JP2020185643A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020185643A
JP2020185643A JP2019091560A JP2019091560A JP2020185643A JP 2020185643 A JP2020185643 A JP 2020185643A JP 2019091560 A JP2019091560 A JP 2019091560A JP 2019091560 A JP2019091560 A JP 2019091560A JP 2020185643 A JP2020185643 A JP 2020185643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dress
polishing
dressing
unit
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019091560A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7308074B2 (ja
Inventor
明広 久保
Akihiro Kubo
明広 久保
靖史 滝口
Yasushi Takiguchi
靖史 滝口
輝彦 小玉
Teruhiko Kodama
輝彦 小玉
岡本 芳樹
Yoshiki Okamoto
芳樹 岡本
隼斗 保坂
Hayato Hosaka
隼斗 保坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019091560A priority Critical patent/JP7308074B2/ja
Priority to TW109114861A priority patent/TW202108302A/zh
Priority to CN202010376534.XA priority patent/CN111941268B/zh
Priority to KR1020200056091A priority patent/KR20200131754A/ko
Priority to US16/872,441 priority patent/US11532487B2/en
Publication of JP2020185643A publication Critical patent/JP2020185643A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7308074B2 publication Critical patent/JP7308074B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/0053Control means for lapping machines or devices detecting loss or breakage of a workpiece during lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12Dressing tools; Holders therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

【課題】安定した研磨処理を持続させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、研磨部材及び第2ドレス部材を保持する保持部材と、保持部材を移動させることで、第1ドレス面と研磨面とが当接して研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、第1ドレス面と第2ドレス面とが当接して第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態と、を切り替える駆動部と、を備える。【選択図】図6

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
特許文献1には、基板の裏面を研磨する基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板の裏面を摺動して処理を行うために鉛直軸回りに自転する摺動部材と、自転中の摺動部材を鉛直な公転軸回りに公転させる公転機構と、基板と摺動部材の公転軌道との相対位置を水平方向に移動させるための相対移動機構と、を備えている。
特開2018−93178号公報
本開示は、安定した研磨処理を持続させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、研磨部材及び第2ドレス部材を保持する保持部材と、保持部材を移動させることで、第1ドレス面と研磨面とが当接して研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、第1ドレス面と第2ドレス面とが当接して第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態と、を切り替える駆動部と、を備える。
本開示によれば、安定した研磨処理を持続させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
図1は、基板処理システムの一例を示す模式図である。 図2は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図3は、研磨ユニットの一例を模式的に示す上面図である。 図4は、研磨ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図5(a)及び図5(b)は、研磨部材のドレッシングの様子を説明するための模式図である。 図6(a)及び図6(b)は、第1ドレス部材のドレッシングの様子を説明するための模式図である。 図7は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図8は、研磨ユニットにおける処理手順の一例をフローチャートである。 図9は、研磨部材に対する第1ドレス処理の一例を示すフローチャートである。 図10は、研磨処理の一例を示すフローチャートである。 図11は、ドレス部材に対する第2ドレス処理の一例を示すフローチャートである。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、研磨部材及び第2ドレス部材を保持する保持部材と、保持部材を移動させることで、第1ドレス面と研磨面とが当接して研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、第1ドレス面と第2ドレス面とが当接して第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態と、を切り替える駆動部と、を備える。
この基板処理装置では、第1の状態において研磨面のドレッシングが行われ、第2の状態において第1ドレス面のドレッシングが行われる。研磨面のドレッシングが行われることで、基板に対する研磨処理が安定して行われるが、第1ドレス部材の第1ドレス面は摩耗していく。しかしながら、第1ドレス面に対して第2ドレス面によりドレッシングが行われることで、第1ドレス面の摩耗した箇所の目立てが行われる。このため、第1ドレス面の摩耗状態が改善された状態で研磨面のドレッシングが行われる。その結果、安定した研磨処理を持続させることが可能となる。
