KR20230103943A

KR20230103943A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20230103943A
Application number: KR1020220151938A
Authority: KR
Inventors: 조정모; 박유리
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-12-30
Filing date: 2022-11-14
Publication date: 2023-07-07

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 화소가 배치되는 표시 영역, 상기 표시 영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역으로부터 연장되는 제1 비표시 영역을 구비하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 복수의 화소 각각에 대응되어 배치되는 복수의 트랜지스터 및 복수의 발광 소자, 복수의 발광 소자 상에 배치되고, 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함하는 봉지부, 제1 비표시 영역에 배치되고, 표시 영역에 신호를 전달하는 데이터 구동부를 포함하고, 기판은 벤딩 영역에서 벤딩되어 제1 비표시 영역은 표시 영역 아래에 배치되고, 제1 무기 봉지층은 데이터 구동부와 중첩하는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 영역이고, 제1 영역보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 청색 발광 소자의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.

현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.

대표적인 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device; FED), 전기 습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다.

이중에서, 유기 발광 표시 장치를 포함하는 표시 장치인 전계 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계 발광 표시 장치는 저전 압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각(viewing angle), 명암 대비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 청색 발광 소자의 수명을 향상시킴으로써, 핑키시(Pinkish) 또는 옐로이시(Yellowish)와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 효율이 저하되는 영역을 최소한으로 한정하여 청색 발광 소자의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역 및 비표시 영역으로부터 연장된 벤딩 영역을 포함하는 표시 패널, 표시 영역에 배치되는 복수의 발광 소자, 복수의 발광 소자 상에 배치되는 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층, 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 벤딩 영역과 연결되어 표시 패널의 배면에 배치되고, 표시 패널에 신호를 전달하는 데이터 구동부를 포함하고, 제1 무기 봉지층은 데이터 구동부와 대응되어 배치되는 제1 영역 및 제1 영역보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명은 제1 무기 봉지층의 굴절률을 높여 고온 환경에 취약한 청색 발광 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.

본 발명은 다른 색상의 발광 소자와 청색 발광 소자의 수명 차이를 보완함으로써, 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있다.

본 발명은 제1 무기 봉지층의 굴절률을 상승시킨 영역을 데이터 구동부와 중첩하는 영역으로 제한함으로써 발광 소자의 발광 효율이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 무기 봉지층의 평면도이다.
도 2a는 도 1a의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 벤딩 시의 단면도이다.
도 3은 도 1의 III-III'에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와 비교예의 표시 장치의 청색 발광 소자의 효율 수명을 시뮬레이션한 그래프이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 확대 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 Vb-Vb'에 따른 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110), 패드부(PAD) 데이터 구동부(DD) 및 제1 무기 봉지층(141)만을 도시하였다.

도 1을 참조하면, 기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다.

기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 베이스 부재로, 절연 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 폴리이미드 등과 같은 플라스틱 물질로 구성될 수 있다.

표시 영역(AA)은 화상을 표시하는 영역으로, 복수의 화소(P)가 배치된다. 표시 영역(AA)의 복수의 화소(P) 각각에는 영상을 표시하기 위한 발광 소자 및 발광 소자를 구동하기 위한 구동부가 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 경우, 발광 소자는 애노드, 유기층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 구동부는 유기 발광 소자를 구동하기 위한 전원 배선, 게이트 배선, 데이터 배선, 트랜지스터, 스토리지 커패시터 등과 같은 다양한 구성 요소로 이루어질 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 것으로 가정하지만, 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 장치로 제한되는 것은 아니다.

한편, 표시 영역(AA)의 복수의 화소(P) 각각은 서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소(P) 각각은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 화소(P) 각각에 배치되는 발광 소자 및 트랜지스터는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 각각에 대응되어 배치될 수 있다. 다만, 복수의 화소(P) 각각은 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있으며, 이에 제한하지 않는다. 한편, 복수의 화소(P)에 배치되는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에 대한 구체적인 설명은 도 5a 내지 도 5b를 참조하여 후술하기로 한다.

비표시 영역(NA)은 화상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)의 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 배선 및 회로 등이 배치된다. 예를 들어, 비표시 영역(NA)에는 데이터 구동부(DD), 게이터 구동부, 링크 배선, 패드부(PAD) 등이 배치될 수 있다.

비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에서 연장된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수도 있다.

