CN111879749B - 压装pbx炸药柱中nto晶体品质表征方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法。将NTO基PBX药柱密封在铝塑袋中,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,反复操作3~5次,室温下放置24小时后取出药柱。将药柱轴向浅切使其劈裂,多点小心取出自然断面上的NTO颗粒至少100颗,随机挑选10颗,分别用显微拉曼光谱法测量1104cm‑1处特征峰的半高峰宽,计算相对实验标准偏差RSD,与包覆前NTO晶体品质相比较,确定NTO晶体品质是否发生恶化。本方法表征超临界法制备的NTO造型粉压制药柱中NTO晶体品质,可指导压制出合格的PBX药柱。
Description
技术领域
本发明属于火炸药样品理化性能检测和研究领域,主要涉及压装PBX炸药柱中NTO晶体品质的表征和研究,表征超临界保温法制备的造型粉压制PBX炸药柱后NTO晶体品质是否恶化。
背景技术
本发明中所述的NTO(化学名称为3-硝基-1,2,4-三唑-5-酮)是一种综合性能优良的高能量、低感度单质炸药,为白色或淡黄色晶体颗粒,热稳定性较优,熔点≥260℃(分解),DSC分解峰温≥270℃,具有一定的酸性(pKa=3.67)。通过硝化1,2,4-三唑-5-酮(简称TO)制得NTO粗品,然后经过重结晶提高纯度、改善晶型,才能进行应用。
国外对多种NTO基混合炸药配方进行了研究,并在武器系统中获得了应用。国内对该类配方的研究起步较晚。
目前NTO基的炸药配方主要有3类:熔铸炸药、塑料黏结炸药(PBX)和模压炸药。法、美、英等国已经研制了几十种NTO基炸药配方(见表1、表2、表3、表4)。
表1美国和瑞士的NTO基熔铸炸药配方
表2法国和美国的NTO基PBX配方
名称 | NTO | RDX | HMX | AP | 铝 | 黏合剂 |
B2214 | 72 | — | 12 | — | — | 16(HTPB) |
B2245 | 8 | 12 | — | 43 | 25 | 12(HTPB) |
B3017 | 74 | — | — | — | — | 26(含能黏合剂) |
PBXW-121 | 63 | 10 | — | — | 15 | 12(HTPB) |
PBXW-121 | 47 | 5 | — | 20 | 15 | 13(HTPB) |
PBXW-121 | 22 | 20 | — | 20 | 26 | 12(PU) |
表3英国、瑞士、德国和加拿大的NTO基PBX配方
名称 | NTO | HMX | 添加剂 | 含能增塑剂 | 黏合剂 |
CPX 412 | 50 | 30 | — | 10(K10) | 10(PolyNIMMO) |
CPX 450 | 40 | 20 | 20(铝) | 10(K10) | 10(PolyNIMMO) |
CPX 458 | 30 | 30 | 20(铝) | 10(K10) | 10(PolyNIMMO) |
GD-3 | 72 | 12 | — | — | 16(HTPB) |
GD-5 | 40 | 43 | — | 10(BDNPA/F) | 7(PGA) |
HX 310 | 25 | 47 | 10(NG) | — | 18(HTPB) |
CHN-037 | 76 | — | — | — | 24(GAP) |
表4 NTO基模压炸药配方
名称 | NTO | HMX | BDNPA/F | 黏合剂 |
GD-9 | 47.5 | 47.5 | 2.5 | 2.5(Cariflex1101) |
GD-11 | 48 | 48 | — | 4(Cariflex1101) |
GD-13 | 48 | 48 | — | 2/2(Hy Temp/DOA) |
法国1 | 55.5 | 37 | — | 7/0.5(Kelf/石墨) |
常用的炸药装药方法有:捣装法、注装法、压装法、螺旋装法、塑态装法等。用黏结剂包覆NTO制成的造型粉,可制成压装PBX炸药柱。