第2ドレス部材及び研磨部材は、保持部材の一の面上に固定されていてもよい。研磨面及び第2ドレス面の高さ位置は、互いに異なっていてもよい。第1ドレス面は、研磨面及び第2ドレス面と対向していてもよい。駆動部は、平面視における研磨面及び第2ドレス面の位置を変更すると共に、保持部材と第1ドレス面との距離を変更することで、第1の状態と第2の状態とを切り替えてもよい。この場合、第1ドレス面の状態を維持するための第2ドレス部材と研磨面を含む研磨部材とが、第1ドレス面と対向する面上に設けられる。これにより、基板の研磨を行う装置を大型化させることなく、安定した研磨処理を持続させることが可能となる。
第2ドレス部材の硬度は、第1ドレス部材の硬度よりも低くてもよい。この場合、ドレッシングの対象となる部材の方が、ドレッシングを行う部材よりも硬いので、第1ドレス部材の第1ドレス面の目立てをより確実に行うことが可能となる。
駆動部は、第1の状態にて研磨面のドレッシングが行われる際に第1ドレス面のうちの研磨面と当接する領域である当接領域を覆うように、第2の状態において第2ドレス面の当接位置を移動させてもよい。第1ドレス面の当接領域において、研磨面のドレッシングにより摩耗が進む。上記構成では、摩耗が進んだ当接領域を覆うように、第1ドレス面に対するドレッシングが行われるので、第1ドレス面による研磨面のドレッシングの程度をより確実に安定させることが可能となる。
基板処理装置は、駆動部を制御する制御部をさらに備えてもよい。駆動部は、第1軸周りに研磨部材が回転するように保持部材を回転させる第1駆動部と、第1軸に平行な第2軸周りの円軌道に沿って第1軸が移動するように保持部材を移動させる第2駆動部と、を含んでいてもよい。制御部は、第1駆動部により保持部材を回転させることで平面視における研磨面及び第2ドレス面の位置を変更してもよい。制御部は、第2の状態において、第2駆動部により保持部材を移動させることで、当接領域に対する第2ドレス面の当接位置を移動させてもよい。この場合、第2駆動部による保持部材の動作により広い範囲で第2ドレス面を移動させることができる。このため、第1ドレス面のドレッシングを行う際に、当接領域を覆うことが容易である。
基板処理装置は、研磨部材による研磨後における基板の主面の研磨状態を示す研磨情報を取得する制御部をさらに備えてもよい。制御部は、研磨情報に応じて第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定してもよい。基板の研磨状態によっては第1ドレス面のドレッシングが不要である場合もある。上記構成では、研磨状態を示す研磨情報に応じて、第1ドレス面のドレッシングの実行可否が判定されることで、第2ドレス部材をより継続して使用することが可能となる。
基板処理装置は、第1ドレス面及び第2ドレス面の少なくとも一方の摩耗状態を示す摩耗情報を取得する制御部をさらに備えてもよい。制御部は、摩耗情報に応じて第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定してもよい。第1ドレス面又は第2ドレス面の摩耗状態によって第1ドレス面のドレッシングが不要である場合もある。上記構成では、摩耗状態を示す摩耗情報に応じて、第1ドレス面のドレッシングの実行可否が判定されることで、第2ドレス部材をより継続して使用することが可能となる。
研磨面のドレッシングは、処理対象の基板に対する研磨を行う度に行われてもよい。駆動部は、複数回の研磨面のドレッシングを行った後に、第1の状態から第2の状態へ切り替えてもよい。1回の研磨面のドレッシングを行った後において、第1ドレス面のドレッシングが不要な場合もある。上記構成では、複数回の研磨面のドレッシングの後に、第1ドレス面のドレッシングが行われるので、第2ドレス部材をより継続して使用することが可能となる。
本開示の別の側面に係る基板処理方法は、基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、研磨部材及び第2ドレス部材を保持する保持部材と、を備える研磨ユニットによる基板処理方法である。この基板処理方法は、第1ドレス面と研磨面とを当接させて研磨面のドレッシングを行うことと、第1ドレス面と第2ドレス面とを当接させて第1ドレス面のドレッシングを行うことと、保持部材を移動させることで、研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態とを切り替えることと、を含む。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
[基板処理システム]
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、露光装置3は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
[基板処理装置]
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、研磨ユニット20と、制御装置100(制御部)とを備える。
キャリアブロック4は、塗布・現像装置2内へのウェハWの導入及び塗布・現像装置2内からのウェハWの導出を行う。例えばキャリアブロック4は、ウェハW用の複数のキャリアCを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置A1を内蔵している。キャリアCは、例えば円形の複数枚のウェハWを収容する。搬送装置A1は、キャリアCからウェハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウェハWを受け取ってキャリアC内に戻す。
処理ブロック5は、複数の処理モジュール11,12,13,14を有する。処理モジュール11,12,13は、塗布ユニットU1と、熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送アームを含む搬送装置A3とを内蔵している。
処理モジュール11は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりウェハWの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール11の塗布ユニットU1は、下層膜形成用の処理液をウェハW上に塗布する。処理モジュール11の熱処理ユニットU2は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール12は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール12の塗布ユニットU1は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール12の熱処理ユニットU2は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール13は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール13の塗布ユニットU1は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール13の熱処理ユニットU2は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール14は、現像ユニットU3と、熱処理ユニットU4と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。処理モジュール14は、現像ユニットU3及び熱処理ユニットU4により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットU3は、露光済みのウェハWの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットU4は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。
