JP2020527451A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 前処理アセンブリ（１０）用の製品支持アセンブリ（２０）であって、
   前記前処理アセンブリ（１０）は、幾つかのワークピース（１）を処理するように構成されており、
   前記前処理アセンブリ（１０）は、幾つかのイオン生成ステーション（９０）を含んでおり、
   前記製品支持アセンブリ（２０）は、
   第一支持アセンブリ（２２）と、
   第一駆動アセンブリ（２６）と、
   幾つかの第二支持アセンブリ（２４）と、
   第二駆動アセンブリ（２８）と、
   を備えており、
   前記第一駆動アセンブリ（２６）は、前記第一支持アセンブリ（２２）に動作可能に連結されており、
   前記第一駆動アセンブリ（２６）は、前記第一支持アセンブリ（２２）に一定の動きをさせ、
   各第二支持アセンブリ（２４）は、幾つかのワークピース（１）を支持するように構成されており、
   各第二支持アセンブリ（２４）は、前記第一支持アセンブリ（２２）に可動に連結されており、
   前記第二駆動アセンブリ（２８）は、各第二支持アセンブリ（２４）に動作可能に連結されており、
   前記第二駆動アセンブリ（２８）は、各第二支持アセンブリ（２４）を選択的に動かす、製品支持アセンブリ。
2. 前記第一支持アセンブリ（２２）はタレットアセンブリ（３０）であり、
   前記タレットアセンブリ（３０）は、各第二支持アセンブリ（２４）を第一の半径（４０）にて支持するように構成された本体（３２）を含んでおり、
   前記タレットアセンブリの本体（３２）は回転軸（３６）を有しており、
   各第二支持アセンブリ（２４）は、前記第一の半径（４０）にて前記タレットアセンブリ（３０）に連結されており、
   前記第一駆動アセンブリ（２６）は、前記第一の半径（４０）が速い速度、非常に速い速度、又は極めて速い速度の何れかで移動するように前記タレットアセンブリの本体（３２）を回転させるように構成されている、請求項１に記載の製品支持アセンブリ。
3. 各第二支持アセンブリ（２４）は、マンドレルアセンブリ（５０）であり、
   各マンドレルアセンブリ（５０）は、第一の端部（５４）及び第二の端部（５６）を有する細長い本体（５２）を含んでおり、
   各マンドレルアセンブリ本体（５２）は、前記タレットアセンブリの本体（３２）に回転可能に連結されている、請求項２に記載の製品支持アセンブリ。
4. 各イオン発生ステーション（９０）はイオン化面（９４）を含んでおり、各イオン化面（９４）は幅を有しており、各イオン表面（９４）は、前記タレットアセンブリの本体の第一の半径（４０）に隣接して配置されており、各イオン化面（９４）は、マンドレルアセンブリの本体（５２）の移動経路とほぼ平行に延びており、
   各マンドレルアセンブリの本体の第二の端部（５６）の移動経路は、各イオン化面（９４）から有効距離に配置される、請求項３に記載の製品支持アセンブリ。
5. 各イオン化面（９４）がほぼ内側円錐面であり、各マンドレルアセンブリ本体の第二の端部（５６）はテーパー状である、請求項４に記載の製品支持アセンブリ。
6. 前記第一駆動アセンブリ（２６）は第一の回転速度を有しており、
   前記第二駆動アセンブリ（２８）は、各マンドレルアセンブリンの本体（５２）が各イオン化面（９４）付近を移動すると、各マンドレルアセンブリの本体（５２）を実質的に一回転させるように構成されている、請求項４に記載の製品支持アセンブリ。
7. どのマンドレルアセンブリの本体（５２）も、イオン発生ステーション（９０）で止まらない、請求項４に記載の製品支持アセンブリ。
8. 各マンドレルアセンブリの本体の回転軸（５８）は、前記タレットアセンブリの本体の回転軸（３６）とほぼ平行に延びている、請求項３記載の製品支持アセンブリ。
9. 前記第一駆動アセンブリ（２６）及び前記第二駆動アセンブリ（２８）は独立に動作可能である、請求項１に記載の製品支持アセンブリ。
10. どの第二支持アセンブリ（２４）もイオン発生ステーション（９０）で止まらない、請求項１に記載の製品支持アセンブリ。
11. 請求項１乃至１０の何れかに記載の製品支持アセンブリ（２０）と、
    幾つかの前記イオン発生ステーション（９０）と、
    を備える前処理アセンブリ（１０）であって、
    各イオン生成ステーション（９０）は、前記製品支持アセンブリ（２０）に隣接して配置されている、前処理アセンブリ。
12. 前記製品支持アセンブリ（２０）は、毎分当たり多数のワークピース（１）、毎分当たり非常に多数のワークピース（１）、又は毎分当たり極めて多数のワークピース（１）の何れかに有効距離で前記幾つかのイオン発生ステーション（９０）付近を有効距離で通過させる、請求項１１に記載の前処理アセンブリ。
13. 幾つかのワークピース（１）を処理する方法において、
    製品支持アセンブリと、幾つかのイオン生成ステーションを含む前処理アセンブリ（１０）を用意する工程（１０００）であって、
    各イオン発生ステーションは、前記製品支持アセンブリに隣接して配置され、
    前記製品支持アセンブリは、第一支持アセンブリ、第一駆動アセンブリ、幾つかの第二支持アセンブリ、及び第二駆動アセンブリを含んでおり、
    前記第一駆動アセンブリは、前記第一支持アセンブリに動作可能に連結されており、
    前記第一駆動アセンブリは、前記第一支持アセンブリに一定の動きをさせ、
    各第二支持アセンブリは、幾つかのワークピースを支持するように構成されており、
    各第二支持アセンブリは、前記第一支持アセンブリに可動に連結されており、
    前記第二駆動アセンブリは、各第二支持アセンブリに動作可能に連結されており、
    前記第二駆動アセンブリは、各第二支持アセンブリを選択的に動かす、
    工程（１０００）と、
    幾つかのワークピース（１）を処理する工程（１００１）と、
    を含んでおり、
    幾つかのワークピース（１）を処理する工程（１００１）は、
    第二支持アセンブリ（２４）にワークピース（１）を配置する工程（１００２）と、
    前記第一支持アセンブリ（２２）をほぼ一定の速度で移動させる工程（１００４）と、
    各第二支持アセンブリ（２４）に前記幾つかのイオン発生ステーション（９０）付近を移動させる工程（１００６）と、
    を含む方法。
14. 前記第一支持アセンブリ（２２）をほぼ一定の速度で移動させる工程（１００４）は、 前記第一支持アセンブリ（２２）上の第一の半径（４０）が、速い速度、非常に速い速度、又は極めて速い速度の何れかで移動するように前記第一支持アセンブリ（２２）を移動させる工程（１０２０）を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 幾つかのワークピース（１）を処理する工程（１００１）は、毎分当たり多数のワークピース（１）、毎分当たり非常に多数のワークピース（１）、又は、毎分当たり極めて多数のワークピース（１）の何れかを処理する工程（１０３０）を含む、請求項１３に記載の方法。