비표시 영역(NA)은 제1 비표시 영역(NA1), 벤딩 영역(BA) 및 제2 비표시 영역(NA2)을 포함한다. 제2 비표시 영역(NA2)은 표시 영역(AA)으로부터 연장된 영역이다. 벤딩 영역(BA)은 제2 비표시 영역(NA2)으로부터 연장된 영역으로 벤딩될 수 있다. 제1 비표시 영역(NA1)은 벤딩 영역(BA)으로부터 연장된 영역이다.

제1 비표시 영역(NA1)은 데이터 구동부(DD), 패드부(PAD)부 등이 배치될 수 있다. 패드부(PAD)에는 각종 신호 배선들이나 PCB와 연결되는 패드들이 배치된다. 패드부(PAD)에는 전원 공급 패드, 데이터 패드, 게이트 패드 등이 배치될 수 있다.

데이터 구동부(DD)는 별도의 PCB 기판에 실장 또는 연결되어 패드부(PAD)를 통해 표시 패널과 연결되는 형태이거나 패드부(PAD)와 표시 영역(AA) 사이에 COP(Chip On Panel) 형태로 실장 또는 연결될 수 있다. 데이터 구동부(DD)는 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 포함한다. 적어도 하나의 소스 드라이브 IC는 타이밍 컨트롤러로부터 디지털 비디오 데이터들과 소스 타이밍 제어 신호를 공급받는다. 적어도 하나의 소스 드라이브 IC는 소스 타이밍 제어 신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들을 감마 전압으로 변환하여 데이터 전압을 생성하고, 데이터 전압을 표시 영역(AA)의 데이터 배선을 통해 공급한다.

벤딩 영역(BA)은 복수의 벤딩 패턴이 배치된다. 벤딩 영역(BA)은 최종 제품 상에서 벤딩되는 영역으로, 벤딩 영역(BA)이 벤딩됨에 따라 벤딩 영역(BA)에 배치된 벤딩 패턴에 집중되는 응력으로 인한 크랙이 발생할 수 있다. 이에, 벤딩 패턴은 크랙을 최소화하기 위해 특정 형상의 패턴으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 벤딩 패턴은 다이아몬드 형상, 마름모 형상, 지그재그 형상, 원형 형상 중 적어도 하나의 형상을 갖는 도전 패턴이 반복적으로 배치된 패턴일 수 있다. 벤딩 패턴은 상술한 형상 외에도 벤딩 패턴에 집중된 응력 및 크랙을 최소화하기 위한 다를 형상일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

제2 비표시 영역(NA2)은 벤딩 영역(BA)과 표시 영역(AA) 사이의 영역으로, 전원 링크 배선, 데이터 링크 배선 등의 링크 배선이 배치될 수 있다. 즉 구동부로부터 출력된 신호를 표시 영역(AA)으로 전달할 수 있는 역할을 한다. 제2 비표시 영역(NA2)은 기판(110)이 이형 코너 영역을 포함하는 경우, 기판(110) 및 표시 영역(AA)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다.

한편, 도 1a에서는 기판(110) 상에 제1 무기 봉지층(141)이 배치되고, 제1 무기 봉지층(141)이 제1 영역(141R1) 및 제2 영역(141R2)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 제1 무기 봉지층(141)의 제1 영역(141R1) 및 제2 영역(141R2)에 대해서는 도 1b 내지 도 3을 참조하여 보다 상세히 후술한다.

먼저, 표시 장치(100)의 복수의 화소(P)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 1b 내지 도 3을 참조한다.

도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 무기 봉지층의 평면도이다. 도 2a는 도 1의 IIa-IIa'에 따른 단면도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 벤딩 시의 단면도이다. 도 3은 도 1의 III-III'에 따른 단면도이다. 도 1b에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치의 다양한 구성요소 중 제1 무기 봉지층(141)만을 도시하였다.

먼저, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 벤딩 영역(BA)이 벤딩됨에 따라, 데이터 구동부(DD)가 표시 영역(AA)의 아래에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 비표시 영역(NA1)에 배치되고, 표시 영역(AA)에 신호를 전달하는 데이터 구동부(DD)가 배치된 제1 비표시 영역(NA1)이 벤딩 영역(BA)에서 벤딩됨에 따라, 제1 비표시 영역(NA1) 및 데이터 구동부(DD)는 표시 영역(AA) 아래에 배치될 수 있다.

이때, 제1 무기 봉지층(141)의 제1 영역(141R1)은 데이터 구동부(DD)와 중첩하도록 배치된다. 다만 이에 대한 구체적인 설명은 후술하도록 한다.

