CN112396977A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够实现恰当的显示特性的显示装置。显示装置具有基板、在基板上设置的多个像素和在多个像素的每个像素中设置的多个发光元件，多个发光元件包含射出红色的光的多个第1发光元件、射出绿色的光的多个第2发光元件和蓝色的光射出的多个第3发光元件，多个第1发光元件在基板上沿第1方向排列并沿与第1方向交叉的第2方向排列，在沿第1方向观察一个像素时，第3发光元件具有与第1发光元件及第2发光元件不重叠的部分，在沿第2方向观察一个像素时，第3发光元件具有与第1发光元件及第2发光元件不重叠的部分。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件使用微小尺寸的发光二极管(微型LED(micro LED))的显示器受到关注(例如参见专利文献1)。多个发光二极管安装在阵列基板(在专利文献1中为驱动器背板(driver backplane))的平坦面上。多个发光二极管排列有射出不同颜色(例如RGB)的光的发光二极管。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2017-529557号公报
发明内容
在使用微小尺寸的发光二极管的显示器中，根据发光二极管的排列构造、观察者的观察方向，存在部分颜色的发光二极管与其他颜色的发光二极管重叠而显示特性下降的可能性。
本发明的目的在于提供能够实现恰当的显示特性的显示装置。
本发明一方案的显示装置具有：基板；多个像素，其设置于所述基板；以及多个发光元件，其设置于多个所述像素中的每个所述像素，多个所述发光元件包含射出红色的光的多个第1发光元件、射出绿色的光的多个第2发光元件和射出蓝色的光的多个第3发光元件，多个所述第1发光元件在所述基板上沿第1方向排列并沿与所述第1方向交叉的第2方向排列，在沿所述第1方向观察一个所述像素时，所述第3发光元件具有与所述第1发光元件及所述第2发光元件不重叠的部分，在沿所述第2方向观察一个所述像素时，所述第3发光元件具有与所述第1发光元件及所述第2发光元件不重叠的部分。
附图说明
图1是示意性示出第1实施方式的显示装置的俯视图。
图2是示出多个副像素的俯视图。
图3是图2的III-III’剖视图。
图4是示出多个像素的排列的俯视图。
图5是从图4的V-V’剖面观察纵深方向(图4中的第2方向Dy)而示出的图。
图6是从图4的VI-VI’剖面观察纵深方向(图4中的第1方向Dx)而示出的图。
图7是示出第2实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。
图8是从图7的VIII-VIII’剖面观察纵深方向(图7中的第2方向Dy)而示出的图。
图9是从图7的IX-IX’剖视图观察纵深方向(图7中的第1方向Dx)而示出的图。
图10是示出第3实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。
图11是从图10的XI-XI’剖面观察纵深方向(图10中的第2方向Dy)而示出的图。
图12是从图10的XII-XII’剖面观察纵深方向(图10中的第1方向Dx)而示出的图。
图13是示出第4实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。
图14是从图13的XIV-XIV’剖面观察纵深方向(图13中的第2方向Dy)而示出的图。
图15是从图13的XV-XV’剖面观察纵深方向(图13中的第1方向Dx)而示出的图。
图16是示出第5实施方式的显示装置的多个像素的排列的立体图。
图17是示出第5实施方式的显示装置的阵列基板的立体图。
图18是示意性示出第5实施方式的变形例的显示装置的剖视图。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D、1E 显示装置
2、2A 阵列基板
3 发光元件
3R、3R-1、3R-2 第1发光元件
3G、3G-1、3G-2、3G-3 第2发光元件
3B、3B-1、3B-2 第3发光元件
12 驱动电路
21 基板
22 阴极电极
23 阳极电极
24、24R、24G、24B 安装电极
31 半导体层
32 阴极端子
33 阳极端子
49 副像素
60 阴极布线
210 驱动IC
Pix、PixB、PixC、PixD、PixE 像素
PixA1 第1像素
PixA2 第2像素
具体实施方式
关于实施本发明的方式(实施方式)，参照附图进行详细说明。本发明并非由以下的实施方式中记载的内容限定。另外，以下记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易地想到的要素、实质上相同的要素。此外，以下记载的构成要素能够适当组合。需要说明的是，公开只不过是一例，本领域技术人员作出的未脱离发明主旨的适当变更及能够容易地想到的方案当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，附图中的各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际的状态相比示意性示出的情况，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对于与关于已有附图在先说明的要素相同的要素标注同一附图标记并适当省略详细说明的情况。
在本说明书及权利要求书中，当描述在某个构造体之上配置其他构造体的状态时，在简单记为“在……上”的情况下，若没有特别说明，则包含以与某个构造体接触的方式在正上方配置其他构造体的情况和在某个构造体的上方隔着另一构造体配置其他构造体的情况双方。
(第1实施方式)
图1是示意性示出第1实施方式的显示装置的俯视图。如图1所示，显示装置1包含阵列基板2、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210和阴极布线60。阵列基板2为用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也被称为背板或有源矩阵基板。阵列基板2具有基板21、多个晶体管、多个电容及各种布线等。虽未特别图示，但也可以在阵列基板2上连接用于输入控制信号及电力的柔性印刷基板(FPC)等，其中控制信号及电力用于驱动驱动电路12及驱动IC210。
如图1所示，显示装置1具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA以与多个像素Pix重叠的方式配置，为显示图像的区域。周边区域GA为与多个像素Pix不重叠的区域，配置在显示区域AA的外侧。
