JP2021020852A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021020852A5 JP2021020852A5 JP2020177808A JP2020177808A JP2021020852A5 JP 2021020852 A5 JP2021020852 A5 JP 2021020852A5 JP 2020177808 A JP2020177808 A JP 2020177808A JP 2020177808 A JP2020177808 A JP 2020177808A JP 2021020852 A5 JP2021020852 A5 JP 2021020852A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- ppm
- produced
- silicon
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 19
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
Claims (14)
- 以下を含む炭化ケイ素の製造方法：
ａ．シリコン、炭素および酸素を含み、溶剤を含まないポリシロカルブ前駆物質配合物である液体を提供すること；
ｂ．該液体を硬化して、シリコン、炭素および酸素から本質的に成る硬化物を提供すること；
ｃ．１５０℃未満の温度で硬化物を保持すること；
ｄ．シリコン、炭素および酸素から本質的に成るセラミック材料へ硬化物を変換すること；および
ｅ．セラミック材料から酸素を本質的にすべて取り除くこと；それにより少なくとも９９．９９％の純度である炭化ケイ素を提供する。 - 該液体は、５０％から６５％の炭素、２０％から３０％の酸素、１５％から２０％のシリコンのモル比を有するポリシロカルブ前駆物質配合物である、請求項１記載の方法。
- ＣＯを生産することを含む、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は少なくとも９９．９９９９％の純度である、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は１００ｐｐｍ未満のＡｌを含む、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は１０ｐｐｍ未満のＡｌを含む、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は１ｐｐｍ未満のＡｌを含む、請求項４記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は１００ｐｐｍ未満のＢを含む、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は１０ｐｐｍ未満のＢを含む、請求項１記載の方法。
- 該炭化ケイ素は１ｐｐｍ未満のＢを含む、請求項４記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は合計の元素の１０ｐｐｍ未満の、Ｔｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｂ、Ｐ、Ｐｔ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｖ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｃｒ、ＳおよびＡｓからなる群から選択される不純物を含む、請求項1記載の方法。
- 炭化ケイ素が生成され、該炭化ケイ素は合計の元素の１ｐｐｍ未満の、Ｔｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｂ、Ｐ、Ｐｔ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｅ、Ｃｒ、ＳおよびＡｓから選択される不純物を含む、請求項１記載の方法。
- 炭化ケイ素はアルファ・タイプである、請求項４記載の方法。
- 炭化ケイ素はベータ・タイプである、請求項４記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022091771A JP7472196B2 (ja) | 2014-09-25 | 2022-06-06 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462055397P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
| US201462055461P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
| US201462055497P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
| US62/055,397 | 2014-09-25 | ||
| US62/055,461 | 2014-09-25 | ||
| US62/055,497 | 2014-09-25 | ||
| US201562112025P | 2015-02-04 | 2015-02-04 | |
| US62/112,025 | 2015-02-04 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017536220A Division JP6784679B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022091771A Division JP7472196B2 (ja) | 2014-09-25 | 2022-06-06 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021020852A JP2021020852A (ja) | 2021-02-18 |
| JP2021020852A5 true JP2021020852A5 (ja) | 2021-04-01 |
| JP7196375B2 JP7196375B2 (ja) | 2022-12-27 |
Family
ID=55582251
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017536220A Active JP6784679B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
| JP2020177808A Active JP7196375B2 (ja) | 2014-09-25 | 2020-10-23 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
| JP2022091771A Active JP7472196B2 (ja) | 2014-09-25 | 2022-06-06 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017536220A Active JP6784679B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022091771A Active JP7472196B2 (ja) | 2014-09-25 | 2022-06-06 | ポリシロカルブに基づいた炭化ケイ素材料、用途および装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (3) | EP3197847B1 (ja) |
| JP (3) | JP6784679B2 (ja) |
| KR (3) | KR102267106B1 (ja) |
| CN (2) | CN107108234B (ja) |
| CA (2) | CA2962602C (ja) |
| RU (1) | RU2707772C2 (ja) |
| WO (2) | WO2016049362A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016049362A2 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Melior Innovations, Inc. | High purity polysilocarb derived silicon carbide materials, applications and processes |
| WO2017053883A1 (en) | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Melior Innovations, Inc. | Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide |
| WO2018009769A1 (en) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Alcoa Usa Corp. | Systems and methods for making ceramic powders |
| JP6960636B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-11-05 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| KR20240052897A (ko) * | 2017-03-29 | 2024-04-23 | 팔리두스, 인크. | SiC 용적측정 형태 및 보올을 형성하는 방법 |
| CN107963631A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-04-27 | 宁波爱克创威新材料科技有限公司 | 纳米碳化硅及其制备方法 |