在第二次世界大战后期,随着高分子材料的发展以及导弹、核武器的需要,人们开始研究用塑料作为黏结剂与钝感剂,适当添加增塑剂,与难于单独成型的高能炸药黑索今(RDX),制成可压装的造型粉炸药。这种造型粉炸药既保持了高能炸药的爆炸性能,又利用了高分子材料容易成型和加工的优点。到了60~70年代,出现了许多具有特殊性能的高分子材料,可以作为炸药黏结剂的也不仅仅是塑料了,可采用的黏结剂有橡胶类、聚酯类、聚酰胺类、聚醚类、树脂类、聚乙烯醇衍生物类以及含氟高分子、有机硅高分子、热塑性高分子、热固性高分子等等,出现了多种类型的高聚物黏结炸药,也称为高分子黏结炸药,简称PBX炸药。
现在PBX炸药的种类很多,按物理状态和成型工艺可分为造型粉压装炸药、浇铸热固性炸药、塑性炸药、挠性炸药及低密度炸药。迄今为止,已知造型粉压装炸药的配方有200多种,应用很广泛。这一类炸药可以作为多种武器的弹丸及导弹战斗部的装药,如反坦克弹、对空武器弹药,也可用于核武器的起爆装置及宇航开发的特殊装置装药。
造型粉压装炸药通常称为造型粉,属高爆炸药。其组成通常包括高能炸药、高分子黏结剂和增塑剂,有的配方还要加钝感剂。其中的高能炸药是PBX炸药中比例最大和最重要的组分,它决定了PBX炸药的能量水平和爆轰性能。在表2和表3中的NTO基PBX炸药中,含有大量的NTO、HMX、RDX等高能炸药。
目前大多采用溶液-水悬浮法工艺制造造型粉,然后按产品要求采用压装工艺成型。成型产品可以进行机械加工和粘结成所需形状。溶液-水悬浮法操作简单,生产周期较短,易于大量生产。生产过程中,水是分散介质又是传热介质,可以保证生产安全。若控制好温度、真空度和搅拌速度,可以得到外形圆滑密实、尺寸相当均匀的颗粒。
但由于NTO在水中有较强的溶解性,因此,采用溶液-水悬浮法制备含NTO基PBX造型粉炸药会损耗一部分NTO,损耗量较难控制。此外,该工艺产生大量有机溶剂和NTO废水,不易回收利用,污染环境。
超临界流体包覆技术(SCF)近年来发展很快,主要制品包括医药品、食品、化肥等,达到掩盖药物的不良气味或提高制品的稳定性,以便于应用和贮存。SCF包覆技术具有气相的高扩散系数和液相的强溶解力的特点。采用该技术包覆制备NTO基造型粉,由于超临界CO2具有高效传质和低表面张力,可使黏结剂聚合物包覆NTO颗粒。
将NTO按比例与黏结剂乙酸乙酯溶液混合形成悬浮液,置于水浴加热的高压釜中,从釜底通入CO2,搅拌悬浮液,直至釜内的温度、压力达到稳定的超临界状态(TC=31℃,PC=7.39MPa),然后将釜上部阀门部分打开,下部继续通入CO2,调节上部阀门以保持釜中压力恒定,超临界CO2萃取悬浮液中的乙酸乙酯,可将炸药中残余的溶剂带走,最后快速释放即得最终产品。
但是超临界CO2包覆制备的NTO造型粉有部分NTO晶体脱粘,这是最后的快速泄压(快速释放)造成的。分析原因:一是NTO晶体品质有缺陷(晶体品质是指晶体微区排列的整齐程度,晶体内部的微孔隙、微裂纹、晶体错位、孪晶等结构缺陷的存在均会降低晶体品质),快速泄压使得晶体从缺陷处破裂,此时黏结层已成型,来不及包覆新产生的晶体断裂面;二是多个NTO晶体堆积在一起被包覆,晶体间存在缝隙,快速泄压时晶体分散,新出现的晶体表面不能被黏结剂包覆。为此项目组增加了梯度保温阶段,使得黏结剂受热软化延展,提高NTO晶体包覆完全度。
包覆质量合格的PBX造型粉通过压装的方式制成PBX炸药柱。
造型粉的压制过程,本质上是炸药颗粒在压力作用下的相互错动、镶嵌、挤实,使孔隙减小,最终产生弹塑性变形的过程。由于炸药颗粒的表面特性(如颗粒形状、大小、颗粒级配、添加物自身的物理性质等),以及炸药本身的物理力学的性能差异(如松装比重、流散性、理论密度、晶体形状等),导致其可压性有很大差异。
PBX造型粉压制成炸药柱时,一般加压至数千大气压,孔隙缩小约10倍,密度增加约一倍。造型粉在较高压力阶段时,主要依靠颗粒的变形来压紧,颗粒首先产生弹性变形;当在接触面上的压力超过临界应力时,颗粒开始发生塑性变形,有的颗粒还会脆性变形。造型粉受压时,炸药颗粒的变形不仅是性质不同,且其变形的大小和方向也不相同。造型粉炸药压装成型过程中既有炸药颗粒的位移,又有炸药颗粒的弹塑性形变,还有部分颗粒的脆性变形。
PBX炸药在压装成型过程中,其孔穴率、炸药颗粒的缺陷或裂纹等内部细观损伤对PBX炸药的感度有明显的影响。在外界载荷作用下,炸药材料内部将产生新的损伤以及损伤演化,导致材料敏化。