多个像素Pix在基板21的显示区域AA中在第1方向Dx及第2方向Dy上排列。需要说明的是，第1方向Dx及第2方向Dy是与基板21的表面平行的方向。第1方向Dx与第2方向Dy正交。但第1方向Dx也可以与第2方向Dy交叉而不正交。第3方向Dz是与第1方向Dx及第2方向Dy正交的方向。第3方向Dz例如与基板21的法线方向对应。需要说明的是，以下，俯视观察表示从第3方向Dz观察的情况下的位置关系。
显示区域AA具有第1边AAs1、第2边AAs2、第3边AAs3及第4边AAs4。第1边AAs1与第2边AAs2沿平行的方向延伸。第3边AAs3与第4边AAs4沿平行的方向延伸并设置在第1边AAs1与第2边AAs2之间。在本说明书中，第1方向Dx是沿着显示区域AA的第1边AAs1及第2边AAs2的方向。另外，第2方向Dy是沿着显示区域AA的第3边AAs3及第4边AAs4的方向。
驱动电路12是基于来自驱动IC210或外部的各种控制信号驱动多条栅极线的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，并向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。
驱动IC210是对显示装置1的显示进行控制的电路。驱动IC210以COG(Chip OnGlass：覆晶玻璃)的形式安装于基板21的周边区域GA。不限定于此，驱动IC210也可以以COF(Chip On Film：覆晶薄膜)的形式安装于与基板21的周边区域GA连接的柔性印刷基板、刚性基板之上。
阴极布线60设置于基板21的周边区域GA。阴极布线60以包围显示区域AA的多个像素Pix及周边区域GA的驱动电路12的方式设置。多个发光元件3的阴极与公共的阴极布线60电连接，供给固定电位(例如接地电位)。更具体来说，发光元件3的阴极端子32(参照图3)经由阴极电极22与阴极布线60连接。
图2是示出多个副像素的俯视图。如图2所示，一个像素Pix包含多个副像素49。例如，像素Pix具有第1副像素49R、第2副像素49G和第3副像素49B。第1副像素49R显示作为第1色的原色的红色。第2副像素49G显示作为第2色的原色的绿色。第3副像素49B显示作为第3色的原色的蓝色。如图2所示，在一个像素Pix中，第1副像素49R、第2副像素49G及第3副像素49B在与第1方向Dx及第2方向Dy交叉的斜方向上排列。需要说明的是，第1色、第2色、第3色不限于分别为红色、绿色、蓝色，能够选择补色等任意颜色。以下，在不需要分别区分第1副像素49R、第2副像素49G、第3副像素49B的情况下，称为副像素49。
副像素49分别具有发光元件3和阳极电极23。发光元件3设置于多个副像素49中的每一个。显示装置1通过在第1副像素49R、第2副像素49G及第3副像素49B中按第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B射出不同的光而显示图像。第1发光元件3R射出红色的光。第2发光元件3G射出绿色的光。第3发光元件3B射出蓝色的光。以下，在不需要分别区分第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的情况下称为发光元件3。需要说明的是，多个发光元件3也可以射出4色以上的不同的光。
发光元件3为在俯视观察时具有3μm以上且300μm以下程度的大小的发光二极管(LED：Light Emitting Diode)芯片。虽非严格的定义，但尺寸小于100μm的芯片被称为微型LED(micro LED)。各像素具备微型LED的显示装置1也被称为微型LED显示装置。需要说明的是，微型LED的“微”字并非用于限定发光元件3的大小。
接下来说明显示装置1的截面构成。图3是图2的III-III’剖视图。如图3所示，发光元件3设置在阵列基板2之上。阵列基板2具有基板21、阳极电极23、安装电极24、对置电极25、连接电极26a、各种晶体管、各种布线及各种绝缘膜。
基板21为绝缘基板，使用例如石英、无碱玻璃等玻璃基板或聚酰亚胺等树脂基板。在作为基板21使用具有挠性的树脂基板的情况下，能够采用薄片状显示器构成显示装置1。另外，基板21不限于聚酰亚胺，也可以使用其他树脂材料。
需要说明的是，在本说明书中，在与基板21的表面垂直的方向上，将从基板21朝向发光元件3的方向设为“上侧”或简记为“上”。另外，将从发光元件3朝向基板21的方向设为“下侧”或简记为“下”。
在基板21之上设置底涂层膜91。底涂层膜91例如为具有绝缘膜91a、91b、91c的三层层叠构造。绝缘膜91a为氧化硅膜，绝缘膜91b为氮化硅膜，绝缘膜91c为氧化硅膜。下层的绝缘膜91a设置用于提高基板21与底涂层膜91的密合性。中层的绝缘膜91b设置作为来自外部的水分及杂质的阻挡膜。上层的绝缘膜91c设置作为避免绝缘膜91b的氮化硅膜中含有的氢原子向半导体层61侧扩散的阻挡膜。
底涂层膜91的构成不限定于图3中示出的情况。例如，底涂层膜91可以是单层膜或两层层叠膜，或者可以层叠四层以上。另外，在基板21为玻璃基板的情况下，氮化硅膜的密合性较好，因此也可以直接在基板21上形成氮化硅膜。
遮光膜65设置在绝缘膜91a之上。遮光膜65设置在半导体层61与基板21之间。能够通过遮光膜65抑制来自基板21侧的光侵入半导体层61的沟道区域61a。或者，通过由导电性材料形成遮光膜65并赋予规定的电位，从而能够向驱动晶体管DRT赋予背栅效应。需要说明的是，遮光膜65也可以设置在基板21上，并以覆盖遮光膜65的方式设有绝缘膜91a。
驱动晶体管DRT设置在底涂层膜91之上。需要说明的是，在图3中，与发光元件3对应地示出一个驱动晶体管DRT，但也可以对应于一个发光元件3设有构成像素电路的多个晶体管。
驱动晶体管DRT具有半导体层61、源极电极62、漏极电极63及栅极电极64。半导体层61设置在底涂层膜91之上。半导体层61例如使用多晶硅。但半导体层61不限定于此，也可以是微晶氧化物半导体、非晶质氧化物半导体、低温多晶硅等。作为驱动晶体管DRT仅示出n型TFT，但也可以同时形成p型TFT。在n型TFT中，半导体层61具有沟道区域61a、源极区域61b、漏极区域61c及低浓度杂质区域61d。低浓度杂质区域61d设置在沟道区域61a与源极区域61b之间，另外设置在沟道区域61a与漏极区域61c之间。
栅极绝缘膜92以覆盖半导体层61的方式设置在底涂层膜91之上。栅极绝缘膜92为例如氧化硅膜。栅极电极64设置在栅极绝缘膜92之上。另外，与栅极电极64同层地设置第1布线66。栅极电极64及第1布线66例如使用钨化钼(MoW)。在图3所示的例子中，驱动晶体管DRT为栅极电极64设置在半导体层61的上侧的顶栅构造。但不限定于此，驱动晶体管DRT也可以是在半导体层61的下侧设有栅极电极64的底栅构造，或是在半导体层61的上侧及下侧双方设有栅极电极64的双栅极构造。
