JP2020531396A - 結晶性遷移金属タングステン酸塩 - Google Patents

結晶性遷移金属タングステン酸塩 Download PDF

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Abstract

水素化処理触媒が開発されている。触媒は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料若しくはそれから誘導される金属硫化物、又はその両方である。結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を使用する水素化処理としては、水素脱窒化、水素化脱硫、水素化脱金属、水素脱珪酸、水素脱芳香族、水素異性化、水素処理、水素化精製、及び水素化分解が挙げられ得る。【選択図】図1

Description

(優先権の記載)
本出願は、2017年8月25日に出願された米国仮出願第62/550,256号からの優先権を主張するものであり、その引用された出願の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
(発明の分野)
本発明は、新規の水素化処理触媒に関する。より具体的には、本発明は、結晶性遷移金属タングステン酸塩、及び炭化水素変換触媒又は具体的には水素化処理触媒などの触媒としてのその使用に関する。水素化処理には、水素脱窒化、水素化脱硫、水素化脱金属、水素脱珪酸、水素脱芳香族、水素異性化、水素処理、水素精製、及び水素化分解が挙げられ得る。
石油製品に対する需要の高まりを満たすために、サワー原油の利用が多くなり、これは、燃料中の窒素及び硫黄の濃度に関するより厳しい環境的法律と組み合わされると、際立った精錬問題につながる。燃料供給原料からの化合物を含有する硫黄(水素化脱硫−hydrodesulfurization、HDS)及び窒素(水素脱窒化−hydrodenitrification、HDN)の除去は、精錬の水素処理工程中に標的化され、有機窒素及び硫黄をアンモニア及び硫化水素にそれぞれ変換することによって達成される。
1940年代後期から、ニッケル(Ni)及びモリブデン(Mo)又はタングステン(W)を含有する触媒の使用は、最大80%の硫黄除去を実証した。例えば、V.N.Ipatieff、G.S.Monroe、R.E.Schaad、Division of Petroleum Chemistry、115th Meeting ACS、San Francisco、1949を参照されたい。数十年にわたって、現在、硫黄濃度をppmレベルに低減するために、深度脱硫を触媒する材料の開発に向けた強力な関心が存在している。いくつかの最近の発展は、超低硫黄燃料用の供給物の製造を標的とする、より活性で安定した触媒の開発及び適用に焦点を当ててきた。いくつかの研究では、例えばAlなどの支持体を排除することにより、改善されたHDS及びHDN活性を実証した。バルク非支持材料を使用することにより、反応器内の活性相負荷を増加させる道筋、並びにこれらの触媒を標的とする代替化学を提供する。
この分野におけるより最近の研究は、例えば、米国特許第6,156,695号に報告されているNi−Mo/W非支持「三金属」材料によって達成される超深度脱硫特性に焦点を当てている。モリブデン、タングステン及びニッケルからなる広範に非晶質の混合金属酸化物の制御された合成は、従来の水素処理触媒より著しく性能が優れた。三金属混合金属酸化物材料の構造化学は、ハイドロタルサイト系材料にたとえられ、層状ニッケルモリブデン酸塩材料の合成及び特性評価を詳述する文献論文を参照すると、モリブデンとタングステンとの部分的置換が、広範な非晶質相の生成をもたらすことが記述され、これは、硫化による分解の際に、優れた水素処理活性を生じる。
これらの層状ハイドロタルサイト状材料の化学的性質は、contribution a l’etude des molybdates hydrates de zinc、cobalt et nickel、C.R.ACAD.SCI.、261、5490でH.Pezeratによって最初に報告されており、Pezeratは、理想式MMoO.HO、EHM(MoO.HO、及びE2−x(HO)O(MoOを有する一連の相を同定した。式中、Eは、NH 、Na又はKであり得、Mは、Zn2+、Co2+又はNi2+であり得る。
Pezeratは、観察した異なる相をφc、φy、又はφyであるとして割り当て、φx及びφyの結晶構造を決定したが、小さい結晶子サイズ、限定された結晶学的特性、及び材料の複雑な性質の組み合わせにより、材料の構造評価の品質に関して疑念が生じた。1970年代中期に、Clearfieldらは、φx相及びφy相のより詳細な分析を試みた。例、A Clearfield、M.J.Sims、R.Gopal、INORG.Chem.、15、335;A.Clearfield、R.Gopal、C.H.Saldarrigaga−Molina、INORG.CHEM.、16、628を参照されたい。熱水アプローチからの生成物に対する単結晶研究は、φx構造の確認を可能にしたが、それらは、φyを合成する試みに失敗し、代わりに、代替相、Na−Cu(OH)(MoO)を合成した。A.Clearfield、A.Moini、P.R.Rudolf、INORG.CHEM.、24、4606を参照されたい。
