JP2020505607A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020505607A5 JP2020505607A5 JP2019541117A JP2019541117A JP2020505607A5 JP 2020505607 A5 JP2020505607 A5 JP 2020505607A5 JP 2019541117 A JP2019541117 A JP 2019541117A JP 2019541117 A JP2019541117 A JP 2019541117A JP 2020505607 A5 JP2020505607 A5 JP 2020505607A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- inspection system
- surface inspection
- illumination light
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 61
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 31
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 29
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 11
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 claims 9
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 5
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims 2
- 230000003595 spectral Effects 0.000 claims 2
- 239000004544 spot-on Substances 0.000 claims 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
Claims (19)
- 半導体ウェハが着脱可能に取り付けられるウェハチャックを含むウェハ位置決めシステムであって、前記半導体ウェハは1つ以上の結晶軸を特徴とする結晶構造を有する基板材料を含む、ウェハ位置決めシステムと、
照明光のビームを発生するように構成された照明光源と、
前記半導体ウェハの表面に入射する前記照明光のビームを測定スポットに向けて焦光するように構成された1つ以上の光学素子であって、前記半導体ウェハの前記表面は前記照明光の入射ビームを基準として前記ウェハ位置決めシステムによって配置される、光学素子と、
複数の欠陥出力信号を生成するように構成された1つ以上の欠陥粒子検出器であって、各欠陥出力信号は、前記ウェハ位置決めシステムが前記測定スポットを横断して前記半導体ウェハの前記表面を走査する際に前記測定スポット内で検出された検出欠陥粒子の存在を示すものであり、前記検出欠陥粒子のうちの各検出欠陥粒子は、前記半導体ウェハの前記表面においてそれぞれ異なる位置に存在する、欠陥粒子検出器と、
コンピューティングシステムであって、
前記複数の欠陥出力信号を受け取り、
前記複数の検出欠陥粒子のマップであって、各検出欠陥粒子の前記半導体ウェハの前記表面上の位置を示すマップを生成し、
前記ウェハ位置決めシステムに制御コマンドを送信し、前記ウェハ位置決めシステムに前記半導体ウェハを移動させて、前記測定スポットが特定の期間において前記複数の検出欠陥粒子のうちの1つの欠陥粒子の位置において前記半導体ウェハの前記表面上に存在するようにし、前記検出欠陥粒子上への照明ビームの入射によって前記検出欠陥粒子を化学的に改変して、前記期間中に前記検出欠陥粒子を分光学的に活性化するように構成されたコンピューティングシステムと、
前記期間中の前記検出欠陥粒子への前記照明ビームの入射に反応して生じた前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて、前記活性化させた検出欠陥粒子の材料組成を示す出力信号を生成するように構成された1つ以上の分光器と、を備え、
前記コンピューティングシステムが、さらに、
前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された前記光の量を示す前記出力信号を受信し、前記出力信号に基づいて前記活性化させた検出欠陥粒子の材料組成を決定するように構成される、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記照明光のビームの光学経路内に設置された第1の偏光素子であって、前記照明光のビームを第1の方向に偏光させるように構成された第1の偏光素子と、
前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された量の光の光学経路内に設置された第2の偏光素子であって、前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された前記量の光を、前記第1の方向に直交する第2の方向に偏光させるように構成された第2の偏光素子と、
をさらに備えることを特徴とする表面検査システム。 - 請求項2に記載の表面検査システムであって、
前記第1の偏光素子は、前記半導体ウェハの前記基板材料における前記1つ以上の結晶軸のうちの1つの結晶軸の方向を基準として、前記照明光のビームが前記基板材料の前記1つの結晶軸に対して所定の偏光方位角で前記測定スポットに焦光されるように、方向決めされる、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
メモリ内に格納されている以前に分析した検出欠陥粒子の測定値のライブラリデータベースをさらに含み、
前記コンピューティングシステムは、前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された光を示す前記出力信号と、前記ライブラリデータベース内の以前に分析した検出欠陥粒子の複数の測定値とを相関付けて、前記活性化させた検出欠陥粒子の前記材料組成を決定するようにさらに構成される、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記検出欠陥粒子が、結晶構造、多結晶構造、又は非晶質構造を有する、有機、無機、又は金属化学組成を有する、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記検出欠陥粒子が、固有の振動ラマンスペクトルシグネチャを示さない面心立方結晶構造若しくは体心立方結晶構造、又は、固有の振動ラマンスペクトルシグネチャを弱く示す六方密充填結晶構造を有する金属である、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記検出欠陥粒子が金属であり、
前記検出欠陥粒子が、分光学的に活性になるように化学酸化により化学的に変えられる、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項7に記載の表面検査システムであって、
前記表面検査システムの周囲の大気環境における酸素の分圧とは異なる、制御された酸素分圧を含んでいる環境チャンバをさらに含み、前記化学酸化が前記環境チャンバ内で生じる、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項7に記載の表面検査システムであって、
