JP2020534662A - Ｏｌｅｄ基板の製造方法及びｏｌｅｄディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 242
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-RNFDNDRNSA-N silver-112 Chemical compound [112Ag] BQCADISMDOOEFD-RNFDNDRNSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
【解決手段】本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供するものであり、これら方法は、ベース基板（２０）を提供するステップと、当該ベース基板上に順次、第１金属層（２１１）、第２金属層（２１２）及び第３金属層（２１３）を形成するステップと、当該ベース基板上にピクセル定義層（２３）を形成するステップと、当該第３金属層上に発光層（２２）を形成するステップと、を含む。ここで、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。【選択図】図３
Description
本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法に関するものである。
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ユニットは有機薄膜電気発光素子であり、簡易な製造工程、低コスト、高発光効率、フレキシブル構造の形成容易性、及び広視野角等の利点を有する。このため、有機発光ダイオードを利用したディスプレイ技術は重要なディスプレイ技術となっている。
現在主流のフラットパネル表示技術である薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＴＦＴ−ＬＣＤ）に比して、アクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ（Ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）は高コントラスト、広視野角、低消費電力、より軽量及び薄型である等の利点を有し、ＬＣＤに継ぐ次世代のフラットパネル表示技術となることが期待されており、現在、フラットパネル表示技術の中で最も注目を集めている技術の１つである。
図１に示すように、従来のトップエミッション型ＡＭＯＬＥＤにおけるバックアノード１１（ａｎｏｄｅ）を作製する際、頂部金属層１１３／銀１１２／底部金属層１１１の構造を採用し、銀１１２をエミッタ層とし、頂部金属層１１３及び底部金属層１１１は物理気相成膜時において同一の成膜パラメータを採用していた。アノード１１にウェットエッチングを施す際、頂部電極のエッチングと、銀のエッチングと、底部金属層のエッチングとに分けられ、合せて３回のエッチングを施していた。ここで、底部金属層のエッチング時において、頂部金属層１１３が再度エッチングされることとなる。このため、頂部金属層１１３の損失が大きくなり、その後蒸着されるＯＬＥＤ有機発光材料１２が銀１１２上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすことがあった。
本発明は、ＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、ＯＬＥＤバックアノードにおける頂部金属層の過度のエッチングによる損失により有機発光材料が直接銀の上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすという問題を解決しようとするものである。
上述の目的を実現するために、本発明の提供する技術案は以下の通りである。
本発明の一態様において、ＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含み、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層を形成する材料はポリイミドであり、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板は薄膜トランジスタ基板である。
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
本発明の他の態様において、ＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含み、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
ステップＳ５０において、前記発光層の表面にカソードを塗布し；及び
ステップＳ６０において、前記カソードの表面に封止薄膜層を形成し、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
本発明のさらなる態様において、ＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含み、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板は薄膜トランジスタ基板である。
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、アノードにおける第１金属層と第３金属層の成膜条件を変更することで、第３金属層のエッチングによる損失を減少させ、蒸着したＯＬＥＤ有機発光材料の全てが第３金属層上に落ちるようになり、以って、ＯＬＥＤの発光特性を大幅に改善させることができる。
実施形態又は既存の技術における技術案をより明確に説明するために、以下において、実施形態又は既存の技術に係る記述で必要とされる添付の図面を簡単に紹介する。明らかに、以下に記載の添付の図面は本発明における一部の実施形態を示すものにすぎず、本分野の通常の技術者であるならば、如何なる創造的労力も費やさないことを前提として、これら添付の図面に基づいて他の添付の図面を得ることもできる。
以下における各実施形態の説明は添付の図式を参照してなされており、本発明で実施可能な特定の実施形態が例示されている。本発明で用いられている方向を示す用語として、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等は、添付の図式における方向を参照するためのものにすぎない。従って、用いられている方向を示す用語は、本発明の説明及び理解に供されるものであり、本発明を限定するものではない。図中、同様の構造を有するユニットには同一の符号が付されている。
本発明は、既存のＯＬＥＤ基板及びＯＬＥＤディスプレイ装置に係る技術において、ＯＬＥＤバックアノードにおける頂部金属層の過度のエッチングによる損失により、有機発光材料が直接銀の上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすという問題を解決しようとするものであり、ＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供するものである。本実施形態はこのような欠陥を改善することができる。
以下において、添付の図面及び具体的な実施形態を組み合わせて、本発明に対するさらなる説明を行なう。
図２は、本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の構造を示す概略図である。図３及び図４は、本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法を示すフローチャートである。本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は以下のステップを含む。
ステップＳ１０：ベース基板２０を提供する。
ステップＳ２０：ベース基板２０上にアノード層２１を形成し、アノード層２１は、順次積層するように設けられた、第１金属層２１１と、第２金属層２１２と、第３金属層２１３とを含む。
ステップＳ１０において、提供されたベース基板２０は薄膜トランジスタ基板であり、薄膜トランジスタ基板はアレイ状に分布した複数の薄膜トランジスタを含む。
ここで、ベース基板２０上にアノード層２１を形成するステップは以下のステップを含む。