処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降アームを含む搬送装置A7が設けられている。搬送装置A7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウェハWを昇降させる。
処理ブロック5内におけるインタフェースブロック6側には棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック6は、露光装置3との間でウェハWの受け渡しを行う。また、本実施形態では、インタフェースブロック6内にウェハWに対して研磨処理を施す研磨ユニット20が配置されている。例えばインタフェースブロック6は、受け渡しアームを含む搬送装置A8を内蔵しており、露光装置3に接続される。搬送装置A8は、棚ユニットU11に配置されたウェハWを研磨ユニット20に搬送し、研磨ユニット20により研磨されたウェハWを露光装置3に渡す。搬送装置A8は、露光装置3からウェハWを受け取って棚ユニットU11に戻す。
制御装置100は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置2を制御する。まず制御装置100は、キャリアC内のウェハWを棚ユニットU10に搬送するように搬送装置A1を制御し、このウェハWを処理モジュール11用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール11内の塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、下層膜が形成されたウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理モジュール12用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール12内の塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理モジュール13用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール13内の各ユニットに搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU11に搬送するように搬送装置A3を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11のウェハWを研磨ユニット20に搬入し、研磨ユニット20により研磨処理が施されたウェハWを露光装置3に送り出すように搬送装置A8を制御する。その後制御装置100は、露光処理が施されたウェハWを露光装置3から受け入れて、棚ユニットU11における処理モジュール14用のセルに配置するように搬送装置A8を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11のウェハWを処理モジュール14内の各ユニットに搬送するように搬送装置A3を制御し、このウェハWのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットU3及び熱処理ユニットU4を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWをキャリアC内に戻すように搬送装置A7及び搬送装置A1を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置2の構成に限られない。基板処理装置は、研磨ユニット20と、これを制御可能な制御装置100とを備えていればどのようなものであってもよい。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理前において、研磨ユニット20によるウェハWの研磨処理をいずれのタイミングで行ってもよい。例えば塗布・現像装置2は、処理モジュール11,12における塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2による処理の前後のいずれかで、又は処理モジュール13における塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2による処理の前に、ウェハWの研磨処理を行ってもよい。塗布・現像装置2において、キャリアブロック4又は処理モジュール11,12,13内に研磨ユニット20が配置されていてもよい。
(研磨ユニット)
続いて、図3〜図6(b)を参照して、研磨ユニット20の詳細構成の一例を説明する。なお、図4〜図6(b)では、図3に示される要素の一部が省略されている。図3に示される研磨ユニット20は、ウェハWにおけるレジスト膜が形成される表面Waとは反対側の裏面Wb(主面)を研磨するユニットである。研磨ユニット20は、ウェハWの裏面を摺動する研磨部材により研磨することで、ウェハWの裏面を粗面化する。研磨ユニット20は、例えば円形に形成されたウェハWの裏面Wbの中心領域と外周領域とのそれぞれに対して研磨してもよい。
研磨ユニット20による研磨処理(研磨)は、例えば露光装置3に設けられるステージにウェハWを設置する際に、ウェハWの裏面Wbと当該ステージとの接触面積を減少させるために行われる。研磨ユニット20は、筐体21と、基板保持部30と、切替部40と、研磨部50と、ドレス部60と、旋回部70と、検査部80とを備える。
筐体21は、基板保持部30、切替部40、研磨部50、ドレス部60、旋回部70、及び検査部80を収容している。筐体21は、内部空間を有しており、例えば略直方体状に形成されている。筐体21の一端に開口部が設けられ、搬送装置A8が、研磨ユニット20にウェハWを搬入、あるいは研磨ユニット20からウェハWを搬出する。なお、以降では説明の便宜のために、平面視(鉛直方向上方から見ること)における筐体21の外縁のうちの長辺の方向を「前後方向」、短辺の方向を「左右方向」として説明を行う。
基板保持部30は、ウェハWの研磨が行われる際に、ウェハWの裏面Wbを保持する。具体的には、ウェハWの中心領域の研磨(以下、「中心研磨」という。)が行われる際にウェハWの外周領域を保持し、ウェハWの外周領域の研磨(以下、「外周研磨」という。)が行われる際にウェハWの中心領域を保持してウェハWを回転させる。基板保持部30は、回転保持部31と、周縁保持部32とを備える。
回転保持部31は、ウェハWの外周研磨が行われる際に、ウェハWの裏面Wbにおける中心領域を保持する。回転保持部31は、平面視において所定位置に固定されていてもよい。回転保持部31は、スピンチャック33と、シャフト34と、回転駆動部35とを備える(図4も参照)。
スピンチャック33は、ウェハWの裏面Wbにおける中心領域を吸着することにより、ウェハWを水平に支持する。例えばスピンチャック33は、負圧によりウェハWを吸着するように構成されていてもよい。シャフト34は、スピンチャック33の下方に接続されており、鉛直方向に延びるように形成されている。回転駆動部35は、シャフト34を介してスピンチャック33を回転させるように構成されている。回転駆動部35は、例えば回転アクチュエータを含んでいる。回転駆動部35は、鉛直な軸線Ax0周りにスピンチャック33を回転させる。回転駆動部35によるスピンチャック33の回転に伴って、スピンチャック33に支持されているウェハWが軸線Ax0周りに回転する。
周縁保持部32は、ウェハWの中心研磨が行われる際に、ウェハWの裏面Wbにおける外周領域を保持する。周縁保持部32は、例えば2つの固定チャック36を備える。2つの固定チャック36は、ウェハWの裏面Wbにおける外周領域を吸着することにより、ウェハWを水平に支持する。例えば固定チャック36は、負圧によりウェハWを吸着するように構成されていてもよい。2つの固定チャック36は、左右方向においてスピンチャック33を間に挟んで配置されている。
