KR20050060497A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고개구율 구조를 갖는 COT(color filter on transister)의 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1기판과, 상기 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터와, 각 화소영역에 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상부에 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 포함하여 구성된 액정표시소자를 제공한다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히, 공정을 단순화할 수 있는 고개구율 구조의 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.

일반적으로, 액정표시소자는 하부기판과 상부기판 및 그 사이에 형성된 액정층으로 이루어진다. 상기 하부기판은 박막트랜지스터(thin film transisor;TFT)와 같은 스위칭소자 및 화소전극이 형성되는 TFT기판이고, 상부기판은 칼라필터층 및 공통전극이 형성되는 칼라필터기판이다. 또한, 상기 하부기판의 측면에는 구동회로부가 구비되어 하부기판에 형성된 박막트랜지스터와 화소전극 및 공통전극에 각각신호를 인가한다.

상기와 같이 구성된 액정표시소자는 상부기판과 하부기판 사이에 형성된 액정층이 상기 하부기판에 형성된 박막트랜지스터에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.

도 1a 및 도 1b는 종래 고개구율 구조의 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도 1a는 하부기판의 개략적인 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I'절단선에 따른 액정패널의 단면도 이다.

도면에 도시된 구조의 액정표시소자는 능동소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)를 사용하는 TFT LCD이다. 도면에 도시된 바와 같이, 종횡으로 N×M개의 화소가 배치된 TFT LCD의 각 화소에는 외부의 구동회로로부터 주사신호가 인가되는 게이트라인(1)과 화상신호가 인가되는 데이터라인(3)의 교차영역에 형성된 TFT를 포함하고 있다. TFT는 상기 게이트라인(1)과 연결된 게이트전극(1a)과, 상기 게이트전극(1a) 위에 형성되어 게이트전극(1a)에 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5) 위에 형성된 소스/드레인전극(3a,3b)으로 구성된다. 상기 화소의 표시영역에는 상기 소스/드레인전극(3a,3b)과 연결되어 반도체층(5)이 활성화됨에 따라 상기 소스/드레인전극(3a,3b)을 통해 화상신호가 인가되어 액정(도면표시하지 않음)을 동작시키는 화소전극(7)이 형성되어 있다.

또한, 그 단면을 보면, 상기 TFT는 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 하부기판(10)과, 상기 기판(20) 위에 형성된 게이트전극(1a)과, 게이트전극(1a)이 형성된 기판(20) 전체에 걸쳐 적층된 게이트절연층(2)과, 상기 게이트절연층(2) 위에 형성되어 게이트전극(1a)에 신호가 인가됨에 따라 활성화되는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5) 위에 형성된 소스/드레인전극(3a,3b)과, 상기 소스/드레인전극(3a,3b) 위에 형성되어 소자를 보호하는 보호층(passivation layer;6)으로 구성된다. 그리고, 보호층(6) 상부에는 투명한 화소전극(7)이 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)의 일부와 중첩되도록 배치되어 있으며, 게이트라인(1)과 중첩된 영역은 축적용량(Cst)을 형성한다. 이때, 보호층(6)은 고개구율을 형성하기 위해 유기물질을 사용하게 된다.

상기 화소전극(7)은 드레인전극(3b)과 전기적으로 접속되어, 상기 소스/드레인전극(3a,3b)을 통해 화소전극(7)에 신호가 인가됨에 따라 액정을 구동하여 화상을 표시하게 된다.

또한, 상부기판(20)에는 박막트랜지스터(9), 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(21)와 칼라를 구현하기 위한 칼라필터(23)가 형성되고, 칼라필터(23)를 평탄화하기 위한 오버코트막(25)이 도포되어 있다. 그리고, 상기 오버코트막(25) 상부에는 투명한 전도성 물질로 이루어진 공통전극(27)이 형성되어 있으며, 하부기판(10) 및 상부기판(20) 사이에는 상기 공통전극(27) 및 화소전극(7)에 인가되는 전압에 의해 빛의 투과율을 조절하는 액정층(30)이 형성되어 있다.

상기한 바와 같이 구성된 종래 액정표시소자는 보호층을 유기물질로 형성함으로써, 화소전극(7)을 데이터라인(3)과 오버랩되도록 배치하여 개구율을 향상시킬 수가 있다. 즉, 무기막 보다 유기막의 유전상수가 작고, 공정상 무기막보다 두껍게 형성할 수 있기 때문에 화소전극(7)과 데이터라인(3)과의 오버랩이 가능하다.