前記検出欠陥粒子は、前記照明光のビームが前記検出欠陥粒子上へと投射される前に表面活性物質で被覆され、前記表面活性物質が前記化学酸化を促進させる、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記活性化させた検出欠陥粒子の前記材料組成を示す前記出力信号が、観測可能なラマンスペクトルを含む、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記活性化させた検出欠陥粒子の前記材料組成を示す前記出力信号が、観測可能なフォトルミネッセンススペクトルを含む、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記照明光源が、多数の別個の波長を有する照明光を発生するように構成される、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
照明光の第2のビームの光学経路内に設置された回転可能な偏光素子をさらに含み、
前記回転可能な偏光素子は、前記半導体ウェハに対して複数の異なる偏光方位角で前記偏光素子が方向決めされるように構成され、
前記活性化させた検出欠陥粒子の前記材料組成を示す前記出力信号は、前記複数の異なる偏光角度における各偏光角度での前記活性化させた検出欠陥粒子への前記照明光のビームの入射に反応して、前記活性化させた検出欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて生成される、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 請求項1に記載の表面検査システムであって、
前記照明光源と前記半導体ウェハの間で光学経路内に配置された照明パワー制御素子をさらに含み、
前記照明パワー制御素子は、前記測定スポットが前記複数の検出欠陥粒子のうちの前記1つの検出欠陥粒子の位置において前記半導体ウェハの前記表面上に存在する前記期間中に、前記照明光のビームの照明パワーを変化させる、
ことを特徴とする表面検査システム。 - 照明光のビームで半導体ウェハの表面上の欠陥粒子を第1の期間において照明するステップと、
前記第1の期間における前記照明光のビームに反応して前記欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて、第1の出力信号を発生させるステップであって、前記第1の出力信号が前記欠陥粒子の材料組成を示す観測可能なフォトルミネッセンススペクトルを含む、発生させるステップと、
前記第1の期間の後の第2の期間において、前記照明光のビームで前記半導体ウェハの前記表面上の前記欠陥粒子を照明するステップであって、前記照明光のビームの照明パワーは、前記第2の期間中の方が前記第1の期間中よりも高く、前記照明光のビームは、前記第2の期間中に前記欠陥粒子を化学的に改変して前記欠陥粒子を分光学的に活性にし、ラマンスペクトル反応は、前記欠陥粒子が分光学的に活性になる前は観測不能であるが、前記欠陥粒子が分光学的に活性になった後で観測可能になる、照明するステップと、
前記第2の期間中に前記照明光のビームに反応して前記活性化させた欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて、前記活性化させた欠陥粒子の材料組成を示す第2の出力信号を発生させるステップと、
前記第1の出力信号および前記第2の出力信号に基づいて前記活性化させた欠陥粒子の材料組成を決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記欠陥粒子が金属であり、
前記欠陥粒子が、分光学的に活性になるように化学酸化により化学的に変えられる、
ことを特徴とする方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記活性化させた欠陥粒子の前記材料組成を示す前記第2の出力信号が、観測可能なラマンスペクトルを含む、
ことを特徴とする方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記照明光のビームを第1の方向に偏光させるステップと、
前記活性化させた欠陥粒子から散乱された量の光を、前記第1の方向に直交する第2の方向に偏光させるステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。 - 第1の期間において、試料の表面上の測定スポットのところに照明光のビームを投射し、前記第1の期間中の前記照明光のビームによる欠陥粒子への照明に反応して前記欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて前記測定スポットのところの前記欠陥粒子の存在を検出するように構成された欠陥粒子検出サブシステムと、
前記第1の期間の後の第2の期間において、前記測定スポットに前記照明光のビームを投射して、前記欠陥粒子を化学的に改変して前記欠陥粒子を分光学的に活性にし、ラマンスペクトル反応は前記欠陥粒子が分光学的に活性になる前は観測不能であるが、前記欠陥粒子が分光学的に活性になった後で観測可能になるようにし、前記第2の期間中の前記照明光のビームに反応して前記活性化させた欠陥粒子から散乱された光の量に基づいて前記活性化させた欠陥粒子の材料組成を決定するように構成された欠陥粒子活性化及び分析サブシステムと、
を備えることを特徴とする表面検査システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/419,355 | 2017-01-30 | ||
US15/419,355 US10551320B2 (en) | 2017-01-30 | 2017-01-30 | Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis |
PCT/US2018/015570 WO2018140805A1 (en) | 2017-01-30 | 2018-01-26 | Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020505607A JP2020505607A (ja) | 2020-02-20 |
JP2020505607A5 true JP2020505607A5 (ja) | 2021-03-04 |
JP6916886B2 JP6916886B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=62977757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019541117A Active JP6916886B2 (ja) | 2017-01-30 | 2018-01-26 | 分光組成分析のためのウェハ粒子欠陥の活性化 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10551320B2 (ja) |
EP (1) | EP3549160B1 (ja) |
JP (1) | JP6916886B2 (ja) |
KR (1) | KR102353259B1 (ja) |
CN (1) | CN110313058B (ja) |
SG (1) | SG11201906281RA (ja) |
TW (1) | TWI764979B (ja) |
