JP2021018304A - 電源回路基板を有する電気機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】バリスタの破片が電気機器の開口部から外部へ飛散することを防止する。【解決手段】電気機器100は、開口部550が設けられた外装100aと、外装の内部に設けられ、商用電源600に接続される基板500、2500と、基板に実装されたバリスタVzと、基板に実装されたヒートシンクH3、H4、H5と、を備え、バリスタの中心に頂点Pを有し、バリスタの電極72、73に直交する方向に高さを有し、所定の立体角θを有する円錐形の範囲ARが開口部に交差しないように、ヒートシンクの少なくとも一部は、バリスタと開口部との間に配置されている。【選択図】図5
Description
本発明は、バリスタが実装された電源回路基板を有する電気機器に関する。
画像形成装置の低圧電源等の電源回路基板には、雷サージや過大な電圧サージ等から基板上の回路を保護する目的で、バリスタに代表されるようなサージ吸収特性を持った電子部品が設けられている。このようなサージ吸収を目的とした電子部品は、異常電圧の印加が度重なるようなレアケースにおいては次第に劣化して部品の飛散を伴う故障を起こす場合がある。部品の飛散を伴う故障を起こすような最終段階まで電子部品の劣化が進むことは極めて稀ではあるものの、部品の飛散を想定しておく必要がある。一方、画像形成装置に用いられる電源回路基板の周辺には、発熱部品が集中するため、冷却用の開口部(ルーバー)が設けられることが多い。すなわち、冷却用の開口部とバリスタは隣接する場合が多いので、破損した電子部品の破片が風路を通って開口部から装置の外に出るケースを確実に回避することが求められる。
破損した電子部品の破片が風路を通って開口部から装置の外に出るケースを回避するための技術は、大きく2つに分かれる。1つは、バリスタと開口部の距離を遠ざける方法である。もう1つはバリスタの破片が外部へ飛散することを直接的に防止する方法である。後者の従来技術として、特許文献1は、一面が開放された金属ケースでバリスタを覆うことを開示している。また、後者の別の従来技術として、目隠し構造のルーバーや、穴の細かいルーバーを用いる方法がある。図7は、バリスタの飛散を防ぐ従来の画像形成装置1100の断面図である。従来の画像形成装置1100は、バリスタが実装された電源回路基板3500と、吸気用の開口部として通気ルートが入り組んだ目隠し構造の吸気ルーバー111と、冷却ファン113と、排気用の開口部として穴の細かい排気ルーバー112が設けられている。目隠し構造の吸気ルーバー111及び穴の細かい排気ルーバー112は、バリスタの飛散した破片が画像形成装置1100の外部へ出ることを防止する。
しかし、バリスタと開口部の距離を遠ざける方法では、バリスタを実装する位置が制約され、画像形成装置の大型化につながる。特許文献1に開示されているように金属ケースで素子を覆う場合も、電源回路基板上におけるバリスタの専有面積がケースの分だけ広くなるため電源回路基板自体が大きくなり、画像形成装置の小型化の妨げとなる。また、図7に示すような目隠し構造の吸気ルーバー111及び穴の細かい排気ルーバー112の場合、通気性が損なわれ、電源回路基板の冷却に関して不利になる。特に、図7に示すように冷却ファン113が吸気ルーバー111から遠く離れている場合、通気性が低い吸気ルーバー111のために、画像形成装置1100の外部から内部へ引き込まれる空気の量が低下する。そのため、別の冷却ファンを追加したり大型の冷却ファンを設けたりする必要があり、画像形成装置1100の大型化につながる。
そこで、本発明は、電気機器を大型化することなく、バリスタが故障した際にバリスタの破片が電気機器の開口部から外部へ飛散することを防止する。
本発明の一実施例による電気機器は、
開口部が設けられた外装と、
前記外装の内部に設けられ、商用電源に接続される基板と、
前記基板に実装されたバリスタと、
前記基板に実装されたヒートシンクと、
を備え、
前記バリスタの中心に頂点を有し、前記バリスタの電極に直交する方向に高さを有し、所定の立体角を有する円錐形の範囲が前記開口部に交差しないように、前記ヒートシンクの少なくとも一部は、前記バリスタと前記開口部との間に配置されていることを特徴とする。
開口部が設けられた外装と、
前記外装の内部に設けられ、商用電源に接続される基板と、
前記基板に実装されたバリスタと、
前記基板に実装されたヒートシンクと、
を備え、
前記バリスタの中心に頂点を有し、前記バリスタの電極に直交する方向に高さを有し、所定の立体角を有する円錐形の範囲が前記開口部に交差しないように、前記ヒートシンクの少なくとも一部は、前記バリスタと前記開口部との間に配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、電気機器を大型化することなく、バリスタが故障した際にバリスタの破片が電気機器の開口部から外部へ飛散することを防止することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。
(画像形成装置)
以下、電気機器の一例として画像形成装置100を用いて実施例1を説明する。画像形成装置100は、記録媒体(以下、転写材という)Sに画像を形成する。図1は、画像形成装置100の断面図である。以下の説明において、画像形成装置100の下から上へ向かう鉛直方向をZ方向と定義し、画像形成装置100の左から右へ向かう水平方向をY方向と定義し、画像形成装置100の前側から後ろ側へ向かう水平方向をX方向と定義する。画像形成装置100は、電子写真方式を用いて転写材Sにカラー画像を形成するフルカラープリンタである。しかし、画像形成装置100は、フルカラープリンタに限定されるものではなく、例えば、電子写真複写機、カラーLEDプリンタ、MFP(複合機)、ファクシミリ装置又は印刷機であってもよい。画像形成装置100は、カラー画像を形成するカラー画像形成装置に限らず、モノクロ画像を形成するモノクロ画像形成装置であってもよい。画像形成方法は、電子写真方式に限らず、静電記録方式、インクジェット方式などであってもよい。画像形成装置100は、イエローの画像を形成する画像形成部1Yと、マゼンタの画像形成部1Mと、シアンの画像形成部1Cと、ブラックの画像形成部1Kの4つの画像形成部(画像形成ユニット)を備えている。これら4つの画像形成部1Y、1M、1C、1Kは、一定の間隔で一列に配置されている。