切替部40は、ウェハWの配置状態を切り替える。具体的には、切替部40は、ウェハWの配置状態を、ウェハWの中心研磨が行われるようにウェハWが配置された状態、又はウェハWの外周研磨が行われるようにウェハWが配置された状態に切り替える。本実施形態では、切替部40は、ウェハWの配置状態を切り替えるために、周縁保持部32を移動させる。切替部40は、周縁保持部32の位置を、ウェハWの中心研磨が行われる位置、又はウェハWの外周研磨が行われる位置に切り替える。なお、図3及び図4では、ウェハWの外周研磨が行われる際の各要素の配置状態が示されている。切替部40は、水平駆動部41と、昇降駆動部42とを備える。
水平駆動部41は、固定チャック36を前後方向に沿って往復移動させる。例えば水平駆動部41は、リニアアクチュエータを含んでいる。水平駆動部41は、固定チャック36を移動させることにより、固定チャック36に支持されているウェハWを前後方向に沿って移動させる。
昇降駆動部42は、固定チャック36を昇降させる。例えば昇降駆動部42は、昇降アクチュエータを含んでいる。昇降駆動部42は、スピンチャック33よりも低い高さ位置と、スピンチャック33よりも上方の高さ位置との間で固定チャック36を昇降させる。昇降駆動部42により固定チャック36がスピンチャック33より下方に位置するとき、固定チャック36がウェハWを保持する。昇降駆動部42により固定チャック36がスピンチャック33よりも上方に位置するとき、スピンチャック33がウェハWを保持する。
研磨部50は、ウェハWの裏面Wbを粗面化する。具体的には、研磨部50は、基板保持部30に保持されているウェハWの裏面Wbを研磨する。研磨部50は、図4に示されるように、研磨部材51と、駆動機構52とを備える。
研磨部材51は、ウェハWの裏面Wbに対して摺動することで当該裏面を研磨する。研磨部材51は、例えば円筒状又は円柱状に形成されている。研磨部材51は、ウェハWの裏面Wbの研磨時に、裏面Wbに当接する研磨面51aを有する。研磨面51aは、例えば研磨部材51の上面を構成している。研磨面51aが略水平となるように、研磨部材51は設けられていてもよい。
研磨部材51のうちの研磨面51aを含む上部(以下、「研磨ヘッド」という。)は、砥石により構成されていてもよい。例えば、研磨ヘッドは、ダイヤモンド砥石であってもよい。ダイヤモンド砥石として、粒度が60000番であるダイヤモンドが用いられてもよい。研磨部材51に含まれる砥石は、微細な砥粒、砥粒同士を結合するための結合剤、及び気孔により構成されてもよい。平面視において研磨面51aは、円状であってもよく、リング状に形成されていてもよい。研磨ヘッドの外径は、一例として、ウェハWの半径の3%〜8%程度の大きさであってもよい。例えば、研磨ヘッドの外径の最小値が、5mm、6mm、及び8mmのいずれかの値であってもよく、研磨ヘッドの外径の最大値が、10mm、11mm、及び12mmのいずれかの値であってもよい。
駆動機構52は、研磨部材51を水平面においていずれかの方向に移動させる。駆動機構52は、例えば、回転機構53と、回転機構54と、昇降駆動部55とを有している。図4に示されるように、研磨部材51、回転機構53、回転機構54、及び昇降駆動部55は、上方からこの順で配置されていてもよい。
回転機構53は、研磨部材51を支持して回転させる。具体的には、回転機構53は、研磨部材51を鉛直な軸線Ax1(第1軸)周りに回転させるように構成されている。回転機構53は、回転ステージ531と、回転駆動部532(第1駆動部)とを備える。
回転ステージ531は、研磨部材51を保持している。換言すると、回転ステージ531は、研磨部材51を保持する保持部材として機能する。回転ステージ531は、円板状に形成されていてもよい。図3に示されるように、円板状の回転ステージ531の中心位置は、軸線Ax1に対して偏心していてもよい。回転ステージ531は、研磨部材51を保持する面(以下、「保持面533」という。)を有する(図5(a)も参照)。回転ステージ531の直径は、研磨部材51の外径よりも大きい。換言すると、平面視において回転ステージ531の面積は、研磨部材51の面積(より詳細には、研磨ヘッドの外縁で囲まれる領域の面積)よりも大きい。
回転ステージ531の保持面533には、軸線Ax1と研磨部材51の中心位置とが互いに異なるように、研磨部材51が設けられる。換言すると、研磨部材51の中心位置は、軸線Ax1に対して偏心している。例えば回転ステージ531の保持面533のうちの周縁近傍に研磨部材51が設けられてもよい。
回転駆動部532は、軸線Ax1周りに回転ステージ531を回転させるように構成されている。回転駆動部532は、回転ステージ531の保持面533とは反対側の裏面に接続されている。例えば回転駆動部532は、回転アクチュエータを含んでいる。回転駆動部532により回転ステージ531が回転(自転)することにより、研磨部材51が軸線Ax1周りに回転する。
研磨部材51の外径は、軸線Ax1周りの研磨部材51の可動範囲の直径よりも小さい。軸線Ax1周りの研磨部材51の可動範囲とは、回転機構53の駆動により研磨部材51の研磨面51aの少なくとも一部が到達可能な範囲である。換言すると、研磨部材51の外径は、回転機構53による研磨部材51の移動軌跡の外縁の直径よりも小さい。
回転機構54は、軸線Ax1に平行な軸線Ax2(第2軸)周りの円軌道に沿って軸線Ax1を移動させる。例えば回転機構54は、軸線Ax1周りを回転する回転ステージ531を含む回転機構53を支持すると共に回転機構53を軸線Ax2周りに回転させるように構成されている。回転機構54により回転ステージ531が軸線Ax2周りに回転することで、研磨部材51は、回転機構53によって回転しつつ軸線Ax2を中心した円軌道に沿って移動する。回転機構53による研磨部材51の回転動作を停止した状態で回転機構54を駆動させると、研磨部材51は軸線Ax2を中心とした円周に沿って回転(公転)する。回転機構54は、回転ステージ541と、回転駆動部542(第2駆動部)とを備える。
回転ステージ541は、回転機構53(回転駆動部532)を支持している。回転ステージ541は、円板状に形成されていてもよい。円板状の回転ステージ541の中心位置は、軸線Ax2と略一致していてもよい。平面視において、回転ステージ541の面積は、回転機構53の回転ステージ531の面積よりも大きくてもよい。回転ステージ541は、回転機構53を支持する表面(支持面)が水平方向に沿うように配置されている。
回転駆動部542は、回転ステージ541を軸線Ax2周りに回転させるように構成されている。回転駆動部542は、回転ステージ541の支持面とは反対側の裏面に接続されている。例えば回転駆動部542は、回転アクチュエータを含んでいる。回転駆動部542により回転ステージ541が回転することにより、軸線Ax2を中心とした円軌道に沿って軸線Ax1が移動する。
昇降駆動部55は、回転機構53,54を昇降させる。昇降駆動部55は、回転機構54を支持している。昇降駆動部55は、例えば、昇降アクチュエータを含んでいる。昇降駆動部55により回転機構53,54が昇降することにより、回転機構53に支持されている研磨部材51が昇降する。換言すると、昇降駆動部55による回転機構53,54の昇降により、研磨部材51の研磨面51aの高さ位置が変化する。
ドレス部60は、研磨部材51の研磨面51aのドレッシング(研磨面51aに対するドレッシング)を行う。ドレス部60は、研磨面51aを構成する砥粒の目を研磨面51aから出す(露出させる)目立てを行う。ドレス部60による研磨面51aの目立てが行われることで、研磨面51aがウェハWの研磨により摩耗しても研磨精度(具合い)が維持される。ドレス部60は、図3に示されるように、筐体21内において、ウェハWの裏面Wbの研磨が行われる研磨位置とは異なる位置(以下、「ドレス位置」という。)に設けられている。ドレス部60は、筐体21の所定位置に固定されていてもよい。ドレス部60は、図5(a)に示されるように、天板部61と、ドレス部材62(第1ドレス部材)と、ノズル63とを有する。