WO (1) | WO2018140805A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10438339B1 (en) | 2016-09-12 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Optical verification system and methods of verifying micro device transfer |
IL263106B2 (en) | 2018-11-19 | 2023-02-01 | Nova Ltd | Integrated measurement system |
CN111007016A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-14 | 暨南大学 | 一种检测透明材料表面微小颗粒杂质的装置及使用方法 |
KR20210121322A (ko) | 2020-03-26 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | 기판 검사 시스템 |
CN111879749B (zh) * | 2020-07-23 | 2023-02-14 | 西安近代化学研究所 | 压装pbx炸药柱中nto晶体品质表征方法 |
KR20220041388A (ko) | 2020-09-25 | 2022-04-01 | 세메스 주식회사 | 광학계 교정 방법 |
EP3995808B1 (de) * | 2020-11-09 | 2023-01-04 | Siltronic AG | Verfahren zum klassifizieren von unbekannten partikeln auf einer oberfläche einer halbleiterscheibe |
KR102501486B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2023-02-17 | 한국화학연구원 | 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템 및 분석 방법 |
CN113884443A (zh) * | 2021-05-19 | 2022-01-04 | 北京航空航天大学 | 基于磁光克尔效应的磁性晶圆大视野成像方法和成像装置 |
CN114544208A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-05-27 | 万向一二三股份公司 | 一种超声焊接机稳定性检测装置和方法 |
KR102602029B1 (ko) * | 2021-11-11 | 2023-11-14 | 주식회사 에타맥스 | 광루미네선스 검사와 자동광학검사를 동시에 수행하는 마이크로 led 검사장비 |
TWI833390B (zh) * | 2022-02-23 | 2024-02-21 | 南亞科技股份有限公司 | 製造缺陷原因之識別系統以及非暫時性電腦可讀媒體 |
CN116660285B (zh) * | 2023-07-26 | 2023-11-17 | 浙江大学 | 一种晶圆特征光谱在线检测装置 |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4978862A (en) * | 1988-07-13 | 1990-12-18 | Vti, Inc. | Method and apparatus for nondestructively measuring micro defects in materials |
US6271916B1 (en) | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
JP3258821B2 (ja) * | 1994-06-02 | 2002-02-18 | 三菱電機株式会社 | 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
US5608526A (en) | 1995-01-19 | 1997-03-04 | Tencor Instruments | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
US5943552A (en) * | 1997-02-06 | 1999-08-24 | Seh America, Inc. | Schottky metal detection method |
US5859424A (en) | 1997-04-08 | 1999-01-12 | Kla-Tencor Corporation | Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications |
US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
US6208411B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Massively parallel inspection and imaging system |
US6067154A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for the molecular identification of defects in semiconductor manufacturing using a radiation scattering technique such as raman spectroscopy |
JP3741602B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2006-02-01 | 日本電子株式会社 | 顕微ラマン分光システム |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
JP2004511104A (ja) * | 2000-10-06 | 2004-04-08 | エーオーティーアイ オペレーティング カンパニー インコーポレーティッド | 表面の金属コンタミネーションを検出する方法 |
US6791099B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-09-14 | Applied Materials, Inc. | Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena |
US6597446B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-07-22 | Sentec Corporation | Holographic scatterometer for detection and analysis of wafer surface deposits |
JP2003059988A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の欠陥検出法および装置 |
IL161729A0 (en) * | 2001-11-06 | 2005-11-20 | C I Systems Ltd | In-line spectroscopy for process monitoring |
US6986280B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-01-17 | Fei Company | Integrated measuring instrument |