层间绝缘膜93以覆盖栅极电极64的方式设置在栅极绝缘膜92之上。层间绝缘膜93例如具有氮化硅膜与氧化硅膜的层叠构造。源极电极62及漏极电极63设置在层间绝缘膜93之上。源极电极62经由在栅极绝缘膜92及层间绝缘膜93中设置的接触孔与源极区域61b连接。漏极电极63经由在栅极绝缘膜92及层间绝缘膜93中设置的接触孔与漏极区域61c连接。在源极电极62连接成为回绕布线的第2布线67。源极电极62、漏极电极63及第2布线67例如能够采用钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的三层层叠构造。
第2布线67的一部分形成在与第1布线66重叠的区域。由隔着层间绝缘膜93相对的第1布线66和第2布线67形成电容Cs1。另外，第1布线66形成在与半导体层61的一部分重叠的区域。电容Cs1还包含由隔着栅极绝缘膜92相对的半导体层61和第1布线66形成的电容。
第1有机绝缘膜94以覆盖驱动晶体管DRT及第2布线67的方式设置在层间绝缘膜93之上。作为第1有机绝缘膜94，使用感光性丙烯酸等有机材料。感光性丙烯酸等有机材料与通过CVD等形成的无机绝缘材料相比，布线层差的覆盖性、表面的平坦性优异。
在第1有机绝缘膜94之上依次层叠对置电极25、电容绝缘膜95、阳极电极23。对置电极25由例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等具有透光性的导电性材料构成。与对置电极25同层地设置连接电极26a。连接电极26a以覆盖在第1有机绝缘膜94中设置的接触孔H1的内部的方式设置，在接触孔H1的底部与第2布线67连接。
电容绝缘膜95以覆盖对置电极25及连接电极26a的方式设置，在与接触孔H1重叠的区域具有开口。电容绝缘膜95例如为氮化硅膜。阳极电极23隔着电容绝缘膜95与对置电极25与相对。阳极电极23经由接触孔H1与连接电极26a及第2布线67电连接。由此，阳极电极23与驱动晶体管DRT电连接。阳极电极23设为钛(Ti)、铝(Al)的层叠构造。但不限定于此，阳极电极23也可以是含有钼、钛金属中的一种以上的材料。或者，阳极电极23也可以是含有钼、钛中的一种以上的合金或透光性导电材料。
在隔着电容绝缘膜95相对的阳极电极23与对置电极25之间形成电容Cs2。另外，由ITO形成的对置电极25在形成阳极电极23的工序中，还具有用于保护第2布线67等各种布线的作为屏障膜的功能。然而，在阳极电极23的图案化时，部分对置电极25暴露在蚀刻环境中，但通过在从对置电极25的形成到阳极电极23的形成之间进行的退火处理，对置电极25针对阳极电极23的蚀刻具有充分的耐性。
第2有机绝缘膜97设置在阳极电极23之上。在第2有机绝缘膜97中设置到达阳极电极23的接触孔H2。第2有机绝缘膜97使用与第1有机绝缘膜94相同的有机材料。安装电极24设置在第2有机绝缘膜97之上，经由接触孔H2与阳极电极23电连接。安装电极24与阳极电极23同样地设为钛、铝的层叠构造。但安装电极24也可以使用与阳极电极23不同的导电材料。另外，第2有机绝缘膜97也可以使用与第1有机绝缘膜94不同的有机材料。
发光元件3(第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B)安装于各自对应的安装电极24。各发光元件3以阳极端子33与安装电极24接触的方式安装。对于各发光元件3的阳极端子33与安装电极24之间的接合，只要能够在二者之间确保良好的导通并避免阵列基板2上的形成物破损则没有特别限定。作为阳极端子33与安装电极24的接合，能够举出例如低温熔融的焊料的回流焊工序、借助导电膏将发光元件3载置在阵列基板2上然后烧结的方法。
在此，也可以不在阵列基板2上设置第2有机绝缘膜97及安装电极24，而将发光元件3直接安装在阳极电极23上。但是，通过设置第2有机绝缘膜97及安装电极24，能够抑制电容绝缘膜95由于在发光元件3的安装时施加的力而破损。也就是说，能够抑制形成电容Cs2的阳极电极23与对置电极25之间发生绝缘破坏。
发光元件3具有半导体层31、阴极端子32及阳极端子33。半导体层31能够采用n型包覆层、活性层及p型包覆层层叠而成的构成。半导体层31例如使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟(AlInP)、氮化铟镓(InGaN)等化合物半导体。半导体层31也可以针对每个第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B使用不同的材料。另外，作为活性层，为了高效化，也可以采用将由几个原子层形成的阱层和障壁层周期性层叠而成的多量子阱构造(MQW构造)。另外，作为发光元件3，也可以是在半导体基板上形成有半导体层31的构成。或者，不限定于发光元件3单体安装于阵列基板2的构成，也可以是包含发光元件3的LED芯片安装于阵列基板2的构成。
第1发光元件3R的高度、第2发光元件3G的高度及第3发光元件3B的高度不同。具体来说，第1发光元件3R的高度比第2发光元件3G的高度高。第2发光元件3G的高度比第3发光元件3B的高度高。换言之，第3发光元件3B、第2发光元件3G、第1发光元件3R的高度依次增大。这是为了设置用于抑制活性层的MQW构造的应变的应变缓和层。通过设置应变缓和层，从而能够谋求发光元件3的高效化。应变缓和层的厚度依赖于光的波长，因此第1发光元件3R的应变缓和层形成得较厚，而第3发光元件3B的应变缓和层形成得较薄。
前述的第1发光元件3R的高度、第2发光元件3G的高度及第3发光元件3B的高度及俯视观察时的芯片面积的关系根据构成半导体层31的材料而不同。例如，在具有InGan/GaN类的构造的情况下，第1发光元件3R的高度、第2发光元件3G的高度及第3发光元件3B的高度如前述那样，第1发光元件3R的芯片面积大于第2发光元件3G的芯片面积，第2发光元件3G的芯片面积大于第3发光元件3B的芯片面积，但在第1发光元件3R具有InAlGaP/GaAs类的构造的情况下，第2发光元件3G的高度与第3发光元件3B的高度相同，且第1发光元件3R的高度比二者低，第1发光元件3R的芯片面积大于第2发光元件3G的芯片面积，第2发光元件3G的芯片面积大于第3发光元件3B的芯片面积。
在多个发光元件3之间设置元件绝缘膜98。元件绝缘膜98由树脂材料形成。元件绝缘膜98以覆盖发光元件3的侧面的方式设置，并在与发光元件3的阴极端子32重叠的部分设置接触孔H3。发光元件3的阴极端子32在接触孔H3的底部从元件绝缘膜98露出。
阴极电极22以覆盖多个发光元件3及元件绝缘膜98的方式设置，并与多个发光元件3电连接。更具体来说，阴极电极22遍及设置在元件绝缘膜98的上表面和在接触孔H3中露出的阴极端子32的上表面。阴极电极22使用例如ITO等具有透光性的导电性材料。由此，能够高效地将来自发光元件3的射出光取出到外部。阴极电极22与在显示区域AA中安装的多个发光元件3的阴极端子32电连接。阴极电极22以在显示区域AA的外侧设置的阴极接触部与在阵列基板2侧设置的阴极布线60连接。
如上所述，构成作为显示元件使用发光元件3的显示装置1。需要说明的是，根据需要，显示装置1也可以在阴极电极22的上侧设置罩面板、圆偏振片、触摸面板等。另外，在显示装置1中，不限定于以发光元件3的上部与阴极电极22连接的面朝上构造，也可以是发光元件3的下部与阳极电极23及阴极电极22连接的所谓的面朝下构造。