以下、電気機器の一例として画像形成装置100を用いて実施例1を説明する。画像形成装置100は、記録媒体(以下、転写材という)Sに画像を形成する。図1は、画像形成装置100の断面図である。以下の説明において、画像形成装置100の下から上へ向かう鉛直方向をZ方向と定義し、画像形成装置100の左から右へ向かう水平方向をY方向と定義し、画像形成装置100の前側から後ろ側へ向かう水平方向をX方向と定義する。画像形成装置100は、電子写真方式を用いて転写材Sにカラー画像を形成するフルカラープリンタである。しかし、画像形成装置100は、フルカラープリンタに限定されるものではなく、例えば、電子写真複写機、カラーLEDプリンタ、MFP(複合機)、ファクシミリ装置又は印刷機であってもよい。画像形成装置100は、カラー画像を形成するカラー画像形成装置に限らず、モノクロ画像を形成するモノクロ画像形成装置であってもよい。画像形成方法は、電子写真方式に限らず、静電記録方式、インクジェット方式などであってもよい。画像形成装置100は、イエローの画像を形成する画像形成部1Yと、マゼンタの画像形成部1Mと、シアンの画像形成部1Cと、ブラックの画像形成部1Kの4つの画像形成部(画像形成ユニット)を備えている。これら4つの画像形成部1Y、1M、1C、1Kは、一定の間隔で一列に配置されている。
画像形成部1Y、1M、1C、1Kには、それぞれ像担持体としてのドラム型の電子写真感光体(以下、感光ドラムという)2Y、2M、2C、2Kが設置されている。各感光ドラム2Y、2M、2C、2Kの周囲には、一次帯電器3Y、3M、3C、3K、現像装置4Y、4M、4C、4K、転写手段としての転写ローラ5Y、5M、5C、5K、ドラムクリーナ装置6Y、6M、6C、6Kがそれぞれ配置されている。一次帯電器3Y、3M、3C、3Kと現像装置4Y、4M、4C、4Kとの間の下方には、レーザー露光装置7が設置されている。
現像装置4Y、4M、4C、4Kには、それぞれイエロートナー、マゼンタトナー、シアントナー、ブラックトナーが収納されている。各感光ドラム2Y、2M、2C、2Kは、アルミニウム製のドラム基体上に有機光導電層を有する負帯電の有機光導電体(OPC感光体)であり、駆動装置(不図示)によって矢印方向(図1における時計回り方向)に所定のプロセススピードで回転される。一次帯電手段としての一次帯電器3Y、3M、3C、3Kは、帯電バイアス電源(不図示)から印加される帯電バイアスによって各感光ドラム2Y、2M、2C、2Kの表面を負極性の所定電位に均一に帯電する。現像装置4Y、4M、4C、4Kは、各感光ドラム2Y、2M、2C、2K上に形成される各静電潜像に各色のトナーを付着させてトナー像として現像(可視像化)する。一次転写手段としての転写ローラ5Y、5M、5C、5Kは、一次転写部32Y、32M、32C、32Kで中間転写ベルト8を介して感光ドラム2Y、2M、2C、2Kに当接可能に配置されている。ドラムクリーナ装置6Y、6M、6C、6Kは、一次転写後に感光ドラム2上に残留した転写残トナーを、感光ドラム2から除去するためのクリーニングブレード等を有する。
中間転写ベルト8は、感光ドラム2Y、2M、2C、2Kの上面側に配置されている。中間転写ベルト8は、二次転写部34側に配置されて中間転写ベルト8に駆動力を付与する二次転写対向ローラ10と一次転写部32Y〜32Kを挟んで対向側に配置され中間転写ベルト8に張力を付与するテンションローラ11とによって張架されている。二次転写対向ローラ10は、二次転写部34において、中間転写ベルト8を介して二次転写ローラ12と当接可能に配置されている。中間転写ベルト8は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム、ポリフッ化ビニリデン樹脂フィルム等のような誘電体樹脂によって構成されている。中間転写ベルト8は、感光ドラム2Y、2M、2C、2Kの上面に対して移動可能に対向配置されて感光ドラム2との対向面側に形成された一次転写面としての下部平面8aを、二次転写部34側が下方となるように傾斜して配置されている。
二次転写対向ローラ10は、二次転写部34にて中間転写ベルト8を介して二次転写ローラ12と当接可能に配置されている。また、無端状の中間転写ベルト8の外側で、テンションローラ11の近傍には、中間転写ベルト8の表面に残った転写残トナーを除去して回収するベルトクリーニング装置13が設置されている。また、二次転写部34よりも転写材Sの搬送方向の下流側には、定着装置16が縦パス構成で配置されている。レーザー露光装置7は、与えられる画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応した発光を行うレーザー光源、ポリゴンミラー及び反射ミラーから構成される。レーザー露光装置7は、各感光ドラム2Y、2M、2C、2Kに露光をすることによって、各一次帯電器3Y、3M、3C、3Kで帯電された各感光ドラム2Y、2M、2C、2Kの表面に画像情報に応じた各色の静電潜像を形成する。
次に、画像形成装置100による画像形成動作を説明する。画像形成開始信号が発せられると、所定のプロセススピードで回転される感光ドラム2Y、2M、2C、2Kは、それぞれ一次帯電器3Y、3M、3C、3Kによって一様に負極性に帯電される。そして、レーザー露光装置7は、外部から入力される色分解された画像信号に従ってレーザー発光素子からレーザー光を出射する。レーザー光は、ポリゴンミラー及び反射ミラーを経由し各感光ドラム2Y、2M、2C、2K上に各色の静電潜像を形成する。