天板部61は、ドレス部材62を支持する板状の部材である。天板部61は、水平方向に沿って延びている。天板部61は、例えば、回転ステージ531,541よりも上方に配置されている。天板部61は、例えば、平面視において、回転ステージ541を覆う程度の大きさを有する。図5(a)に示される天板部61の形状は一例であり、大きさ及び配置等は適宜変更することができる。
ドレス部材62は、研磨面51aのドレッシングを行うための部材である。ドレス部材62は、天板部61の下面に設けられている。なお、ドレス部材62は、不図示の固定部を介して天板部61に固定されていてもよい。また、ドレス部材62は、筐体21内の所定位置に固定されていてもよい。ドレス部材62の大きさは、例えば、平面視において、天板部61よりも小さくてもよい。
ドレス部材62は、研磨面51aのドレッシングを行うドレス面62a(第1ドレス面)を有する。ドレス面62aは、例えば、ドレス部材62の下面により形成されている。ドレス面62aは、回転ステージ531の保持面533と対向していてもよい。また、ドレス面62aは、研磨面51aと対向していてもよい。例えば、ドレス面62aと研磨面51aとは、互いに略平行であってもよい。なお、本明細書において、一の部材(一の面)と他の部材(他の面)とが対向するとは、平面視において、一の部材と他の部材とが互いに重なっている場合だけでなく、一の部材と他の部材とが重なっていない場合も含まれる。
ドレス部材62を構成する材料としては、例えば、カーボン含有金属又はアルミナ等のセラミックスを用いることができる。ドレス部材62のうちの少なくともドレス面62aを含む部分が、カーボン含有金属又はセラミックスで構成されてもよい。また、ドレス部材62の硬度は、研磨部材51の硬度よりも低くてもよい。より詳細には、ドレス部材62のうちのドレス面62aを含む部分の硬度は、研磨部材51のうちの研磨面51aを含む部分(研磨ヘッド)の硬度よりも低くてもよい。硬度は、例えば、ビッカース硬さで規定される。
ノズル63は、リンス液をドレス部材62のドレス面62aに供給する。ノズル63は、図5(a)に示されるように、ドレス部材62の斜め下方に配置されてもよい。ノズル63は、不図示の液源に接続されており、ドレス部材62による研磨面51aの研磨が行われるときに、リンス液をドレス面62aに向けて吐出してもよい。
ドレス位置において、研磨面51aのドレッシングが行われる際には、図5(a)に示されるように、研磨面51aがドレス面62aに当接するように研磨部材51が配置される。なお、この当接状態への配置については、制御装置100が駆動機構52に含まれる各駆動部を制御することにより行われる。研磨面51aがドレス面62aに当接した状態で、駆動機構52が、ドレス面62aに対して水平方向に研磨部材51(回転ステージ531)を移動させることにより、研磨面51aのドレッシングが行われる。図5(b)に示されるように、研磨面51aのドレッシングが行われる際に、ドレス面62aの一部の領域において、研磨面51aと当接する領域である当接領域CAが形成される。研磨面51aのドレッシング手順については後述する。
研磨部50は、ドレス面62aのドレッシング(ドレス面62aに対するドレッシング)を行うための補助ドレス部材65(第2ドレス部材)を更に有する。補助ドレス部材65は、図5(a)及び図5(b)に示されるように、板状に形成されていてもよい。補助ドレス部材65は、回転ステージ531の保持面533に設けられている。換言すると、研磨部材51及び補助ドレス部材65は、一の面である保持面533上に固定されている。図5(a)に示される例では、保持面533は、互いに高さ位置が異なる保持面533aと、保持面533bとで構成されている。保持面533aは、保持面533bよりも高い位置に配置されてもよい。
研磨部材51は、保持面533a上に設けられてもよい。補助ドレス部材65は、保持面533b上に設けられてもよい。補助ドレス部材65は、ドレス部材62のドレス面62aに対してドレッシングを行うドレス面(以下、「補助ドレス面65a」という。)を有する。補助ドレス面65a(第2ドレス面)は、補助ドレス部材65の上面を構成している。補助ドレス面65aは、保持面533aと同程度の高さ位置に配置されていてもよい。換言すると、保持面533aと保持面533bとの高さ位置の差が、補助ドレス部材65の厚さ(鉛直方向の長さ)に略一致していてもよい。このように、研磨面51aの高さ位置は、補助ドレス面65aの高さ位置よりも高くてもよい。なお、保持面533a及び保持面533bの高さ位置が互いに略一致しており、保持面533a及び保持面533bにより同一平面が構成されていてもよい。
図5(b)に示されるように、平面視において、補助ドレス部材65(補助ドレス面65a)の面積は、回転ステージ531よりも小さく、研磨部材51よりも大きい。平面視において、補助ドレス部材65は、回転ステージ531の大部分を占めていてもよい。例えば、平面視において、補助ドレス面65aの大きさは、研磨部材51の5倍〜20倍程度の大きさであってもよい。補助ドレス面65aは、ドレス面62aと対向してしてもよい。例えば、補助ドレス面65aとドレス面62aとは、互いに略平行であってもよい。このように、ドレス部材62のドレス面62aは、補助ドレス面65a及び研磨面51aの双方に対向していてもよい。
補助ドレス部材65を構成する材料としては、例えば、カーボン含有金属又はアルミナ等のセラミックスを用いることができる。補助ドレス部材65のうちの少なくとも補助ドレス面65aを含む部分が、カーボン含有金属又はセラミックスで構成されてもよい。また、補助ドレス部材65の硬度は、ドレス部材62の硬度よりも低くてもよい。より詳細には、補助ドレス部材65のうちの補助ドレス面65aを含む部分の硬度は、ドレス部材62のうちのドレス面62aを含む部分の硬度よりも低くてもよい。ドレス部材62と補助ドレス部材65とは、互いに同じ材料で構成されてもよく、互いに異なる材料で構成されてもよい。例えば、これらの部材が互いに同じ材料で構成される場合、補助ドレス部材65の粒度(砥石番手)がドレス部材62の粒度(砥石番手)よりも小さいことで、上述の硬度の関係が満たされてもよい。補助ドレス部材65、ドレス部材62、及び研磨部材51は、この順に硬度が低くてもよい。
ドレス位置において、ドレス部材62のドレス面62aのドレッシングが行われる際には、図6(a)に示されるように、補助ドレス面65aがドレス面62aに当接するように補助ドレス部材65が配置される。なお、この当接状態への配置については、制御装置100が駆動機構52に含まれる各駆動部を制御することにより行われる。補助ドレス面65aがドレス面62aに当接した状態で、駆動機構52の各駆動部が、ドレス面62aに対して補助ドレス部材65(回転ステージ531)を移動させることにより、ドレス面62aのドレッシングが行われる。図6(b)に示されるように、ドレス面62aのドレッシングが行われる際に、ドレス面62a内の研磨面51aと当接した当接領域CAを覆うように、ドレス面62aに対する補助ドレス面65aの当接位置が移動する。ドレス面62aのドレッシング手順については後述する。
駆動機構52に含まれる一部の要素は、ドレス位置において、研磨面51aのドレッシングが行われる状態(以下、「第1の状態」という。)と、ドレス面62aのドレッシングが行われる状態(以下、「第2の状態」という。)と、を切り替える。研磨部材51及び補助ドレス部材65の双方は回転ステージ531に設けられているので、回転ステージ531が移動することにより、研磨部材51とドレス部材62との相対位置、及び補助ドレス部材65とドレス部材62との相対位置が変化する。このため、駆動機構52に含まれる回転駆動部532,542及び昇降駆動部55は、制御装置100の動作指示に基づいて、回転ステージ531を移動させることにより、第1の状態と第2の状態とを切り替えることができる。