그러나, 보호막의 두께가 두꺼워짐에 따라, 상기 보호층에서 흡수되는 광의 양이 많아지게 된다. 또한, 상기 보호층을 통해 투과된 광은 다시 상부기판의 칼라필터 및 오버코트막을 투과되면서, 또 다시, 광흡수가 이루어지기 때문에, 휘도가 떨어지는 문제가 발생하게 된다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 박막트랜지스터기판에 칼라필터를 형성하고, 상기 칼라필터층이 보호막(passivaion) 역할을 하도록 함으로써, 휘도를 향상시킬 수 있는 고개구율 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1기판과, 상기 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터와, 각 화소영역에 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상부에 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 포함하여 구성된다.

상기 박막트랜지스터 기판을 포함하는 기판 전면에 형성된 무기막을 추가로 포함할 수 있으며, 상기 무기막은 SiNx 또는 SiOx 중 어느 하나로 이루어진다.

그리고, 칼라필터 위에 형성된 오버코트막이 형성되어 있으며, 상기 화소전극은 오버코트막 위에 형성되어 있다.

박막트랜지스터는 제1기판 위에 형성된 게이트전극과, 상기 제1기판 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극으로 이루어진다.

아울러, 제2기판에 형성된 블랙매트릭스와, 제2기판에 블랙매트릭스 상부에 형성된 공통전극과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하여 구성된다.

또한, 본 발명에 의한 액정표시소자는 제1 및 제2기판과, 상기 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터과, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 형성된 보호막과, 각 화소영역에 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상부에 형성된 오버코트막과, 상기 오버코트막 상부에 형성되며, 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 포함하여 구성된다.

상기 보호막은 SiNx 또는 SiOx과 같은 무기물질로 이루어진다.

아울러, 제2기판에 형성된 블랙매트릭스와, 제2기판에 블랙매트릭스 상부에 형성된 공통전극과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하여 구성된다.

또한, 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 제1기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 제1보호막 상부에 칼라필터를 형성하는 단계와, 상기 칼라필터 상부에 오버코트막을 형성하는 단계와, 상기 오버코트막 상부에 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 칼라필터는 유기절연막으로 형성하며, 상기 유기절연막은 절연성 안료를 포함하는 유기아크릴을 사용한다.

또한, 제2기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 블랙매트릭스 상에 공통전극을 형성하는 단계와, 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 이루어진다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 칼라필터가 박막트랜지스터 위에 형성된 COT(color filter on transistor)구조의 액정표시소자를 제공한다. 특히, 본 발명은 유기절연막으로 이루어지는 칼라필터를 사용하여, 화소전극을 데이터라인과 중첩시켜 형성함으로써, 고개구율 구조를 형성한다.

아울러, 본 발명은 박막트랜지스터 기판에 유기보호막을 구성하지 않음으로써, 유기보호막에 의해 흡수되는 광을 줄일 수가 있다 즉, 종래 고개구율 구조를 위해 유기보호막을 형성하고, 칼라필터기판에 칼라필터 및 오버코트막이 형성되어 있기 때문에, 유기보호막, 칼라필터 및 오버코트막에 광이 흡수되어 휘도가 저하되는 문제점이 있었다. 반면에 본 발명에서는 유기보호막을 형성하지 않기 때문에, 유기보호막에 의해 광이 흡수되는 것을 줄일 수가 있으며, 이에 따라 화면의 휘도를 향상시킬 수가 있다.

본 발명의 기본 개념을 간략하게 요약하면, 박막트랜지스터 상부에 칼라필터를 형성하되, 절연특성을 갖는 칼라필터를 사용함으로써, 고개구율을 실현할 수 있는 COT(color filter on transtor)구조의 액정표시소자를 제공한다.

이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 좀 더 상세하게 설명도록 한다.