φyの構造は、Yingらによる1996年まで確認されなかった。層状アンモニウム亜鉛モリブデン酸塩の追求において、室温ソフト化学合成技術の彼らの調査は、Zn/Al層状複水酸化物(ZnAl(OH)12CO3.zHO)の焼成によって調製された、準安定性のアルミニウム置換紅亜鉛鉱相に導いた。例、D.Levin、S.L.Soled、J.Y.Ying、INORG.CHEM.、1996、35、4191−4197を参照されたい。この材料を、室温で七モリブデン酸アンモニウムの溶液と反応させて、高結晶性化合物を生成し、その構造は従来のアブイニシオ法により決定することができなかった。材料を指標付けし、Astierにより報告されているアンモニウムニッケルモリブデン酸塩と同じ結晶学的パラメータを得た。例、M.P.Astier、G.Dji、S.Teichner、J.ANN.CHIM.(PARIS)、1987、12、337、Pezeratの材料に密接に関連するアンモニウム−アミン−ニッケル−モリブデン酸化物の族に属する材料を参照されたい。Astierは、この族の材料の任意の詳細な構造データを公開しておらず、その結果、Yingらは、その構造を解明するために、高分解能粉末回折によって分析される材料を再現している。Yingらは、この種類の材料を「層状遷移金属モリブデン酸塩」又はLTMと命名した。
結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が製造され、任意選択的に硫化されて、活性水素化処理触媒を生成する。結晶性遷移金属タングステン酸塩材料は、6.2、3.5及び3.1Åにおいてピークを示す固有のX線粉末回折パターンを有する。結晶性遷移金属タングステン酸塩材料は、以下の式を有し、
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2、又は0.75〜1.5、又は0.8〜1.2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
別の実施形態は、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料の製造方法を含む。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2、又は0.75〜1.5、又は0.8〜1.2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
本方法は、水、M源、W源、及び任意選択的に可溶化剤、錯化剤、キレート剤、又はこれらの混合物を含有する反応混合物を形成することと、任意選択的に、反応混合物から構成成分を除去して、中間反応混合物を生成することであって、構成成分が、沈殿物、若しくは水の少なくとも一部分、又は沈殿物及び水の一部分の両方である、生成することと、反応混合物又は中間混合物を25℃〜500℃の温度で30分〜14日間の期間にわたって反応させて、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を生成することと、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を回収することと、を含む。
更に別の実施形態は、硫化剤を材料と接触させて、少なくとも1つの生成物を生成するための変換条件で供給物と接触される金属硫化物を生成させることを伴い、この材料は、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を含む。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2、又は0.75〜1.5、又は0.8〜1.2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
本発明の更なる特徴及び利点は、本明細書に提供される本発明、図面、及び特許請求の範囲の説明から明らかとなるであろう。
実施例に記載されるように調製された結晶性遷移金属タングステン酸塩のX線粉末回折パターンである。
本発明は、結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物及びその組成物を調製するためのプロセスに関する。この材料は、UPM−18の表記を有する。この組成物は、以下の実験式を有する。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2、又は0.75〜1.5、又は0.8〜1.2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数である。