US7130039B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
GB0308182D0 (en) * | 2003-04-09 | 2003-05-14 | Aoti Operating Co Inc | Detection method and apparatus |
US7295303B1 (en) | 2004-03-25 | 2007-11-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for inspecting a sample |
US7200498B2 (en) * | 2004-05-26 | 2007-04-03 | Texas Instruments Incorporated | System for remediating cross contamination in semiconductor manufacturing processes |
GB0510497D0 (en) * | 2004-08-04 | 2005-06-29 | Horiba Ltd | Substrate examining device |
US7478019B2 (en) | 2005-01-26 | 2009-01-13 | Kla-Tencor Corporation | Multiple tool and structure analysis |
US7433056B1 (en) * | 2005-07-15 | 2008-10-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Scatterometry metrology using inelastic scattering |
JP2007139491A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 欠陥の測定方法 |
US7372559B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-05-13 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity |
US20070176119A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Accent Optical Technologies, Inc. | Apparatuses and methods for analyzing semiconductor workpieces |
US7567351B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Corporation | High resolution monitoring of CD variations |
US7436505B2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-10-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for determining a configuration for a light scattering inspection system |
JP5147202B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2013-02-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式欠陥検査装置 |
US7362426B1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-22 | Wafermasters, Inc. | Raman and photoluminescence spectroscopy |
US7659979B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-02-09 | Kla-Tencor Corporation | Optical inspection apparatus and method |
US7728969B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for identifying defect types on a wafer |
US20080151259A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Woo Sik Yoo | Synchronized wafer mapping |
WO2008154186A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Enhanced sensitivity non-contact electrical monitoring of copper contamination on silicon surface |
JP2009014510A (ja) | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査方法及び検査装置 |
US8169613B1 (en) * | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corp. | Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system |
JP2011009554A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
EP2462486B1 (en) | 2009-08-04 | 2020-04-15 | ASML Netherlands BV | Object inspection systems and methods |
US20110292376A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Kukushkin Igor V | Apparatus and method for detecting raman and photoluminescence spectra of a substance |
JP2014503843A (ja) * | 2010-12-06 | 2014-02-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 物品の検査方法および検査装置、euvリソグラフィレチクル、リソグラフィ装置、ならびにデバイス製造方法 |
SG192069A1 (en) * | 2011-01-21 | 2013-08-30 | Theranos Inc | Systems and methods for sample use maximization |
US8755044B2 (en) | 2011-08-15 | 2014-06-17 | Kla-Tencor Corporation | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems |
US9329033B2 (en) * | 2012-09-05 | 2016-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy |
US9581430B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corporation | Phase characterization of targets |