そして、まず感光ドラム2Y上に形成された静電潜像に、感光ドラム2Yの帯電極性(負極性)と同極性の現像バイアスが印加された現像装置4Yによって、イエローのトナーを付着させてトナー像として可視像化する。イエローのトナー像は、感光ドラム2Yと転写ローラ5Yとの間の一次転写部32Yにて、一次転写バイアス(トナーと逆極性(正極性))が印加された転写ローラ5Yによって、回転する中間転写ベルト8上に転写される。
イエローのトナー像が転写された中間転写ベルト8は、画像形成部1Mへ移動される。そして、画像形成部1Mにおいても、同様にして、感光ドラム2Mに形成されたマゼンタのトナー像が、中間転写ベルト8上のイエローのトナー像上に重ね合わせて、一次転写部32Mにて転写される。この時、各感光ドラム2Y、2M、2C、2K上に残留した転写残トナーは、ドラムクリーナ装置6Y、6M、6C、6Kに設けられたクリーナブレードによって掻き落とされ、回収される。以下、同様にして、中間転写ベルト8上に重畳転写されたイエロー、マゼンタのトナー像上に画像形成部1C、1Kの感光ドラム2C、2K上に形成されたシアン、ブラックのトナー像を一次転写部32C、32Kにて順次重ね合わせる。このようにして、フルカラーのトナー像が中間転写ベルト8上に形成される。
転写材(用紙)Sは、給送カセット17から搬送パス18を通してレジストレーションローラ19へ搬送される。中間転写ベルト8上のフルカラーのトナー像先端が、二次転写対向ローラ10と二次転写ローラ12間の二次転写部34へ移動されるタイミングに合わせて、転写材Sは、レジストレーションローラ19によって二次転写部34へ搬送される。中間転写ベルト8上のフルカラーのトナー像は、二次転写バイアス(トナーと逆極性(正極性))が印加された二次転写ローラ12によって、二次転写部34へ搬送された転写材Sへ一括して転写される。
フルカラーのトナー像が形成された転写材Sは、定着装置16へ搬送されて、フルカラーのトナー像が加熱及び加圧されて転写材Sの表面に熱定着された後、排出ローラ21によって本体上面の排出トレイ22上に排出され、一連の画像形成動作を終了する。なお、中間転写ベルト8上に残った二次転写残トナーは、ベルトクリーニング装置13によって除去されて回収される。以上が片面画像形成時の画像形成動作である。
続いて、画像形成装置100による両面画像形成動作を説明する。両面画像形成動作において、片面に画像が形成された転写材Sが定着装置16へ搬送されるところまでは、片面画像形成動作と同様である。フルカラーのトナー像が加熱及び加圧されて転写材Sの表面に熱定着された後、排出ローラ21によって本体上面の排出トレイ22上へ転写材Sの大部分が排出された状態で、排出ローラ21の回転を停止する。その際、転写材Sの後端位置が反転可能位置42に到達するように、転写材Sが停止される。
つづいて、排出ローラ21が通常の回転方向と反対の回転方向へ逆回転されることによって、転写材Sは、両面ローラ40、41を備えた両面パス23へ搬送される。排出ローラ21が逆回転されることによって、転写材Sは、反転可能位置42に位置していた転写材Sの後端を先端として両面ローラ40へ搬送される。その後、両面ローラ40によって転写材Sが両面ローラ41へ搬送され、両面ローラ40、41によってレジストレーションローラ19へ向かって転写材Sが搬送される。その間に画像形成開始信号が発生され、片面画像形成時と同様、中間転写ベルト8上のフルカラーのトナー像先端が、二次転写対向ローラ10と二次転写ローラ12の間の二次転写部34へ移動される。レジストレーションローラ19は、中間転写ベルト8上のフルカラーのトナー像先端が二次転写部34へ移動されるタイミングに合わせて、転写材Sを二次転写部34へ搬送する。二次転写部34にてトナー像先端と転写材Sの先端を一致させ、転写材Sへトナー像が転写されると、片面画像形成動作と同様に、定着装置16によって転写材S上のトナー像が定着される。両面に画像が形成された転写材Sは、排出ローラ21によって排出トレイ22上へ排出されて、一連の両面画像形成動作を終了する。
(基本制御部)
図2は、画像形成装置100の制御システムのブロック図である。電源回路基板500は、定着駆動回路部502及び制御用電源部503から構成される。電源回路基板500は、一般的なコネクタであるAC入力部501を介して商用電源600に接続される。AC入力部501は、定着駆動回路部502及び制御用電源部503に電気的に接続されている。定着駆動回路部502は、定着装置コネクタ504を介して定着装置16に電気的に接続されている。定着駆動回路部502は、定着装置16を駆動させるための回路を備えており、主にAC電源を制御する。制御用電源部503は、制御装置コネクタ505を介して基本制御部110に電気的に接続されている。制御用電源部503は、基本制御部110のCPU171、アナログI/F180、転写材Sの位置を検知するセンサ(不図示)へ制御装置コネクタ505を介して比較的低い電圧レベル(一般的に3.3V〜5V)の制御用DC電源を供給する。制御用電源部503は、モータやクラッチ等の駆動負荷(不図示)へ制御装置コネクタ505を介して比較的高い電圧レベル(一般的に24V)の負荷用DC電源(電力)を供給する。