高应变率下,炸药晶粒有可能破碎成更小的晶粒,或原来完整的晶粒上又有新的微裂纹萌生。晶粒经高应力冲击后,残余强度变低。而炸药晶体的缺陷对炸药的感度有很大的影响。高比压下晶体颗粒破碎比例增大,热点生成几率增大,导致装药的撞击感度增高。
压机冲头的机械能主要转化为炸药颗粒之间的势能,从而使炸药颗粒由低势能的松散堆积状态变为高势能的密实堆积状态;同时,在能量转化过程中还有一部分机械能用来克服摩擦力做功并最终以热的形式使炸药升温。
在PBX炸药中,黏结剂具有一定的绝热作用,压制成型时出现的破碎的或含有新裂纹晶粒,会成为PBX炸药起爆过程中可能的“热点”源,这意味着高应变率压缩会使得PBX炸药内部热点增加,进一步影响PBX炸药的感度,使PBX炸药的感度提高,意外起爆概率增加,影响其安全性。
因此,采用超临界包覆法制造的造型粉,虽然NTO包覆质量高,但是有些经历过泄压、梯度保温后NTO的强度发生了脆化,压制出的PBX药柱力学强度有缺陷。压装PBX药柱力学强度产生缺陷,NTO晶体破碎是原因之一(还有黏结剂的黏结能力等),但是目前并无针对药柱中NTO晶体品质的表征方法。
通过前期试验,发现存在的问题有:
(1)PBX压装药柱中的NTO晶体镶嵌在黏结剂网络中,用外力从PBX炸药柱中取出时,非常容易人为损坏NTO晶体,造成新的缺陷;
(2)PBX力学强度有缺陷,因为没有药柱中NTO晶体品质表征方法,所以无法准确判断是NTO晶体破碎引起力学强度的缺陷;
(3)由于没有准确表征压装药柱中NTO晶体的方法,所以不利于精确调节造型粉制造的超临界条件或药柱压制的条件。
发明内容
本发明具体的技术解决方案总结如下。
压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)将Ф20mm压装PBX炸药柱放入铝塑袋密封,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,反复操作3~5次,室温下放置24小时后取出药柱;将药柱平稳地放在工作台面,用刀片从药柱的上平面十字交叉方式向下切入药柱,切口3~5mm深,使药柱轴向劈裂成4部分,从所有新产生的不规则自然断面上,多点无损取下NTO颗粒至少100颗,从中随机选取10个NTO颗粒分别进行测试;
(2)设定显微拉曼光谱仪工作参数:50倍显微镜,测试微区为0.8μm,激光波长为785nm,激光能量为15~25mW,扫描范围为2000cm-1~200cm-1,曝光时间为1秒,分辨率为1cm-1,扫描次数为2次;
(3)重复测试单晶硅片固定试样点24次,测试间隔为1~2分钟,根据520cm-1处特征峰的测试的结果计算实验相对标准偏差RSDSi;
(4)测试(1)随机选取的10个NTO颗粒,每个NTO颗粒随机选取2~3个点进行测试,测试间隔为1~2分钟,读取1104cm-1处特征峰的半高峰宽,计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSDNTO;
(5)从同批次未包覆黏结剂的NTO重结晶品中,随机选择10个NTO颗粒,每个NTO颗粒随机选取2~3个点进行测试,测试间隔为1~2分钟,读取1104cm-1处特征峰的半高峰宽,计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSD’NTO;
(6)当RSDNTO-RSD’NTO≤3RSDSi时,则认为与未包覆前NTO相比,压装药柱中NTO晶体品质未发生明显变化。
如上所述的压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法,其特征在于,所述压装PBX炸药柱是由超临界保温法制备的NTO基造型粉压制的。
本发明方法,具有如下优势:
(1)通过高低温保温使得NTO晶体脱粘,加之劈裂等取样细节,可以无损地从PBX炸药柱中取出NTO晶体,避免对检测结果造成人为影响;
(2)通过比较药柱中NTO与包覆前NTO晶体品质,可以判断出超临界法制备的造型粉中NTO晶体品质能否耐住压制成药柱时的高应变;可以得知药柱力学强度的缺陷是否由NTO晶体破碎引起;
