JP2020520305A - セラミック含有物品の不活性ガス支援型のレーザー加工 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許文献は、それぞれ、2017年5月2日付けで出願された米国仮特許出願第62/500,482号及び第62/500,491号の利益を主張するものである。法令によって許容されている場合には、これらの共通の出願人による特許出願のそれぞれの内容は、そのすべてが、引用により、本明細書において明示的に包含される。
該当せず
・高寸法精度、
・低表面下損傷、
・低局所加熱、
・低表面改質、
・低酸化物形成、
・低粒子汚染、
を必要としている。
・高機械安定性(高剛性、低密度)、
・高熱安定性(高熱伝導性、低CTE)、
・高損耗抵抗、
・低付着、
・高精度の平坦度及び低粗度、
を必要としている。
・1.064ミクロンのNd:YAG、
・100ワットの最大平均パワー、
・50〜300マイクロ秒のパルスレート、
・ダイレクトビーム、
・300mm×300mmのステージ、
・1ミクロンの反復ステージ精度
レーザー加工は、EDMに対する潜在的な代替肢を提供している。レーザーは、多相材料内のすべての相を切断し、これにより、極めて最小限の表面下損傷を有する均一な形状を許容することができる。但し、従来のレーザー加工は、材料を局所的に加熱する可能性があり、この結果、特に、材料が金属及び/又は非酸化物セラミックを含んでいる場合に、表面改質及び酸化物形成が生じうる。このような表面改質及び酸化物形成は、増大した粒子汚染の傾向に起因して、極めて望ましくない。
・1080nm〜150nmにおいて使用される波長、
・300ns〜1fsの間のパルス幅、
・100000Hz〜1Hzの間の反復レート、
・最大で1000mm/sのスキャンニング速度
・最大で120Wのパワー、
・支援(カバー)ガスとしてのアルゴン、
というものである。
以下は、EDMによって加工されたものから、且つ、レーザービームによって加工されたものから、従来の研削/ラップ加工/研磨によって調製された加工された表面を特徴付け又は弁別する方式について記述している。この特徴付けのために、金属−セラミック複合材料、即ち、Si/SiC、が使用されたことに留意されたい。
・加工された特徴の相対的に高精度の制御、
・格段に少ない表面下損傷、
・相対的に滑らかな表面仕上げ、
・特徴のエッジ上における格段に小さな粗度、
・亀裂又は間隙形成の証拠の欠如、
・酸化の回避及び粒子形成の傾向の低減、
を提供する。
次に、本発明に従ってレーザー加工されたSi/SiCウエハチャック内のピンの、異なる倍率における、SEM写真である、図1A及び図1Bを参照されたい。レーザービームのゾーン又は領域の近傍における加工対象のSi/SiC材料の表面上に不活性ガス(ここでは、アルゴンガス)を導くための手段(例えば、ノズル)によって変更又は補完されたコールドアブレーションレーザー装置を利用してレーザー加工を実行した。
・加工された特徴の相対的に高精度の制御、
・格段に少ない表面下損傷、
・相対的に滑らかな表面仕上げ、
・特徴のエッジ上における格段に小さな粗度、
・亀裂又は間隙形成の証拠の欠如、
・酸化の回避及び粒子形成の傾向の低減、
を提供している。
この例は、不活性ガスの「支援」をコールドアブレーションレーザー加工プロセスに追加する効果を示している。
この例は、本発明の変更されたコールドアブレーションレーザー加工技法、従来技術のコールドアブレーションレーザー加工プロセス、及び従来技術の電気放電加工プロセスの間において、「ポケットカット」の品質を比較している。それぞれの例において、反応接合によって生成されたSi/SiC複合材料のサンプル上において、ポケットカットを準備した。ポケットカットは、立方体などの材料の直交プリズムを提供し、且つ、望ましい深さまで一側部上の材料を剃り落とすように進めるが、上部表面近傍の領域を元のままに残し、且つ、次いで、隣接する側部表面上において同一の内容を実行し、これにより、再度、上部表面近傍の領域を元のままの状態に残すことにより、準備することができる。
図6A〜図6Cは、Si/SiC複合材料、TiSi/SiC複合材料、及びSi/ダイアモンド複合材料の表面内に本発明に従ってレーザー加工されたピンを示すSEM写真である。従って、この例は、本技法の多様性を示している。ダイアモンド含有複合材料は、ダイアモンド粒子の硬度に起因して、機械的技法を使用して加工(例えば、研削)することができないことに留意されたい。
図7A〜図7Cは、本発明の本実施形態の能力を更に示すSEM写真である。図7Aは、レーザー加工された、且つ、200ミクロン未満だけ、互いから離れるように離隔した、異なる形状特徴を示している。図7Bは、ウエハチャック内のレーザー加工されたピンを示しており、ピンは、その計測幅が約200ミクロンであるベースを有する。図7Cは、その幅が約150ミクロンであるベースを有するピンを示しており、このピンも、本発明の実施形態に従ってレーザー加工されている。
この例は、電気放電加工(EDM)によって加工されるには、導電性が不十分である、材料を加工するための、本発明の変更されたコールドアブレーションレーザー加工技法の使用法を実証している。
図8A(挿入図)は、化学蒸着(CVD:Chemical Vapor Deposition)プロセスによって生成された炭化ケイ素(SiC)内において加工されたピンの顕微鏡写真である。加工は、本発明に、例えば、保護不活性ガスによって変更されたコールドアブレーションレーザーに、よるものであった。図8Bは、このCVD SiCのレーザー加工された表面の写真であり、表面内に加工された複数のピンのパターンを示している。
図9Aは、化学蒸着プロセスによって生成されたダイアモンド内において加工されたピンの顕微鏡写真である。加工は、本発明に、例えば、保護不活性ガスによって変更されたコールドアブレーションレーザーに、よるものであった。図9Bは、このCVDダイアモンドのレーザー加工された表面の写真であり、表面内に加工された複数のピンのパターンを示している。
・レーザー加工が、相対的に少ない表面改質をもたらし、且つ、表面下損傷をほとんど又はまったくもたらさず、且つ、相対的に高度な寸法制御を有することから、下流のプロセスに大きな利益を付与するべく、ピンパターンの加工を最適化することができる。
・導電性材料に限定されてはいない。
・特徴の設計の相対的に大きな柔軟性を利用することができる(特徴のプロファイル及びフットプリント、表面のテクスチャ付与)。
・450mm以上の直径に容易にスケーラブルである。
・大きなマシニングセンタが利用可能であり、これにより、多数の部分の同時加工が可能となる。
半導体ウエハを支持するべく、表面ピン(「メサ」又は「プラトー」とも呼称される)を有するSi/SiCウエハハンドリング装置が提供され、これは、図13A及び図13Bに示されているものに類似している。ピンは、非常に均一な高度において位置しており、且つ、装置とウエハの間の接触面積を大幅に低減している。但し、ピントップは、非常に滑らかであり、これにより、「光学的付着」現象がもたらされる。
・1.064μmのNd:YAG(熱レーザー)、
・100Wの最大平均パワー、
・50〜300μmのパルスレート、
・ダイレクトビーム、
・300mm×300mmのステージ、
・1μmの反復ステージ精度
この例は、不活性カバーガスによって変更されたコールドアブレーションレーザーを使用したウエハハンドリング装置のレーザーによるテクスチャ付与を実証している。レーザー加工される材料は、実施例1と同一であり、即ち、反応浸潤によって生成されたシリコン/炭化ケイ素複合材料であった。
・真空ウエハチャック、
・真空ウエハテーブル、
・静電チャック、
・ウエハアーム、
・エンドエフェクタ、
を含む。
・次世代材料の(即ち、ダイアモンドに基づいた)加工