図5(a)及び図6(a)に示される例では、回転駆動部532が、平面視における研磨面51aと補助ドレス面65aとの位置を変更すると共に、昇降駆動部55が回転ステージ531とドレス部材62との距離を変更することで、第1の状態と第2の状態とを切り替える。この例では、回転駆動部532,542及び昇降駆動部55が駆動部を構成する。
図3及び図4に戻り、旋回部70は、研磨部50を研磨位置とドレス位置との間で移動させる。旋回部70は、軸線Ax1(軸線Ax2)と平行な軸線Ax3を中心とした円軌道に沿って研磨部50を移動させるように構成されている。旋回部70は、旋回ステージ71と、旋回駆動部72とを有する。
旋回ステージ71は、研磨部50(昇降駆動部55)を支持している。旋回ステージ71は、板状に形成されていてもよい。平面視において、旋回ステージ71の面積は、回転機構54の回転ステージ541の面積よりも大きくてもよい。旋回ステージ71は、昇降駆動部55を支持する表面(以下、「支持面」という。)が水平となるように配置されている。
旋回駆動部72は、旋回ステージ71を軸線Ax3周りに回転させる。旋回駆動部72は、旋回ステージ71の支持面とは反対側の裏面(下面)に接続されている。旋回駆動部72は、例えば回転アクチュエータを含んでいる。旋回駆動部72により旋回ステージ71が、軸線Ax3を中心とした円周に沿って移動することで、研磨部50が当該円周に沿って研磨位置とドレス位置との間を移動する。
検査部80は、ウェハWの研磨に係る各部の表面の状態を示す情報である表面情報を取得する。検査部80は、例えば、ウェハWの裏面Wbの研磨状態を示す研磨情報を表面情報として取得し、当該研磨情報を制御装置100に出力する。検査部80は、例えばカメラであってもよく、ウェハWの裏面Wbに対する研磨が行われた後に、当該ウェハWの裏面Wbを撮像することで、例えば、裏面Wbの画像データを研磨情報として取得してもよい。なお、検査部80として、カメラに代えて、裏面Wbに対して所定の波長の光を照射する光源と、裏面Wbで反射された光を検出する検出部とを設ける構成としてもよい。この場合、裏面Wbの画像データに代えて、反射された光の強度情報等を研磨情報として用いることができる。
(制御装置)
続いて、図7を参照して、制御装置100のハードウェア構成の一例について説明する。制御装置100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図7に示される回路110を有する。回路110は、一つ又は複数のプロセッサ111と、メモリ112と、ストレージ113と、入出力ポート114と、タイマ115と、を有する。
ストレージ113は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の研磨処理手順を制御装置100に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ112は、ストレージ113の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ111による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ111は、メモリ112と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。タイマ115は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。入出力ポート114は、ストレージ113からの指令に従って、研磨ユニット20に含まれる制御対象又は情報取得対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。
なお、制御装置100のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置100の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。
[研磨処理手順]
続いて、図8を参照して、基板処理方法の一例として、研磨ユニット20を用いて実行される研磨処理手順について説明する。図8は、複数のウェハWそれぞれに対して順に実行される研磨処理手順の一例を示すフローチャートである。
まず、制御装置100は、ステップS01を実行する。ステップS01では、例えば、制御装置100が、搬送装置A8を制御することにより、処理対象のウェハWを研磨ユニット20内に搬入させる。この際、搬送装置A8は、処理対象の当該ウェハWを、基板保持部30の回転保持部31に受け渡してもよい。
次に、制御装置100は、ステップS02を実行する。ステップS02では、制御装置100が第1ドレス処理を実行する。具体的には、制御装置100は、ドレス位置に研磨部50を配置させた状態で、ドレス部60のドレス部材62(ドレス面62a)により研磨部材51の研磨面51aのドレッシングを行わせる。この第1ドレス処理の具体例については、後述する。
次に、制御装置100は、ステップS03を実行する。ステップS03では、制御装置100が研磨処理を実行する。具体的には、制御装置100は、研磨位置に研磨部50を配置させた状態で、研磨部材51によりウェハWの裏面Wbを研磨させる。この研磨処理の具体例については後述する。
次に、制御装置100は、ステップS04を実行する。ステップS04では、制御装置100が、表面情報を取得する。例えば、制御装置100は、ステップS03における研磨処理が施されたウェハWの裏面Wbの研磨状態を示す研磨情報(例えば撮像画像データ)を、表面情報として検査部80から取得してもよい。
次に、制御装置100は、ステップS05を実行する。ステップS05では、制御装置100が、ステップS04において取得した表面情報(ここでは、研磨情報)に応じて、ドレス部材62のドレス面62aの目立てが必要かどうかを判定する。つまり、制御装置100は、研磨情報に応じてドレス部材62のドレス面62aのドレッシングを行うかどうかを判断する。制御装置100は、例えば、研磨状態が適切である比較用の画像データを予め記憶しており、研磨情報と比較用の画像データとを差分処理することにより、ドレス面62aの目立てが必要かどうかを判定してもよい。
ステップS05において、ドレス面62aの目立てが必要であると判断された場合(ステップS05:YES)、制御装置100は、ステップS06を実行する。ステップS06では、制御装置100が第2ドレス処理を実行する。具体的には、制御装置100は、ドレス位置に研磨部50を配置させた状態で、補助ドレス部材65(補助ドレス面65a)にドレス部材62のドレス面62aのドレッシングを行わせる。この第2ドレス処理の具体例については後述する。一方、ステップS05において、ドレス面62aの目立てが不要であると判断された場合、制御装置100は、ステップS06を実行しない。
次に、制御装置100は、ステップS07を実行する。ステップS07では、例えば、制御装置100が、搬送装置A8を制御することにより、研磨ユニット20から処理対象のウェハWを搬出させる。これにより、1枚のウェハWに対する一連の研磨処理手順が終了し、制御装置100は、処理対象のウェハWごとにステップS01〜S07の処理を繰り返す。
(研磨面のドレス処理)
続いて、図9を参照して、ステップS02における第1ドレス処理の具体例について説明する。図9は、研磨部材51に対する第1ドレス処理の一例を示すフローチャートである。
第1ドレス処理では、まず、制御装置100がステップS21を実行する。ステップS01では、制御装置100が、ドレス位置に位置する研磨部50について、駆動機構52を制御することにより、研磨面51aのドレッシングが行われる位置に研磨部材51を配置する。例えば、制御装置100は、回転駆動部532を制御することで、図5(a)に示されるように、平面視において研磨面51aとドレス面62aとが重なるように回転ステージ531を移動させる。