本発明の結晶性組成物は、M−O−Mの拡張ネットワークを有することによって特徴付けられ、Mは、金属、又は上記に列挙した金属の組み合わせを表す。構造単位は、結合の末端の外で、少なくとも2つの隣接する単位格子にそれ自体が繰り返される。組成物は、例えば、直鎖などの1次元ネットワークを有することができる。
結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
本発明の結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、図1に示されるX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、反応混合物の溶媒熱結晶化によって、典型的には、タングステンの反応源を、金属「M」の適切な供給源と混合することによって、調製することができる。選択される金属源に応じて、反応混合物は、金属の溶解を促進するために、任意選択的に可溶化剤「SA」を含んでもよい。反応混合物はまた、生成物の形成前に金属と反応させるために、錯化剤、キレート剤、又は錯化剤及びキレート剤「CA」の両方を任意選択的に含んでもよい。
本発明に利用され得るタングステン源の具体例としては、三酸化タングステン、二タングステン酸塩アンモニウム、チオタングステン酸塩アンモニウム、ヘプタタングステン酸塩アンモニウム、パラタングステン酸塩アンモニウム、タングステン酸塩、オキシ四塩化タングステン、六塩化タングステン、タングステン酸塩水素、二タングステン酸塩ナトリウム、メタタングステン酸塩ナトリウム、パラタングステン酸塩ナトリウム、メタタングステン酸塩アンモニウムが挙げられるが、これらに限定されない。他の金属「M」の供給源としては、それぞれのハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩、炭酸塩、チオール及び水酸化物塩が挙げられるが、これらに限定されない。具体例としては、塩化ニッケル、塩化コバルト、臭化ニッケル、臭化コバルト、塩化亜鉛、塩化銅、塩化鉄、塩化マグネシウム、塩化マグネシウム、硝酸ニッケル、硝酸コバルト、硝酸鉄、硝酸マンガン、硝酸亜鉛、硝酸銅、硝酸鉄、酢酸ニッケル、酢酸コバルト、酢酸鉄、炭酸ニッケル、炭酸コバルト、炭酸亜鉛、炭酸マンガン、炭酸銅、炭酸鉄、水酸化ニッケル、水酸化コバルト、水酸化マンガン、水酸化銅、水酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マンガン、酸化銅、酸化亜鉛、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化鉄、四塩化チタン、硫酸スズ、硫酸亜鉛、硫酸鉄、塩化スズ五水和物、塩化アンチモン、酢酸アンチモン、塩化バナジウムが挙げられる。
任意選択の可溶化剤「SA(solubilizing agent)」の具体例としては、水、有機酸、例えば、クエン酸、リンゴ酸、マレイン酸、脂肪族酸など;硫酸、塩化水素酸、硝酸、リン酸、及びホウ酸などの無機酸が挙げられるが、これらに限定されない。任意選択の錯化剤又はキレート剤の具体例としては、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、塩化アンモニウム、フッ化アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、又はこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
一般に、本発明の組成物を調製するために使用される溶媒熱プロセスは、可溶化剤若しくは錯化剤若しくはキレート剤のいずれか、又はそれらの任意の混合物の任意選択の添加と共に、例えば、Ni及びWなどの金属構成成分の供給源の全てが共に混合される反応混合物を形成することを伴う。反応は、周囲温度又は高温であってもよい。圧力は、大気圧又は自生圧力であってもよい。使用される容器は、密閉容器又は開放容器であってもよい。任意選択的に、混合物は、連続的に又は断続的に混合されてもよい。一実施形態では、反応物は、次いで、高温で断続的に混合されてもよい。具体的な例として、酸化物のモル比の観点から、下記式によって表される反応混合物が形成され得る。
AMO:BWO:C(SA):D(CA):H
式中、「M」は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、バナジウム、銅、亜鉛、及びこれらの混合物からなる群から選択され、「A」は、「M」のモル比を表し、0.1〜3、好ましくは0.5〜2、又は0.75〜1.25で変動する。「x」は、「M」の価数を満たす数であり、「B」は、「W」のモル比を表し、0.1〜3、好ましくは0.5〜2、又は0.75〜1.25で変動する。「y」は、「W」の価数を満たす数であり、「C」は、任意選択の可溶化剤(solubilizing agent、SA)のモル比を表し、0〜50、又は0.1〜25、又は1〜10で変動する。「D」は、任意選択の錯化剤(CA)のモル比を表し、0〜100、又は0.1〜50、又は5〜20で変動し、HOのモル比、0.1〜1000、又は1〜100、又は2〜20で変動する。必要に応じて、出発試薬は、限定されるものではないが、水酸化アンモニウム又はクエン酸などの錯化剤の添加のいずれかで前処理されてもよい。選択される金属試薬に応じて、混合物のpHは、酸性又は塩基性の形態に調整され得る。混合物のpHは、Mの反応源に応じて、NHOH、水酸化第四級アンモニウム、アミン等の塩基を添加して調整することができ、あるいは、逆に、硝酸、塩化水素酸、硫酸フッ化水素酸などの無機酸、又はクエン酸若しくはリンゴ酸などの有機酸であってもよい。一実施形態では、pHは、調整される必要はない。