다음으로, 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 탑 에미션(top emission) 방식의 표시 장치로, 기판(110), 버퍼층(111), 트랜지스터(120), 게이트 절연층(112), 층간 절연층(113), 패시베이션층(114), 제1 평탄화층(115), 연결 전극(190), 제2 평탄화층(116), 뱅크(117), 발광 소자(130) 및 봉지부(140)를 포함할 수 있다. 이때, 트랜지스터(120) 및 발광 소자(130)는 표시 표시부(DP)로 지칭될 수 있다. 즉, 표시부(DP)는 트랜지스터(120) 및 발광 소자(130)를 포함할 수 있다.

기판(110)은 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지할 수 있다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(PI)로 이루어질 수도 있다.

버퍼층(111)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 차단하는 역할 등을 수행할 수 있다.

트랜지스터(120)는 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(124), 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)을 포함할 수 있다. 여기에서, 화소 회로의 설계에 따라서, 소스 전극(122)이 드레인 전극이 될 수 있으며, 드레인 전극(123)이 소스 전극이 될 수 있다. 버퍼층(111) 상에는 트랜지스터(120)의 액티브층(121)이 배치될 수 있다.

액티브층(121)은 폴리 실리콘, 비정질 실리콘, 산화물 반도체 등과 같은 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 액티브층(121)은 트랜지스터(120)의 구동 시 채널이 형성되는 채널 영역, 채널 영역 양 측의 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역은 소스 전극(122)과 연결된 액티브층(121)의 부분을 의미하며, 드레인 영역은 드레인 전극(123)과 연결된 액티브층(121)의 부분을 의미한다.

트랜지스터(120)의 액티브층(121) 상에 게이트 절연층(112)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(112)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 게이트 절연층(112)에는 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123) 각각이 트랜지스터(120)의 액티브층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 연결되기위한 컨택홀이 형성될 수 있다.

게이트 절연층(112) 상에 트랜지스터(120)의 게이트 전극(124)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(124)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 게이트 전극(124)은 트랜지스터(120)의 액티브층(121)의 채널 영역과 중첩되도록 게이트 절연층(112) 상에 형성될 수 있다.

게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(124) 상에 층간 절연층(113)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(113)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 층간 절연층(113)에는 트랜지스터(120)의 액티브층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.

층간 절연층(113) 상에는 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)이 배치될 수 있다.

트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)은 게이트 절연층(112) 및 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 트랜지스터(120)의 액티브층(121)과 연결될 수 있다. 따라서, 트랜지스터(120)의 소스 전극(122)은 게이트 절연층(112) 및 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 액티브층(121)의 소스 영역과 연결될 수 있다. 그리고, 트랜지스터(120)의 드레인 전극(123)은 게이트 절연층(112) 및 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 액티브층(121)의 드레인 영역과 연결될 수 있다.

트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)은 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

소스 전극(122) 및 드레인 전극(123) 상에 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)을 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(114)은 패시베이션층(114) 하부의 구성을 보호하기 위한 절연층이다. 예를 들어, 패시베이션층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 패시베이션층(114)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.

제1 평탄화층(115)은 트랜지스터(120) 및 패시베이션층(114) 상에 배치될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 평탄화층(115)에는 드레인 전극(123)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(115)은 트랜지스터(120)의 상부를 평탄화하기 위한 유기 물질층일 수 있다. 예를 들면, 제1 평탄화층(115)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 제1 평탄화층(115)은 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 무기 물질층일 수 있다. 예를 들면, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(115)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.

연결 전극(190)은 제1 평탄화층(115) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 연결 전극(190)은 제1 평탄화층(115)의 컨택홀을 통하여 트랜지스터(120)의 드레인 전극(123)과 연결될 수 있다. 연결 전극(190)은 트랜지스터(120)과 발광 소자(130)를 전기적으로 연결하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 연결 전극(190)은 트랜지스터(120)의 드레인 전극(123)과 발광 소자(130)의 제1 전극(131)을 전기적으로 연결하는 역할을 할 수 있다. 연결 전극(190)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 연결 전극(190)은 트랜지스터(120)의 소스 전극(122) 및 드레인 전극(123)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

제2 평탄화층(116)은 연결 전극(190) 및 제1 평탄화층(115) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 평탄화층(116)에는 연결 전극(190)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 제2 평탄화층(116)은 트랜지스터(120)의 상부를 평탄화하기 위한 유기 물질층일 수 있다. 예를 들면, 제2 평탄화층(116)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다.

복수의 화소(P) 각각에서 발광 소자(130)는 제2 평탄화층(116) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(130)는 애노드인 제1 전극(131), 발광층(132), 및 캐소드인 제2 전극(133)을 포함할 수 있다. 발광 소자(130)의 제1 전극(131)은 제2 평탄화층(116) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(131)은 제2 평탄화층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결 전극(190)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 발광 소자(130)의 제1 전극(131)은 제2 평탄화층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결 전극(190)과 연결됨으로써, 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.