図2は、画像形成装置100の制御システムのブロック図である。電源回路基板500は、定着駆動回路部502及び制御用電源部503から構成される。電源回路基板500は、一般的なコネクタであるAC入力部501を介して商用電源600に接続される。AC入力部501は、定着駆動回路部502及び制御用電源部503に電気的に接続されている。定着駆動回路部502は、定着装置コネクタ504を介して定着装置16に電気的に接続されている。定着駆動回路部502は、定着装置16を駆動させるための回路を備えており、主にAC電源を制御する。制御用電源部503は、制御装置コネクタ505を介して基本制御部110に電気的に接続されている。制御用電源部503は、基本制御部110のCPU171、アナログI/F180、転写材Sの位置を検知するセンサ(不図示)へ制御装置コネクタ505を介して比較的低い電圧レベル(一般的に3.3V〜5V)の制御用DC電源を供給する。制御用電源部503は、モータやクラッチ等の駆動負荷(不図示)へ制御装置コネクタ505を介して比較的高い電圧レベル(一般的に24V)の負荷用DC電源(電力)を供給する。
画像形成装置100は、CPU171を含む基本制御部110を有する。CPU171は、ROM174、RAM175、不揮発性メモリ176、I/Oポート173及びアナログI/F180にアドレスバス及びデータバスによって接続されている。ROM174は、制御プログラムを保存している。RAM175は、制御を行うために必要なデータを保存する。不揮発性メモリ176は、画像形成装置100の電源回路基板500がOFFされてもデータを保存することができる。I/Oポート173は、モータ及びクラッチ等の駆動負荷(不図示)、転写材Sの位置を検知するセンサ(不図示)及び定着装置16に接続されている。
CPU171は、ROM174に保存された制御プログラムに従ってI/Oポート173を介して順次入出力の制御を行い、画像形成動作を実行する。CPU171は、操作部172に電気的に接続されている。CPU171は、操作部172の表示手段及びキー入力手段を制御する。操作者は、キー入力手段を通して、画像形成動作モードの切り替え及び表示手段の表示画面の切り替えをCPU171へ指示することができる。CPU171は、画像形成装置100の状態及びキー入力手段によって設定される画像形成動作モードの値を表示手段に表示させる。CPU171は、外部I/F処理部400、画像メモリ部300及び画像形成制御部200に電気的に接続されている。外部I/F処理部400は、PC等の外部機器とCPU171の間で画像データ及び処理データを送受信する。画像メモリ部300は、画像の伸張処理及び画像データの一時的蓄積処理を行う。画像形成制御部200は、画像メモリ部300から転送されたライン画像データを処理する。画像形成制御部200は、レーザー露光装置7に電気的に接続されている。レーザー露光装置7は、画像形成制御部200によって処理された画像データに従って感光ドラム2を露光する。
(バリスタ)
電源回路基板500には、円板型のバリスタVzが設けられている。バリスタVzは、電源回路基板500及び基本制御部110を雷サージや過大な電圧サージ等の突発的な高電圧から保護するためのサージ吸収特性を有する電子部品である。図3は、バリスタVzの説明図である。図3(a)は、YZ平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。図3(b)は、XZ平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。バリスタVzは、半導体セラミックス71、電極72、73、リード線74、75及び外装76とからなる。半導体セラミックス71は、非直線性抵抗特性を有する。二つの電極72、73は、半導体セラミックス71を挟むように設けられている。リード線74、75は、二つの電極72、73のそれぞれにはんだ付けされている。外装76は、半導体セラミックス71及び電極72、73を覆う。バリスタVzは、二つのリード線74、75間の電圧が低い時に電気抵抗が高く、ある程度以上に電圧が高くなると急激に電気抵抗が低くなる性質を有する。
電源回路基板500には、円板型のバリスタVzが設けられている。バリスタVzは、電源回路基板500及び基本制御部110を雷サージや過大な電圧サージ等の突発的な高電圧から保護するためのサージ吸収特性を有する電子部品である。図3は、バリスタVzの説明図である。図3(a)は、YZ平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。図3(b)は、XZ平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。バリスタVzは、半導体セラミックス71、電極72、73、リード線74、75及び外装76とからなる。半導体セラミックス71は、非直線性抵抗特性を有する。二つの電極72、73は、半導体セラミックス71を挟むように設けられている。リード線74、75は、二つの電極72、73のそれぞれにはんだ付けされている。外装76は、半導体セラミックス71及び電極72、73を覆う。バリスタVzは、二つのリード線74、75間の電圧が低い時に電気抵抗が高く、ある程度以上に電圧が高くなると急激に電気抵抗が低くなる性質を有する。
バリスタVzは、故障すると、バリスタVzの半導体セラミックス71、電極72、73、リード線(端子)74、75、外装76等の部品が飛散することがある。図3(c)、図3(d)及び図3(e)は、バリスタVzの部品の飛散を伴う故障時に部品が飛散する方向と範囲ARを示す図である。図3(c)は、XZ平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。図3(d)は、バリスタVzからの距離LxでYZ平面に平行な平面内の円形の範囲ARを示す図である。図3(e)は、XY平面に平行な平面におけるバリスタVzの断面図である。本実施例において、バリスタVzは、円形状の電極72、73の面がYZ平面に平行に配置され、リード線74、75がZ軸方向に平行に延在している。