・反射防止用のテクスチャ付与、
・低摩擦のテクスチャ付与、
・化学−機械平坦化(CMP:Chemical−Mechanical Planarization)コンディショナパッドの製造、
を含む。
Claims (7)
- 金属含有又はセラミック含有材料を加工する方法において、
コールドアブレーションレーザーを使用して加工するステップを有し、不活性ガスが、前記コールドアブレーションレーザーからのレーザービームが前記表面上において入射する場所において、加工対象の前記材料の表面に提供される、ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記コールドアブレーションレーザーは、15〜120ワットの範囲のパワーを有することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記コールドアブレーションレーザーは、150〜1080nmの波長において動作することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記コールドアブレーションレーザーは、1フェムト秒〜300ナノ秒のパルス幅を有することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記コールドアブレーションレーザーは、1Hz〜100000Hzの反復レートを有することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、及びキセノンから構成された群から選択されたガスを有することを特徴とする方法。
- 金属含有又はセラミック含有ボディの表面を加工する装置において、
コールドアブレーションレーザーと、
不活性ガスを前記コールドアブレーションレーザーからのレーザービームが前記表面上において入射する場所において前記表面上に導く手段と、
を有することを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762500491P | 2017-05-02 | 2017-05-02 | |
US201762500482P | 2017-05-02 | 2017-05-02 | |
US62/500,491 | 2017-05-02 | ||
US62/500,482 | 2017-05-02 | ||
PCT/US2018/030749 WO2018204556A1 (en) | 2017-05-02 | 2018-05-02 | Inert gas-assisted laser machining of ceramic-containing articles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020520305A true JP2020520305A (ja) | 2020-07-09 |
JP7183182B2 JP7183182B2 (ja) | 2022-12-05 |
Family
ID=62567726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019559332A Active JP7183182B2 (ja) | 2017-05-02 | 2018-05-02 | セラミック含有物品の不活性ガス支援型のレーザー加工 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20200223013A1 (ja) |
EP (1) | EP3615260A1 (ja) |
JP (1) | JP7183182B2 (ja) |
WO (2) | WO2018204555A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220076794A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-08 | 서울대학교산학협력단 | 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법 |
JP2023029222A (ja) * | 2021-08-18 | 2023-03-03 | トゥエンティファーストティーエイチ センチュリー カンパニー リミテッド | フェムト秒レーザーを利用した薄膜シート積層用上部金型のマイクロホールの加工方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11229968B2 (en) * | 2011-11-30 | 2022-01-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Semiconductor substrate support with multiple electrodes and method for making same |
CN112775563B (zh) * | 2020-12-18 | 2023-05-05 | 西安晟光硅研半导体科技有限公司 | 一种碳化硅晶片单向四层双向八级台阶切割工艺 |
US20230321758A1 (en) * | 2022-03-25 | 2023-10-12 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Laser-roughened reaction-bonded silicon carbide for wafer contact surface |
CN117817137A (zh) * | 2024-03-05 | 2024-04-05 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种可定制粗糙度的陶瓷覆铜载板的制作方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07284967A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素セラミックスの加工方法 |
JP2001269793A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザ加工方法 |
JP2006122989A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | レーザ加工装置 |
JP2011521470A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | インテグリス・インコーポレーテッド | 静電チャック |
JP2012009720A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nikon Corp | ウェハホルダおよび露光装置 |
JP2012119378A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 載置用部材およびその製造方法 |
JP2014504458A (ja) * | 2010-12-20 | 2014-02-20 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | Cmpパッド状態調節ツール |
WO2016009103A2 (es) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | Wartsila Iberica, S.A. | Método de tratamiento de superficies metálicas, cerámicas o pétreas y superficie obtenible con dicho método |