애노드인 제1 전극(131)은 투명 도전막 및 반사 효율이 높은 불투명 도전막을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 투명 도전막으로는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)과 같은 일함수 값이 비교적 큰 재질로 이루질 수 있다. 그리고, 불투명 도전막으로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 납(Pb), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 포함하는 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(131)은 투명 도전막, 불투명 도전막, 및 투명 도전막이 순차적으로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 투명 도전막 및 불투명 도전막이 순차적으로 적층된 구조로도 형성될 수 있다.

제1 전극(131) 및 제2 평탄화층(116) 상에는 뱅크(117)가 배치될 수 있다. 뱅크(117)에는 제1 전극(131)을 노출하기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 뱅크(117)는 표시 장치(100)의 발광 영역을 정의할 수 있으므로 화소 정의막이라고 할 수도 있다.

제1 전극(131) 상에는 발광층(132)이 배치된다. 발광층(132)은 복수의 유기 물질층들이 적층되어 이루어진 유기층에 배치되는 구성일 수 있다. 구체적으로, 발광 소자(130)의 유기층은 제1 전극(131) 상에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 전자 블로킹 레이어(EBL), 발광층(EML; 132), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL) 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성될 수 있다. 이외에도 유기층은 전하 생성층을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 유기층을 구비할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 유기층 중 어느 하나의 발광층은 청색광을 생성하고, 제1 및 제2 유기층 중 나머지 하나의 발광층은 노란색-녹색광을 생성함으로써 제1 및 제2 유기층을 통해 백색광이 생성될 수 있다. 유기층에서 생성된 백색광은 유기층 상부에 위치하는 컬러 필터에 입사되어 컬러 영상을 구현할 수 있다. 이외에도 별도의 컬러 필터 없이 각 유기층에서 각 서브 화소에 해당하는 컬러광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 예를 들면, 적색 서브 화소의 유기층은 적색광을, 녹색 서브 화소의 유기층은 녹색광을, 청색 서브 화소의 유기층은 청색광을 생성할 수도 있다.

발광층(132) 상에는 캐소드인 제2 전극(133)이 더 배치될 수 있다. 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 표시 장치이므로, 제2 전극(133)는 매우 얇은 두께의 금속 물질로 이루어지거나, 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 발광 소자(130)의 제2 전극(133)은 발광층(132)을 사이에 두고 제1 전극(131)과 대향하도록 발광층(132)상에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 제2 전극(133)은 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극(133) 상에는 수분 침투를 억제하는 봉지부(140)가 더 배치될 수 있다.

봉지부(140)는 제1 무기 봉지층(141), 유기 봉지층(142), 및 제2 무기 봉지층(143)을 포함할 수 있다. 봉지부(140)의 제1 무기 봉지층(141)은 제2 전극(133)상에 배치될 수 있다. 그리고, 유기 봉지층(142)은 제1 무기 봉지층(141)상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 무기 봉지층(143)은 유기 봉지층(142)상에 배치될 수 있다. 봉지부(140)의 제1 무기 봉지층(141) 및 제2 무기 봉지층(143)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있다. 봉지부(140)의 유기 봉지층(142)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다.

다시, 도 1a 내지 도 2b를 참조하면, 제1 무기 봉지층(141)은 제1 영역(141R1) 및 제2 영역(141R2)을 포함할 수 있다.

제1 영역(141R1)은 데이터 구동부(DD)와 중첩하는 영역으로, 제1 무기 봉지층(141)에서 굴절률이 증가한 영역일 수 있다.

도 1b를 참조하면, 제1 영역(141R1)의 면적은 제2 영역(141R2)의 면적보다 작을 수 있다. 제1 영역(141R1)의 면적은 표시 영역(AA)의 면적의 25% 이하일 수 있다.

제2 영역(141R2)은 제1 무기 봉지층(141)에서 제1 영역(141R1)을 제외한 영역이고, 상기 제1 영역(141R1)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 즉, 제2 영역(141R2)은 일반적인 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률을 가질 수 있다.

예를 들어, 일반적인 제1 무기 봉지층(141)인 제2 영역(141R2)의 굴절률이 1.84일 때, 제1 영역(141R1)의 굴절률은 1.85 내지 2.00일 수 있다. 바람직하게는 제1 영역(141R1)의 굴절률은 1.89일 수 있다.