接下来，详细地说明第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的配置。图4是示出多个像素的排列的俯视图。需要说明的是，各图中示出的各发光元件3的平面形状(面积、长度Wx、Wy)、高度HR、HG、HB等为了容易理解而强调示出，各部分的大小、比率或附图的比例尺等适当变更示出。但是，如前所述，根据构成半导体层31的材料的选择而配置与颜色的关系不同，因此并非限定该关系。
如图4所示，在一个像素Pix中，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B在与第1方向Dx及第2方向Dy交叉的斜方向Da上排列。
在多个像素Pix的排列中，第1发光元件3R在第1方向Dx上排列并在第2方向Dy上排列。在第1方向Dx上，第2发光元件3G位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R之间，且位于在第1方向Dx上相邻的第3发光元件3B之间。在第2方向Dy上，第2发光元件3G位于在第2方向Dy上相邻的第1发光元件3R之间，且位于在第2方向Dy上相邻的第3发光元件3B之间。
在第1方向Dx上，第3发光元件3B位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R之间，且位于在第1方向Dx上相邻的第2发光元件3G之间。在第2方向Dy上，第3发光元件3B位于在第2方向Dy上相邻的第1发光元件3R之间，且位于在第2方向Dy上相邻的第2发光元件3G之间。
即，在沿第1方向Dx观察一个像素Pix时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分。且在沿第2方向Dy观察一个像素Pix时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分。另外，在沿第1方向Dx观察一个像素Pix时，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分。且在沿第2方向Dy观察一个像素Pix时，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分。
换言之，将一个像素Pix的在第1方向Dx上相对的端部设为第1端和第2端，将在第2方向Dy上相对的端部设为第3端和第4端。在图4中，第1端与像素Pix的-Dx方向的端部对应，第2端与像素Pix的+Dx方向的端部对应。第3端与像素Pix的+Dy方向的端部对应，第4端与像素Pix的-Dy方向的端部对应。一个像素Pix在从第1端到位于第1方向Dx(+Dx方向)上的第2端之间具有仅有第3发光元件3B的区域，一个像素Pix在从第3端到位于第2方向Dy(-Dy方向)上的第4端之间具有仅有第3发光元件3B的区域。
在俯视观察时，第1发光元件3R的面积大于第2发光元件3G的面积。第2发光元件3G的面积大于第3发光元件3B的面积。具体来说，第1发光元件3R的第1方向Dx上的长度WxR比第2发光元件3G的第1方向Dx上的长度WxG长。第2发光元件3G的第1方向Dx上的长度WxG比第3发光元件3B的第1方向Dx上的长度WxB长。另外，第1发光元件3R的第2方向Dy上的长度WyR比第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG长。第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG比第3发光元件3B的第2方向Dy上的长度WyB长。
通常，发光元件3的发光效率(内部量子效率)按照第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B的顺序升高。如上所述，通过使第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的俯视观察时的面积不同，从而能够抑制从各发光元件3射出的各颜色光束的偏差。
图5是从图4的V-V’剖面沿纵深方向(图4中的第2方向Dy)观察而示出的图。图5是以由第1方向Dx和第3方向Dz规定的平面剖切显示装置1时的剖视图。需要说明的是，在图5等所示的剖视图中，与剖切面上出现的发光元件3一并地将位于剖切面的里侧的发光元件3透视示出。如图5所示，在从第2方向Dy观察的剖切观察时，在第1方向Dx上，第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B、第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B依次地重复排列。在从第2方向Dy观察的剖切观察时，第3发光元件3B设置在第1发光元件3R与第2发光元件3G之间，并从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。第2发光元件3G设置在第1发光元件3R与第3发光元件3B之间，并从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。
如上所述，第1发光元件3R的高度HR比第2发光元件3G的高度HG高。第2发光元件3G的高度HG比第3发光元件3B的高度HB高。高度HR、HG、HB为各自的阳极端子33的底面与阴极端子32的上表面之间的第3方向Dz上的长度。另外，安装电极24的安装发光元件3的高度位置形成为恒定。因此，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B各自的上表面(射出面)的高度位置不同。
图6是从图4的VI-VI’剖面沿纵深方向(图4中的第1方向Dx)观察而示出的图。图6是以由第2方向Dy和第3方向Dz规定的平面剖切显示装置1时的剖视图。如图6所示，在从第1方向Dx(-Dx方向)观察的剖切观察时，在第2方向Dy上，第3发光元件3B、第2发光元件3G、第1发光元件3R、第3发光元件3B、第2发光元件3G、第1发光元件3R依次地重复排列。在从第1方向Dx观察的剖切观察时，第3发光元件3B设置在第1发光元件3R与第2发光元件3G之间，并从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。第2发光元件3G设置在第1发光元件3R与第3发光元件3B之间，并从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。
