JP2020501380A - 電力用半導体モジュールの製造 - Google Patents
電力用半導体モジュールの製造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020501380A JP2020501380A JP2019547784A JP2019547784A JP2020501380A JP 2020501380 A JP2020501380 A JP 2020501380A JP 2019547784 A JP2019547784 A JP 2019547784A JP 2019547784 A JP2019547784 A JP 2019547784A JP 2020501380 A JP2020501380 A JP 2020501380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- mold
- power semiconductor
- interlock
- semiconductor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4839—Assembly of a flat lead with an insulating support, e.g. for TAB
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
- H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
Abstract
Description
10’ 電力用半導体モジュール
12 基板
14,14a、14b 第1のリードフレーム
16、16a、16b 第2のリードフレーム
18 基層
20 金属化層
22 半導体チップ
24 電力用端子
26 補助端子
28、28’ 保持部材
30、30’ ダム部材
32 プレスフィット先端部
34 インターロック部材
36 めっき
38 封止部
40 金型
42 金型半部
44 インターロック部分
46 縁部
48 フォーク部材
50 密閉部材
Claims (14)
- 半製品の電力用半導体モジュール(10)であって、
少なくとも1つの電力用半導体チップ(22)をボンディングするための基板(12)と、
前記基板にボンディングされ電力用端子(24)を提供する第1のリードフレーム(14)と、
前記基板にボンディングされ補助端子(26)を提供する第2のリードフレーム(16)と、
を有しており、
前記第1のリードフレーム(14)および/または前記第2のリードフレーム(16)は、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)を、それぞれ互いに対して、かつ/または、前記基板(12)、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)の周囲の封止部(38)を金型成形するための金型(40)に対して、アライメントするために適合されたインターロック部材(34)を有しており、
前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)は、それぞれ異なる厚さを有する、
半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)は、第1のインターロック部材(34)を有しており、
前記第2のリードフレーム(16)は、前記第1のインターロック部材(34)にフィットする形状の第2のインターロック部材(34)を有する、
請求項1記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記インターロック部材(34)の一方は、拡幅先端部を有しており、
前記インターロック部材(34)の他方は、同じ形状の開口部を有する、
請求項2記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)は、前記第2のリードフレーム(16)を取り囲む保持部材(28’)を有しており、前記保持部材(28’)によってインターロック部材(34)が提供される、
請求項2または3記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)のインターロック部材(34)は、前記金型(40)の対応するインターロック部分内に配置するために適合されている、かつ/または、
前記第2のリードフレームのインターロック部材(34)は、前記金型(40)の対応するインターロック部分(44)内に配置するために適合されている、
請求項1または2記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記インターロック部材(34)は、電力用端子(24)および/または補助端子(26)の一方の側に設けられている、
請求項1から5までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)のインターロック部材(34)は、前記金型(40)の縁部によって覆われる1つの線上に配置されている、
請求項1から6までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)は、複数の前記電力用端子(24)を相互接続するダム部材(30)を有しており、前記ダム部材(30)は、前記金型(40)の縁部によって覆われる、かつ/または、
前記第2のリードフレーム(16)は、複数の前記補助端子(26)を相互接続するダム部材(30)を有しており、前記ダム部材(30)は、前記金型(40)の縁部によって覆われる、
請求項1から7までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)のインターロック部材(34)は、前記ダム部材(30)と共に1つの線上に設けられている、かつ/または、前記ダム部材(30)の一部である、
請求項8項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)は、それぞれ異なる材料で形成されている、
請求項1から9までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記第1のリードフレーム(14)は、1つの金属シートから形成されている、かつ/または、
前記第2のリードフレーム(16)は、1つの金属シートから形成されている、
請求項1から10までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 前記補助端子(26)のうちの少なくとも一部は、プレスフィット先端部(32)を有する、
請求項1から11までのいずれか1項記載の半製品の電力用半導体モジュール(10)。 - 電力用半導体モジュール(10’)の製造方法であって、前記方法は、
少なくとも1つの電力用半導体チップ(22)をボンディングするための基板(12)を準備するステップと、
第1のリードフレーム(14)および第2のリードフレーム(16)を前記基板(12)にボンディングするステップであって、前記第1のリードフレーム(14)および/または前記第2のリードフレーム(16)は、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)を、それぞれ互いに対して、かつ/または、金型(40)に対して、アライメントするために適合されたインターロック部材(34)を有するステップと、
前記基板(12)、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)を、前記インターロック部材(34)が前記金型(40)の縁部上にポジショニングされるように、前記金型(40)内に配置するステップと、
前記基板(12)、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)を、金型成形して成形材料中に入れるステップであって、前記インターロック部材(34)により、液体成形材料が前記金型(40)から流出するのを阻止し、第1の金型半部(42)は、前記第1のリードフレーム(14)および前記第2のリードフレーム(16)のそれぞれ異なる厚さを相殺するために、それぞれ異なる高さの縁部(46)を有するステップと、
を含む、
方法。 - 前記金型(40)は、第1の金型半部(42)と第2の金型半部(42)とを有しており、
前記縁部(46)によって、前記インターロック部材(34)を収容するためのインターロック部分(44)を提供する、
請求項13記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16200329.7 | 2016-11-23 | ||
EP16200329 | 2016-11-23 | ||