(3)通过压装药柱中NTO晶体品质检测结果,可精确调节制造造型粉的超临界条件或药柱压制的工艺条件。
附图说明
图1是Ф20mmNTO基压装PBX药柱体积随保温(60℃-5℃)操作次数增长的变化规律。
图2是NTO样品的拉曼光谱图。
以下结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
具体实施方式
实施例1
本发明采用显微拉曼光谱表征NTO晶体的品质。显微拉曼光谱广泛应用于材料分析领域,材料的特征拉曼位移和强度特征与分子结构、分子排布、晶体排布紧密相关。晶体的微纳米级缺陷会使拉曼谱峰展宽,而缺陷分布的随机性会使不同颗粒的拉曼峰宽偏差增加。
除了选择合适测试条件、排除仪器信号波动影响、特征峰选择、确定判定依据等研究工作,如何无损获得PBX压装药柱中的NTO晶体颗粒,是项目组首先需要解决的问题。压装药柱的密度约为1.7g/cm3,NTO晶体颗粒在药柱内呈紧密排列状态,外力取出NTO晶体时不应对其造成新的损害,而且NTO颗粒上不易粘有黏结剂,只有这样才能获得较好的拉曼检测结果。以下按表征方法叙述的顺序,结合某NTO造型粉压制的PBX药柱,对专利的研究内容进行描述。
一、研究制样方式,从药柱中获得完整的NTO晶体
1.1促使药柱中NTO晶体脱粘
药柱中黏结剂和NTO晶体的体积热膨胀系数不同,因此多次交替处于高温、低温环境产生了应力变化,可以引起黏结剂和NTO晶体间的脱粘,甚至在药柱内部产生裂纹。
实行以上策略时应注意:
①高温适度,防止黏结剂受热后延展重新包覆NTO晶体;
②低温不易过低,因为有可能此时药柱中的NTO强度非常低(脆化),过低的低温有可能使NTO晶体产生新的裂纹;
③温度应保持一定时间,使得药柱内部达到环境温度;
④黏结剂和NTO晶体彻底达到热胀冷缩状态、药柱压制时的残余应力完全释放,需要一定时间;
⑤温度处理应以低温结束,因为高温有可能使黏结剂软化又与NTO粘连;
⑥易采用多次循环的方式,因为多次短时间冷热冲击对高聚物的破坏效果大于单次长时间。
确定具体参数的依据为:
①黏结剂为氟橡胶F2641和聚醋酸乙烯酯的混合物,用超临界保温法制造的NTO造型粉,超临界法包覆后是最低为70℃的保温工序,因为在≥70℃时黏结剂开始延展改善包覆质量,所以为了NTO顺利脱粘,本方法中高温应低于70℃;
②NTO从生产到制成造型粉,遇到的最低温度为5℃,所以本方法中低温定在5℃时,不会对NTO晶体产生破坏;
③项目组将NTO造型粉放入金属罐中,将温度传感器埋在中部,监测造型粉内部温度,样品受热30分钟后内部温度与环境温度达到一致。考虑到压装药柱密度更大,传热慢,所以药柱内部达到环境温度应长于30分钟;
④由于高聚物运动缓慢,药柱彻底达到热胀冷缩、残余应力释放需要较长时间,考虑到试验时间有限,应定一个合适的不太长的时间;
⑤温度循环应以低温结束;
⑥通过测量药柱体积,判定需要的循环操作次数,因为在多次冷热冲击下,药柱内部应力应变会达到平衡,最终不再膨胀。将Ф20mm药柱测量完初始体积后,放入铝塑袋密封,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,在室温放置24小时后取出药柱,测量第1次温度操作后的体积。然后再放入铝塑袋密封,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,在室温放置24小时后取出药柱,测量第2次温度操作后的体积。依此类推,一共进行了6次温度保存操作。以体积为纵坐标、温度操作次数为横坐标作图(见图1)。由图1可以看出初始几次药柱体积迅速变大,温度操作3次后药柱体积变化明显变缓。
综合考量,最后确定的操作条件为:将Ф20mm压装PBX炸药柱放入铝塑袋密封,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,反复操作3~5次,室温下放置24小时后取出药柱。
1.2破碎药柱无损取到NTO晶体
破碎药柱时如果力度太大,产生高应变速率,会使炸药柱断面上的NTO晶体破碎。用较小力度破碎药柱,低应变速率处理的炸药断面,细观特征主要表现为晶粒与黏结剂的分离(脱粘)以及黏结剂的断裂,没有晶体破碎现象。