도 3a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명물질로 이루어진 제1기판(110) 위에 Al, Al합금 또는 Cu와 같은 금속을 적층하여 제1금속층(111')을 형성한 후 그 위에 감광성의 포토레지스트층(photoresist;100')을 형성한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 적층된 포토레지스트층(100')은 일정한 온도에서 베이킹된다. 그후, 상기 포토레지스트층(100') 위에 마스크(110')를 위치시킨 상태에서 자외선(Ultraviolet light)과 같은 광을 조사하고 현상액을 작용하면, 도 3b에 도시된 바와 같이 제1금속층(a)위에는 포토레지스트패턴(100)이 형성된다. 이때, 상기 포토레지스트는 음성(negative) 포토레지스트로서, 자외선이 조사되지 않은 영역이 현상액에 의해 제거된다.

이어서, 상기 포토레지스트패턴(100)으로 제1금속층(111')의 일부를 블로킹한 상태에서 상기 금속층(111')에 식각액를 인가하면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 위에 게이트전극(111a)이 형성된다. 이때, 도면에는 나타내지 않았지만, 게이트라인도 함께 형성된다.

그후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 전체에 걸쳐서 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법에 의해 SiOx 또는 SiNx와 같은 무기물질을 증착하여 게이트절연층(102)을 형성한 후 그 위에 비정질실리콘층(105a')과, n+ 비정질실리콘층(105b')을 순차적으로 증착한다. 상기와 같이 적층된 n+ 비정질실리콘층(105a') 위에 포토레지스층을 적층하고 마스크를 위치시킨 후 자외선을 조사하고 현상액을 작용하면, n+ 비정질실리콘층(105a') 위에는 포토레지스트패턴(150)이 형성된다. 상기 포토레지스트패턴(150)으로 n+ 비정질실리콘층(105a')의 일부를 블로킹한 상태에서 식각액를 작용하면, 도 3e에 도시된 바와 같이, 게이트전극(111a) 위에 액티브층(105a) 및 오믹접촉층(ohmic contact;105b)이 형성된다.

이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이, 액티브층(105a) 및 오믹접촉층(105b)이 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐 Cr, Mo, Al, Al합금, Cu와 같은 제2금속층(203')을 형성한 후, 마스크로 포토레지스트패턴을 형성하고 상기 포토레지스트패턴을 이용하여 상기 금속을 식각하여 액티브층(105a) 위에 소스전극(103a) 및 드레인전극(103b)을 형성한다. 이때, 데이터라인(103)도 함께 형성된다. 이어서, 상기 소스전극(103a) 및 드레인전극(103b)을 마스크로 하여 노출된 오믹접촉층(105b)의 일부를 제거함으로써, 제1기판(110) 위에 박막트랜지스터를 완성한다.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트전극(111a), 소스전극(103a) 및 드레인전극(103b)은 단일 금속으로 이루어진 복수의 층으로 형성될 수도 있으며, 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 형성될 수도 있을 것이다.

한편, 도 3g에 도시된 바와 같이, 소스전극(103a) 및 드레인전극(103b)이 형성된 제1기판(110)에는 보호층(106)을 적층하여 상기 박막트랜지스터를 보호한다. 이때, 상기 보호층(106)은 SiOx 또는 SiNx와 같은 무기물질을 증착하여 형성할 수 있다.

이어서, 도 3h에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(106) 위에 R(red),G(green),B(blue)의 색상 구현이 가능한 포토아크릴(pohto acryl)과 같은 유기절연막을 도포한 다음, 패터닝하여 칼라필터(125)를 형성한다. 이때, 상기 칼라필터(125)는 안료분산법에 의해 형성할 수 있으며, 안료분산법은 포토아크릴과 같은 유기물질에 분산된 안료 조성물을 코팅, 노광, 현상 및 소성함으로써 이루어진다. 즉, 적색(R) 칼라필터층 형성용 조성물을 코팅한 다음, 포토마스크를 이용하여 소정 영역만을 노광한 후, 이를 현상하여, R 칼라필터를 형성한다. 그리고, R 칼라필터 형성용 조성물 대신, 녹색(G) 및 청색(B) 칼라필터층 형성용 조성물을 이용하여 상기 과정을 반복함으로써, G 칼라필터 및 B칼라필터층을 각각 형성할 수 있다. 이때, 상기 안료조성물이 유기물질은 절연체이다. 일반적으로, 포토아크릴과 같은 유기물질은 절연특성을 가지고 있으나, 색상을 구현하기 위해 첨가되는 안료성분 자체에 도전 특성이 있기 때문에, 안료가 분산되면, 상기 칼라필터층(123)은 도전특성을 가지게 된다. 그러나, 본 발명에서는 도전특성이 전혀없는 안료를 사용함으로써, 칼라필터층(123)도 절연특성을 가지도록 한다.

