JP2021030216A - 純ギ酸ガス供給装置、純ギ酸ガスが供給されるはんだ付けシステム及び純ギ酸ガス供給方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.ギ酸の分圧及び濃度が低く、処理時間が長い。
Claims (10)
- 液体のギ酸を加熱してギ酸ガスを供給するように構成された純ギ酸ガス供給装置であって、
底ベース、天井カバー、前記底ベースの周縁に連結され且つ前記天井カバーの周縁に連結された周壁、及び、前記底ベースと前記天井カバーと前記周壁とによって囲まれて密閉された内部空間を有するタンクと、
前記タンクに連結されて前記タンクの前記内部空間と連通し、液体のギ酸を前記タンクの前記内部空間へ供給するように構成された液体配管と、
前記タンクの前記底ベースに連結され、前記底ベースが液体のギ酸を加熱して、液体のギ酸を蒸発させて液体のギ酸をギ酸ガスに変化させることができるように前記底ベースを加熱することができる加熱組立品と、
前記タンクの内部に設けられ、前記タンク内の液体のギ酸の液位を検出することができる液位検出組立品と、
液体のギ酸の液位よりも高い位置で前記タンクに連結され、前記タンクの前記内部空間と連通し、純ギ酸ガスを放出するように構成された少なくとも1つのガス配管とを備える純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項1に記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記液位検出組立品は、高液位センサと低液位センサとを有し、
前記高液位センサと、液体のギ酸の液面が前記高液位センサよりも高いか否かを検出することができ、
前記低液位センサは、液体のギ酸の液面が前記低液位センサよりも低いか否かを検出することができ、
前記低液位センサの高さ位置は、前記高液位センサの高さ位置よりも低い純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項2に記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記高液位センサは、液体のギ酸の液面の上方に配置され、
前記低液位センサは、液体のギ酸の液面の下方に配置されている純ギ酸ガス供給装置。 - 請求億1乃至3の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記加熱組立品は、
前記タンクの前記底ベースに組み込まれ、熱を発生させることができ、前記底ベースを接触及び熱伝導によって加熱する少なくとも1つのヒータと、
前記タンクの前記底ベースに組み込まれ、前記底ベースの温度を検出する加熱温度センサとを有している純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項1乃至3の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記液体配管は、前記タンクの前記底ベースに連結され、前記底ベースを貫通して前記内部空間と連通している純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項1乃至3の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記少なくとも1つのガス配管は、前記タンクの前記周壁に連結され、前記周壁を貫通して前記内部空間と連通している純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項1乃至3の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記タンクの前記天井カバーを貫通して設けられ、前記内部空間内へ延び、前記液体のギ酸の中へ延び、液体のギ酸の温度を検出することができる液温センサをさらに備える純ギ酸ガス供給装置。 - 請求項1乃至3の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置において、
前記少なくとも1つのガス配管は、40torrから700torrの圧力の純ギ酸ガスを供給するように構成されている純ギ酸ガス供給装置。 - 純ギ酸ガスが供給されるはんだ付けシステムであって、
請求項1乃至8の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置と、
部品をはんだ付けするように構成された複真空室はんだ付け炉と、
真空ポンプと、
ギ酸排出処理装置とを備え、
前記複真空室はんだ付け炉は、
それぞれ入口端及び出口端となる2つの両端部を有するプラットフォームと、
前記プラットフォームを選択的に覆う上部カバーと、
前記プラットフォームに設けられ、前記入口端から前記出口端へ向かう方向に沿って配列された複数の加熱ベースと、
前記上部カバーに設けられた複数の真空カバーであって、前記上部カバーが前記プラットフォームを覆うときに、前記真空カバーのそれぞれは前記加熱ベースのそれぞれと並んでおり、前記上部カバーに対して上下に移動でき、対応する前記加熱ベースを覆って密閉して、前記少なくとも1つのガス配管が連通して純ギ酸ガスが供給される真空室を形成することができる複数の真空カバーと、
前記上部カバーに設けられ、それぞれ前記真空カバーに連結され、前記上部カバーに対して前記真空カバーを移動させることができる複数の駆動機構と、
前記真空カバーによって形成された前記真空室にそれぞれ連結された複数の真空配管と、
前記プラットフォームに連結され、部品を前記入口端から前記出口端へ前記加熱ベースのそれぞれに順次搬送することができる少なとも1つの搬送機構とを有し、
前記真空ポンプは、前記複真空室はんだ付け炉の前記真空配管と連通し、前記真空室から空気を吸引して前記真空室の内部を真空にすることができ、
前記ギ酸排出処理装置は、
前記真空ポンプと連通し、前記真空ポンプが前記真空室から前記ギ酸排出処理装置へ空気を引き込む際に空気が通過する吸気端と、
前記吸気端と連通し、大気プラズマを発生させることができる大気プラズマ発生器と、
前記大気プラズマ発生器と連通し、ギ酸を酸化させるための触媒を包含している触媒担体と、
前記触媒担体と連通する排気端とを有し、
前記吸気端、前記大気プラズマ発生器、前記触媒担体及び前記排気端は、順番に配列された、純ギ酸ガスが供給されるはんだ付けシステム。 - 請求項1乃至8の何れか1つに記載の純ギ酸ガス供給装置を準備するステップ1と、
前記タンク内の空気を吸引して前記タンク内を真空にするステップ2と、
前記液体配管を介して前記タンク内に液体のギ酸を供給するステップ3と、
前記加熱組立品を使って前記タンクの前記底ベースを加熱して、液体のギ酸を間接的に加熱し、液体のギ酸を蒸発させて液体のギ酸をギ酸ガスに変化させるステップ4と、
ギ酸ガスの分圧が40torrから700torrに達した後に前記ガス配管を介して純ギ酸ガスを放出するステップ5とを含む純ギ酸ガス供給方法。
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