一実施形態では、中間反応混合物は、反応混合物の構成成分を除去することによって形成されてもよく、この構成成分は、沈殿物、若しくは水の少なくとも一部分、又は沈殿物及び水の少なくとも一部の両方の混合物である。次いで、中間体を、反応混合物として25℃〜500℃の温度で30分〜14日間反応させて、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を生成してもよい。
反応混合物が形成されると、反応混合物を、25℃〜500℃の範囲の温度で、30分〜約14日間の範囲の期間にわたって反応させる。一実施形態では、反応のための温度範囲は300℃〜400℃であり、別の実施形態では、温度は100℃〜200℃の範囲である。温度は、反応期間中に変動してもよい。一実施形態では、反応時間は4〜6時間であり、別の実施形態では、反応時間は4〜7日である。反応は、開放容器内の大気圧下、又は密封容器内の自生圧力下で実施される。任意選択的に、反応混合物は、連続的に又は断続的に混合されてもよい。一実施形態では、反応混合物は、数時間毎に混合される。結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、反応生成物として回収される。結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、上記の表A及び図1に示すような固有のX線粉末回折パターンによって特徴付けられる。
一旦形成されると、結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物は、結合剤を組み込んでもよく、結合剤は、例えば、シリカ、アルミナ、シリカアルミナ、及びこれらの混合物であってもよい。結合剤の選択としては、ハイドロタルサイト、パイロオーライト−ショグレナイト(sjogrenite)−ハイドロタルサイト、モンモリロナイト、及び関連粘土、カオリン、セピオライト、シリカ、例えば(擬)べーマイト、ギブサイト、フラッシュ焼成ギブサイト、エータ−アルミナ、ジルコニア、チタニア、アルミナコーティングチタニア、シリカ−アルミナ、シリカコーティングアルミナ、アルミナコーティングシリカ、及びこれらの混合物などのアルミナ、又は粒子の完全性を維持するために粒子結合剤として一般的に知られる他の材料が挙げられるが、これらに限定されない。これらの結合剤は、解膠の有無にかかわらず適用することができる。結合剤は、バルク結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物に添加されてもよく、結合剤の量は、最終触媒の1〜30重量%、又は最終触媒の5〜26重量%の範囲であってもよい。結合剤は、結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物に化学的に結合されてもよく、又は結晶性遷移金属タングステン酸塩組成物との物理的混合物中に存在してもよい。
結晶性遷移金属モリブデンタングステン酸塩組成物の少なくとも一部は、結合剤を用いて若しくは用いずに、又は結合剤の含有前若しくは含有後に、用途内のその場で硫化してもよいし、あるいは金属硫化物を形成するために事前硫化することができ、これは次に、触媒として用途内で使用される。硫化は、結晶性遷移金属モリブデンタングステン酸塩組成物を硫黄含有流若しくは供給流、又はHS/H若しくはその両方のガス状混合物などの硫化剤と接触させることなどによって、様々な硫化条件下で行うことができる。結晶性遷移金属モリブデンタングステン酸塩組成物の硫化は、典型的には50℃〜600℃、又は150℃〜500℃、又は250℃〜450℃の範囲の高温で実行することができる。硫化工程から得られる材料、分解生成物は、変換プロセスにおいて触媒として使用することができる金属硫化物と呼ばれる。上述のように、金属硫化物の少なくとも一部は、少なくとも1つの結合剤との混合物中に存在してもよい。硫化工程は、他の合成工程から離れた場所、変換プロセスの場所から離れた場所、又は合成の場所及び変換プロセスの場所の両方から離れた場所で行うことができる。