PCT/EP2017/080248 WO2018096050A1 (en) | 2016-11-23 | 2017-11-23 | Manufacturing of a power semiconductor module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020501380A true JP2020501380A (ja) | 2020-01-16 |
JP7162001B2 JP7162001B2 (ja) | 2022-10-27 |
Family
ID=57394431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019547784A Active JP7162001B2 (ja) | 2016-11-23 | 2017-11-23 | 電力用半導体モジュールの製造 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11189556B2 (ja) |
EP (1) | EP3545550B1 (ja) |
JP (1) | JP7162001B2 (ja) |
CN (1) | CN109983574B (ja) |
WO (1) | WO2018096050A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220000966A (ko) * | 2020-06-27 | 2022-01-04 | 김기중 | 복수의 단자를 포함하는 케이블 커넥터 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130175704A1 (en) | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Ixys Corporation | Discrete power transistor package having solderless dbc to leadframe attach |
CN113711351A (zh) | 2019-04-18 | 2021-11-26 | 日立能源瑞士股份公司 | 具有激光焊接的引线框的功率半导体模块 |
EP4040471A1 (en) * | 2021-02-08 | 2022-08-10 | Hitachi Energy Switzerland AG | Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device |
US11404392B1 (en) * | 2021-03-03 | 2022-08-02 | Infineon Technologies Ag | Molded semiconductor module for PCB embedding |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102571A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
JPH09129822A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2002141453A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2014049584A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
WO2015083263A1 (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム、金型、実装部品付きリードフレームの製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3088193B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2000-09-18 | 三菱電機株式会社 | Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム |
US5339518A (en) * | 1993-07-06 | 1994-08-23 | Motorola, Inc. | Method for making a quad leadframe for a semiconductor device |
US6072228A (en) * | 1996-10-25 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Multi-part lead frame with dissimilar materials and method of manufacturing |
AU2003242873A1 (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Quad flat non-leaded package comprising a semiconductor device |
US6713317B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-03-30 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor device and laminated leadframe package |
US7902660B1 (en) | 2006-05-24 | 2011-03-08 | Amkor Technology, Inc. | Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8252615B2 (en) * | 2006-12-22 | 2012-08-28 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system employing mold flash prevention technology |
US8354740B2 (en) * | 2008-12-01 | 2013-01-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Top-side cooled semiconductor package with stacked interconnection plates and method |
DE102010002945A1 (de) | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung und zugehöriges steuergerät für ein kraftfahrzeug |
US8513784B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-08-20 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | Multi-layer lead frame package and method of fabrication |
JP2012114238A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | 電子部品用リードフレームとその製造方法 |
CN102074540B (zh) * | 2010-11-26 | 2013-01-09 | 天水华天科技股份有限公司 | 矩阵式dip引线框架、该框架的ic封装件及其生产方法 |
JP5649142B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2015-01-07 | パナソニック株式会社 | 封止型半導体装置及びその製造方法 |
US20130127029A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Two level leadframe with upset ball bonding surface and device package |
US9265144B2 (en) * | 2011-11-21 | 2016-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrical component resin, semiconductor device, and substrate |
JP2013258387A (ja) | 2012-05-15 | 2013-12-26 | Rohm Co Ltd | パワーモジュール半導体装置 |
US8698288B1 (en) * | 2013-05-23 | 2014-04-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flexible substrate with crimping interconnection |