| CN108117078B (zh) * | 2018-01-16 | 2020-12-08 | 西北工业大学 | 一种SiC纳米线的表面改性方法 |
| CA3108004C (en) * | 2018-07-31 | 2024-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Modular power converter |
| CN110921670B (zh) * | 2018-09-19 | 2022-01-07 | 比亚迪股份有限公司 | 碳化硅及其制备方法 |
| CN110042653B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-08-10 | 华南理工大学 | 一种表面具有多尺度SiC-SiOC陶瓷涂层的碳纤维及其制备方法 |
| CN110734552B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-12-14 | 哈尔滨工业大学 | 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法 |
| KR102195325B1 (ko) | 2020-06-16 | 2020-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
| US12006591B2 (en) * | 2020-03-02 | 2024-06-11 | Ii-Vi Advanced Materials, Llc | Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material |
| CN113698215B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-10-11 | 中国科学院金属研究所 | 一种致密的层状碳化硅陶瓷及其制备方法 |
| KR102236398B1 (ko) | 2020-09-22 | 2021-04-02 | 에스케이씨 주식회사 | 웨이퍼의 세정방법 및 불순물이 저감된 웨이퍼 |
| EP4001475A1 (en) | 2020-11-19 | 2022-05-25 | Zadient Technologies SAS | Improved furnace apparatus for crystal production |
| CN113408945B (zh) * | 2021-07-15 | 2023-03-24 | 广西中烟工业有限责任公司 | 一种烤烟纯度的检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN115745614B (zh) * | 2022-11-29 | 2023-06-30 | 厦门大学 | 一种纳米金属增韧碳化硅陶瓷材料及其制备方法 |
| WO2024122174A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 株式会社トクヤマ | 炭化ケイ素粉末及びその製造方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US560291A (en) | 1896-05-19 | Electrical furnace | ||
| US492767A (en) | 1893-02-28 | Edward g | ||
| US3520656A (en) * | 1966-03-30 | 1970-07-14 | Du Pont | Silicon carbide compositions |
| DE2803658A1 (de) * | 1977-01-27 | 1978-08-10 | Kyoto Ceramic | Verfahren zur herstellung von dichten, gesinterten siliciumcarbidkoerpern aus polycarbosilan |
| US4696827A (en) * | 1982-03-12 | 1987-09-29 | Sony Corporation | Silicon carbide-carbon composite molded product and process for manufacturing the same |
| EP0143122A3 (en) * | 1983-08-26 | 1987-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | An ultrafine powder of silcon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom |
| US5635250A (en) * | 1985-04-26 | 1997-06-03 | Sri International | Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products |
| US5180694A (en) | 1989-06-01 | 1993-01-19 | General Electric Company | Silicon-oxy-carbide glass method of preparation and articles |
| US5162480A (en) * | 1990-12-14 | 1992-11-10 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Self-curing ceramicizable polysiloxanes |
| US5436207A (en) * | 1993-12-10 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparing silicon carbide powder from vaporized polysiloxanes |
| CA2144037C (en) * | 1995-03-03 | 2000-12-05 | Jiayu Simon Xue | Carbonaceous insertion compounds and use as anodes in rechargeable batteries |
| US5863325A (en) * | 1995-05-31 | 1999-01-26 | Bridgestone Corporation | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal |
| RU2094547C1 (ru) * | 1996-01-22 | 1997-10-27 | Юрий Александрович Водаков | Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа |
| US5872070A (en) * | 1997-01-03 | 1999-02-16 | Exxon Research And Engineering Company | Pyrolysis of ceramic precursors to nanoporous ceramics |
| CA2231665A1 (en) * | 1997-03-25 | 1998-09-25 | Dow Corning Corporation | Method for forming an electrode material for a lithium ion battery |
| US7485570B2 (en) | 2002-10-30 | 2009-02-03 | Fujitsu Limited | Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device |
| TW200416208A (en) * | 2002-11-12 | 2004-09-01 | Bridgestone Corp | Silicon carbide sintered product and method for production the same |
| US20060004169A1 (en) * | 2003-01-10 | 2006-01-05 | Sherwood Walter J Jr | Ceramic-forming polymer material |
| JP4480349B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-06-16 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| US8470279B2 (en) | 2004-04-13 | 2013-06-25 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products and method of manufacture |
| US7323047B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-01-29 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing granular silicon crystal |
| US9388509B2 (en) * | 2005-12-07 | 2016-07-12 | Ii-Vi Incorporated | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide |
| US8119057B2 (en) * | 2008-02-19 | 2012-02-21 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Method for synthesizing bulk ceramics and structures from polymeric ceramic precursors |
| RU2389109C2 (ru) * | 2008-04-07 | 2010-05-10 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Способ подготовки поверхности бинарных и многокомпонентных материалов |
| RU83643U1 (ru) * | 2008-11-19 | 2009-06-10 | Адылбек Кадырханович Толстунов | Электронная система охраны и дистанционного контроля удаленных объектов по беспроводным сетям |
| JP5630333B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 易焼結性炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素セラミックス焼結体 |
| KR20120136217A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9815952B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Melior Innovations, Inc. | Solvent free solid material |
| US9815943B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Melior Innovations, Inc. | Polysilocarb materials and methods |
| US10167366B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Melior Innovations, Inc. | Polysilocarb materials, methods and uses |
| US10221660B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Melior Innovations, Inc. | Offshore methods of hydraulically fracturing and recovering hydrocarbons |
| RU2524509C1 (ru) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
| US8981564B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-03-17 | Invensas Corporation | Metal PVD-free conducting structures |
| WO2016049362A2 (en) | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Melior Innovations, Inc. | High purity polysilocarb derived silicon carbide materials, applications and processes |
-
2015
- 2015-09-24 WO PCT/US2015/052038 patent/WO2016049362A2/en active Application Filing
- 2015-09-24 CN CN201580063896.0A patent/CN107108234B/zh active Active
- 2015-09-24 RU RU2017114129A patent/RU2707772C2/ru active
- 2015-09-24 EP EP15843769.9A patent/EP3197847B1/en active Active
- 2015-09-24 CN CN201580063973.2A patent/CN107001152A/zh active Pending
- 2015-09-24 JP JP2017536220A patent/JP6784679B2/ja active Active
- 2015-09-24 CA CA2962602A patent/CA2962602C/en active Active
- 2015-09-24 KR KR1020177011175A patent/KR102267106B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 EP EP20207926.5A patent/EP3838866A1/en active Pending
- 2015-09-24 CA CA3199812A patent/CA3199812A1/en active Pending
- 2015-09-24 KR KR1020217017944A patent/KR102465014B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 WO PCT/US2015/051997 patent/WO2016049344A2/en active Application Filing
- 2015-09-24 KR KR1020227038608A patent/KR20220155608A/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 EP EP15844428.1A patent/EP3197845A4/en active Pending
-
2020
- 2020-10-23 JP JP2020177808A patent/JP7196375B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-06 JP JP2022091771A patent/JP7472196B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2021020852A5 (ja) | ||
| US20150218005A1 (en) | Silicon carbide powder and preparation method therefor | |
| CN109851367B (zh) | 一种棒状(Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵纳米粉体及其制备方法 | |
| DE102011005647A1 (de) | Verbundverfahren zur Umstetzung von STC-haltigen und OCS-haltigen Nebenströmen zu wasserstoffhaltigen Chlorsilanen | |
| JP2012240869A5 (ja) | ||
| KR101538021B1 (ko) | 직접탄화법을 이용한 고순도 탄화규소 분말의 합성방법 및 이에 의하여 제조된 고순도 탄화규소 분말 | |
| CN107829048B (zh) | 一种Al-Ni-Y-Ce铝基非晶态合金及其制备方法 | |
| KR101601282B1 (ko) | 탄화규소 분체 제조용 도가니 및 이를 이용한 탄화규소 분체 제조 방법 | |
| KR20150142245A (ko) | 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정 | |
| Anfilogov et al. | Carbothermal synthesis of nanoparticulate silicon carbide in a self-contained protective atmosphere | |
| WO2010050241A1 (ja) | トリクロロシランの製造方法および利用方法 | |
| KR102272431B1 (ko) | 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정 | |
| JP2018048056A (ja) | 炭化物原料の製造方法 | |
| JPS60195099A (ja) | ウイスカ−状窒化珪素の製造法 | |
| CN115491760B (zh) | 一种单晶Hittorf’s磷材料的制备方法 | |
| JPS5860603A (ja) | 六方晶窒化硼素の高純度化方法 | |
| JPS61146797A (ja) | 窒化珪素ならびに炭化珪素の連続的製造方法 | |
| JPH0733290B2 (ja) | 窒化珪素焼結体およびその製造法 | |
| CN114538448B (zh) | 一种二硫化硅及其制备方法 | |
| WO2017079878A1 (zh) | 一种氧化铝、氮化铝复合粉体的制造方法 | |
| KR101459882B1 (ko) | 금속원소를 이용한 실리콘 정제방법 | |
| CN113735096A (zh) | 一种艾奇逊炉芯石墨粉制备超高纯碳粉的方法 | |
| GB968215A (en) | Improvements in and relating to carbonization | |
| JPS61132511A (ja) | ＴｉＢ２粉末の製造方法 | |
| US1740009A (en) | Manufacture of tools of tungsten |