ステップＳ２０１：水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、第１金属層を形成する。
ここで、第１金属層２１１はアノード層２１の底部金属層であり、ベース基板２０の表面に設けられる。第１金属層２１１は通常、ＩＴＯ薄膜であり、ＩＴＯ薄膜は即ちインジウムス・スズ酸化物の半透明導電膜であり、良好な導電性を有する。
物理気相成長法により第１金属層２１１を成膜し、第１金属層２１１の成膜条件は：真空状態下、予め設定した水の流量４〜６標準ｍＬ／分である。
ステップＳ２０２：第１金属層２１１の表面に蒸着により第２金属層２１２を形成する。
第２金属層２１２は概ね、銀金属層であり、銀は良好な導電性を有する。第２金属層２１２はアノード層２１構造のエミッタ層であるため、発光層１２の有機発光材料と直接接触してはならず、接触した場合、ＯＬＥＤ基板２の発光性能に影響を及ぼすこととなる。
ステップＳ２０３：水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、第２金属層２１２の表面に第３金属層２１３を形成する。
ここで、第３金属層２１３と第１金属層２１１は同一の材料でできており、その構造も基本的に同一である。
第３金属層２１３は物理気相成長法により成膜され、第３金属層２１３の成膜条件は：真空状態下、予め設定した水の流量１〜２標準ｍＬ／分である。第１金属層２１１の成膜条件と比較すると、第３金属層２１３の成膜時における予め設定した水の流量は、第１金属層２１１の成膜時のそれよりも大幅に小さい。相違点として、第３金属層２１３の成膜時において、予め設定した水の流量が比較的少ないため、第３金属層２１３の表面に微かな結晶現象が生じることがある。
ステップＳ２０４：順次、第３金属層２１３、第２金属層２１２、及び第１金属層２１１に対してエッチングを施すことで、所望のアノード層２１が得られる。
第３金属層２１３の材料及び構造は第１金属層２１１の材料及び構造と基本的に同一であるため、第３金属層２１３のエッチング後、第１金属層に対してエッチングを施す際に、エッチング液は第１金属層２１１の上方に位置する第３金属層２１３に対してもエッチング作用を及ぼすようになるが、第３金属層２１３の表面にある少量の結晶が第３金属層２１３のエッチング速度を遅延させ、以って、重複してエッチングされることでもたらされる第３金属層２１３の損失を減少させることができ、アノード層２１の構造上の完全性が確保される。
ここで、第１金属層２１１、第２金属層２１２、及び第３金属層２１３に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
ステップＳ３０：第２金属層２１２の表面にピクセル定義層２３を形成し、ピクセル定義層２３は少なくとも２つのピクセル定義体を含む。ここで、第３金属層２１３は隣接するピクセル定義体の間に配置される。
ピクセル定義層２３を形成する材料はポリイミドである。
ステップＳ４０：第３金属層２１３の表面に発光層２２を形成し、発光層２２と第３金属層２１３は対応するように設けられ、発光層２２は隣接するピクセル定義体の間に配置される。
ここで、発光層２２はＯＬＥＤ基板２の発光部である。
上述の目的に基づき、本発明はさらにＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、当該ＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法は以下のステップを含む。
ステップＳ１０：ベース基板を提供する。
ステップＳ２０：前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含む。
ステップＳ３０：前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含む。ここで、第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置される。
ステップＳ４０：第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置される。
ステップＳ５０：前記発光層の表面にカソードを塗布する。
ステップＳ６０：前記カソードの表面に封止薄膜層を形成する。
ここで、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは以下のステップを含む。
ステップＳ２０１：水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成する。
ステップＳ２０２：前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成する。
ステップＳ２０３：水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成する。
ステップＳ２０４：順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望のアノード層が得られる。
本実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法の原理は、上述のＯＬＥＤ基板の製造方法の原理と一致しており、具体的には、上述の好ましい実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法における動作原理を参照されたい。従って、ここではその記述を省略する。
本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、アノードにおける第１金属層と第３金属層の成膜条件を変更することで、第３金属層のエッチングによる損失を減少させ、蒸着したＯＬＥＤ有機発光材料の全てが第３金属層上に落ちるようになり、以って、ＯＬＥＤの発光特性を大幅に改善させることができる。
以上のように、本発明はその好ましい実施形態を通じて上記において開示されたが、上述の好ましい実施形態は本発明を限定するものではない。本分野の通常の技術者は、本発明の趣旨及び範囲から逸脱しない限りにおいて、様々な変更及び修整を施すことができる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で定められた範囲を基準とする。
Claims (14)
- 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含むＯＬＥＤ基板の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層を形成する材料はポリイミドであり、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なることを特徴とするＯＬＥＤ基板の製造方法。 - 前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。 - 前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項２に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
- 順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングであることを特徴とする請求項２に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
- 物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項２に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
- 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含むＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
ステップＳ５０において、前記発光層の表面にカソードを塗布し；及び
ステップＳ６０において、前記カソードの表面に封止薄膜層を形成し、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なることを特徴とするＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。 - 前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られることを特徴とする請求項６に記載のＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項７に記載のＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。