US20150060123A1 (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Locking dual leadframe for flip chip on leadframe packages |
EP3196931A4 (en) * | 2014-11-20 | 2019-02-20 | NSK Ltd. | HEAT DISSIPATING SUBSTRATE FOR MOUNTING AN ELECTRICAL COMPONENT |
US20170103904A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package mold assembly |
US10312184B2 (en) * | 2015-11-04 | 2019-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor systems having premolded dual leadframes |
US9917039B2 (en) * | 2016-04-20 | 2018-03-13 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure |
DE102016112289B4 (de) * | 2016-07-05 | 2020-07-30 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE102017207564A1 (de) * | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul |
US20190181076A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of manufacturing leadframes of semiconductor devices,corresponding leadframe and semiconductor device |
US10546805B2 (en) * | 2017-12-29 | 2020-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package with conductive clips |
-
2017
- 2017-11-23 WO PCT/EP2017/080248 patent/WO2018096050A1/en unknown
- 2017-11-23 EP EP17801058.3A patent/EP3545550B1/en active Active
- 2017-11-23 JP JP2019547784A patent/JP7162001B2/ja active Active
- 2017-11-23 CN CN201780072618.0A patent/CN109983574B/zh active Active
-
2019
- 2019-05-22 US US16/419,668 patent/US11189556B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102571A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
JPH09129822A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2002141453A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2014049584A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
WO2015083263A1 (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム、金型、実装部品付きリードフレームの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220000966A (ko) * | 2020-06-27 | 2022-01-04 | 김기중 | 복수의 단자를 포함하는 케이블 커넥터 |
KR102348395B1 (ko) * | 2020-06-27 | 2022-01-10 | 김기중 | 복수의 단자를 포함하는 케이블 커넥터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109983574A (zh) | 2019-07-05 |
WO2018096050A1 (en) | 2018-05-31 |
US11189556B2 (en) | 2021-11-30 |
US20190273040A1 (en) | 2019-09-05 |
CN109983574B (zh) | 2023-05-12 |
EP3545550B1 (en) | 2021-02-17 |
JP7162001B2 (ja) | 2022-10-27 |
EP3545550A1 (en) | 2019-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7162001B2 (ja) | 電力用半導体モジュールの製造 | |
CN107170718B (zh) | 半导体模块 | |
EP3288075B1 (en) | Power semiconductor module | |
JP7030844B2 (ja) | 露出した端子領域を有する樹脂封止パワー半導体モジュール | |
US10910296B2 (en) | Lead frame and method of fabricating the same | |
EP2597675B1 (en) | Encapsulated semiconductor device and method for producing same | |
CN104392985A (zh) | 包括衬底的多芯片器件 | |
CN111883490A (zh) | 具有用于顶侧冷却的多级传导夹的半导体封装 | |
EP2765601B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacture thereof | |
CN109473410A (zh) | 具有顶侧冷却部的smd封装 | |
EP1696484B1 (en) | Process for assembling a double-sided circuit component | |
JP4906650B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びその製法 | |
CN108155172B (zh) | 集成电路封装 | |
US10304777B2 (en) | Semiconductor device having a plurality of semiconductor modules connected by a connection component | |
WO2005122250A2 (en) | High power mcm package with improved planarity and heat dissipation | |
US11937413B2 (en) | Power electronics module and method for fabricating a power electronics module | |
CN113113400A (zh) | 半导体电路和半导体电路的制造方法 | |
CN110998832B (zh) | 半导体装置以及半导体模块 | |
WO2023100771A1 (ja) | 半導体モジュール、電力変換装置、および半導体モジュールの製造方法 | |
JP7278077B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200331 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20200619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200623 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200623 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211026 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20211129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7162001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |