６４を覆ってゲート絶縁膜９２の上に設けられる。層間絶縁膜９３は、例えば、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜との積層構造を有する。ソース電極６２及びドレイン電極６３は、層間絶縁膜９３の上に設けられる。ソース電極６２は、ゲート絶縁膜９２及び層間絶縁膜９３に設けられたコンタクトホールを介して、ソース領域６１ｂに接続される。ドレイン電極６３は、ゲート絶縁膜９２及び層間絶縁膜９３に設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン領域６１ｃに接続される。ソース電極６２には、引き回し配線となる第２配線６７が接続される。ソース電極６２、ドレイン電極６３及び第２配線６７は、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）の３層積層構造を採用することができる。

第２配線６７の一部は、第１配線６６と重なる領域に形成される。層間絶縁膜９３を介して対向する第１配線６６と第２配線６７とで、容量Ｃｓ１が形成される。また、第１配線６６は、半導体層６１の一部と重なる領域に形成される。容量Ｃｓ１は、ゲート絶縁膜９２を介して対向する半導体層６１と第１配線６６とで形成される容量も含む。

第１有機絶縁膜９４は、駆動トランジスタＤＲＴ及び第２配線６７を覆って層間絶縁膜９３の上に設けられる。第１有機絶縁膜９４としては感光性アクリル等の有機材料が用いられる。感光性アクリル等の有機材料は、ＣＶＤ等により形成される無機絶縁材料に比べ、配線段差のカバレッジ性や、表面の平坦性に優れる。

第１有機絶縁膜９４の上に、対向電極２５、容量絶縁膜９５、アノード電極２３の順に積層される。対向電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料で構成される。対向電極２５と同層に接続電極２６ａが設けられる。接続電極２６ａは、第１有機絶縁膜９４に設けられたコンタクトホールＨ１の内部を覆って設けられ、コンタクトホールＨ１の底部で第２配線６７と接続される。

容量絶縁膜９５は、対向電極２５及び接続電極２６ａを覆って設けられ、コンタクトホールＨ１と重なる領域に開口を有する。容量絶縁膜９５は、例えば、シリコン窒化膜である。アノード電極２３は、容量絶縁膜９５を介して対向電極２５と対向する。アノード電極２３は、コンタクトホールＨ１を介して接続電極２６ａ及び第２配線６７と電気的に接続される。これにより、アノード電極２３は、駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続される。アノード電極２３は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）の積層構造としている。ただし、これに限定されず、アノード電極２３は、モリブデン、チタンの金属のいずれか１つ以上を含む材料であってもよい。又は、アノード電極２３は、モリブデン、チタンのいずれか１つ以上を含む合金、又は透光性導電材料であってもよい。

容量絶縁膜９５を介して対向するアノード電極２３と対向電極２５との間に容量Ｃｓ２が形成される。また、ＩＴＯで形成される対向電極２５は、アノード電極２３を形成する工程において、第２配線６７等の各種配線を保護するためのバリア膜としての機能も有する。ところで、アノード電極２３のパターニング時、一部において対向電極２５がエッチング環境にさらされるが、対向電極２５の形成からアノード電極２３の形成までの間に行われるアニール処理によって、対向電極２５はアノード電極２３のエッチングに対し十分な耐性を有する。

第２有機絶縁膜９７は、アノード電極２３の上に設けられる。第２有機絶縁膜９７には、アノード電極２３に達するコンタクトホールＨ２が設けられる。第２有機絶縁膜９７は、第１有機絶縁膜９４と同じ有機材料が用いられる。実装電極２４は、第２有機絶縁膜９７の上に設けられ、コンタクトホールＨ２を介してアノード電極２３と電気的に接続される。実装電極２４は、アノード電極２３と同様にチタン、アルミニウムの積層構造としている。ただし、実装電極２４は、アノード電極２３と異なる導電材料が用いられてもよい。また、第２有機絶縁膜９７は、第１有機絶縁膜９４と異なる有機材料が用いられてもよい。

発光素子３（第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂ）は、それぞれに対応する実装電極２４に実装される。各発光素子３は、アノード端子３３が実装電極２４に接するように実装される。各発光素子３のアノード端子３３と実装電極２４との間の接合は、両者の間で良好な導通が確保でき、かつアレイ基板２上の形成物を破損しないものであれば特に限定しない。アノード端子３３と実装電極２４との接合として、例えば低温溶融のはんだ材料を用いたリフロー工程や、導電ペーストを介して発光素子３をアレイ基板２上に載せた後に焼成結合する手法が挙げられる。

ここで、アレイ基板２に第２有機絶縁膜９７及び実装電極２４を設けずに、アノード電極２３上に発光素子３を直接実装することも可能である。ただし、第２有機絶縁膜９７及び実装電極２４を設けることにより、発光素子３の実装時に加えられる力によって容量絶縁膜９５が破損することを抑制できる。つまり、容量Ｃｓ２を形成するアノード電極２３と対向電極２５との間の絶縁破壊が生ずることを抑制できる。