前述したように、バリスタVzは、異常電圧の印加が度重なるようなレアケースにおいて部品の飛散を伴う故障を起こすことがある。図3(c)に示すXZ平面において、バリスタVzの破片は、実験的に、バリスタVzの略中心を頂点Pとし、円形状の電極72、73に直交するX軸方向に高さを有し、立体角θを有する範囲AR内に飛散することがわかっている。図3(e)に示すXY平面においても、バリスタVz破片は、実験的に、バリスタVzの略中心を頂点Pとし、円形状の電極72、73に直交するX軸方向に高さを有し、立体角θを有する範囲AR内に飛散することがわかっている。すなわち、バリスタVzの略中心を頂点Pとし、X軸方向に高さを有し、立体角θを有する円錐形状の空間の範囲AR内に破片が飛散する。このため、例えば、図3(d)に示すように、バリスタVzからの距離LxでYZ平面に平行な平面内においては、半径Lx×tan(θ/2)の円の範囲AR内に破片が飛散する。
(参考例の電源回路基板)
以下、図4を参照して参考例の電源回路基板1500を説明する。図4は、画像形成装置100に設けられた参考例の電源回路基板1500の断面図である。図4は、図1の画像形成装置100においてY方向におけるレーザー露光装置7の左側に配置された参考例の電源回路基板1500の一部の実装部品と冷却部品としての冷却ファン540の位置関係を示すXY平面に平行な平面における断面図である。
以下、図4を参照して参考例の電源回路基板1500を説明する。図4は、画像形成装置100に設けられた参考例の電源回路基板1500の断面図である。図4は、図1の画像形成装置100においてY方向におけるレーザー露光装置7の左側に配置された参考例の電源回路基板1500の一部の実装部品と冷却部品としての冷却ファン540の位置関係を示すXY平面に平行な平面における断面図である。
電源回路基板1500は、一般的なコネクタとしてのAC入力部501を介して商用電源600(図2)に接続されている。電源回路基板1500には、パターンP_H及びパターンP_Nが形成されている。パターンP_Hは、AC入力部501を介して商用電源600のH(ホット)端子(L(ライブ)端子)に接続されている。パターンP_Nは、AC入力部501を介して商用電源600のN(ニュートラル)端子(コールド端子)に接続されている。AC入力部501から下流へ向かって、バリスタVz及びフィルタ回路510の順で、パターンP_H及びパターンP_Nに電気的に接続されている。パターンP_H及びパターンP_Nは、フィルタ回路510の下流で分岐している。パターンP_H及びパターンP_Nのそれぞれの一方の分岐は、制御用電源部503に接続され、更に制御装置コネクタ505を介して基本制御部110に電気的に接続されている。パターンP_H及びパターンP_Nのそれぞれの他方の分岐は、定着駆動回路部502に接続され、更に定着装置コネクタ504を介して定着装置16に電気的に接続されている。
定着駆動回路部502は、定着装置16の温度を制御するために使用されるゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2を有する。ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2は、定着装置16へ供給される電流を制御するためにOFF/ONを頻繁に繰り返しているので、スイッチングロスによる発熱量が大きい。そのため、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2に放熱用のヒートシンクH1、H2がそれぞれ密着して配置され、ヒートシンクH1、H2によってゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2の放熱性を向上させている。これによって、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2の温度が上がることを抑えている。ヒートシンクH1、H2は、その表面積が大きいほど放熱効果が高まるので、比較的大きい部品である。
また、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2は、冷却ファン540の近傍に配置され、冷却ファン540からの空気が当てられることによって、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2の放熱効果が高められている。冷却ファン540は、電源回路基板1500の奥側に配置され、画像形成装置100の内部の暖められた空気を画像形成装置100の外装100aに設けられた開口部550を通して画像形成装置100の外側へ排出する。冷却ファン540の回転によって、画像形成装置100の奥側の外装(不図示)に設けられた開口部(不図示)から吸気された外気が、冷却ファン540、電源回路基板1500及び開口部550を通して流れる。この空気の流れによって電源回路基板1500が冷却される。
このように、一般的に、電源回路基板1500の近傍に、冷却用の風路として開口部550が設けられる。つまり、電源回路基板1500に実装されているバリスタVzの近傍に空気を流通させる風路となる開口部550が配置される場合が多い。バリスタVzが部品の飛散を伴う故障をした場合、図3(c)、図3(d)及び図3(e)に示すようにバリスタVzの中心を頂点PとしてX軸の正方向(所定の方向)へ立体角θで破片が飛散する。バリスタVzの破片は、図4の矢印で示す方向へ飛散する。バリスタVzの破片が飛散する円錐形状の範囲ARは、開口部550に交差する。このため、飛散した破片の大きさによっては、開口部550を通って画像形成装置100の外部へ出る懸念がある。
(実施例1の電源回路基板)
そこで、実施例1の電源回路基板500は、バリスタVzの破片が開口部550を通って画像形成装置100の外部へ出ることを防止する。以下、図5を参照して、実施例1の電源回路基板500を説明する。図5は、画像形成装置100に設けられた実施例1の電源回路基板500の断面図である。図4に示す参考例と同様の構成には同様の参照符号を付して説明を省略する。実施例1の電源回路基板500の電気的な接続は、図4に示す参考例の電源回路基板1500と同様であるので説明を省略する。実施例1の電源回路基板500は、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2およびヒートシンクH3の配置が参考例の電源回路基板1500と異なる。以下、異なる点を主に説明する。