제1 영역(141R1)과 제2 영역(141R2)의 형성 방법은, 예를 들어, 제1 영역(141R1)과 제2 영역(141R2)이 별개 층으로 구성되어 각각 패터닝될 수 있다. 이에, 제1 영역(141R1)과 상기 제2 영역(141R2) 사이에는 계면이 존재할 수도 있으나, 이에 제한하지 않는다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치와 비교예의 표시 장치의 청색 발광 소자의 효율 수명을 시뮬레이션한 그래프이다. 도 4에서 X축은 청색 서브 화소의 청색 발광층을 발광한 시간(h)이고, Y축은 청색 발광층의 효율 수명(%)이다. 이때, 비교예의 표시 장치는 제1 무기 봉지층에 제1 영역보다 굴절률이 낮은 제2 영역만 배치된 종래의 표시 장치이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(141)에 굴절률이 증가한 제1 영역(141R1)이 배치됨으로써, 청색 발광층의 효율 수명이 향상될 수 있다.

구체적으로, 도 4를 참조하면, 비교예의 표시 장치와 비교하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서의 청색 발광 소자, 즉 청색 발광층의 효율 수명이 더 높게 측정되는 것을 알 수 있다. 이에, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(141)에 굴절률을 증가시킨 제1 영역(141R1)을 배치함으로써, 청색 발광층의 효율 수명이 향상될 수 있다.

한편, 이와 같은 결과는 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률의 변화에 따라 빛의 경로가 변하고, 발광 소자(130)의 구동 시, 제일 취약한 청색 발광층의 전자 및 정공의 재결합 영역(Recombination Zone)의 최적 위치가 이동하게 되어 이에 따라 청색 발광층의 효율 수명이 증가하기 때문일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 청색 발광 소자의 수명을 향상시킴으로써, 핑키시(Pinkish) 또는 옐로이시(Yellowish)와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있다.

종래의 표시 장치에서는 다른 색상의 발광 소자와 비교하여 상대적으로 낮은 수명을 갖는 청색 발광 소자로 인해, 청색 발광 소자의 수명이 가장 먼저 다하여 표시 장치에 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량이 발생할 수 있었다.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(141)에 굴절률이 높은 제1 영역(141R1)을 배치함으로써, 빛의 경로를 변화시키고, 이에 청색 발광층의 효율 수명을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 고온 환경에 취약한 청색 발광 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 청색 발광 소자의 수명을 향상시킴으로써, 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률을 증가시킨 영역을 최소한으로 한정하여 청색 발광 소자의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있다.

상술한 바와 같이 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률을 증가시킬 경우, 청색 발광 소자의 수명이 향상되어 색변화 불량이 개선될 수 있으나, 증가된 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률로 인해, 표시 장치(100) 전체적으로 배치되는 발광 소자(130)들의 발광 효율은 감소될 수 있다.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(140)에서 굴절률을 증가시킨 제1 영역(141R1)을 표시 장치(100)의 구동 시 가장 많은 발열이 발생하는 위치인 데이터 구동부(DD)와 중첩하도록 배치함으로써, 고온 환경에서 특히 취약한 청색 발광 소자의 수명 저하를 개선함과 동시에 다른 영역들의 발광 효율은 저하시키지 않을 수 있다. 이때, 제1 영역(141R1)의 면적은 데이터 구동부(DD)에 의한 고온 환경이 조성되는 영역을 충분히 커버할 수 있도록 데이터 구동부(DD)의 면적보다 클 수 있다. 구체적으로, 제1 무기 봉지층(141)에서 굴절률을 증가시킨 제1 영역(141R1)을 데이터 구동부(DD)와 중첩하는 표시 영역(AA)의 25% 이하 면적의 영역으로 제한함으로써, 제1 영역(141R1)이 배치되지 않는 영역에서는 발광 소자(130)의 발광 효율이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 무기 봉지층(141)의 굴절률을 증가시킨 영역을 최소한으로 한정하여 청색 발광 소자의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있다.

이하에서는 도 5a 내지 도 5b를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에 대하여 설명하기로 한다.

도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 확대 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 Vb-Vb'에 따른 단면도이다. 도 5a 및 도 5b의 표시 장치(500)는 도 1a 내지 도 4의 표시 장치(100)와 비교하여 제1 무기 봉지층(541)의 제1 영역(541R1)이 배치된 위치만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복설명은 생략한다. 도 5a에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(500)의 하나의 화소(P)에 배치되는 다양한 구성 요소 중 제1 무기 봉지층(541)만을 도시하였다.

