JP2020533626A - Tft基板の製造方法及びその構造 - Google Patents
Tft基板の製造方法及びその構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020533626A JP2020533626A JP2020511795A JP2020511795A JP2020533626A JP 2020533626 A JP2020533626 A JP 2020533626A JP 2020511795 A JP2020511795 A JP 2020511795A JP 2020511795 A JP2020511795 A JP 2020511795A JP 2020533626 A JP2020533626 A JP 2020533626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color resist
- passivation layer
- resist block
- block
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 93
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 84
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13396—Spacers having different sizes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
ステップS1において、ベース基板を提供し、アレイ状に配列されたTFTを前記ベース基板上に形成した後、全てのTFTを覆う第1パッシベーション層を一層堆積させ;
ステップS2において、前記第1パッシベーション層上にカラーレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、カラーレジスト層と、第1カラーレジストブロックと、第2カラーレジストブロックとを形成し、前記第1カラーレジストブロックの高さは前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく;
ステップS3において、前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロック上に、これらを覆う第2パッシベーション層を堆積させ;
ステップS4において、前記第2パッシベーション層上に、これを覆う黒色フォトレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、一体型のメインフォトレジストスペーサと、サブフォトレジストスペーサと、黒色マトリクスと、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールとを形成し、前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記ビアホールは前記TFTのドレイン電極によって完全に塞がれ;及び、
ステップS5において、一体型の前記メインフォトレジストスペーサ、前記サブフォトレジストスペーサ及び前記黒色マトリクス上に、これらを覆う透明導電薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、ピクセル電極と共通電極とを形成し、前記ピクセル電極は前記ビアホールを介して、前記TFTの前記ドレイン電極に接続される。
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられ、且つアレイ状に配列されたTFTと、
前記TFTを覆う第1パッシベーション層と、
前記第1パッシベーション層上に設けられた、カラーレジスト層、第1カラーレジストブロック及び第2カラーレジストブロックと、
前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックを覆う第2パッシベーション層と、
前記第2パッシベーション層上に設けられた、一体型のメインフォトレジストスペーサ、サブフォトレジストスペーサ及び黒色マトリクスと、
前記黒色マトリクス上に設けられたピクセル電極及び共通電極と、を含み、
前記第1カラーレジストブロックの高さは、前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく、
前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、
前記ピクセル電極は、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールを介して、前記TFTのドレイン電極に接続されており、
前記ビアホールは前記TFTの前記ドレイン電極によって完全に塞がれている。
ステップS1において、ベース基板を提供し、アレイ状に配列されたTFTを前記ベース基板上に形成した後、全てのTFTを覆う第1パッシベーション層を一層堆積させ;
ステップS2において、前記第1パッシベーション層上にカラーレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、カラーレジスト層と、第1カラーレジストブロックと、第2カラーレジストブロックとを形成し、前記第1カラーレジストブロックの高さは前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく;
ステップS3において、前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロック上に、これらを覆う第2パッシベーション層を堆積させ;
ステップS4において、前記第2パッシベーション層上に、これを覆う黒色フォトレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、一体型のメインフォトレジストスペーサと、サブフォトレジストスペーサと、黒色マトリクスと、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールとを形成し、前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記ビアホールは前記TFTのドレイン電極によって完全に塞がれ;及び、
ステップS5において、一体型の前記メインフォトレジストスペーサ、前記サブフォトレジストスペーサ及び前記黒色マトリクス上に、これらを覆う透明導電薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、ピクセル電極と共通電極とを形成し、前記ピクセル電極は前記ビアホールを介して、前記TFTの前記ドレイン電極に接続され、
前記ステップS2では、スリット回折型のフォトマスクを用いて、前記カラーレジストに対してパターニング処理を施し、
前記ステップS2で堆積される前記カラーレジストは、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、及び青色カラーレジストを含み、
前記透明導電薄膜の材料は、インジウム・スズ酸化物であり、
前記第1パッシベーション層及び前記第2パッシベーション層の材料はいずれも、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はこれら双方の組み合わせであり、
前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックはいずれも、島状を呈する。
前記ベース基板1は好ましくは、ガラス基板である。
ベース基板1と、
前記ベース基板1上に設けられ、且つアレイ状に配列されたTFT Tと、
前記TFT Tを覆う第1パッシベーション層PV1と、
前記第1パッシベーション層PV1上に設けられた、カラーレジスト層41、島状の第1カラーレジストブロック42及び島状の第2カラーレジストブロック43と、
前記第1パッシベーション層PV1、カラーレジスト層41、第1カラーレジストブロック42及び第2カラーレジストブロック43を覆う第2パッシベーション層PV2と、
前記第2パッシベーション層PV2上に設けられた、一体型のメインフォトレジストスペーサ61、サブフォトレジストスペーサ62及び黒色マトリクス63と、
前記黒色マトリクス63上に設けられたピクセル電極71及び共通電極72と、を含んでおり、
前記第1カラーレジストブロック42の高さh1は、第2カラーレジストブロック43の高さh2よりも大きく、
前記メインフォトレジストスペーサ61は第1カラーレジストブロック42の上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサ62は第2カラーレジストブロック43の上方の位置に対応し、
前記ピクセル電極71は、前記黒色マトリクス63、第2パッシベーション層PV2及び第1パッシベーション層PV1を貫通するビアホールVを介して、TFT Tのドレイン電極Dに接続されている。
前記ベース基板1は好ましくは、ガラス基板であり、
前記第1パッシベーション層PV1及び第2パッシベーション層PV2の材料はいずれも、SiNx、SiOx、又はこれら双方の組み合わせであり、
前記カラーレジスト41は、赤色カラーレジストR、緑色カラーレジストG、及び青色カラーレジストBを含み、
前記ピクセル電極71及び共通電極72の材料は、インジウム・スズ酸化物である。
Claims (11)
- 下記ステップS1乃至ステップS5を含むTFT基板の製造方法であって、