発光素子３は、半導体層３１、カソード端子３２及びアノード端子３３を有する。半導体層３１は、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が積層された構成を採用することができる。半導体層３１は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウム燐（ＡｌＩｎＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等の化合物半導体が用いられる。半導体層３１は、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂごとに異なる材料が用いられてもよい。また、活性層として、高効率化のために数原子層からなる井戸層と障壁層とを周期的に積層させた多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）が採用されてもよい。また、発光素子３として、半導体基板上に半導体層３１が形成された構成でもよい。あるいは、発光素子３単体がアレイ基板２に実装される構成に限定されず、発光素子３を含むＬＥＤチップがアレイ基板２に実装される構成であってもよい。

第１発光素子３Ｒの高さ、第２発光素子３Ｇの高さ及び第３発光素子３Ｂの高さは、異なっている。具体的には、第１発光素子３Ｒの高さは、第２発光素子３Ｇの高さよりも高い。第２発光素子３Ｇの高さは、第３発光素子３Ｂの高さよりも高い。言い換えると、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒの順に高く形成される。これは、活性層のＭＱＷ構造の歪みを抑制するための歪緩和層が設けられていることによる。歪緩和層を設けることで、発光素子３の高効率化を図ることができる。歪緩和層の厚さは、光の波長に依存するので、第１発光素子３Ｒの歪緩和層が厚く形成され、第３発光素子３Ｂの歪緩和層が薄く形成される。

前述した第１発光素子３Ｒの高さ、第２発光素子３Ｇの高さ及び第３発光素子３Ｂの高さ、及び平面視で見たチップ面積の関係は、半導体層３１を構成する材料によって異なる。例えば、ＩｎＧａｎ／ＧａＮ系の構造を有する場合は、第１発光素子３Ｒの高さ、第２発光素子３Ｇの高さ及び第３発光素子３Ｂの高さは前述の通りとなり、第１発光素子３Ｒのチップ面積は第２発光素子３Ｇのチップ面積よりも大きく、第２発光素子３Ｇのチップ面積は第３発光素子３Ｂのチップ面積よりも大きくなるが、第１発光素子３ＲがＩｎＡｌＧａＰ／ＧａＡｓ系の構造を有する場合は、第２発光素子３Ｇの高さと第３発光素子３Ｂの高さは同等で、第１発光素子３Ｒの高さがそれよりも低くなり、第１発光素子３Ｒのチップ面積は第２発光素子３Ｇのチップ面積よりも大きく、第２発光素子３Ｇのチップ面積は第３発光素子３Ｂのチップ面積よりも大きくなる。

複数の発光素子３の間に素子絶縁膜９８が設けられる。素子絶縁膜９８は樹脂材料で形成される。素子絶縁膜９８は、発光素子３の側面を覆っており、発光素子３のカソード端子３２と重なる部分に、コンタクトホールＨ３が設けられる。発光素子３のカソード端子３２は、コンタクトホールＨ３の底部で素子絶縁膜９８から露出する。

カソード電極２２は、複数の発光素子３及び素子絶縁膜９８を覆って、複数の発光素子３に電気的に接続される。より具体的には、カソード電極２２は、素子絶縁膜９８の上面と、コンタクトホールＨ３に露出するカソード端子３２の上面とに亘って設けられる。カソード電極２２は、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。これにより、発光素子３からの出射光を効率よく外部に取り出すことができる。カソード電極２２は、表示領域ＡＡに実装された複数の発光素子３のカソード端子３２と電気的に接続される。カソード電極２２は、表示領域ＡＡの外側に設けられた陰極コンタクト部で、アレイ基板２側に設けられたカソード配線６０と接続される。

以上のように、表示素子として発光素子３を用いた表示装置１が構成される。なお、表示装置１は、必要に応じて、カソード電極２２の上側に、カバーパネル、円偏光板やタッチパネル等を設けてもよい。また、表示装置１において、発光素子３の上部でカソード電極２２に接続されるフェースアップ構造に限定されず、発光素子３の下部が、アノード電極２３及びカソード電極２２に接続される、いわゆるフェースダウン構造であってもよい。

次に、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの配置について詳細に説明する。図４は、複数の画素の配列を示す平面図である。なお、各図に示す発光素子３ごとの平面形状（面積、長さＷｘ、Ｗｙ）、高さＨＲ、ＨＧ、ＨＢ等は、理解を容易にするために強調して示しており、各部の大きさや比率又は図面の縮尺等は、適宜変更して示している。ただし、前述した通り、半導体層３１を構成する材料の選択によっては、この関係は異なってくるので、配置と色との関係について限定するものではない。

図４に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する斜め方向Ｄａに配列される。

複数の画素Ｐｉｘの配列において、第１発光素子３Ｒは、第１方向Ｄｘに配列されるとともに、第２方向Ｄｙに配列される。第１方向Ｄｘで、第２発光素子３Ｇは、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置し、かつ、第１方向Ｄｘに隣り合う第３発光素子３Ｂの間に位置する。第２方向Ｄｙで、第２発光素子３Ｇは、第２方向Ｄｙに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置し、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う第３発光素子３Ｂの間に位置する。