도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 표시 영역(AA)의 복수의 화소(P)는 서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소를 각각 포함한다. 구체적으로, 복수의 화소(P)는 적색 서브 화소(SPR), 녹색 서브 화소(SPG) 및 청색 서브 화소(SPB)를 각각 포함한다. 그리고, 발광 소자(130) 및 트랜지스터(120)는 적색 서브 화소(SPR), 녹색 서브 화소(SPG) 및 청색 서브 화소(SPB) 각각에 대응되어 배치될 수 있다.

도 5a에서는 표시 장치(500)의 하나의 화소(P)가 적색 서브 화소(SPR), 녹색 서브 화소(SPG) 및 청색 서브 화소(SPB)만을 포함하는 것으로 도시하였으나, 하나의 화소(P)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. 또한, 도 5a에서는 적색 서브 화소(SPR), 녹색 서브 화소(SPG) 및 청색 서브 화소(SPB)가 모두 직사각형이며 나란히 배치된 것으로 도시하였으나 적색 서브 화소(SPR), 녹색 서브 화소(SPG) 및 청색 서브 화소(SPB)의 형상 및 배치 구조는 이에 제한되지 않는다.

도 5b를 참조하면, 적색 서브 화소(SPR)에는 적색 발광층(132R)을 포함하는 적색 발광 소자(130R)가 배치되고, 녹색 서브 화소(SPG)에는 녹색 발광층(132G)을 포함하는 녹색 발광 소자(130G)가 배치되고, 청색 서브 화소(SPB)에는 청색 발광층(132B)을 포함하는 청색 발광 소자(130B)가 배치된다. 이에, 적색 서브 화소(SPR)는 적색 광을 발광하도록 구성될 수 있고, 녹색 서브 화소(SPG)는 녹색 광을 발광하도록 구성될 수 있고, 청색 서브 화소(SPB)는 청색 광을 발광하도록 구성될 수 있다.

도 5b를 참조하면, 복수의 발광 소자(130) 상에 봉지부(540)가 배치된다. 봉지부(540)는 제1 무기 봉지층(541), 유기 봉지층(142), 및 제2 무기 봉지층(143)을 포함할 수 있다.

봉지부(540)의 제1 무기 봉지층(541)은 복수의 발광 소자(130)의 제2 전극(133)상에 배치될 수 있다. 그리고, 유기 봉지층(142)은 제1 무기 봉지층(541)상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 무기 봉지층(143)은 유기 봉지층(142)상에 배치될 수 있다. 봉지부(540)의 제1 무기 봉지층(541) 및 제2 무기 봉지층(143)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있다. 봉지부(540)의 유기 봉지층(142)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다.

제1 무기 봉지층(541)은 제1 영역(541R1) 및 제2 영역(541R2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(541R1)의 굴절율과 제2 영역(541R2)의 굴절율은 서로 상이할 수 있다. 그리고, 제1 영역은 하나의 화소(P)에 배치된 복수의 서브 화소들 중 하나의 서브 화소와 중첩하도록 배치될 수 있다.

구체적으로, 제1 영역(541R1)은 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역으로, 제1 무기 봉지층(541)에서 굴절률이 증가한 영역일 수 있다. 제2 영역(541R2)은 제1 무기 봉지층(541)에서 제1 영역(541R1)을 제외한 영역이고, 제1 영역(541R1)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 즉, 제2 영역(541R2)은 일반적인 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 일반적인 제1 무기 봉지층(541)인 제2 영역(541R2)의 굴절률이 1.84일 때, 제1 영역(541R1)의 굴절률은 1.85 내지 2.00일 수 있다. 더욱 바람직하게는 제1 영역(541R1)의 굴절률은 1.89일 수 있다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제1 영역(541R1)은 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하도록 배치된다. 그리고, 청색 서브 화소와 상이한 색을 발광하는 적색 서브 화소(SPR) 및 녹색 서브 화소(SPB)는 제1 영역(541R1)을 제외한 영역인 제2 영역(541R2)과 중첩하도록 배치된다. 즉, 제1 영역(541R1)은 복수의 서브 화소(SPR, SPG, SPB) 중 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역에만 배치될 수 있다.

제1 영역(541R1)과 제2 영역(541R2)의 형성 방법은, 예를 들어, 제1 영역(541R1)과 제2 영역(541R2)이 별개 층으로 구성되어 각각 패터닝되는 방법에 의해 형성될 수 있다. 이에, 제1 영역(541R1)과 상기 제2 영역(541R2) 사이에는 계면이 존재할 수도 있으나, 제1 영역(541R1)과 제2 영역(541R2)의 형성 방법은 이에 제한되지 않는다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역에 굴절률이 증가한 제1 영역(541R1)이 배치됨으로써, 청색 발광층(132B)의 효율 수명이 향상될 수 있다.