そこで、実施例1の電源回路基板500は、バリスタVzの破片が開口部550を通って画像形成装置100の外部へ出ることを防止する。以下、図5を参照して、実施例1の電源回路基板500を説明する。図5は、画像形成装置100に設けられた実施例1の電源回路基板500の断面図である。図4に示す参考例と同様の構成には同様の参照符号を付して説明を省略する。実施例1の電源回路基板500の電気的な接続は、図4に示す参考例の電源回路基板1500と同様であるので説明を省略する。実施例1の電源回路基板500は、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2およびヒートシンクH3の配置が参考例の電源回路基板1500と異なる。以下、異なる点を主に説明する。
図5(a)は、実施例1の電源回路基板500の実装部品の一部と冷却部品としての冷却ファン540の位置関係を示すXY平面に平行な平面における電源回路基板500の断面図である。図5(b)は、図5(a)のVB−VB線における電源回路基板500の断面図である。図5(c)は、YZ平面に平行な平面における電源回路基板500の断面図である。なお、図5(c)は、Y軸の正方向における電源回路基板500の長さを省略している。開口部550は、バリスタVzの電極72、73に平行な方向に外装100aに設けられている。
図5(a)、図5(b)及び図5(c)に示すように、ヒートシンクH3は、バリスタVzを覆うように配置されている。バリスタVzの破片が飛散する円錐形の範囲ARが開口部550と交差しないように、ヒートシンクH3は、バリスタVzを覆っている。ヒートシンクH3は、YZ平面に平行な二つの側壁H3a、H3bと、二つの側壁H3a、H3bを接続する頂壁H3cと、を備える。ヒートシンクH3は、全体的にY軸方向に延在する細長い形状を有する。ヒートシンクH3は、XZ平面に平行な断面において下方に開いたコの字形状を有する。ヒートシンクH3の側壁H3bには、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2が密着して配置されている。ヒートシンクH3の少なくとも一部としての側壁H3aは、バリスタVzと開口部550の間に配置されている。
ヒートシンクH3とバリスタVzの位置関係を説明する。バリスタVzの中心のX軸、Y軸及びZ軸の座標をLx_vz、Ly_vz及びLz_vzとする。ヒートシンクH3の側壁H3aとバリスタVzの中心との距離をLx_h1とする。ヒートシンクH3の側壁H3bとバリスタVzの中心との距離をLx_h2とする。Y軸方向におけるヒートシンクH3の前側端部(Y座標の上端部)の座標をLy_h1tとし、奥側端部(Y座標の下端部)をLy_h1bとする。Z軸方向におけるヒートシンクH3の上側端部(Z座標の上端部)の座標をLz_h1tとし、下側端部(Z座標の下端部)の座標をLz_h1bとする。
例えば、選択されるヒートシンクH3の側壁H3aのサイズは、バリスタVzの中心のY軸の座標Ly_vz並びにZ軸の座標Lz_vz及び側壁H3aとバリスタVzの中心との距離Lx_h1が以下の関係式を満たすように設定される。
Ly_vz+Lx_h1×tan(θ/2)<Ly_h1t
Ly_vz−Lx_h1×tan(θ/2)>Ly_h1b
Lz_vz+Lx_h1×tan(θ/2)<Lz_h1t
Lz_vz−Lx_h1×tan(θ/2)>Lz_h1b
Ly_vz−Lx_h1×tan(θ/2)>Ly_h1b
Lz_vz+Lx_h1×tan(θ/2)<Lz_h1t
Lz_vz−Lx_h1×tan(θ/2)>Lz_h1b
上記の関係式が満たされる場合、ヒートシンクH3の側壁H3aは、バリスタVzの破片が飛散する立体角θを有する円錐形の範囲ARの底面の全面を覆うことができる。
また、選択されるヒートシンクH3の側壁H3bのサイズは、バリスタVzの中心のY軸の座標Ly_vz及びZ軸の座標Lz_vz及び側壁H3bとバリスタVzの中心との距離Lx_h2が以下の関係式を満たすように設定される。
Ly_vz+Lx_h2×tan(θ/2)<Ly_h1t
Ly_vz−Lx_h2×tan(θ/2)>Ly_h1b
Lz_vz+Lx_h2×tan(θ/2)<Lz_h1t
Lz_vz−Lx_h2×tan(θ/2)>Lz_h1b
Ly_vz−Lx_h2×tan(θ/2)>Ly_h1b
Lz_vz+Lx_h2×tan(θ/2)<Lz_h1t
Lz_vz−Lx_h2×tan(θ/2)>Lz_h1b
上記の関係式が満たされる場合、ヒートシンクH3の側壁H3bは、バリスタVzの破片が飛散する立体角θを有する円錐形の範囲ARの底面の全面を覆うことができる。なお、バリスタVzが飛散する立体角θは、耐電圧や製造業者によって差があるものの、実験的に、最大で120°程度であった。所定の立体角θは、120°以下に設定されるとよい。
バリスタVzとヒートシンクH3の位置関係の一例を以下に示す。
Lx_h1=5mm
θ=120°
この例の場合、Lx_h1×tan(θ/2)≒8.66である。
上記式は、以下のようになる。
Ly_vz>Ly_h1b+8.66mm
Lz_vz>Lz_h1b+8.66mm
本実施例においては、以下のように設定する。
Ly_vz=Ly_h1b+10mm
Lz_vz=Lz_h1b+12.5mm
本実施例においては、バリスタVzの破片の飛散を防止するために上記式を満たすヒートシンクH3のサイズを以下のように設定する。
Ly_h1t-Ly_h1b=20mm
Lz_h1t-Lz_h1b=25mm
Lx_h1=5mm
θ=120°
この例の場合、Lx_h1×tan(θ/2)≒8.66である。
上記式は、以下のようになる。