그후, 도 3i에 도시된 바와 같이, 상기 칼라필터층(123) 전면에 걸쳐 오버코트층(125)을 도포하여, 칼라필터층(123)를 평탄화시킨 후, 도 3j에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터의 드레인전극(103b)의 일부를 노출시키는 콘택홀(128)을 형성한 다음, 콘택홀(128)이 형성된 오버코트막(125) 위에 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명물질을 적층한 후, 이를 패터닝하여 화소전극(107)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(107)은 콘택홀(128)에 형성된 컨택홀(128)을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(103b)에 전기적으로 접속된다. 아울러, 상기 화소전극(107)은 데이터라인(103)과 중첩되도록 형성한다.

한편, 도 3k에 도시된 바와 같이, 제2기판(120) 상에 블랙매트릭스(121)와 공통전극(127)을 형성한 후, 상기 제1기판(110) 및 제2기판(120)을 합착한 후 그 사이에 액정층(130)을 형성하여 액정표시소자를 완성한다.

상기와 같은 방법에 의해 제조된 액정표시소자는 종래와는 다른 구조를 갖는다. 즉, 도 3k에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(110) 위에 칼라필터(123)가 함께 형성되고, 유기보호막이 형성되어 있지 않은 것과, 박막트랜지스터 상부에 무기보호막이 형성된 것이다. 칼라필터(123)가 제1기판(110) 위에 형성된 것은, 종래와 비교해 볼때, 백라이트의 광흡수율을 줄일 수 있는 장점이 있다. 즉, 종래의 고개구율 구조에서는 유기보호막을 통해 광이 흡수되고, 또 제2기판에 형성된 칼라필터 및 오버코트막에 의해 또 다시 광이 흡수되기 때문에 휘도가 떨어지는 문제점이 있었다. 반면에 본 발명은 유기보호막 대신에, 상기 유기보호막 역할을 대신할 수 있는 칼라필터가 형성되어 있기 때문에, 종래 유기보호막에서 흡수되는 광을 그대로 투과시킬 수가 있다.

한편, 종래에는 제1기판과 제2기판을 합착할때, 제1기판의 화소영역에 제2기판에 형성된 칼라필터가 정확하게 일대일 대응이 안될 경우 발생되는 빛샘을 방지하기 위하여 제2기판에 형성되는 블랙매트릭스의 폭을 합착마진에 고려해서 원래의 폭보다 넓게 설계하였다. 따라서, 합착마진에 따른 블랙매트릭스의 폭 증가로 인해 개구율이 떨어지는 문제점이 있었다. 반면에, 본 발명은 칼라필터(125)가 제1기판(110) 상에 형성되어 있기 때문에, 제1기판(110) 및 제2기판(120)의 합착마진에 따른 블랙매트릭스(121)의 폭을 종래와 같이 늘리지 않아도 된다. 따라서, 본 발명은 블랙매트릭스(121) 폭 감소로 인한 개구율을 향상시킬 수가 있다.

또한, 본 발명에서는 박막트랜지스터와 칼라필터(125) 사이에 무기보호막(206)이 형성되는데, 이것은, 소스전극(103a)과 드레인전극(103b) 사이에 노출된 액티브층(105a)이 칼라필터(123)와의 접속에 의해 그 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 상기 칼라필터(123)를 형성하기 위해 도포되는 유기막에는 수분이 포함되어 있으며, 이것이 완전히 건조되지 않은 상태에서 액티브층(105a)에 접속하게되면, 박막트랜지스터의 누설전류를 증가시켜 특성을 저하시키게 된다. 따라서, 상기 무기보호막(106)은 이러한 문제점을 미연에 방지하기 위해서 형성하는 것이다. 그러나, 상기 무기보호막(106)의 본 발명의 필수 구성요소는 아니며, 생략할 수도 있다.