根据这样的构成，即使在第2发光元件3G的高度HG及第3发光元件3B的高度HB比第1发光元件3R的高度HR低的情况下，从第1方向Dx及第2方向Dy观察，第2发光元件3G及第3发光元件3B的至少一部分也露出而与其他发光元件3不重叠。由此，显示装置1能够抑制从第2发光元件3G或第3发光元件3B射出的光被其他发光元件3遮蔽而显示特性下降的情况。另外，显示装置1即使在观察频度高的第1方向Dx及第2方向Dy上以相对于第3方向Dz(极角0°)接近90°的视野角观察的情况下，也能够抑制第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B完全被射出其他颜色的光的发光元件3遮挡的情况。
需要说明的是，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的配置也可以适当变更。例如，斜方向Da上的各发光元件3的配置顺序不限定于第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B的顺序，也可以是其他顺序。另外，在图5及图6中，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B互相分离，但不限定于此。只要从第1方向Dx及第2方向Dy观察，各发光元件3具有与射出其他颜色的光的发光元件不重叠的部分即可，也可以以第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的一部分重叠的方式配置。
需要说明的是，各发光元件3的高度HR、HG、HB不同，因此在将发光元件3向阵列基板2上安装时，优选按照第3发光元件3B、第2发光元件3G、第1发光元件3R的顺序安装。由此，能够抑制先安装的第3发光元件3B或第2发光元件3G与后安装时形成有发光元件3的半导体基板、转印基板等其他构件接触的情况。
(第2实施方式)
图7是示出第2实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。需要说明的是，在以下的说明中，对与在上述实施方式中说明的要素相同的构成要素标注同一附图标记并省略重复的说明。
如图7所示，第2实施方式的显示装置1A具有在第2方向Dy上交替排列的第1像素PixA1及第2像素PixA2。另外，多个第1像素PixA1及多个第2像素PixA2分别在第1方向Dx上排列。第1像素PixA1及第2像素PixA2以所谓的Pen Tile排列构成。
第1像素PixA1及第2像素PixA2分别包含一个第1发光元件3R、两个第2发光元件3G和一个第3发光元件3B。第1像素PixA1在第1方向Dx上以第2发光元件3G、第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的顺序分离排列。第2像素PixA2在第1方向Dx上以第2发光元件3G、第3发光元件3B、第2发光元件3G及第1发光元件3R的顺序分离排列。
或者，将邻接配置的第1发光元件3R与第2发光元件3G设为第1发光元件组，将邻接配置的第3发光元件3B与第2发光元件3G设为第2发光元件组。第1像素PixA1及第2像素PixA2分别由在第1方向Dx上相邻的第1发光元件组与第2发光元件组构成。但是，在第1像素PixA1和第2像素PixA2中，第1发光元件组及第2发光元件组的顺序相反。
在第1像素PixA1中，两个第2发光元件3G在第1方向Dx上并排配置，在第2方向Dy上的位置相同。第1发光元件3R的第2方向Dy上的位置与第2发光元件3G的第2方向Dy上的位置错开配置。也就是说，第1发光元件3R的第2方向Dy上的第1侧面3Rs1位于在第1方向Dx上相邻的第2发光元件3G之间。第1发光元件3R的第2方向Dy上的第2侧面3Rs2与第2发光元件3G相比位于第2方向Dy(+Dy方向)侧。
另外，在第1像素PixA1中，第3发光元件3B的第2方向Dy上的位置与第2发光元件3G及第1发光元件3R的第2方向Dy上的位置错开配置。第3发光元件3B相对于第1发光元件3R配置在斜方向Db上。也就是说，第3发光元件3B的第1侧面3Bs1的第2方向Dy上的位置与第2发光元件3G相比位于第2方向Dy侧(+Dy方向)，且与第1发光元件3R的第2方向Dy上的位置重叠。另外，第2侧面3Bs2的第2方向Dy上的位置与第1发光元件3R的第2侧面3Rs2相比位于第2方向Dy(+Dy方向)侧。
即，在沿第1方向Dx观察一个第1像素PixA1时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分(第2侧面3Bs2)。并且，在沿第2方向Dy观察一个第1像素PixA1时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分。另外，在沿第1方向Dx观察一个第1像素PixA1时，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分(第1侧面)。并且，在沿第2方向Dy观察一个像素Pix时，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分。
第2像素PixA2为在第1像素PixA1中将第1发光元件3R与第3发光元件3B调换而成的构成。一个第2像素PixA2中的第2方向Dy上的各发光元件3的位置关系与第1像素PixA1相同，省略详细说明。在沿第2方向Dy排列的多个第1像素PixA1及多个第2像素PixA2中，多个第2发光元件3G在第2方向Dy上并排配置，在第1方向Dx上的位置相同。另外，在第2方向Dy上，第1发光元件3R与第3发光元件3B交替配置。第1发光元件3R与第3发光元件3B以第1方向Dx的位置错开的方式配置。
以下例示图7中示出的第3发光元件3B-1，说明多个发光元件3的配置关系。在第1方向Dx上，第3发光元件3B-1的至少一部分(例如，-Dx方向的侧面)位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R-1、3R-2之间，且位于在第1方向Dx上相邻的第2发光元件3G-1、3G-2之间。
在第2方向Dy上，第3发光元件3B-1的至少一部分(例如，第2侧面3Bs2)位于在第2方向Dy上相邻的第1发光元件3R-1、3R-2之间，且位于在第2方向Dy上相邻的第2发光元件3G-1、3G-3之间。需要说明的是，在第1方向Dx上相邻的发光元件3表示多个发光元件3中的在第1方向Dx上的距离最短的发光元件3。在第2方向Dy上相邻的发光元件3也相同。
同样地，例示第2发光元件3G-1，说明多个发光元件3的配置关系。在第1方向Dx上，第2发光元件3G-1的至少一部分位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R-1、3R-2之间，且位于在第1方向Dx上相邻的第3发光元件3B-1、3B-2之间。
另外，在第2方向Dy上，第2发光元件3G-1的至少一部分(例如，-Dy方向的侧面)位于在第2方向Dy上相邻的第1发光元件3R-1、3R-2之间，且位于在第2方向Dy上相邻的第3发光元件3B-1、3B-2之间。