Ly_vz>Ly_h1b+8.66mm
Lz_vz>Lz_h1b+8.66mm
本実施例においては、以下のように設定する。
Ly_vz=Ly_h1b+10mm
Lz_vz=Lz_h1b+12.5mm
本実施例においては、バリスタVzの破片の飛散を防止するために上記式を満たすヒートシンクH3のサイズを以下のように設定する。
Ly_h1t-Ly_h1b=20mm
Lz_h1t-Lz_h1b=25mm
なお、実施例1においては、X軸の正方向へバリスタVzの破片が飛散する立体角θの円錐形の範囲ARの底面の全面(立体角θの全域)がヒートシンクH3によって覆われる。しかし、前述したようにバリスタVzの破片が飛散する円錐形の範囲ARが開口部550に交差しないようにバリスタVzが配置されている場合、円錐形の範囲ARの底面の全面が必ずしもヒートシンクH3によって覆われる必要性はない。ヒートシンクH3は、円錐形の範囲ARのうちの開口部550に交差する部分を覆うように配置されていればよい。ただし、画像形成装置100の外装100aと別の外装のつなぎ合わせの部分に意図せず発生する微小な隙間(開口部)からバリスタVzの破片が飛散する可能性も考えられる。このような可能性を考慮すると、実施例1のように、ヒートシンクH3が立体角θの全域を覆うことによってバリスタVzの破片が飛散する範囲ARを制限することが望ましい。
実施例1によれば、画像形成装置100を大型化することなく、バリスタVzが故障した際にバリスタVzの破片が画像形成装置100の開口部550から外部へ飛散を防止することを防止できる。また、ヒートシンクH3の表面積が制限されないので、ヒートシンクH3によるゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2の放熱効果を維持することができる。
以下、図6を参照して、実施例2を説明する。実施例2において、実施例1と同様の構造には、同様の参照符号を付して説明を省略する。実施例2の画像形成装置100は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
(実施例2の電源回路基板)
以下、図6を参照して、実施例2の電源回路基板2500を説明する。図6は、画像形成装置100に設けられた実施例2の電源回路基板2500の断面図である。図4に示す参考例と同様の構成には同様の参照符号を付して説明を省略する。実施例2の電源回路基板2500の電気的な接続は、図4に示す参考例の電源回路基板1500と同様であるので説明を省略する。実施例2の電源回路基板2500は、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2およびヒートシンクH4、H5の配置が実施例1の電源回路基板500と異なる。以下、異なる点を主に説明する。
以下、図6を参照して、実施例2の電源回路基板2500を説明する。図6は、画像形成装置100に設けられた実施例2の電源回路基板2500の断面図である。図4に示す参考例と同様の構成には同様の参照符号を付して説明を省略する。実施例2の電源回路基板2500の電気的な接続は、図4に示す参考例の電源回路基板1500と同様であるので説明を省略する。実施例2の電源回路基板2500は、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2およびヒートシンクH4、H5の配置が実施例1の電源回路基板500と異なる。以下、異なる点を主に説明する。
図6(a)は、実施例2の電源回路基板2500の実装部品の一部と冷却部品としての冷却ファン540の位置関係を示すXY平面に平行な平面における電源回路基板2500の断面図である。図6(b)は、図6(a)のVIB−VIB線における電源回路基板2500の断面図である。図6(c)は、YZ平面に平行な平面における電源回路基板2500の断面図である。なお、図6(c)は、Y軸の正方向における電源回路基板2500の長さを省略している。開口部550は、バリスタVzの電極72、73に平行な方向に外装100aに設けられている。
図6(a)、図6(b)及び図6(c)に示すように、電源回路基板2500には、二つのヒートシンクH4、H5が設けられている。ヒートシンクH4及びH5のそれぞれは、YZ平面に平行な矩形状を有しており、Y軸方向に延在する細長い形状を有する。ヒートシンクH4及びH5は、ゲート制御式半導体スイッチQ1及びQ2にそれぞれ密接して配置されている。ヒートシンクH4及びH5は、バリスタVzを覆うように配置されている。バリスタVzの破片が飛散する円錐形の範囲ARが開口部550と交差しないように、ヒートシンクH4は、円錐形の全域を覆っている。二つのヒートシンクH4及びH5の少なくとも一部としてのヒートシンクH4は、バリスタVzと開口部550の間に配置されている。
ヒートシンクH4とバリスタVzの位置関係を説明する。バリスタVzの中心のX軸、Y軸及びZ軸の座標は、図5に示す実施例1と同様に、Lx_vz、Ly_vz及びLz_vzとする。ヒートシンクH4とバリスタVzの中心との距離をLx_h4とする。Y軸方向におけるヒートシンクH4の前側端部(Y座標の上端部)の座標をLy_h4tとし、奥側端部(Y座標の下端部)の座標をLy_h4bとする。Z軸方向におけるヒートシンクH4の上側端部(Z座標の上端部)の座標をLz_h4tとし、下側端部(Z座標の下端部)の座標をLz_h4bとする。
例えば、選択されるヒートシンクH4のサイズは、バリスタVzの中心のY軸の座標Ly_vz並びにZ軸の座標Lz_vz及びヒートシンクH4とバリスタVzの中心との距離Lx_h4が以下の関係式を満たすように設定される。
Ly_vz+Lx_h4×tan(θ/2)<Ly_h4t
Ly_vz−Lx_h4×tan(θ/2)>Ly_h4b
Lz_vz+Lx_h4×tan(θ/2)<Lz_h4t
Lz_vz−Lx_h4×tan(θ/2)>Lz_h4b