上述のように、非支持の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料の少なくとも一部を硫化することができ、得られる金属硫化物を、炭化水素変換プロセスなどの変換プロセスにおいて触媒又は触媒担体として使用することができる。水素化処理は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が触媒として有用である炭化水素変換プロセスの1つの種類である。具体的な水素化処理プロセスの例は、当該技術分野において周知であり、水素脱窒化、水素化脱硫、水素化脱金属、水素脱珪酸、水素脱芳香族、水素異性化、水素処理、水素精製、及び水素化分解を挙げられる。一実施形態では、変換プロセスは、結晶性混合遷移金属タングステン酸塩を硫化剤と接触させて、変換条件で供給流と接触させる金属硫化物を生成し、少なくとも1つの生成物を生成することを含む。
上記の水素化処理プロセスの動作条件は、典型的には、2.5MPa〜17.2MPa、又は5.5〜17.2MPaの範囲の反応圧力を含み、反応温度は、245℃〜440℃の範囲、又は285℃〜425℃の範囲にある。液体時間空間速度(liquid hour space velocity、LHSV)と称される、供給物及び活性触媒についての接触時間は、0.1h−1〜10h−1、又は2.0h−1〜8.0h−1の範囲であるべきである。これらの範囲の具体的なサブセットは、使用される供給原料に応じて採用され得る。例えば、典型的なディーゼル供給原料を水素処理するとき、動作条件は、3.5MPa〜8.6MPa、315℃〜410℃、0.25/h〜5/h、及び84Nm/m〜850Nm/mの供給を挙げることができる。他の供給原料としては、ガソリン、ナフサ、ケロシン、ガス油、蒸留物、及び改質油を挙げることができる。
本プロセス又は製造方法において使用されるライン、導管、ユニット、デバイス、容器、周囲環境、ゾーン、又は同様のもののいずれも、センサ、測定デバイス、データ捕捉デバイス、又はデータ送信デバイスを含む1つ以上の監視構成要素を装備してもよい。監視構成要素からの信号、プロセス、又は状態測定値、並びにデータを使用して、プロセス機器内、その周囲、及びその上の状況を監視することができる。監視構成要素によって生成又は記録された信号、測定値、及び/又はデータは、プライベート若しくはパブリック、一般的若しくは特定的、直接若しくは間接的、有線若しくは無線、暗号化若しくは非暗号化、及び/又はそれらの組み合わせ(複数可)であってもよい1つ以上のネットワーク又は接続を介して収集、処理、及び/又は送信されてもよい。本明細書は、この点において限定することを意図するものではない。
監視構成要素によって生成又は記録された信号、測定値、及び/又はデータは、1つ以上のコンピューティングデバイス又はシステムに送信されてもよい。コンピューティングデバイス又はシステムは、少なくとも1つのプロセッサと、少なくとも1つのプロセッサによって実行されると、1つ以上のコンピューティングデバイスに1つ以上の工程を含み得るプロセスを実行させる、コンピュータ可読命令を記憶するメモリと、を含み得る。例えば、1つ以上のコンピューティングデバイスは、1つ以上の監視構成要素から、プロセスに関連付けられた機器の少なくとも一部に関連するデータを受信するように構成されてもよい。1つ以上のコンピューティングデバイス又はシステムは、データを分析するように構成されてもよい。データの分析に基づいて、1つ以上のコンピューティングデバイス又はシステムは、本明細書に記載される1つ以上のプロセスの1つ以上のパラメータに対する1つ以上の推奨される調整を決定するように構成されてもよい。1つ以上のコンピューティングデバイス又はシステムは、本明細書に記載される1つ以上のプロセス又は方法の1つ以上のパラメータに対する1つ以上の推奨される調整を含む暗号化又は非暗号化データを送信するように構成されてもよい。本発明をより完全に説明することができるように、以下に実施例が提供される。これらの実施例は、単なる例示であり、特許請求の範囲に記載される本発明の広範な範囲の限定として解釈されるべきではない。
以下の実施例で提示されるパターンは、標準的なX線粉末回折技術を使用して得た。放射線源は、45kV及び35mAで動作した高強度X線管であった。銅K−α放射からの回折パターンは、適切なコンピュータベースの技術によって得た。粉末試料をプレートに平らに押し付け、3°及び70°(2θ)から連続的に走査した。オングストローム単位における面間隔(d)は、θとして表される回折ピークの位置から得た。θは、デジタル化されたデータから観察されるブラッグ角である。バックグラウンドを減算した後の回折ピークの積分領域から強度を決定した。「I」は、最も強い線又はピークの強度であり、「I」は、他のピークのそれぞれの強度である。当業者には理解されるように、パラメータ2θの決定は、人為及び機械的エラーの両方を受けやすく、これは組み合わせて、2θの各報告値に対する±0.4°の不確実性を課し得る。この不確実性はまた、2θ値から計算されるd間隔の報告値にも転化される。報告されるX線パターンのうちのいくつかにおいて、d間隔の相対強度は、それぞれ、非常に強いこと、強いこと、中程度、及び弱いことを表す、vs、s、m、及びwの表記によって示される。100(I/I)の観点から、上記の表記は以下のように定義される。
w=0.01〜15、m=15〜60、s=60〜80、及びvs=80〜100。