第１方向Ｄｘで、第３発光素子３Ｂは、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置し、かつ、第１方向Ｄｘに隣り合う第２発光素子３Ｇの間に位置する。第２方向Ｄｙで、第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置し、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う第２発光素子３Ｇとの間に位置する。

すなわち、１つの画素Ｐｉｘを第１方向Ｄｘに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分がある。かつ、１つの画素Ｐｉｘを第２方向Ｄｙに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分がある。また、１つの画素Ｐｉｘを第１方向Ｄｘに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分がある。かつ、１つの画素Ｐｉｘを第２方向Ｄｙに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分がある。

言い換えると、１つの画素Ｐｉｘの、第１方向Ｄｘに対向する端部を第１端と、第２端とし、第２方向Ｄｙに対向する端部を第３端と、第４端とする。図４において、第１端は、画素Ｐｉｘの−Ｄｘ方向の端部に対応し、第２端は、画素Ｐｉｘの＋Ｄｘ方向の端部に対応する。第３端は、画素Ｐｉｘの＋Ｄｙ方向の端部に対応し、第４端は、画素Ｐｉｘの−Ｄｙ方向の端部に対応する。１つの画素Ｐｉｘの第１端から第１方向Ｄｘ（＋Ｄｘ方向）にある第２端までの間で、第３発光素子３Ｂのみがある領域があり、１つの画素Ｐｉｘの第３端から第２方向Ｄｙ（−Ｄｙ方向）にある第４端までの間で、第３発光素子３Ｂのみがある領域がある。

平面視で、第１発光素子３Ｒの面積は、第２発光素子３Ｇの面積よりも大きい。第２発光素子３Ｇの面積は、第３発光素子３Ｂの面積よりも大きい。具体的には、第１発光素子３Ｒの第１方向Ｄｘの長さＷｘＲは、第２発光素子３Ｇの第１方向Ｄｘの長さＷｘＧよりも長い。第２発光素子３Ｇの第１方向Ｄｘの長さＷｘＧは、第３発光素子３Ｂの第１方向Ｄｘの長さＷｘＢよりも長い。また、第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの長さＷｙＲは、第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧよりも長い。第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧは、第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙの長さＷｙＢよりも長い。

一般的に、発光素子３の発光効率（内部量子効率）は、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂの順に高くなる。上述のように、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの平面視での面積を異ならせることにより、各発光素子３から出射される各色の光束のばらつきを抑制することができる。

図５は、図４のＶ−Ｖ’断面から奥行方向（図４における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。図５は、表示装置１を第１方向Ｄｘと第３方向Ｄｚとで規定される平面で切断したときの断面図である。なお、図５等に示す断面図では、切断面に現れる発光素子３とともに、切断面の奥側に位置する発光素子３を透過して示す。図５に示すように、第２方向Ｄｙから見た断面視で、第１方向Ｄｘに、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂ、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂの順に、繰り返し配列される。第２方向Ｄｙから見た断面視で、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。第２発光素子３Ｇは、第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。

上述したように、第１発光素子３Ｒの高さＨＲは、第２発光素子３Ｇの高さＨＧよりも高い。第２発光素子３Ｇの高さＨＧは、第３発光素子３Ｂの高さＨＢよりも高い。高さＨＲ、ＨＧ、ＨＢは、それぞれのアノード端子３３の底面とカソード端子３２の上面との間の第３方向Ｄｚでの長さである。また、発光素子３が実装される実装電極２４の高さ位置は一定に形成される。このため、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、それぞれ上面（出射面）の高さ位置が異なる。

図６は、図４のＶＩ−ＶＩ’断面から奥行方向（図４における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。図６は、表示装置１を第２方向Ｄｙと第３方向Ｄｚとで規定される平面で切断したときの断面図である。図６に示すように、第１方向Ｄｘ（−Ｄｘ方向）から見た断面視で、第２方向Ｄｙに、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒ、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒの順に繰り返し配列される。第１方向Ｄｘから見た断面視で、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。第２発光素子３Ｇは、第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。

このような構成により、第２発光素子３Ｇの高さＨＧ及び第３発光素子３Ｂの高さＨＢが、第１発光素子３Ｒの高さＨＲよりも低い場合であっても、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙから見て、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの少なくとも一部が他の発光素子３と重ならずに露出している。これにより、表示装置１は、第２発光素子３Ｇ又は第３発光素子３Ｂから出射された光が、他の発光素子３で遮蔽されて表示特性が低下することを抑制できる。また、表示装置１は、観察頻度の高い第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙにおいて、第３方向Ｄｚ（極角０°）に対して９０°に近い視野角で観察した場合であっても、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂが、他の色の光を出射する発光素子３に完全に隠れることを抑制できる。

なお、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの配置は適宜変更してもよい。例えば、斜め方向Ｄａでの各発光素子３の配置の順番は、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂの順に限定されず、他の順番であってもよい。また、図５及び図６において、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、互いに離隔しているが、これに限定されない。第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙから見て、各発光素子３が、他の色の光を出射する発光素子と重ならない部分を有すればよく、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの一部が重なるように配置されていてもよい。

なお、各発光素子３の高さＨＲ、ＨＧ、ＨＢが異なるので、発光素子３をアレイ基板２上に実装する際には、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒの順に実装することが好ましい。これにより、先に実装された第３発光素子３Ｂ又は第２発光素子３Ｇが、後の実装の際に、発光素子３が形成された半導体基板や転写基板等の他の部材に接触することを抑制できる。

（第２実施形態）
図７は、第２実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。なお、以下の説明においては、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図７に示すように、第２実施形態の表示装置１Ａは、第２方向Ｄｙに交互に配列された第１画素ＰｉｘＡ１及び第２画素ＰｉｘＡ２を有する。また、複数の第１画素ＰｉｘＡ１及び複数の第２画素ＰｉｘＡ２は、それぞれ第１方向Ｄｘに配列される。第１画素ＰｉｘＡ１及び第２画素ＰｉｘＡ２は、いわゆるペンタイル配列で構成されている。

第１画素ＰｉｘＡ１及び第２画素ＰｉｘＡ２は、それぞれ、１つの第１発光素子３Ｒと、２つの第２発光素子３Ｇと、１つの第３発光素子３Ｂとを含む。第１画素ＰｉｘＡ１は、第１方向Ｄｘに、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの順で離隔して配列される。第２画素ＰｉｘＡ２は、第１方向Ｄｘに、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ及び第１発光素子３Ｒの順で離隔して配列される。

あるいは、隣接して配置される第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇを、第１発光素子グループとし、隣接して配置される第３発光素子３Ｂと第２発光素子３Ｇを、第２発光素子グループとする。第１画素ＰｉｘＡ１及び第２画素ＰｉｘＡ２は、それぞれ、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子グループと第２発光素子グループとで構成される。ただし、第１画素ＰｉｘＡ１と第２画素ＰｉｘＡ２とで、第１発光素子グループ及び第２発光素子グループの順番が逆になっている。

第１画素ＰｉｘＡ１において、２つの第２発光素子３Ｇは、第１方向Ｄｘに並んで配置され、第２方向Ｄｙの位置が等しい。第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの位置は、第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの位置とずれて配置される。つまり、第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの第１側面３Ｒｓ１は、第１方向Ｄｘに隣り合う第２発光素子３Ｇの間に位置する。第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの第２側面３Ｒｓ２は、第２発光素子３Ｇよりも第２方向Ｄｙ（＋Ｄｙ方向）側に位置する。

また、第１画素ＰｉｘＡ１において、第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙの位置は、第２発光素子３Ｇ及び第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの位置とずれて配置される。第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒに対して斜め方向Ｄｂに配置される。つまり、第３発光素子３Ｂの第１側面３Ｂｓ１の第２方向Ｄｙの位置は、第２発光素子３Ｇよりも第２方向Ｄｙ側（＋Ｄｙ方向）に位置し、かつ、第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの位置と重なる。また、第２側面３Ｂｓ２の第２方向Ｄｙの位置は、第１発光素子３Ｒの第２側面３Ｒｓ２よりも第２方向Ｄｙ（＋Ｄｙ方向）側に位置する。

すなわち、１つの第１画素ＰｉｘＡ１を第１方向Ｄｘに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分（第２側面３Ｂｓ２）がある。かつ、１つの第１画素ＰｉｘＡ１を第２方向Ｄｙに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分がある。また、１つの第１画素ＰｉｘＡ１を第１方向Ｄｘに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分（第１側面）がある。かつ、１つの画素Ｐｉｘを第２方向Ｄｙに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分がある。

第２画素ＰｉｘＡ２は、第１画素ＰｉｘＡ１において第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとを入れ換えた構成である。１つの第２画素ＰｉｘＡ２における、第２方向Ｄｙでの各発光素子３の位置関係は、第１画素ＰｉｘＡ１と同様であり、詳細な説明を省略する。第２方向Ｄｙに配列された複数の第１画素ＰｉｘＡ１及び複数の第２画素ＰｉｘＡ２において、複数の第２発光素子３Ｇは、第２方向Ｄｙに並んで配置され、第１方向Ｄｘの位置が等しい。また、第２方向Ｄｙにおいて、第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとが交互に配置される。第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとは、第１方向Ｄｘの位置がずれるように配置される。

以下、図７に示す第３発光素子３Ｂ−１を例示して、複数の発光素子３の配置関係について説明する。第１方向Ｄｘで、第３発光素子３Ｂ−１の少なくとも一部（例えば、−Ｄｘ方向の側面）は、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒ−１、３Ｒ−２の間に位置し、かつ、第１方向Ｄｘに隣り合う第２発光素子３Ｇ−１、３Ｇ−２の間に位置する。

第２方向Ｄｙで、第３発光素子３Ｂ−１の少なくとも一部（例えば、第２側面３Ｂｓ２）は、第２方向Ｄｙに隣り合う第１発光素子３Ｒ−１、３Ｒ−２の間に位置し、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う第２発光素子３Ｇ−１、３Ｇ−３の間に位置する。なお、第１方向Ｄｘに隣り合う発光素子３とは、複数の発光素子３のうち、第１方向Ｄｘでの距離が最も短い発光素子３を示す。第２方向Ｄｙに隣り合う発光素子３も同様である。

同様に、第２発光素子３Ｇ−１を例示して複数の発光素子３の配置関係について説明する。第１方向Ｄｘで、第２発光素子３Ｇ−１の少なくとも一部は、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒ−１、３Ｒ−２の間に位置し、かつ、第１方向Ｄｘに隣り合う第３発光素子３Ｂ−１、３Ｂ−２の間に位置する。

また、第２方向Ｄｙで、第２発光素子３Ｇ−１の少なくとも一部（例えば、−Ｄｙ方向の側面）は、第２方向Ｄｙに隣り合う第１発光素子３Ｒ−１、３Ｒ−２の間に位置し、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う第３発光素子３Ｂ−１、３Ｂ−２の間に位置する。

なお、平面視での第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの面積、形状（長さＷｘ、Ｗｙ）等の関係は第１実施形態と同様であり、詳細な説明を省略する。

図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面から奥行方向（図７における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。図８は、表示装置１Ａを、第１画素ＰｉｘＡ１において第１方向Ｄｘに沿って切断したときの断面図である。図８に示すように、第２方向Ｄｙからの断面視で、第１方向Ｄｘに、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂ、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒ、第３発光素子３Ｂの順に、繰り返し配列される。

第２方向Ｄｙからの断面視で、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。より具体的には、第２画素ＰｉｘＡ２の第３発光素子３Ｂの一部は第１画素ＰｉｘＡ１の第１発光素子３Ｒと重なって配置される。また、第２画素ＰｉｘＡ２の第３発光素子３Ｂの一部（−Ｄｘ方向の側面）は、第１画素ＰｉｘＡ１の第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとの間に露出する。第１画素ＰｉｘＡ１の第３発光素子３Ｂの一部は、第２画素ＰｉｘＡ２の第１発光素子３Ｒと第１画素ＰｉｘＡ１の第２発光素子３Ｇとの間に露出する。第２発光素子３Ｇは、隣り合う第１発光素子３Ｒの間、又は隣り合う第３発光素子３Ｂの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。

図９は、図７のＩＸ−ＩＸ’断面から奥行方向（図７における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。図９は、表示装置１Ａを第２方向Ｄｙに沿って切断したときの断面図である。図９に示すように、第１方向Ｄｘからの断面視で、第２方向Ｄｙに、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒ、第３発光素子３Ｂ、第２発光素子３Ｇ、第１発光素子３Ｒ、第３発光素子３Ｂの順に、繰り返し第配列される。第１方向Ｄｘからの断面視で、第３発光素子３Ｂの少なくとも一部は、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。第２発光素子３Ｇの少なくとも一部は、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。

より具体的には、第１画素ＰｉｘＡ１の第２発光素子３Ｇの一部及び第３発光素子３Ｂの一部は、第１画素ＰｉｘＡ１の第１発光素子３Ｒと重なって配置される。第１画素ＰｉｘＡ１の第２発光素子３Ｇの一部は、第１発光素子３Ｒの第１側面３Ｒｓ１と、第２画素ＰｉｘＡ２の第３発光素子３Ｂとの間に露出する。第１画素ＰｉｘＡ１の第３発光素子３Ｂの一部は、第１発光素子３Ｒの第２側面３Ｒｓ２と、第２画素ＰｉｘＡ２の第２発光素子３Ｇとの間に露出する。

このような構成により、いわゆるペンタイル配列の画素構成を有する表示装置１Ａにおいても、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙから見て、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの少なくとも一部が、他の発光素子３と重ならない。これにより、表示装置１Ａは、表示特性が低下することを抑制できる。また、表示装置１Ａは、表示の解像度を維持しつつ、第２発光素子３Ｇの数に対して、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂの数を少なくすることができる。

（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。図１０に示すように、１つの画素ＰｉｘＢにおいて、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、この順で第１方向Ｄｘに配列される。

また、複数の画素ＰｉｘＢの配列において、複数の第１発光素子３Ｒは、第２方向Ｄｙに配列される。同様に、複数の第２発光素子３Ｇは、第２方向Ｄｙに配列され、複数の第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙに配列される。

第１発光素子３Ｒの第１方向Ｄｘの長さＷｘＲは、第２発光素子３Ｇの第１方向Ｄｘの長さＷｘＧよりも長い。第２発光素子３Ｇの第１方向Ｄｘの長さＷｘＧは、第３発光素子３Ｂの第１方向Ｄｘの長さＷｘＢよりも長い。第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの長さＷｙＲは、第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧよりも短い。第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧは、第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙの長さＷｙＢよりも短い。つまり、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙの長さＷｙＲ、長さＷｙＧ、長さＷｙＢの順に長く形成される。