需要说明的是，俯视观察时的第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的面积、形状(长度Wx、Wy)等的关系与第1实施方式相同，省略详细说明。
图8是从图7的VIII-VIII’剖面沿纵深方向(图7中的第2方向Dy)观察而示出的图。图8是在第1像素PixA1处沿第1方向Dx剖切显示装置1A时的剖视图。如图8所示，在从第2方向Dy的剖切观察时，在第1方向Dx上，第2发光元件3G、第3发光元件3B、第1发光元件3R、第2发光元件3G、第1发光元件3R、第3发光元件3B依次地重复排列。
在从第2方向Dy的剖切观察时，第3发光元件3B从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。更具体来说，第2像素PixA2的第3发光元件3B的一部分以与第1像素PixA1的第1发光元件3R重叠的方式配置。另外，第2像素PixA2的第3发光元件3B的一部分(-Dx方向的侧面)在第1像素PixA1的第1发光元件3R与第2发光元件3G之间露出。第1像素PixA1的第3发光元件3B的一部分在第2像素PixA2的第1发光元件3R与第1像素PixA1的第2发光元件3G之间露出。第2发光元件3G设置在相邻的第1发光元件3R之间或相邻的第3发光元件3B之间，并从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。
图9是从图7的IX-IX’剖面沿纵深方向(图7中的第1方向Dx)观察而示出的图。图9是沿第2方向Dy剖切显示装置1A时的剖视图。如图9所示，在从第1方向Dx的剖切观察时，在第2方向Dy上，第2发光元件3G、第1发光元件3R、第3发光元件3B、第2发光元件3G、第1发光元件3R、第3发光元件3B依次地重复排列。在从第1方向Dx的剖切观察时，第3发光元件3B的至少一部分从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。第2发光元件3G的至少一部分从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。
更具体来说，第1像素PixA1的第2发光元件3G的一部分及第3发光元件3B的一部分以与第1像素PixA1的第1发光元件3R重叠的方式配置。第1像素PixA1的第2发光元件3G的一部分在第1发光元件3R的第1侧面3Rs1与第2像素PixA2的第3发光元件3B之间露出。第1像素PixA1的第3发光元件3B的一部分在第1发光元件3R的第2侧面3Rs2与第2像素PixA2的第2发光元件3G之间露出。
根据这样的构成，在具有所谓Pen Tile排列的像素构成的显示装置1A中，从第1方向Dx及第2方向Dy观察，第2发光元件3G及第3发光元件3B的至少一部分也与其他发光元件3不重叠。由此，显示装置1A能够抑制显示特性下降。另外，显示装置1A能够在维持显示的分辨率的同时，使第1发光元件3R及第3发光元件3B的数量少于第2发光元件3G的数量。
(第3实施方式)
图10是示出第3实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。如图10所示，在一个像素PixB中，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B依次在第1方向Dx上排列。
另外，在多个像素PixB的排列中，多个第1发光元件3R在第2方向Dy上排列。同样地，多个第2发光元件3G在第2方向Dy上排列，多个第3发光元件3B在第2方向Dy上排列。
第1发光元件3R的第1方向Dx上的长度WxR比第2发光元件3G的第1方向Dx上的长度WxG长。第2发光元件3G的第1方向Dx上的长度WxG比第3发光元件3B的第1方向Dx上的长度WxB长。第1发光元件3R的第2方向Dy上的长度WyR比第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG短。第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG比第3发光元件3B的第2方向Dy上的长度WyB短。也就是说，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B以第2方向Dy上的长度WyR、长度WyG、长度WyB依次变长的方式形成。
根据这样的构成，在第1方向Dx上，第2发光元件3G位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R与第3发光元件3B之间。在第2方向Dy上，第2发光元件3G与在第1方向Dx上和第2发光元件3G相邻的第1发光元件3R及第3发光元件3B的第2方向Dy上的位置重叠。在沿第1方向Dx观察一个像素PixB时，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面及第2侧面)。
在第1方向Dx上，第3发光元件3B位于在第1方向Dx上相邻的第2发光元件3G与第1发光元件3R之间。在第2方向Dy上，第3发光元件3B与第1发光元件3R及第2发光元件3G的第2方向Dy上的位置重叠。在沿第1方向Dx观察一个像素PixB时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面3Bs1及第2侧面3Bs2)。
图11是从图10的XI-XI’剖面沿纵深方向(图10中的第2方向Dy)观察而示出的图。图11是沿第1方向Dx剖切显示装置1B时的剖视图。如图11所示，在从第2方向Dy的剖切观察时，在第1方向Dx上，第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B、第1发光元件3R、第2发光元件3G、第3发光元件3B依次地重复排列。在从第2方向Dy的剖切观察时，第3发光元件3B设置在第1发光元件3R与第2发光元件3G之间，并从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。第2发光元件3G设置在第1发光元件3R与第3发光元件3B之间，并从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。
图12是从图10的XII-XII’剖面沿纵深方向(图10中的第1方向Dx)观察而示出的图。图12是沿第2方向Dy剖切显示装置1B时的剖视图。如图12所示，在从第1方向Dx的剖切观察时，各像素PixB的第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B重叠配置。第2发光元件3G的至少一部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面、第2侧面)从第1发光元件3R的第1侧面3Rs1、第2侧面3Rs2露出。第3发光元件3B的至少一部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面、第2侧面)从第2发光元件3G的第1侧面、第2侧面露出。