次に、制御装置100は、ステップS22を実行する。ステップS22では、制御装置100が、研磨部材51の回転駆動を開始する。制御装置100は、例えば、平面視において、ドレス部材62(ドレス面62a)内で研磨部材51が移動するように、回転駆動部532,542を制御する。一例としては、制御装置100は、研磨部材51及び補助ドレス部材65の回転ステージ531上の位置が維持されつつ、回転ステージ531が軸線Ax2周りに回転するように、回転駆動部532,542を制御してもよい。
これにより、図5(b)に示されるように、軸線Ax1と軸線Ax2との間隔と略同一の半径を有する円軌道に沿って、研磨部材51が移動する。なお、図5(b)において、研磨部材51が移動する跡(当接位置の軌跡)が、当接領域CAとして示されている。図5(b)に示す例では、当接領域CAは環状とされている。研磨部材51が移動する経路は、回転駆動部532,542の制御方法によって適宜変更することができる。
次に、制御装置100は、ステップS23を実行する。ステップS23では、制御装置100が、ステップS22において開始した回転駆動を維持しつつ、昇降駆動部55を制御することにより、回転ステージ531を上方に移動させることで、研磨面51aをドレス面62aに当接(接触)させる。これにより、ドレス面62aによる研磨面51aのドレッシングが開始される。
次に、制御装置100は、ステップS24を実行する。ステップS24では、制御装置100が、研磨面51aをドレス面62aに当接させた時刻から予め定められた所定時間経過するまで待機する。これにより、所定時間において、図5(b)に示されるように、ドレス面62aに対して研磨面51aが当接しつつドレス面62aに沿って移動することで、ドレス面62aによる研磨面51aの目立てが行われる。この場合、研磨面51aのドレッシング時に研磨部材51が上述した円軌道に沿って移動することで、研磨部材51のうちの当該円軌道に沿って進む箇所が、研磨部材51の外縁において絶えず同じ位置とならないので、研磨部材51に対するドレッシングの偏りが防止される。
所定時間経過した後に、制御装置100は、ステップS25を実行する。ステップS25では、制御装置100が、回転駆動部532,542を制御することにより、回転駆動を停止する。なお、制御装置100は、回転駆動の停止の前後のいずれかにおいて、昇降駆動部55を制御することにより、回転ステージ531を下方に移動させてもよい。これにより、1枚の処理対象のウェハWごとに行われる第1ドレス処理が終了する。
(研磨処理)
続いて、図10を参照して、ステップS03における研磨処理の具体例について説明する。図10は、研磨処理の一例を示すフローチャートである。
まず、制御装置100は、ステップS31を実行する。ステップS31では、まず、制御装置100は、切替部40を制御することにより、ウェハWを中心研磨が行われる位置に配置させる。例えば、制御装置100は、基板保持部30に保持されているウェハWを固定チャック36に保持させ、ウェハWの中心領域がスピンチャック33から離間する位置まで固定チャック36を移動させる。そして、制御装置100が、旋回駆動部72を制御することにより、研磨部50をドレス位置から研磨位置に移動させる。その後、制御装置100は、回転駆動部542を制御することにより、回転ステージ531がウェハWの裏面Wbの中心領域に重なるように研磨部材51を配置させる。
次に、制御装置100は、ステップS32を実行する。ステップS32では、制御装置100が、駆動機構52を制御することにより、ウェハWの裏面Wbの中心領域を研磨させる。例えば、制御装置100は、回転駆動部532により回転ステージ531(研磨部材51)を軸線Ax1周りに回転させつつ、昇降駆動部55を制御することで、研磨面51aをウェハWの裏面Wbに当接させる。この際、制御装置100は、回転駆動部542による回転駆動は停止していてもよい。制御装置100は、予め定められた所定時間において中心領域の研磨を行う。
次に、制御装置100は、ステップS33を実行する。ステップS33では、制御装置100が、切替部40を制御することにより、ウェハWの配置を、中心研磨が行われる位置から外周研磨が行われる位置に切り替える。例えば、制御装置100は、ウェハWを保持している固定チャック36を、ウェハWの中心部分がスピンチャック33と重なる位置まで移動させる。そして、制御装置100は、当該ウェハWをスピンチャック33上に載置させる。
次に、制御装置100は、ステップS34を実行する。ステップS34では、制御装置100が、基板保持部30及び駆動機構52を制御することにより、ウェハWの裏面Wbの外周領域を研磨させる。例えば、制御装置100は、回転駆動部35によりウェハWを軸線Ax0周りに回転させつつ、研磨部材51がウェハWの裏面Wbに当接した状態で、ウェハWの半径方向に沿って研磨部材51を移動させてもよい。一例として、制御装置100は、回転駆動部532,542を制御することで、研磨部材51をウェハWの中心領域からウェハW外まで、回転ステージ531の自転動作及び公転動作を行いつつ移動させることにより、ウェハWの外周領域を研磨させてもよい。以上により、1枚の処理対象のウェハWに対する研磨処理が終了する。
(ドレス面のドレス処理)
続いて、図11を参照して、ステップS06における第2ドレス処理の具体例について説明する。図11は、ドレス部材62に対する第2ドレス処理の一例を示すフローチャートである。
まず、制御装置100は、ステップS61を実行する。ステップS61では、制御装置100が、補助ドレス部材65をドレス面62aのドレッシングが行われる位置に配置させる。例えば、制御装置100が、まず旋回駆動部72を制御することにより、研磨部50をドレス位置に移動させる。そして、制御装置100は、図6(a)に示されるように、平面視において、補助ドレス面65aがドレス面62aと重なるように、回転駆動部532を制御する(回転ステージ531を回転させる)。
次に、制御装置100は、ステップS62を実行する。ステップS62では、制御装置100が、回転駆動を開始する。制御装置100は、例えば、平面視において、移動した際の補助ドレス面65aが当接領域CAの全域を覆うように、回転駆動部532,542の少なくとも一方を制御してもよい。この際、制御装置100は、研磨部材51とドレス部材62とが平面視において互いに重ならずに、補助ドレス面65aが当接領域CAの全域を覆うように、回転駆動部532,542の少なくとも一方を制御してもよい。制御装置100は、研磨部材51とドレス部材62とが互いに干渉せずに、補助ドレス面65aがドレス面62aの全域を覆うように、回転駆動部532,542の少なくとも一方を制御してもよい。
一例として、図6(b)に示されるように、制御装置100は、研磨部材51がドレス部材62に干渉しないように回転ステージ531を自転させつつ、回転ステージ531を軸線Ax2周りの回転軌跡の一部において往復移動させるように、回転駆動部532,542を制御してもよい。補助ドレス部材65の動作は、回転駆動部532,542の制御方法によって適宜変更することができる。例えば、制御装置100は、研磨部材51及び補助ドレス部材65の回転ステージ531上の位置が維持されつつ、回転ステージ531を軸線Ax2周りの回転軌跡の一部において往復移動させるように、回転駆動部532,542を制御してもよい。
次に、制御装置100は、ステップS63を実行する。ステップS63では、制御装置100が、ステップS62において開始した回転駆動(往復移動)を維持しつつ、昇降駆動部55を制御することにより、回転ステージ531を上方に移動させることで、補助ドレス面65aをドレス面62aに当接させる。これにより、補助ドレス面65aによるドレス面62aのドレッシングが開始される。