このような構成により、第１方向Ｄｘで、第２発光素子３Ｇは、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂの間に位置する。第２方向Ｄｙで、第２発光素子３Ｇは、第２発光素子３Ｇと第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙでの位置と重なる。ただし、１つの画素ＰｉｘＢを第１方向Ｄｘに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分（第２方向Ｄｙに対向する第１側面及び第２側面）がある。

第１方向Ｄｘで、第３発光素子３Ｂは、第１方向Ｄｘに隣り合う第２発光素子３Ｇと第１発光素子３Ｒの間に位置する。第２方向Ｄｙで、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの位置と重なる。ただし、１つの画素ＰｉｘＢを第１方向Ｄｘに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分（第２方向Ｄｙに対向する第１側面３Ｂｓ１及び第２側面３Ｂｓ２）がある。

図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ’断面から奥行方向（図１０における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。図１１は、表示装置１Ｂを第１方向Ｄｘに沿って切断したときの断面図である。図１１に示すように、第２方向Ｄｙからの断面視で、第１方向Ｄｘに、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂ、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ、第３発光素子３Ｂの順に、繰り返し配列される。第２方向Ｄｙからの断面視で、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。第２発光素子３Ｇは、第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。

図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面から奥行方向（図１０における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。図１２は、表示装置１Ｂを第２方向Ｄｙに沿って切断したときの断面図である。図１２に示すように、第１方向Ｄｘからの断面視で、各画素ＰｉｘＢの第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは重なって配置される。第２発光素子３Ｇの少なくとも一部（第２方向Ｄｙに対向する第１側面、第２側面）は、第１発光素子３Ｒの第１側面３Ｒｓ１、第２側面３Ｒｓ２から露出する。第３発光素子３Ｂの少なくとも一部（第２方向Ｄｙに対向する第１側面、第２側面）は、第２発光素子３Ｇの第１側面、第２側面から露出する。

なお、図１２とは反対方向（＋Ｄｘ方向）からの断面視でも、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは重なって配置される。この場合であっても、第１発光素子３Ｒの高さＨＲは、第２発光素子３Ｇの高さＨＧよりも高い。このため、第１発光素子３Ｒの少なくとも一部（上面側）は、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂと重ならない。また、第２発光素子３Ｇの高さＨＧは、第３発光素子３Ｂの高さＨＢよりも高い。このため、第２発光素子３Ｇの少なくとも一部（上面側）は、第３発光素子３Ｂと重ならない。

このような構成により、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂが第１方向Ｄｘに配列される構成であっても、各発光素子３の形状（第２方向Ｄｙの長さＷｙ、高さＨＲ、ＨＧ、ＨＢ）を異ならせることで、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙから見て、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの少なくとも一部が、他の発光素子３と重ならない。なお、第３実施形態において、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙの中点位置が一致するように配置されているが、これに限定されない。例えば、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙの側面の位置が揃うように配置されていてもよい。

（第４実施形態）
図１３は、第４実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す平面図である。図１３に示すように、１つの画素ＰｉｘＣにおいて、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとは、第２方向Ｄｙに隣り合って設けられる。１つの第３発光素子３Ｂは、１つの発光素子３（第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇ）と第１方向Ｄｘに隣り合って設けられる。

また、複数の画素ＰｉｘＣの配列において、複数の第１発光素子３Ｒ及び複数の第２発光素子３Ｇは、第２方向Ｄｙに交互に配列される。複数の第３発光素子３Ｂは、第２方向Ｄｙに配列される。

第１発光素子３Ｒの第１方向Ｄｘの長さＷｘＲは、第２発光素子３Ｇの第１方向Ｄｘの長さＷｘＧよりも短い。第３発光素子３Ｂの第１方向Ｄｘの長さＷｘＢは、第１発光素子３Ｒの第１方向Ｄｘの長さＷｘＲよりも短い。第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの長さＷｙＲは、第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧよりも長い。第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙの長さＷｙＢは、第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの長さＷｙＲよりも長い。本実施形態では、第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙの長さＷｙＢは、第１発光素子３Ｒの第２方向Ｄｙの長さＷｙＲと、第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの長さＷｙＧとの合計の長さよりも長い。

このような構成により、第１方向Ｄｘで、第２発光素子３Ｇは、第１方向Ｄｘに隣り合う第３発光素子３Ｂの間に位置し、かつ、第１発光素子３Ｒの第１方向Ｄｘでの位置と重なる。ただし、１つの画素ＰｉｘＣを第２方向Ｄｙに見て、第２発光素子３Ｇには第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂとは重ならない部分（第１方向Ｄｘに対向する側面）がある。第２方向Ｄｙで、第２発光素子３Ｇは、第２方向Ｄｙに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置し、かつ、第３発光素子３Ｂの第２方向Ｄｙでの位置と重なる。

第１方向Ｄｘで、第３発光素子３Ｂは、第１方向Ｄｘに隣り合う第２発光素子３Ｇの間に位置し、かつ、第１方向Ｄｘに隣り合う第１発光素子３Ｒの間に位置する。第２方向Ｄｙで、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇの第２方向Ｄｙの位置と重なる。ただし、１つの画素ＰｉｘＣを第２方向Ｄｙに見て、第３発光素子３Ｂには第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇとは重ならない部分（第２方向Ｄｙに対向する第１側面、第２側面、及び、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとの間の中央部）がある。