구체적으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역의 제1 무기 봉지층(541)에 굴절률이 증가한 제1 영역(541R1)을 배치하여 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률이 변화함에 따라 빛의 경로 또한 변화될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(130)의 구동 시, 제일 취약한 청색 발광층(132B)의 전자 및 정공의 재결합 영역의 최적 위치가 이동하게 되므로, 청색 발광층(132B)의 효율 수명 또한 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서 제1 무기 봉지층(541)의 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역에 굴절률이 증가한 제1 영역(541R1)이 배치됨으로써, 청색 발광층(132B)의 효율 수명이 향상될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역만 굴절률을 증가시킴으로써, 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있다.

종래의 표시 장치에서는 다른 색상의 발광 소자와 비교하여 상대적으로 낮은 수명 및 고온 환경에 취약한 특성을 갖는 청색 발광 소자로 인해, 청색 발광 소자의 수명이 가장 먼저 다하여 표시 장치에 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량이 발생하는 문제가 있었다.

이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역만 굴절률이 높은 제1 영역(541R1)을 배치함으로써, 빛의 경로를 변화시켜 청색 발광층(132B)의 효율 수명을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 다른 색상의 발광 소자(130R, 130G)와 비교하여 상대적으로 낮은 수명 및 고온 환경에 취약한 특성을 갖는 청색 발광 소자(130B)의 수명을 향상시킬 수 있고, 다른 색상의 발광 소자(130R, 130G)와 청색 발광 소자(130B)의 수명 차이를 보완할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 청색 서브 화소(SPB)와 중첩하는 영역만 굴절률을 증가시킴으로써, 핑키시 또는 옐로이시와 같은 색변화 불량을 개선할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률을 증가시킨 영역을 최소한으로 한정하여 청색 발광 소자(130B)의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있다.

상술한 바와 같이 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률을 증가시킬 경우, 청색 발광 소자(130B)의 수명이 향상되어 색변화 불량이 개선될 수 있으나, 증가한 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률로 인해, 표시 장치(500) 전체적으로 배치되는 발광 소자(130)들의 발광 효율은 감소될 수 있다.

이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(540)에서 굴절률을 증가시킨 제1 영역(541R1)을 표시 장치(500)의 구동 시 다른 색상의 발광 소자(130)와 비교하여 상대적으로 낮은 수명을 갖는 청색 발광 소자(130B)와 중첩하는 영역에만 배치함으로써, 고온 환경에서 특히 취약하며 상대적으로 낮은 수명을 갖는 청색 발광 소자(130B)의 수명 저하를 개선함과 동시에 다른 영역들의 발광 효율은 저하시키지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 무기 봉지층(541)의 굴절률을 증가시킨 영역을 최소한으로 한정하여 청색 발광 소자(130B)의 수명 향상과 동시에 최적의 발광 효율을 구현할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 영역의 면적은 제2 영역의 면적보다 작을 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역의 면적은 표시 영역의 면적의 25% 이하일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역의 굴절률은 1.85 내지 2.00일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역의 면적은 데이터 구동부의 면적보다 클 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역과 제2 영역은 별개 층으로 구성되어 제1 영역과 제2 영역 사이에는 계면이 존재할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 영상이 표시되는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역 및 비표시 영역으로부터 연장된 벤딩 영역을 포함하는 표시 패널, 표시 영역에 배치되는 복수의 발광 소자, 복수의 발광 소자 상에 배치되는 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층, 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 벤딩 영역과 연결되어 표시 패널의 배면에 배치되고, 표시 패널에 신호를 전달하는 데이터 구동부를 포함하고, 제1 무기 봉지층은 데이터 구동부와 대응되어 배치되는 제1 영역 및 제1 영역보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역은 표시 영역의 면적의 25% 이하의 면적으로 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역은 1.85 내지 2.00의 굴절률을 가질 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역과 제2 영역은 각각 별도로 배치되고, 제1 영역과 제2 영역 사이에는 계면이 존재할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역은 데이터 구동부의 크기보다 큰 면적에 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소를 각각 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 서브 화소 각각에 대응되어 배치되는 복수의 트랜지스터 및 복수의 발광 소자, 및 복수의 발광 소자 상에 배치되고, 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함하는 봉지부를 포함하고, 제1 무기 봉지층은, 상기 서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소와 중첩하는 제1 영역, 및 제1 영역을 제외한 영역이고 제1 영역과 상이한 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 영역과 중첩하는 서브 화소는 청색을 발광하는 청색 서브 화소일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 청색 서브 화소와 상이한 색을 발광하는 서브 화소는 제1 무기 봉지층의 제2 영역과 중첩할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 영역의 굴절율은 상기 제1 영역의 굴절율보다 낮을 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100, 500: 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 제1 평탄화층
116: 제2 평탄화층
117: 뱅크
DP: 표시부
120: 트랜지스터
121: 액티브층
122: 소스 전극
123: 드레인 전극
124: 게이트 전극
130: 발광 소자
130R: 적색 발광 소자
130G: 녹색 발광 소자
130B: 청색 발광 소자
131: 제1 전극
132: 발광층
132R: 적색 발광층
132G: 녹색 발광층
132B: 청색 발광층
133: 제2 전극
140, 540: 봉지부
141, 541: 제1 무기 봉지층
141R1, 541R1: 제1 영역
141R2, 541R2: 제2 영역
142: 유기 봉지층
143: 제2 무기 봉지층
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
NA1: 제1 비표시 영역
BA: 벤딩 영역
NA2: 제2 비표시 영역
PAD: 패드부
DD: 데이터 구동부
P: 화소
SPR: 적색 서브 화소
SPG: 녹색 서브 화소
SPB: 청색 서브 화소