ステップS1において、ベース基板を提供し、アレイ状に配列されたTFTを前記ベース基板上に形成した後、全てのTFTを覆う第1パッシベーション層を一層堆積させ;
ステップS2において、前記第1パッシベーション層上にカラーレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、カラーレジスト層と、第1カラーレジストブロックと、第2カラーレジストブロックとを形成し、前記第1カラーレジストブロックの高さは前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく;
ステップS3において、前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロック上に、これらを覆う第2パッシベーション層を堆積させ;
ステップS4において、前記第2パッシベーション層上に、これを覆う黒色フォトレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、一体型のメインフォトレジストスペーサと、サブフォトレジストスペーサと、黒色マトリクスと、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールとを形成し、前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記ビアホールは前記TFTのドレイン電極によって完全に塞がれ;及び、
ステップS5において、一体型の前記メインフォトレジストスペーサ、前記サブフォトレジストスペーサ及び前記黒色マトリクス上に、これらを覆う透明導電薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、ピクセル電極と共通電極とを形成し、前記ピクセル電極は前記ビアホールを介して、前記TFTの前記ドレイン電極に接続されることを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 前記ステップS2では、スリット回折型のフォトマスクを用いて、前記カラーレジストに対してパターニング処理を施すことを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記ステップS2で堆積される前記カラーレジストは、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、及び青色カラーレジストを含むことを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記透明導電薄膜の材料は、インジウム・スズ酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記第1パッシベーション層及び前記第2パッシベーション層の材料はいずれも、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はこれら双方の組み合わせであることを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックはいずれも、島状を呈することを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられ、且つアレイ状に配列されたTFTと、
前記TFTを覆う第1パッシベーション層と、
前記第1パッシベーション層上に設けられた、カラーレジスト層、第1カラーレジストブロック及び第2カラーレジストブロックと、
前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックを覆う第2パッシベーション層と、
前記第2パッシベーション層上に設けられた、一体型のメインフォトレジストスペーサ、サブフォトレジストスペーサ及び黒色マトリクスと、
前記黒色マトリクス上に設けられたピクセル電極及び共通電極と、を含むTFT基板構造であって、
前記第1カラーレジストブロックの高さは、前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく、
前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、
前記ピクセル電極は、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールを介して、前記TFTのドレイン電極に接続されており、
前記ビアホールは前記TFTの前記ドレイン電極によって完全に塞がれていることを特徴とするTFT基板構造。 - 前記カラーレジスト層は、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、及び青色カラーレジストを含み、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックはいずれも、島状を呈することを特徴とする請求項7に記載のTFT基板構造。
- 前記ピクセル電極及び前記共通電極の材料は、インジウム・スズ酸化物であることを特徴とする請求項7に記載のTFT基板構造。
- 前記第1パッシベーション層及び前記第2パッシベーション層の材料はいずれも、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はこれら双方の組み合わせであることを特徴とする請求項7に記載のTFT基板構造。
- 下記ステップS1乃至ステップS5を含むTFT基板の製造方法であって、
ステップS1において、ベース基板を提供し、アレイ状に配列されたTFTを前記ベース基板上に形成した後、全てのTFTを覆う第1パッシベーション層を一層堆積させ;
ステップS2において、前記第1パッシベーション層上にカラーレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、カラーレジスト層と、第1カラーレジストブロックと、第2カラーレジストブロックとを形成し、前記第1カラーレジストブロックの高さは前記第2カラーレジストブロックの高さよりも大きく;
ステップS3において、前記第1パッシベーション層、前記カラーレジスト層、前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロック上に、これらを覆う第2パッシベーション層を堆積させ;
ステップS4において、前記第2パッシベーション層上に、これを覆う黒色フォトレジストを堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、一体型のメインフォトレジストスペーサと、サブフォトレジストスペーサと、黒色マトリクスと、前記黒色マトリクス、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通するビアホールとを形成し、前記メインフォトレジストスペーサは前記第1カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記サブフォトレジストスペーサは前記第2カラーレジストブロックの上方の位置に対応し、前記ビアホールは前記TFTのドレイン電極によって完全に塞がれ;及び、
ステップS5において、一体型の前記メインフォトレジストスペーサ、前記サブフォトレジストスペーサ及び前記黒色マトリクス上に、これらを覆う透明導電薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、ピクセル電極と共通電極とを形成し、前記ピクセル電極は前記ビアホールを介して、前記TFTの前記ドレイン電極に接続され、
前記ステップS2では、スリット回折型のフォトマスクを用いて、前記カラーレジストに対してパターニング処理を施し、
前記ステップS2で堆積される前記カラーレジストは、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、及び青色カラーレジストを含み、
前記透明導電薄膜の材料は、インジウム・スズ酸化物であり、
前記第1パッシベーション層及び前記第2パッシベーション層の材料はいずれも、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はこれら双方の組み合わせであり、
前記第1カラーレジストブロック及び前記第2カラーレジストブロックはいずれも、島状を呈することを特徴とするTFT基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710901865.9A CN107591360B (zh) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | Tft基板的制作方法及其结构 |
CN201710901865.9 | 2017-09-28 | ||
PCT/CN2017/111963 WO2019061751A1 (zh) | 2017-09-28 | 2017-11-20 | Tft基板的制作方法及其结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020533626A true JP2020533626A (ja) | 2020-11-19 |
Family
ID=61048172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020511795A Pending JP2020533626A (ja) | 2017-09-28 | 2017-11-20 | Tft基板の製造方法及びその構造 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10503034B2 (ja) |