図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ’断面から奥行方向（図１３における第２方向Ｄｙ）を見るように示した図である。図１４は、表示装置１Ｃを第１方向Ｄｘに沿って切断したときの断面図である。図１４に示すように、第２方向Ｄｙからの断面視で、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとが重なって設けられる。第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇと、第３発光素子３Ｂと、が繰り返し第１方向Ｄｘに配列される。第２方向Ｄｙからの断面視で、第３発光素子３Ｂは、第１発光素子３Ｒの間及び第２発光素子３Ｇの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。

第２発光素子３Ｇは、第３発光素子３Ｂの間に設けられ、第１発光素子３Ｒ及び第３発光素子３Ｂから露出する。また、第１発光素子３Ｒの少なくとも一部（上面側）は、第２発光素子３Ｇから露出する。ただし、図１４とは反対方向（＋Ｄｙ方向）からの断面視では、第２発光素子３Ｇは、第１発光素子３Ｒと重なって設けられるものの、少なくとも一部（第１方向Ｄｘに対向する側面）が、第１発光素子３Ｒから露出する。

図１５は、図１３のＸＶ−ＸＶ’断面から奥行方向（図１３における第１方向Ｄｘ）を見るように示した図である。図１５は、表示装置１Ｃを第２方向Ｄｙに沿って切断したときの断面図である。図１５に示すように、第１方向Ｄｘからの断面視で、各画素ＰｉｘＣの第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇは、第３発光素子３Ｂと重なって配置される。第３発光素子３Ｂの少なくとも一部（第２方向Ｄｙに対向する第１側面、第２側面及び中央部）は、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇから露出する。

また、図１５とは反対方向（＋Ｄｘ方向）から見て、第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇの一部は、第３発光素子３Ｂの後ろ側に隠れる。この場合であっても、第１発光素子３Ｒの高さＨＲ及び第２発光素子３Ｇの高さＨＧは、第３発光素子３Ｂの高さＨＢよりも高い。このため、第１発光素子３Ｒの少なくとも一部（上面側）及び第２発光素子３Ｇの少なくとも一部（上面側）は、第３発光素子３Ｂと重ならない。

このような構成により、２つの発光素子３（第１発光素子３Ｒ及び第２発光素子３Ｇ）と１つの第３発光素子３Ｂとが、第１方向Ｄｘに隣り合って配置される構成であっても、第１方向Ｄｘからの断面視及び第２方向Ｄｙからの断面視で、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの少なくとも一部が露出している。

（第５実施形態）
図１６は、第５実施形態に係る表示装置の、複数の画素の配列を示す斜視図である。図１７は、第５実施形態に係る表示装置の、アレイ基板を示す斜視図である。なお、図１６及び図１７は、複数の発光素子３及びアレイ基板２Ａの実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの構成を説明するために模式的に示した図である。上述した第１実施形態から第２実施形態では、アレイ基板２の実装電極２４の高さ位置が一定に設けられた構成について説明したがこれに限定されない。第５実施形態の表示装置１Ｄでは、実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの厚さが異なって設けられる。

具体的には、画素ＰｉｘＤにおいて、第１発光素子３Ｒと第２発光素子３Ｇとは、第２方向Ｄｙに隣り合う。第１発光素子３Ｒと第３発光素子３Ｂとは、第１方向Ｄｘに隣り合う。上述したように、第１発光素子３Ｒの高さＨＲは、第２発光素子３Ｇの高さＨＧよりも高い。第２発光素子３Ｇの高さＨＧは、第３発光素子３Ｂの高さＨＢよりも高い。第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂは、それぞれ実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの上に実装される。

図１７に示すように、実装電極２４Ｒの厚さは、実装電極２４Ｇの厚さよりも薄い。実装電極２４Ｇの厚さは、実装電極２４Ｂの厚さよりも薄い。実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの厚さの違いにより、各発光素子３の高さの差が吸収される。すなわち、図１６に示すように、実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの上に実装された場合に、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの上面（出射面）の高さ位置が揃えられ、複数の発光素子３の上面（出射面）が同一面を構成するように配置される。

これにより、極角９０°に近い高視野角から観察された場合であっても、例えば、第３発光素子３Ｂが、他の発光素子３に完全に隠れることを抑制することができ、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂのそれぞれの、少なくとも一部が露出する。

（変形例）
図１８は、第５実施形態の変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。図１８に示すように、変形例の表示装置１Ｅにおいて、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂが設けられる領域ごとに、第２有機絶縁膜９７の厚さが異なる。また、実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの厚さは一定に形成される。

具体的には、第１発光素子３Ｒが設けられる領域での第２有機絶縁膜９７の厚さは、第２発光素子３Ｇが設けられる領域での第２有機絶縁膜９７の厚さよりも薄い。第２発光素子３Ｇが設けられる領域での第２有機絶縁膜９７の厚さは、第３発光素子３Ｂが設けられる領域での第２有機絶縁膜９７の厚さよりも薄い。言い換えると、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂの順に第２有機絶縁膜９７の厚さが厚くなる。このような構成であっても、複数の発光素子３の上面（出射面）が同一面を構成するように配置される。