Claims

복수의 화소가 배치되는 표시 영역, 상기 표시 영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역으로부터 연장되는 제1 비표시 영역을 구비하는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에서 상기 복수의 화소 각각에 대응되어 배치되는 복수의 트랜지스터 및 복수의 발광 소자;
상기 복수의 발광 소자 상에 배치되고, 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함하는 봉지부;
상기 제1 비표시 영역에 배치되고, 상기 표시 영역에 신호를 전달하는 데이터 구동부를 포함하고,
상기 기판은 상기 벤딩 영역에서 벤딩되어 상기 제1 비표시 영역은 상기 표시 영역 아래에 배치되고,
상기 제1 무기 봉지층은 상기 데이터 구동부와 중첩하는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 영역이고, 상기 제1 영역보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함하는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역의 면적은 상기 제2 영역의 면적보다 작은, 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 제1 영역의 면적은 상기 표시 영역의 면적의 25% 이하인, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역의 굴절률은 1.85 내지 2.00 인, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역의 면적은 상기 데이터 구동부의 면적보다 큰, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 별개 층으로 구성되어 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에는 계면이 존재하는, 표시 장치.
영상이 표시되는 표시 영역, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역 및 상기 비표시 영역으로부터 연장된 벤딩 영역을 포함하는 표시 패널;
상기 표시 영역에 배치되는 복수의 발광 소자;
상기 복수의 발광 소자 상에 배치되는 제1 무기 봉지층;
상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층;
상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층; 및
상기 벤딩 영역과 연결되어 상기 표시 패널의 배면에 배치되고, 상기 표시 패널에 신호를 전달하는 데이터 구동부를 포함하고,
상기 제1 무기 봉지층은 상기 데이터 구동부와 대응되어 배치되는 제1 영역 및 상기 제1 영역보다 낮은 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함하는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 표시 영역의 면적의 25% 이하의 면적으로 배치되는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 영역은 1.85 내지 2.00의 굴절률을 갖는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 각각 별도로 배치되고,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에는 계면이 존재하는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 데이터 구동부의 크기보다 큰 면적에 배치되는, 표시 장치.
서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소를 각각 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 서브 화소 각각에 대응되어 배치되는 복수의 트랜지스터 및 복수의 발광 소자; 및
상기 복수의 발광 소자 상에 배치되고, 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함하는 봉지부를 포함하고,
상기 제1 무기 봉지층은,
상기 서로 상이한 색을 발광하는 세 개 이상의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소와 중첩하는 제1 영역; 및
상기 제1 영역을 제외한 영역이고 상기 제1 영역과 상이한 굴절율을 갖는 제2 영역을 포함하는, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 영역과 중첩하는 서브 화소는 청색을 발광하는 청색 서브 화소인, 표시 장치.
제13항에 있어서,
상기 청색 서브 화소와 상이한 색을 발광하는 서브 화소는 상기 제1 무기 봉지층의 상기 제2 영역과 중첩하는, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제2 영역의 굴절율은 상기 제1 영역의 굴절율보다 낮은, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 영역은 1.85 내지 2.00의 굴절률을 갖는, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 각각 별도로 배치되고,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에는 계면이 존재하는, 표시 장치.