需要说明的是，在从与图12相反的方向(+Dx方向)的剖切观察时，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B也重叠配置。在该情况下，第1发光元件3R的高度HR也比第2发光元件3G的高度HG高。因此，第1发光元件3R的至少一部分(上表面侧)与第2发光元件3G及第3发光元件3B不重叠。另外，第2发光元件3G的高度HG比第3发光元件3B的高度HB高。因此，第2发光元件3G的至少一部分(上表面侧)与第3发光元件3B不重叠。
根据这样的构成，即使是第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B在第1方向Dx上排列的构成，也通过使各发光元件3的形状(第2方向Dy上的长度Wy、高度HR、HG、HB)不同，从而使得从第1方向Dx及第2方向Dy观察时第2发光元件3G及第3发光元件3B的至少一部分与其他发光元件3不重叠。需要说明的是，在第3实施方式中，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B以第2方向Dy上的中点位置一致的方式配置，但不限定于此。例如，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B也可以按照第2方向Dy的侧面的位置对齐的方式配置。
(第4实施方式)
图13是示出第4实施方式的显示装置的多个像素的排列的俯视图。如图13所示，在一个像素PixC中，第1发光元件3R与第2发光元件3G在第2方向Dy上相邻设置。一个第3发光元件3B与两个发光元件3(第1发光元件3R及第2发光元件3G)在第1方向Dx上相邻设置。
另外，在多个像素PixC的排列中，多个第1发光元件3R及多个第2发光元件3G在第2方向Dy上交替排列。多个第3发光元件3B在第2方向Dy上排列。
第1发光元件3R的第1方向Dx上的长度WxR比第2发光元件3G的第1方向Dx上的长度WxG短。第3发光元件3B的第1方向Dx上的长度WxB比第1发光元件3R的第1方向Dx上的长度WxR短。第1发光元件3R的第2方向Dy上的长度WyR比第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG长。第3发光元件3B的第2方向Dy上的长度WyB比第1发光元件3R的第2方向Dy上的长度WyR长。在本实施方式中，第3发光元件3B的第2方向Dy上的长度WyB比第1发光元件3R的第2方向Dy上的长度WyR与第2发光元件3G的第2方向Dy上的长度WyG的合计长度长。
根据这样的构成，在第1方向Dx上，第2发光元件3G位于在第1方向Dx上相邻的第3发光元件3B之间，且与第1发光元件3R的第1方向Dx上的位置重叠。沿第2方向Dy观察一个像素PixC，第2发光元件3G具有与第1发光元件3R及第3发光元件3B不重叠的部分(在第1方向Dx上相对的侧面)。在第2方向Dy上，第2发光元件3G位于在第2方向Dy上相邻的第1发光元件3R之间，且与第3发光元件3B的第2方向Dy上的位置重叠。
在第1方向Dx上，第3发光元件3B位于在第1方向Dx上相邻的第2发光元件3G之间，且位于在第1方向Dx上相邻的第1发光元件3R之间。在第2方向Dy上，第3发光元件3B与第1发光元件3R及第2发光元件3G的第2方向Dy上的位置重叠。在沿第1方向Dx观察一个像素PixC时，第3发光元件3B具有与第1发光元件3R及第2发光元件3G不重叠的部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面、第2侧面及第1发光元件3R与第2发光元件3G之间的中央部)。
图14是从图13的XIV-XIV’剖面沿纵深方向(图13中的第2方向Dy)观察而示出的图。图14是沿第1方向Dx剖切显示装置1C时的剖视图。如图14所示，在从第2方向Dy的剖切观察时，第1发光元件3R与第2发光元件3G重叠设置。第1发光元件3R及第2发光元件3G、第3发光元件3B重复地在第1方向Dx上排列。在从第2方向Dy的剖切观察时，第3发光元件3B设置在第1发光元件3R之间及第2发光元件3G之间，并从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。
第2发光元件3G设置在第3发光元件3B之间，并从第1发光元件3R及第3发光元件3B露出。另外，第1发光元件3R的至少一部分(上表面侧)从第2发光元件3G露出。不过，在从与图14相反的方向(+Dy方向)的剖切观察时，第2发光元件3G与第1发光元件3R重叠地设置，但其至少一部分(在第1方向Dx上相对的侧面)从第1发光元件3R露出。
图15是从图13的XV-XV’剖面沿纵深方向(图13中的第1方向Dx)观察而示出的图。图15是沿第2方向Dy剖切显示装置1C时的剖视图。如图15所示，在从第1方向Dx的剖切观察时，各像素PixC的第1发光元件3R及第2发光元件3G与第3发光元件3B重叠配置。第3发光元件3B的至少一部分(在第2方向Dy上相对的第1侧面、第2侧面及中央部)从第1发光元件3R及第2发光元件3G露出。
另外，从与图15相反的方向(+Dx方向)观察，第1发光元件3R及第2发光元件3G的一部分隐藏在第3发光元件3B的后侧。在该情况下，第1发光元件3R的高度HR及第2发光元件3G的高度HG也比第3发光元件3B的高度HB高。因此，第1发光元件3R的至少一部分(上表面侧)及第2发光元件3G的至少一部分(上表面侧)与第3发光元件3B不重叠。
根据这样的构成，即使是两个发光元件3(第1发光元件3R及第2发光元件3G)和一个第3发光元件3B在第1方向Dx上相邻配置的构成，在从第1方向Dx的剖切观察及从第2方向Dy的剖切观察时，第2发光元件3G及第3发光元件3B的至少一部分也露出。
(第5实施方式)
图16是示出第5实施方式的显示装置的多个像素的排列的立体图。图17是示出第5实施方式的显示装置的阵列基板的立体图。需要说明的是，图16及图17是为了说明多个发光元件3及阵列基板2A的安装电极24R、24G、24B的构成而示意性示出的图。在上述第1实施方式至第4实施方式中，说明了阵列基板2的安装电极24的高度位置设置为恒定的构成，但不限定于此。在第5实施方式的显示装置1D中，安装电极24R、24G、24B的厚度设置为不同。
具体来说，在像素PixD中，第1发光元件3R与第2发光元件3G在第2方向Dy上相邻。第1发光元件3R与第3发光元件3B在第1方向Dx上相邻。如上所述，第1发光元件3R的高度HR比第2发光元件3G的高度HG高。第2发光元件3G的高度HG比第3发光元件3B的高度HB高。第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B分别安装在安装电极24R、24G、24B之上。