US20160276203A1 (en) * | 2014-11-23 | 2016-09-22 | M Cubed Technologies, Inc. | Wafer pin chuck fabrication and repair |
US20160354864A1 (en) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Method of manufacturing a holding plate, in particular for a clamp for holding wafers |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5744780A (en) * | 1995-09-05 | 1998-04-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus for precision micromachining with lasers |
US9024310B2 (en) * | 2011-01-12 | 2015-05-05 | Tsinghua University | Epitaxial structure |
US9931714B2 (en) * | 2015-09-11 | 2018-04-03 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Methods and systems for removing interstitial material from superabrasive materials of cutting elements using energy beams |
US20180104767A1 (en) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | Applied Materials, Inc. | Texturizing a surface without bead blast |
-
2018
- 2018-05-02 JP JP2019559332A patent/JP7183182B2/ja active Active
- 2018-05-02 EP EP18730468.8A patent/EP3615260A1/en active Pending
- 2018-05-02 WO PCT/US2018/030748 patent/WO2018204555A1/en active Application Filing
- 2018-05-02 WO PCT/US2018/030749 patent/WO2018204556A1/en unknown
-
2019
- 2019-10-30 US US16/669,478 patent/US20200223013A1/en active Pending
- 2019-10-31 US US16/671,160 patent/US11524365B2/en active Active
-
2022
- 2022-12-09 US US18/063,802 patent/US20230115031A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07284967A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素セラミックスの加工方法 |
JP2001269793A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザ加工方法 |
JP2006122989A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | レーザ加工装置 |
JP2011521470A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | インテグリス・インコーポレーテッド | 静電チャック |
JP2012009720A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nikon Corp | ウェハホルダおよび露光装置 |
JP2012119378A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 載置用部材およびその製造方法 |
JP2014504458A (ja) * | 2010-12-20 | 2014-02-20 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | Cmpパッド状態調節ツール |
WO2016009103A2 (es) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | Wartsila Iberica, S.A. | Método de tratamiento de superficies metálicas, cerámicas o pétreas y superficie obtenible con dicho método |
US20160276203A1 (en) * | 2014-11-23 | 2016-09-22 | M Cubed Technologies, Inc. | Wafer pin chuck fabrication and repair |
US20160354864A1 (en) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Method of manufacturing a holding plate, in particular for a clamp for holding wafers |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220076794A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-08 | 서울대학교산학협력단 | 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법 |
JP2023029222A (ja) * | 2021-08-18 | 2023-03-03 | トゥエンティファーストティーエイチ センチュリー カンパニー リミテッド | フェムト秒レーザーを利用した薄膜シート積層用上部金型のマイクロホールの加工方法 |
JP7289162B2 (ja) | 2021-08-18 | 2023-06-09 | トゥエンティファーストティーエイチ センチュリー カンパニー リミテッド | フェムト秒レーザーを利用した薄膜シート積層用上部金型のマイクロホールの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11524365B2 (en) | 2022-12-13 |
WO2018204556A1 (en) | 2018-11-08 |
US20200230747A1 (en) | 2020-07-23 |
EP3615260A1 (en) | 2020-03-04 |
WO2018204555A1 (en) | 2018-11-08 |
US20200223013A1 (en) | 2020-07-16 |
JP7183182B2 (ja) | 2022-12-05 |
US20230115031A1 (en) | 2023-04-13 |
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