特定の場合では、合成された生成物の純度は、そのX線粉末回折パターンを参照して評価され得る。したがって、例えば、試料が純粋であると述べられている場合、試料のX線パターンが結晶性不純物に起因する線を含まないことのみが意図されており、非晶質材料が存在しないことは意図されていない。当業者には理解されるように、異なる結晶性の悪い材料が同じ位置でピークを生じさせることが可能である。材料が複数の結晶性の悪い材料から構成されている場合、結晶性の悪い材料のそれぞれについて個々に観察されるピーク位置は、得られる合計回折パターンにおいて観察されるであろう。同様に、異なる単相結晶性材料内の同じ位置にいくつかのピークが現れることが可能であり、これは、単に材料内での同様の距離の反射であり得、材料が同じ構造を有するわけではない。
メタタングステン酸アンモニウム水和物(25.3g、0.1モルのW)を150mlのDI HOに溶解し、濃縮水酸化アンモニウム(25mL、30%)をこの溶液に添加した。硝酸ニッケル六水和物(43.62g、0.15モルのNi)を150mlのDI HOに添加することにより、第2の溶液を調製した。2つの溶液を、マイルドなHNO溶液を使用して、最終溶液のpHをpH6.8に調整しながら、ゆっくりと共に混合した。沈殿物を濾過により単離し、温水で洗浄し、次いで、温度が400℃に達するまで、1時間当たり2℃の傾斜率を使用して熱処理した。材料を400℃で24時間維持した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
セラミック皿を使用して、水酸化アンモニウム(10ml、30%)を、30分間にわたって炭酸ニッケル水和物(5.07g、0.05モルのNi)に添加した。メタタングステン酸アンモニウム水和物(12.63g、0.05モルのW)を添加し、得られた混合物を十分に混合し、次いで、断続的に混合しながら150℃で12時間熱処理した。次いで、混合物を350℃で更に24時間熱処理した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
セラミック皿を使用して、硝酸ニッケル六水和物(14.54g、0.05モルのNi)、硝酸亜鉛六水和物(14.87g、0.05モルのZn)、及びメタタングステン酸アンモニウム水和物(17.71g、0.07モルのW)を共に添加し、得られた混合物を、断続的に混合しながら150℃で12時間熱処理する前に、十分に混合した。次いで、混合物を350℃で更に24時間熱処理した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
セラミック皿を使用して、硝酸ニッケル六水和物(29.75g、0.1モルのNi)及びメタタングステン酸アンモニウム水和物(17.71g、0.07モルのW)を共に添加し、得られた混合物を、断続的に混合しながら150℃で12時間熱処理する前に、十分に混合した。次いで、混合物を400℃で更に24時間熱処理した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
セラミック皿を使用して、硝酸ニッケル六水和物(12.35g、0.042モルのNi)、硝酸銅ヘミ(五水和物)(9.9g、0.043モルのCu)、メタタングステン酸アンモニウム水和物(17.71g、0.07モルのW)を共に添加し、得られた混合物を75℃で1時間熱処理する前に、十分に混合した。次いで、反応中間体を混合し、85℃で1時間加熱した後、110℃で12時間加熱した。次いで、試料を微粉に粉砕し、200℃で4時間熱処理した後、温度を2℃分−1で昇温し、300℃で4時間保持し、再び400℃まで昇温し、更に4時間保持した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
硝酸ニッケル六水和物(100g、0.34モルのNi)、硝酸亜鉛(3.63g、0.03モルのZn)、メタタングステン酸アンモニウム水和物(60.5g、0.24モルのW)、及び炭酸アンモニウム(82.5g、0.86モル)を、被覆ビーカ内で共に混合し、断続的に混合しながら50℃で4日間加熱した。次いで、混合物をセラミック皿に移し、120℃に加熱する前に、70℃で1日間加熱した。次いで、混合物を120℃〜190℃の10℃の間隔で1時間加熱した後、材料を200℃で24時間加熱した。得られた生成物をX線粉末回折により分析した。X線粉末回折パターンを図1に示す。
特定の実施形態
実施形態1は、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料である。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
別の実施形態は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が、少なくとも1つの結合剤との混合物中に存在し、混合物が最大25重量%の結合剤を含む、実施形態1に記載の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料である。