如图17所示，安装电极24R的厚度比安装电极24G的厚度薄。安装电极24G的厚度比安装电极24B的厚度薄。通过安装电极24R、24G、24B的厚度的差异来吸收各发光元件3的高度差。即，如图16所示，在安装到安装电极24R、24G、24B上的情况下，配置使得第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的上表面(射出面)的高度位置对齐，多个发光元件3的上表面(射出面)构成齐平面。
由此，在从接近极角90°的高视野角观察的情况下，也能够抑制例如第3发光元件3B完全被其他发光元件3遮挡的情况，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B各自的至少一部分露出。
(变形例)
图18是示意性示出第5实施方式的变形例的显示装置的剖视图。如图18所示，在变形例的显示装置1E中，按设置第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的不同区域，第2有机绝缘膜97的厚度不同。另外，安装电极24R、24G、24B的厚度形成为恒定。
具体来说，设置第1发光元件3R的区域中的第2有机绝缘膜97的厚度比设置第2发光元件3G的区域中的第2有机绝缘膜97的厚度薄。设置第2发光元件3G的区域中的第2有机绝缘膜97的厚度比设置第3发光元件3B的区域中的第2有机绝缘膜97的厚度薄。换言之，第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B的第2有机绝缘膜97的厚度依次变厚。即使是这样的构成，也配置使得多个发光元件3的上表面(射出面)构成齐平面。
需要说明的是，变形例的像素PixE形成为由第1发光元件3R、第2发光元件3G及第3发光元件3B排列而成的构成，但也能够应用于第5实施方式的像素PixD。另外，在第5实施方式及变形例中，示出安装电极24R、24G、24B或第2有机绝缘膜97的厚度针对每个发光元件3不同的构成，但不限定于此。可以使安装电极24R、24G、24B的厚度及第2有机绝缘膜97的厚度双方不同，也可以使用在安装电极24与基板21之间配置的其他层。也可以在安装电极24与基板21之间追加高度调整用的层。另外，能够代替第5实施方式的像素PixD及变形例的像素PixE，而与上述第1实施方式至第4实施方式的像素构成组合。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式。实施方式中公开的内容只不过是一例，能够在不脱离本发明主旨的范围内实施多种变更。在不脱离本发明主旨的范围内进行的适当变更当然也属于本发明的技术范围。能够在不脱离上述各实施方式及各变形例的要旨的范围，进行构成要素的多种省略、置换及变更中的至少一种。

Claims (11)

1.一种显示装置，具有：
基板；
多个像素，其设置于所述基板；以及
多个发光元件，其设置于多个所述像素中的每个所述像素，
多个所述发光元件包含射出红色的光的多个第1发光元件、射出绿色的光的多个第2发光元件和射出蓝色的光的多个第3发光元件，
多个所述第1发光元件在所述基板上沿第1方向排列并沿与所述第1方向交叉的第2方向排列，
在沿所述第1方向观察一个所述像素时，所述第3发光元件具有与所述第1发光元件及所述第2发光元件不重叠的部分，
在沿所述第2方向观察一个所述像素时，所述第3发光元件具有与所述第1发光元件及所述第2发光元件不重叠的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在沿所述第1方向观察一个所述像素时，所述第2发光元件具有与所述第1发光元件及所述第3发光元件不重叠的部分，
在沿所述第2方向观察一个所述像素时，所述第2发光元件具有与所述第1发光元件及所述第3发光元件不重叠的部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
一个所述像素在从第1端到位于所述第1方向的第2端之间，具有仅有所述第3发光元件的区域，
一个所述像素在从第3端到位于所述第2方向的第4端之间，具有仅有所述第3发光元件的区域。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件在与所述第1方向及所述第2方向交叉的方向上排列。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
多个像素包含在所述第2方向上交替排列的第1像素和第2像素，
在所述第1像素中，在所述第1方向上按照所述第2发光元件、所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件的顺序进行排列，
在所述第2像素中，在所述第1方向上按照所述第2发光元件、所述第3发光元件、所述第2发光元件及所述第1发光元件的顺序进行排列。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件在所述第1方向上排列，
所述第1发光元件的所述第2方向的长度比所述第2发光元件的所述第2方向的长度短，
所述第2发光元件的所述第2方向的长度比所述第3发光元件的所述第2方向的长度短。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1发光元件与所述第2发光元件在所述第2方向上相邻设置，
所述第3发光元件与所述第1发光元件及所述第2发光元件在所述第1方向上相邻设置。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1发光元件的高度比所述第2发光元件的高度高，
所述第2发光元件的高度比所述第3发光元件的高度高。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1发光元件的面积比所述第2发光元件的面积大，
所述第2发光元件的面积比所述第3发光元件的面积大。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述第1方向上，所述第3发光元件的至少一部分位于在所述第1方向上相邻的所述第1发光元件之间，且位于在所述第1方向上相邻的所述第2发光元件之间，
在所述第2方向上，所述第3发光元件的至少一部分位于在所述第2方向上相邻的所述第1发光元件之间，且位于在所述第2方向上相邻的所述第2发光元件之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述第1方向上，所述第2发光元件的至少一部分位于在所述第1方向上相邻的所述第1发光元件之间，且位于在所述第1方向上相邻的所述第3发光元件之间，
在所述第2方向上，所述第2发光元件的至少一部分位于在所述第2方向上相邻的所述第1发光元件之间，且位于在所述第2方向上相邻的所述第3发光元件之间。
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