US8786850B2 (en) * | 2012-10-29 | 2014-07-22 | Kla-Tencor Corporation | Illumination energy management in surface inspection |
US10769320B2 (en) | 2012-12-18 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Integrated use of model-based metrology and a process model |
US9291554B2 (en) | 2013-02-05 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corporation | Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection |
US9529182B2 (en) * | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9354177B2 (en) * | 2013-06-26 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for defect detection and photoluminescence measurement of a sample |
US9804101B2 (en) * | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US10078204B2 (en) * | 2014-03-29 | 2018-09-18 | Intel Corporation | Non-destructive 3-dimensional chemical imaging of photo-resist material |
US20160293502A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for detecting defects on wafers |
-
2017
- 2017-01-30 US US15/419,355 patent/US10551320B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-26 KR KR1020197025088A patent/KR102353259B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-26 WO PCT/US2018/015570 patent/WO2018140805A1/en unknown
- 2018-01-26 CN CN201880009158.1A patent/CN110313058B/zh active Active
- 2018-01-26 JP JP2019541117A patent/JP6916886B2/ja active Active
- 2018-01-26 EP EP18744003.7A patent/EP3549160B1/en active Active
- 2018-01-26 SG SG11201906281RA patent/SG11201906281RA/en unknown
- 2018-01-30 TW TW107103149A patent/TWI764979B/zh active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020505607A5 (ja) | ||
US8139232B2 (en) | Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples | |
US8699027B2 (en) | Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples | |
TWI641828B (zh) | 特徵化半導體晶圓上之所關注結構之方法及半導體度量衡系統 | |
KR100797420B1 (ko) | 펄스화 광대역의 광원을 이용하는 플라즈마 에칭 및 퇴적프로세스의 인-시튜 모니터링 방법 및 장치 | |
JP6266007B2 (ja) | 最適化されたシステムパラメータによる光学計測のための装置および方法 | |
US6226079B1 (en) | Defect assessing apparatus and method, and semiconductor manufacturing method | |
Spesivtsev et al. | Development of methods and instruments for optical ellipsometry at the Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences | |
JP2007155721A (ja) | 光学的サンプル特徴づけシステム | |
TW201706593A (zh) | 在雷射暗場系統中用於斑點抑制之方法及裝置 | |
JP6230618B2 (ja) | 面内斜入射回折を用いた表面マッピングのための装置、および、方法 | |
JP2006308511A (ja) | 化学分析装置及びその分析方法 | |
JP6952033B2 (ja) | Vuv光学素子の非接触サーマル測定 | |
WO2020135540A1 (zh) | 一种量子产率的测试方法 | |
CN116964410A (zh) | 用于在表面上进行粗糙度和/或缺陷测量的测量装置和方法 | |
US10228329B2 (en) | Arrangement for determining properties and/or parameters of a sample and/or of at least one film formed on the surface of a sample | |
US7369235B1 (en) | Method and system for measuring deep trenches in silicon | |
JP2024026358A (ja) | 材料特性評価のための光学技術 | |
US10401155B2 (en) | Apparatus and method for smart material analysis | |
JP2005140777A (ja) | サンプル検査方法、その装置、マイクロエレクトロニクス装置製造用クラスタツール、マイクロエレクトロニクス装置製造用装置 | |
US10371628B2 (en) | Apparatus for measuring spectral hemispherical reflectance of samples at grazing angles | |
US10605712B2 (en) | Assembly for determining the permeation rate of a sample | |
JP7240829B2 (ja) | パターン構造のx線測定 | |
KR101664470B1 (ko) | 빔 스플리터의 후면 반사를 이용한 다중 광경로 레이저 광학계 | |
Datskos et al. | Standoff imaging of trace RDX using quantum cascade lasers |