Ly_vz−Lx_h4×tan(θ/2)>Ly_h4b
Lz_vz+Lx_h4×tan(θ/2)<Lz_h4t
Lz_vz−Lx_h4×tan(θ/2)>Lz_h4b
上記の関係式が満たされる場合、ヒートシンクH4は、バリスタVzの破片が飛散する立体角θを有する円錐形の範囲ARの底面の全面を覆うことができる。
次に、ヒートシンクH5とバリスタVzの位置関係を説明する。ヒートシンクH5とバリスタVzの中心との距離をLx_h5とする。Y軸方向におけるヒートシンクH5の前側端部(Y座標の上端部)の座標をLy_h5tとし、奥側端部(Y座標の下端部)の座標をLy_h5bとする。なお、本実施例において、ヒートシンク5のLy_h5t及びLy_h5bは、ヒートシンク4のLy_h4t及びLy_h4bとそれぞれ同じに設定されているが、異なっていてもよい。Z軸方向におけるヒートシンクH5の上側端部(Z座標の上端部)の座標をLz_h5tとし、下側端部(Z座標の下端部)の座標をLz_h5bとする。なお、本実施例において、ヒートシンク5のLz_h5t及びLz_h5bは、ヒートシンク4のLz_h4t及びLz_h4bとそれぞれ同じに設定されているが、異なっていてもよい。
例えば、選択されるヒートシンクH5のサイズは、バリスタVzの中心のY軸の座標Ly_vz並びにZ軸の座標Lz_vz及びヒートシンクH5とバリスタVzの中心との距離Lx_h5が以下の関係式を満たすように設定される。
Ly_vz+Lx_h5×tan(θ/2)<Ly_h5t
Ly_vz−Lx_h5×tan(θ/2)>Ly_h5b
Lz_vz+Lx_h5×tan(θ/2)<Lz_h5t
Lz_vz−Lx_h5×tan(θ/2)>Lz_h5b
Ly_vz−Lx_h5×tan(θ/2)>Ly_h5b
Lz_vz+Lx_h5×tan(θ/2)<Lz_h5t
Lz_vz−Lx_h5×tan(θ/2)>Lz_h5b
上記の関係式が満たされる場合、ヒートシンクH4及びH5は、バリスタVzの破片が飛散する立体角θを有する円錐形の範囲ARの底面の全面を覆うことができる。これによって、画像形成装置100の外装100aに設けられた開口部550又は外装100aと別の外装のつなぎ合わせの部分に意図せず発生する微小な隙間(開口部)からバリスタVzの破片が外部へ飛散することを防止できる。
なお、実施例1及び実施例2においては、バリスタVzの破片が飛散する立体角θの全域を覆う部品として、ゲート制御式半導体スイッチQ1、Q2の放熱用のヒートシンクH3、H4及びH5を用いた。しかし、これは一例であり、他の部品を放熱するためのヒートシンクを用いても同様の効果を得ることができる。
実施例2によれば、画像形成装置100を大型化することなく、バリスタVzが故障した際にバリスタVzの破片が画像形成装置100の開口部550から外部へ飛散を防止することを防止できる。
72、73・・・電極
100・・・画像形成装置(電気機器)
100a・・・外装
500、2500・・・電源回路基板
550・・・開口部
600・・・商用電源
AR・・・範囲
Vz・・・バリスタ
H3、H4、H5・・・ヒートシンク
P・・・頂点
θ・・・立体角
100・・・画像形成装置(電気機器)
100a・・・外装
500、2500・・・電源回路基板
550・・・開口部
600・・・商用電源
AR・・・範囲
Vz・・・バリスタ
H3、H4、H5・・・ヒートシンク
P・・・頂点
θ・・・立体角
Claims (8)
- 開口部が設けられた外装と、
前記外装の内部に設けられ、商用電源に接続される基板と、
前記基板に実装されたバリスタと、
前記基板に実装されたヒートシンクと、
を備え、
前記バリスタの中心に頂点を有し、前記バリスタの電極に直交する方向に高さを有し、所定の立体角を有する円錐形の範囲が前記開口部に交差しないように、前記ヒートシンクの少なくとも一部は、前記バリスタと前記開口部との間に配置されていることを特徴とする電気機器。 - 開口部が設けられた外装と、
前記外装の内部に設けられ、商用電源に接続される基板と、
前記基板に実装されたバリスタと、
前記基板に実装されたヒートシンクと、
を備え、
前記バリスタの中心に頂点を有し、前記バリスタの電極に直交する方向に高さを有し、所定の立体角を有する円錐形の底面の全面を覆うように、前記ヒートシンクの少なくとも一部は、前記バリスタと前記開口部との間に配置されていることを特徴とする電気機器。 - 前記開口部は、前記外装の前記内部と外部との間で空気を流通させるための風路であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気機器。
- 前記所定の立体角は、120°以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気機器。
- 前記ヒートシンクの前記少なくとも一部は、前記外装と別の外装とのつなぎ合わせの部分に形成される開口部と前記バリスタとの間に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気機器。
- 前記基板に実装されたゲート制御式半導体スイッチを更に備え、
前記ヒートシンクは、前記ゲート制御式半導体スイッチに密着して配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気機器。 - 前記ヒートシンクの前記少なくとも一部は、前記バリスタの前記電極に平行に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気機器。
- 前記電気機器は、記録媒体に画像を形成する画像形成装置であり、
前記基板は、前記画像形成装置の負荷へ電力を供給する電源回路基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気機器。
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