EP (1) | EP3690927B1 (ja) |
JP (1) | JP2020533626A (ja) |
KR (1) | KR102299630B1 (ja) |
CN (1) | CN107591360B (ja) |
PL (1) | PL3690927T3 (ja) |
WO (1) | WO2019061751A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106773351A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN108535909A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Bps型阵列基板的制作方法及bps型阵列基板 |
CN109814314A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-05-28 | 惠科股份有限公司 | 显示装置的阵列基板制作方法和显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4771038B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-09-14 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 液晶表示装置 |
KR100628272B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Cot형 액정표시소자의 제조방법 |
KR101335276B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 그 제조 방법 |
US8218111B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN105047550B (zh) * | 2015-07-27 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置 |
KR102441882B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2022-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN105655290B (zh) * | 2016-01-05 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 |
KR102507144B1 (ko) * | 2016-01-06 | 2023-03-07 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102515807B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102549444B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN106773406A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种电子设备、阵列基板及其制作方法 |
CN107039352B (zh) * | 2017-04-12 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
CN107491233B (zh) * | 2017-09-08 | 2020-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板、显示面板及显示装置 |
-
2017
- 2017-09-28 CN CN201710901865.9A patent/CN107591360B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-20 EP EP17927583.9A patent/EP3690927B1/en active Active
- 2017-11-20 US US15/578,339 patent/US10503034B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-20 KR KR1020207011836A patent/KR102299630B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-20 JP JP2020511795A patent/JP2020533626A/ja active Pending
- 2017-11-20 PL PL17927583.9T patent/PL3690927T3/pl unknown
- 2017-11-20 WO PCT/CN2017/111963 patent/WO2019061751A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3690927A4 (en) | 2021-06-16 |
PL3690927T3 (pl) | 2022-11-28 |
WO2019061751A1 (zh) | 2019-04-04 |
CN107591360B (zh) | 2019-03-12 |
CN107591360A (zh) | 2018-01-16 |
US20190219858A1 (en) | 2019-07-18 |
KR102299630B1 (ko) | 2021-09-08 |
US10503034B2 (en) | 2019-12-10 |
EP3690927B1 (en) | 2022-08-03 |
KR20200055775A (ko) | 2020-05-21 |
EP3690927A1 (en) | 2020-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10261358B2 (en) | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof | |
WO2017008369A1 (zh) | Coa型液晶显示面板及其制作方法 | |
JP5095865B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
US7440048B2 (en) | Method of forming a color filter having various thicknesses and a transflective LCD with the color filter | |
JP5437971B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4235576B2 (ja) | カラーフィルタ基板及びそれを用いた表示装置 | |
WO2016086539A1 (zh) | 液晶面板及其制作方法 | |
WO2014190727A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
JP4722118B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
WO2012105180A1 (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 | |
WO2017124673A1 (zh) | 阵列基板的制作方法及液晶显示面板 | |
US20160231616A1 (en) | Display device | |
WO2020211259A1 (zh) | 显示背板及其制作方法 | |
WO2019071846A1 (zh) | Coa型液晶显示面板及其制作方法 | |
JP2020533626A (ja) | Tft基板の製造方法及びその構造 | |
KR102484136B1 (ko) | 표시 기판, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 및 이의 제조 방법 | |
KR102227519B1 (ko) | 표시 기판 및 그의 제조방법 | |
KR101483024B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101408257B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20110077254A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101856209B1 (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP2017156701A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 | |
KR20080057034A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
WO2014038501A1 (ja) | アクティブマトリクス基板、及び製造方法 | |
KR20050060497A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210609 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211005 |