所以应注意:一是控制切药力度减少损坏,二是从药柱形成的自然断面取出的脱粘NTO颗粒进行检测。此时如果拉曼光谱检测到晶粒品质变差,就是由超临界法泄压时或压制成型时的应力造成的,而不是检测时制样造成的。
综合考虑,本专利规定:将药柱平稳地放在工作台面,用刀片从药柱的上平面十字交叉方式向下切入药柱,切口3~5mm深,使药柱轴向劈裂成4部分,从所有新产生的不规则自然断面上,多点无损取下NTO颗粒至少100颗,从中随机选取10个NTO颗粒分别进行测试。用刀片从药柱的上平面向下切入时,速度宜慢、力度不易过大。
二、设定显微拉曼光谱仪工作参数,减少对检测结果的影响
拉曼光谱检测原理是:NTO晶体的微纳米级缺陷会使拉曼谱峰展宽(峰面积变大),而缺陷分布的随机性会使不同颗粒的检测结果相对实验标准偏差RSD增加。
实验采用英国RENISHAW公司inVia型激光共聚焦显微拉曼光谱仪,为了提高检测结果的准确性,仪器参数设置时注意:一是尽量获得更强的光谱信号,二是防止NTO受激光刺激升温灼烧污染镜头。拉曼光谱仪工作参数设置如表5所示。
表5拉曼光谱仪参数设置
此外,热应力会影响样品颗粒的检测结果,重复测试单晶硅片或某一颗粒时,为了避免热积累对检测结果的影响,每次采集间隔时间为1~2分钟。
三、NTO拉曼谱图中特征谱峰的选取
特征峰选取原则:①不因晶体的各向异性而表现出不同晶面的峰高的差异;②在所有特征谱峰中,谱峰强度属强峰;③选取的谱峰与相邻谱峰分离度良好。综合比较,选择1104cm-1处峰为NTO拉曼谱图中的特征谱峰。另外,NTO重结晶品纯度>99%、晶体品质有一定缺陷,为了更准确地获得检测信号,选择用半高峰宽进行定量,而不是采用峰面积进行定量。
四、获得仪器信号波动产生的相对实验标准偏差
单晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核成长晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅,单晶硅具有基本完整的点阵结构的晶体。单晶硅可算是世界上最纯净的物质了。目前,人们已经制造出纯度为12个9(12N)的单晶硅。单晶硅纯度高、晶体品质高,用拉曼光谱检测时,若拉曼法检测过程中单晶硅晶体温度保持一致,则重复测试单晶硅,计算得到实验相对标准偏差RSDSi可以反应出仪器本身的信号波动对测试数据的影响。在用这台拉曼光谱仪测试任何样品时,RSDSi就相当于“仪器噪声”。单晶硅非常明显的特征峰是520cm-1,由于样品纯度高、晶体品质高,所以选择用半高峰宽、峰面积定量均可,RSDSi计算结果一致。
重复测试单晶硅片固定点,读取520cm-1处特征峰的峰面积,测试数据为5.451、5.422、5.457、5.452、5.454、5.458、5.469、5.441、5.445、5.457、5.464、5.456、5.448、5.468、5.451、5.445、5.438、5.455、5.462、5.462、5.465、5.446、5.465、5.461,计算可得RSDSi=0.20%(n=24)。
五、确定判断依据
将某批NTO重结晶品(标记为未包覆NTO)按超临界保温法制备NTO造型粉,调节具体工艺条件,制造出2种造型粉,各压制成6个Ф20mm药柱,标记为1#药柱、2#药柱。用本专利方法各测试1个1#、1个2#药柱中NTO晶体品质,计算实验相对标准偏差RSD。同时检测未包覆的NTO重结晶品晶体品质。其余5个1#药柱、5个2#药柱作抗压强度试验(压缩法)。用作完抗压强度的药柱和未包覆NTO重结晶品,分别进行5秒延滞期爆发点试验。
1#药柱中NTO晶体、2#药柱中NTO晶体、未包覆NTO重结晶品拉曼测试结果列于表6。
表6 NTO晶体品质拉曼测试结果
根据表6数据可得1#药柱NTO的RSDNTO为1.00%、2%药柱NTO的RSDNTO为1.67%、RSD’NTO为0.53%。已知RSDSi=0.20%,所以3RSDSi=0.60%。计算可知,1#药柱NTO的变化为RSDNTO-RSD’NTO=0.47%≤0.60%,2#药柱NTO的变化为RSDNTO-RSD’NTO=1.04%>0.60%。
1#药柱的抗压强度为7.17MPa,2#药柱的抗压强度为6.57MPa