또한, 이전 설명에서도 언급한 바와 같이, 본 발명에서 사용되는 칼라필터(123)는 절연특성을 가진다. 즉, 일반적으로, 사용되는 칼라필터는 포토아크릴과 같은 유기물질에 색상을 구현할 수 있는 안료가 혼합된 것으로, 상기 안료의 전도특성으로 인해 칼라필터 자체가 도전특성을 가지고 있다. 따라서, 이러한, 칼라필터를 사용하여 제1기판(박막트랜지스터기판)에 칼라필터를 형성할 경우, 화소전극을 데이터라인과 중첩시켜 형성하는 것이 어렵기 때문에, 고개구율 구조가 불가능하다. 다시 말해, 상기 데이터라인과 화소전극을 중첩시키게 되면, 도전성 칼라필터에 의해 데이터라인과 화소전극에 인가되는 신호들 간에 신호왜곡이 발생하게 된다. 반면에, 본 발명에서는 도전특성이 전혀없는 칼라필터(123)를 사용함으로써, 데이터라인(103)과 화소전극(107)에 인가되는 신호들 간의 신호왜곡을 막을 수가 있다. 더욱이, 상기 칼라필터(123)는 유기절연막으로써, 종래 유기보호막 역할을 하게되며, 공정상 그 두께를 두껍게 형성할 수 있기 때문에, 데이터전극(103)에 인가되는 신호가 화소전극(107)에 미치는 영향을 효과적으로 차폐시켜준다. 따라서, 화소전극(107)은 데이터라인(103)과 중첩시켜 형성할 수 있으며, 이에 따라, 고개구율 구조가 가능해진다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 절연특성을 가진 칼라필터를 박막트랜지스터와 동일한 기판에 형성함으로써, 고개구율 구조가 가능한 COT(color filter on transistor)구조의 액정표시소자를 구현할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 박막트랜지스터기판에 절연특성을 갖는 칼라필터를 형성하여, 화소전극과 데이터라인을 중첩시킴으로써, 개구율 및 휘도 증가시켜 화질을 향상시킬 수가 있다.

도 1은 종래 고개구율 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 평면도.

도 2는 도 1의 I-I'선을 절단하여 나타낸 단면도.

도 3a∼3k는 본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 나타낸 공정 단면도.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

101a: 게이트전극 102: 게이트절연막

103a: 소스전극 103b: 드레인전극

105a: 액티브층 105b: 오믹접촉층

106: 보호막 107: 화소전극

121: 블랙매트릭스 123: 칼라필터

125: 오버코트막 128: 콘택홀

127: 공통전극 130: 액정층

Claims (14)

1. 제1기판;

   상기 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;

   상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터;

   각 화소영역에 형성된 칼라필터; 및

   상기 칼라필터 상부에 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 포함하여 구성된 액정표시소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 기판을 포함하는 기판 전면에 형성된 무기막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
3. 제2항에 있어서, 상기 무기막은 SiNx 또는 SiOx 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
4. 제1항에 있어서, 칼라필터 위에 형성된 오버코트막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
5. 제4항에 있어서, 상기 화소전극은 오버코트막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
6. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,

   제1기판 위에 형성된 게이트전극;

   상기 제1기판 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층;

   상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층; 및

   상기 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
7. 제1항에 있어서,

   제2기판에 형성된 블랙매트릭스;

   제2기판에 블랙매트릭스 상부에 형성된 공통전극;및

   상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
8. 제1 및 제2기판;

   상기 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;

   상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터;

   상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 형성된 제1보호막;

   각 화소영역에 형성된 칼라필터;

   상기 칼라필터 상부에 형성된 오버코트막; 및

   상기 오버코트막 상부에 형성되며, 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 포함하여 구성된 액정표시소자.
9. 제8항에 있어서, 상기 제1보호막은 SiNx 또는 SiOx과 같은 무기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
10. 제8항에 있어서,

    제2기판에 형성된 블랙매트릭스;

    제2기판에 블랙매트릭스 상부에 형성된 공통전극;및

    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
11. 제1기판을 준비하는 단계;

    상기 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;

    상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;

    상기 제1보호막 상부에 칼라필터를 형성하는 단계;

    상기 칼라필터 상부에 오버코트막을 형성하는 단계; 및

    상기 오버코트막 상부에 데이터라인과 중첩하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 칼라필터는 유기절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 유기절연막은 절연성 안료를 포함하는 포토아크릴(photo acryl)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
14. 제11항에 있어서,

    제2기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;

    상기 블랙매트릭스 상에 공통전극을 형성하는 단계; 및

    제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.