別の実施形態は、結合剤が、シリカ、アルミナ、シリカ−アルミナ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、前述の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料のいずれかである。
別の実施形態は、Mがニッケル又はコバルトである、前述の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料のいずれかである。
別の実施形態は、Mがニッケルである、前述の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料のいずれかである。
別の実施形態は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が硫化されている、前述の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料のいずれかである。
実施形態2は、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料の製造方法である。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
本方法は、(a)水、M源、W源、及び任意選択的に可溶化剤、錯化剤、キレート剤、又はこれらの混合物を含有する反応混合物を形成することと、(b)任意選択的に、反応混合物から構成成分を除去して、中間反応混合物を生成することであって、構成成分が、沈殿物、若しくは水の少なくとも一部分、又は沈殿物及び水の一部分の両方である、生成することと、(c)反応混合物又は中間混合物を25℃〜500℃の温度で30分〜14日間の期間にわたって反応させて、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を生成することと、(d)結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を回収することと、を含む。
別の実施形態は、回収が濾過又は遠心分離によって行われる、実施形態2に記載の方法である。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法は、回収された結晶性遷移金属タングステン酸塩材料に結合剤を添加することを更に含む。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、結合剤が、アルミナ、シリカ、アルミナ−シリカ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法である。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、回収された結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を硫化することを更に含む、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法である。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、反応が大気圧又は自生圧力下で行われる、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法である。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、反応中に断続的に混合することを更に含む、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法である。
別の実施形態は、前述の方法のいずれかであって、温度が反応中に変動する、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を製造する方法である。
実施形態3は、材料を硫化剤と接触させて、材料の少なくとも一部を金属硫化物に変換し、金属硫化物を変換条件で供給物と接触させて、少なくとも1つの生成物を生成することを含む変換プロセスであり、材料は、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を含む。
MW
式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる。
Figure 2020531396
別の実施形態は、変換プロセスが水素化処理である、実施形態3である。
別の実施形態は、変換プロセスが、水素脱窒化、水素化脱硫、水素化脱金属、水素脱珪酸、水素脱芳香族、水素異性化、水素処理、水素精製、及び水素化分解からなる群から選択される、前述の変換プロセスのいずれかである。
別の実施形態は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が、少なくとも1つの結合剤との混合物中に存在し、混合物が最大25重量%の結合剤を含む、前述の変換プロセスのいずれかである。