用作完抗压试验的药柱和未包覆NTO,进行5秒钟延滞期的爆发点试验,计算活化能表征样品的热感度。1#药柱、2#药柱和未包覆NTO的表观活化能计算结果分别为108672、95286、89624J/mol。说明1#药柱中NTO晶体品质变化少、破碎少,所以表观活化能最高、热安全性最好。
通过抗压强度、表观活化能数据,认为1#药柱达到了该压装PBX炸药柱的设计要求,2#药柱没有达到设计要求。因此规定:用拉曼光谱检测压装PBX药柱中NTO晶体时,当RSD’NTO-RSDNTO≤3RSDSi时,认为与未包覆前NTO相比,压装药柱中NTO晶体品质未发生明显变化。说明被检测药柱所用的超临界保温法制备NTO造型粉,整个制造工序的参数调节得当,超临界泄压时没有使NTO脆化或产生新的裂纹,在压制工序的较大压力下NTO没有产生新裂纹或破碎。
Claims (2)
1.压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一,将Ф20mm压装PBX炸药柱放入铝塑袋密封,在60℃保温2小时,然后在5℃保温2小时,反复操作3~5次,室温下放置24小时后取出药柱;将药柱平稳地放在工作台面,用刀片从药柱的上平面十字交叉方式向下切入药柱,切口3~5mm深,使药柱轴向劈裂成4部分,从所有新产生的不规则自然断面上,多点无损取下NTO颗粒至少100颗,从中随机选取10个NTO颗粒分别进行测试;
步骤二,设定显微拉曼光谱仪工作参数:50倍显微镜,测试微区为0.8μm,激光波长为785nm,激光能量为15~25mW,扫描范围为2000cm-1~200cm-1,曝光时间为1秒,分辨率为1cm-1,扫描次数为2次;
步骤三,重复测试单晶硅片固定试样点24次,测试间隔为1~2分钟,根据520cm-1处特征峰的测试的结果计算实验相对标准偏差RSDSi;
步骤四,测试步骤一随机选取的10个NTO颗粒,每个NTO颗粒随机选取2~3个点进行测试,测试间隔为1~2分钟,读取1104cm-1处特征峰的半高峰宽,计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSDNTO;
步骤五,从同批次未包覆黏结剂的NTO重结晶品中,随机选择10个NTO颗粒,每个NTO颗粒随机选取2~3个点进行测试,测试间隔为1~2分钟,读取1104cm-1处特征峰的半高峰宽,计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSD’NTO;
步骤六,当RSDNTO-RSD’NTO≤3RSDSi时,则认为与未包覆前NTO相比,压装药柱中NTO晶体品质未发生明显变化。
2.如权利要求1所述的压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法,其特征在于,所述压装PBX炸药柱是由超临界保温法制备的NTO基造型粉压制的。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010717122.8A CN111879749B (zh) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | 压装pbx炸药柱中nto晶体品质表征方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN111879749A CN111879749A (zh) | 2020-11-03 |
CN111879749B true CN111879749B (zh) | 2023-02-14 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111879749B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111879749A (zh) | 2020-11-03 |
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PB01 | Publication | ||
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