- 物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項７に記載のＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。
- 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含むＯＬＥＤ基板の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なることを特徴とするＯＬＥＤ基板の製造方法。 - 前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られることを特徴とする請求項１０に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。 - 前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
- 順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングであることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
- 物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711035471.6A CN107863458B (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | Oled基板的制作方法及oled显示装置的制作方法 |
| CN201711035471.6 | 2017-10-30 | ||
| PCT/CN2017/111262 WO2019085032A1 (zh) | 2017-10-30 | 2017-11-16 | Oled基板的制作方法及oled显示装置的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020534662A true JP2020534662A (ja) | 2020-11-26 |
| JP6926327B2 JP6926327B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=61696429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020516832A Active JP6926327B2 (ja) | 2017-10-30 | 2017-11-16 | Ｏｌｅｄ基板の製造方法及びｏｌｅｄディスプレイ装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3706186B1 (ja) |
| JP (1) | JP6926327B2 (ja) |
| KR (1) | KR102315749B1 (ja) |
| CN (1) | CN107863458B (ja) |
| WO (1) | WO2019085032A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097259B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004355918A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sony Corp | 積層構造およびその製造方法、表示素子、ならびに表示装置 |
| JP2005038642A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sony Corp | 有機発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| JP2006154169A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学素子の製造方法、電気光学装置 |
| JP2009181836A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
| JP2013041828A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100667081B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20120039946A (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2014137914A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Japan Display Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| CN103594661B (zh) * | 2013-10-22 | 2016-01-06 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种有机发光二极管阳电极的制备方法 |
| JP6663668B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2020-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| KR101879180B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2018-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6685142B2 (ja) * | 2016-02-02 | 2020-04-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN106848102A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-06-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示器件及其制备方法 |
-
2017
- 2017-10-30 CN CN201711035471.6A patent/CN107863458B/zh active Active
- 2017-11-16 JP JP2020516832A patent/JP6926327B2/ja active Active
- 2017-11-16 EP EP17930913.3A patent/EP3706186B1/en active Active
- 2017-11-16 WO PCT/CN2017/111262 patent/WO2019085032A1/zh unknown
- 2017-11-16 KR KR1020207014610A patent/KR102315749B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013041828A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107863458A (zh) | 2018-03-30 |
| KR102315749B1 (ko) | 2021-10-22 |
| EP3706186A1 (en) | 2020-09-09 |
| CN107863458B (zh) | 2019-11-15 |
| EP3706186A4 (en) | 2021-08-11 |
| EP3706186B1 (en) | 2024-04-17 |
| JP6926327B2 (ja) | 2021-08-25 |
| WO2019085032A1 (zh) | 2019-05-09 |
| KR20200067206A (ko) | 2020-06-11 |
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