なお、変形例の画素ＰｉｘＥは、第１発光素子３Ｒ、第２発光素子３Ｇ及び第３発光素子３Ｂが配列された構成としているが、第５実施形態の画素ＰｉｘＤにも適用できる。また、第５実施形態及び変形例では、実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ又は第２有機絶縁膜９７の厚さを発光素子３ごとに異ならせる構成を示したがこれに限定されない。実装電極２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ及び第２有機絶縁膜９７の厚さの両方を異ならせてもよいし、実装電極２４と基板２１との間に配置された他の層を利用してもよい。実装電極２４と基板２１との間に、高さ調整用の層を追加してもよい。また、第５実施形態の画素ＰｉｘＤ及び変形例の画素ＰｉｘＥに換えて、上述した第１実施形態から第４実施形態の画素構成と組み合わせることができる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ 表示装置
２、２Ａ アレイ基板
３ 発光素子
３Ｒ、３Ｒ−１、３Ｒ−２ 第１発光素子
３Ｇ、３Ｇ−１、３Ｇ−２、３Ｇ−３ 第２発光素子
３Ｂ、３Ｂ−１、３Ｂ−２ 第３発光素子
１２ 駆動回路
２１ 基板
２２ カソード電極
２３ アノード電極
２４、２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ 実装電極
３１ 半導体層
３２ カソード端子
３３ アノード端子
４９ 副画素
６０ カソード配線
２１０ 駆動ＩＣ
Ｐｉｘ、ＰｉｘＢ、ＰｉｘＣ、ＰｉｘＤ、ＰｉｘＥ 画素
ＰｉｘＡ１ 第１画素
ＰｉｘＡ２ 第２画素

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板に設けられた複数の画素と、
   複数の前記画素の各々に設けられる複数の発光素子と、を有し、
   複数の前記発光素子は、赤色の光を出射する複数の第１発光素子と、緑色の光を出射する複数の第２発光素子と、青色の光を出射する複数の第３発光素子とを含み、
   複数の前記第１発光素子は、前記基板に第１方向に配列されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向に配列され、
   １つの前記画素を前記第１方向に見て、前記第３発光素子には前記第１発光素子及び前記第２発光素子とは重ならない部分があり、
   １つの前記画素を前記第２方向に見て、前記第３発光素子には前記第１発光素子及び前記第２発光素子とは重ならない部分がある
   表示装置。
2. １つの前記画素を前記第１方向に見て、前記第２発光素子には前記第１発光素子及び前記第３発光素子とは重ならない部分があり、
   １つの前記画素を前記第２方向に見て、前記第２発光素子には前記第１発光素子及び前記第３発光素子とは重ならない部分がある
   請求項１に記載の表示装置。
3. １つの前記画素の第１端から前記第１方向にある第２端までの間で、前記第３発光素子のみがある領域があり、
   １つの前記画素の第３端から前記第２方向にある第４端までの間で、前記第３発光素子のみがある領域がある
   請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する方向に配列される
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 複数の画素は、前記第２方向に交互に配列された第１画素と、第２画素とを含み、
   前記第１画素は、前記第１方向に、前記第２発光素子、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の順で配列され、
   前記第２画素は、前記第１方向に、前記第２発光素子、前記第３発光素子、前記第２発光素子及び前記第１発光素子の順で配列される
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子は、前記第１方向に配列され、
   前記第１発光素子の前記第２方向の長さは、前記第２発光素子の前記第２方向の長さよりも短く、
   前記第２発光素子の前記第２方向の長さは、前記第３発光素子の前記第２方向の長さよりも短い
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第２方向に隣り合って設けられ、
   前記第３発光素子は、前記第１発光素子及び前記第２発光素子と前記第１方向に隣り合って設けられる
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１発光素子の高さは、前記第２発光素子の高さよりも高く、
   前記第２発光素子の高さは、前記第３発光素子の高さよりも高い
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１発光素子の面積は、前記第２発光素子の面積よりも大きく、
   前記第２発光素子の面積は、前記第３発光素子の面積よりも大きい
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１方向で、前記第３発光素子の少なくとも一部は、前記第１方向に隣り合う前記第１発光素子の間に位置し、かつ、前記第１方向に隣り合う前記第２発光素子の間に位置し、
    前記第２方向で、前記第３発光素子の少なくとも一部は、前記第２方向に隣り合う前記第１発光素子の間に位置し、かつ、前記第２方向に隣り合う前記第２発光素子の間に位置する
    請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第１方向で、前記第２発光素子の少なくとも一部は、前記第１方向に隣り合う前記第１発光素子の間に位置し、かつ、前記第１方向に隣り合う前記第３発光素子の間に位置し、
    前記第２方向で、前記第２発光素子の少なくとも一部は、前記第２方向に隣り合う前記第１発光素子の間に位置し、かつ、前記第２方向に隣り合う前記第３発光素子の間に位置する
    請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。

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