別の実施形態は、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が硫化される、前述の変換プロセスのいずれかである。
別の実施形態は、以下のうちの少なくとも1つを更に含む、実施形態3又は2である。
プロセス及び方法の少なくとも1つのパラメータを検知し、その検知から信号又はデータを生成すること、又は、
信号を生成して送信すること、又は、
データを生成して送信すること。

Claims (10)

  1. 以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料であって、
    MW
    式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、前記材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる、結晶性遷移金属タングステン酸塩材料。
    Figure 2020531396
  2. 前記結晶性遷移金属タングステン酸塩材料が、少なくとも1つの結合剤との混合物中に存在し、前記混合物が、最大25重量%の結合剤を含み、前記結合剤が、シリカ、アルミナ、シリカ−アルミナ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料。
  3. Mが、ニッケル又はコバルトである、請求項1に記載の結晶性遷移金属タングステン酸塩材料。
  4. 以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料の製造方法であって、
    MW
    式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、前記材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられ、
    Figure 2020531396
    前記方法は、
    (a)水、M源、W源、及び任意選択的に可溶化剤、錯化剤、キレート剤、又はこれらの混合物を含有する反応混合物を形成することと、
    (b)任意選択的に、前記反応混合物から構成成分を除去して、中間反応混合物を生成することであって、前記構成成分が、沈殿物、若しくは前記水の少なくとも一部分、又は沈殿物及び前記水の少なくとも一部分の両方である、生成することと、
    (c)前記反応混合物又は前記中間混合物を、25℃〜500℃の温度で30分〜14日間の期間にわたって反応させて、前記結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を生成することと、
    (d)前記結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を回収することと、を含む、方法。
  5. 前記回収された結晶性遷移金属タングステン酸塩材料に結合剤を添加することを更に含み、前記結合剤が、アルミナ、シリカ、アルミナ−シリカ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項7に記載の方法。
  6. 前記回収された結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を硫化することを更に含む、請求項4に記載の方法。
  7. 前記反応させることが、大気圧若しくは自生圧力下で、又は断続的な混合によって、又は様々な温度で、あるいはこれらの1つ以上の組み合わせによって行われる、請求項4に記載の方法。
  8. 材料を硫化剤と接触させて、前記材料の少なくとも一部を金属硫化物に変換することと、前記金属硫化物を変換条件で供給物と接触させて、少なくとも1つの生成物を生成することと、を含む、変換プロセスであって、前記材料が、以下の式を有する結晶性遷移金属タングステン酸塩材料を含み、
    MW
    式中、「M」は、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cu、Zn、Sn、Sb、Ti、Zr、及びこれらの混合物から選択される金属であり、「x」は、0.35〜2で変動し、「y」は、M及びWの価数の合計を満たす数であり、前記材料は、表Aに列挙されたd間隔におけるピークを示す固有のX線粉末回折パターンによって更に特徴付けられる、変換プロセス。
    Figure 2020531396
  9. 前記変換プロセスが、水素脱窒化、水素化脱硫、水素化脱金属、水素脱珪酸、水素脱芳香族、水素異性化、水素処理、水素化精製、又は水素化分解である、請求項8に記載のプロセス。
  10. 請求項8に記載のプロセスであって、
    前記プロセスの少なくとも1つのパラメータを検知し、前記検知から信号又はデータを生成すること、又は、
    信号を生成して送信すること、又は、
    データを生成して送信すること、のうちの少なくとも1つを更に含む、プロセス。
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