次に、制御装置100は、ステップS64を実行する。ステップS64では、制御装置100が、補助ドレス面65aをドレス面62aに当接させた時刻から予め定められた所定時間経過するまで待機する。例えば、所定時間は、当接領域CAの全体にわたりドレス面62aが複数回通過するように設定されてもよい。所定時間において、図6(b)に示されるように、研磨部材51とドレス部材62とが互いに干渉することなく、補助ドレス面65aがドレス面62aに対して当接しつつドレス面62aに沿って移動することで、補助ドレス面65aによるドレス面62aの目立てが行われる。なお、上記の回転駆動(往復移動)では、当接領域CAの全体に対して補助ドレス面65aによる目立てができない場合、当接領域CAの全体について補助ドレス面65aによる目立てが可能となるように移動方向等を変更してよい。
所定時間経過した後、制御装置100は、ステップS65を実行する。ステップS65では、制御装置100が、回転駆動部532,542を制御することにより、回転駆動を停止する。なお、制御装置100は、回転駆動の停止の前後のいずれかにおいて、昇降駆動部55を制御することにより、回転ステージ531を下方に移動させてもよい。以上により、第2ドレス処理が終了する。
以上説明した研磨ユニット20を用いた基板処理手順には、ドレス面62aと研磨面51aとを当接させて研磨面51aのドレッシングを行うことと(ステップS02)、ドレス面62aと補助ドレス面65aとを当接させてドレス面62aのドレッシングを行うことと(ステップS06)、回転ステージ531を移動させることで、研磨面51aのドレッシングを行う第1の状態と、ドレス面62aのドレッシングを行う第2の状態と切り替えることと(ステップS21,S23,S61,S63)が含まれる。
[作用]
以上の実施形態では、第1の状態において研磨面51aのドレッシングが行われ、第2の状態においてドレス面62aのドレッシングが行われる。研磨面51aのドレッシングが行われることで、ウェハWに対する研磨処理が安定して行われるが、ドレス部材62のドレス面62aは摩耗していく。しかしながら、ドレス面62aに対して補助ドレス面65aによりドレッシングが行われることで、ドレス面62aの摩耗した箇所の目立てが行われる。このため、ドレス面62aの摩耗状態が改善された状態で研磨面51aのドレッシングが行われる。その結果、安定した研磨処理を持続させることが可能となる。
ドレス面62aのドレッシングを行わずに、当該ドレス面62aにより研磨面51aのドレッシングを行いウェハWの研磨を継続することも考えられる。この場合、ドレス部材62のドレス面62aが摩耗した状態において、研磨面51aのドレッシングが行われる。このため、研磨面51aをドレッシングする回数が増えるほど(例えば、十数回を超えると)、研磨面51aの目立てが十分に行われずに、所望の研磨結果が得られる程度に十分な研磨が行われなくなっていく。すなわち、ウェハWの研磨を適切に行うことができなくなる、または、ウェハWの研磨を適切に行うための研磨時間が長期化する可能性がある。これに対して、上記実施形態では、ドレス面62aの摩耗状態が改善された状態で研磨面51aのドレッシングが行われるので、所望の研磨結果が得られる研磨処理を持続させることが可能となる。
ウェハWについて所望の研磨結果が得られるように、ドレス部材62を新しい部材に交換することも考えられるが、当該交換中は、研磨ユニット20(塗布・現像装置2)による処理を停止する必要がある。上記実施形態の構成でも、補助ドレス部材65の補助ドレス面65aの摩耗により、ドレス面62aを十分にドレッシングできなくなるときは到来する。しかしながら、少なくとも、ドレス面62aのドレッシングを行わない構成と比べて、ドレス面62aによる研磨面51aの目立てを十分に行える期間を持続させることができる。これにより、スループットの維持と研磨処理の安定化との両立を図ることができる。
以上の実施形態では、補助ドレス部材65及び研磨部材51が、回転ステージ531の一の保持面533上に固定されている。補助ドレス面65a及び研磨面51aの高さ位置は、互いに異なっている。駆動機構52に含まれる駆動部は、平面視における補助ドレス面65a及び研磨面51aの位置を変更すると共に、回転ステージ531とドレス面62aとの距離を変更することで、第1の状態と第2の状態とを切り替える。この構成では、ドレス面62aを良好な状態に維持するための補助ドレス部材65とウェハWの裏面Wbを研磨するための研磨部材51とが、ドレス面62aと対向する面(保持面533)上に設けられる。これにより、ウェハWの研磨を行う研磨ユニット20を大型化させることなく、安定した研磨処理を持続させることが可能となる。
以上の実施形態では、補助ドレス部材65の硬度は、ドレス部材62の硬度よりも低い。この場合、ドレッシングの対象となる部材(ドレス部材62)の方が、ドレッシングを行う部材(補助ドレス部材65)よりも硬いので、ドレス部材62のドレス面62aの目立てをより確実に行うことが可能となる。
以上の実施形態では、駆動機構52に含まれる駆動部は、第1の状態(第1ドレス処理)にて研磨面51aのドレッシングが行われる際にドレス面62aのうちの研磨面51aと当接する当接領域CAを覆うように、第2の状態(第2ドレス処理)において補助ドレス部材65の補助ドレス面65aの当接位置を移動させる。ドレス面62aの当接領域CAにおいて、研磨面51aのドレッシングにより摩耗が進む。上記構成では、摩耗が進んだ当接領域CAを覆うように、ドレス面62aに対するドレッシングが行われるので、ドレス面62aによる研磨面51aのドレッシングの程度をより確実に安定させることが可能となる。
なお、補助ドレス面65aによるドレッシングの対象は、ドレス面62aに形成される当接領域CAの周縁(当接領域CA以外の領域との境界部分)が対象に含まれるように、当接領域CA及びその周辺領域としてもよい。当接領域CA及びその周辺をドレッシングの対象とすることで、当接領域CAのドレッシングを適切に行うことができる。また、補助ドレス面65aによるドレッシングの対象は、ドレス面62aに形成される当接領域CA及びその周辺としてもよいし、ドレス面62a全体としてもよい。ドレス面62a全体をドレッシングの対象とした場合、当接領域CAを含むドレス面62a全体について均一に目出しをすることができるため、ドレッシング後のドレス面62aによる研磨面51aのドレッシングにおいても均等に目出しをすることができる。
以上の実施形態では、塗布・現像装置2は、駆動機構52に含まれる駆動部を制御する制御装置100を備える。駆動機構52は、軸線Ax1周りに研磨部材51が回転するように回転ステージ531を回転させる回転駆動部532と、軸線Ax1に平行な軸線Ax2周りの円軌道に沿って軸線Ax1が移動するように回転ステージ531を移動させる回転駆動部542と、を含む。制御装置100は、回転駆動部532により回転ステージ531を回転させることで平面視における研磨面51aと補助ドレス面65aとの位置を切り替える。制御装置100は、第2の状態(第2ドレス処理)において、回転駆動部542により回転ステージ531を移動させることで、当接領域CAに対する補助ドレス面65aの当接位置を移動させる。
この場合、回転駆動部542による回転ステージ531の動作により広い範囲で補助ドレス面65aを移動させることができる。このため、ドレス面62aのドレッシングを行う際に、当接領域CAを覆うことが容易である。また、回転駆動部542は、ウェハWの裏面Wb(より詳細には外周領域)に対する研磨処理にも用いられる。すなわち、補助ドレス面65aの当接位置が当接領域CAを覆うことによる研磨面51aのドレッシングの安定化を、研磨ユニット20を大型化することなく実現できる。
以上の実施形態では、塗布・現像装置2は、研磨部材51による研磨後におけるウェハWの裏面Wbの研磨状態を示す研磨情報を取得する制御装置100を備える。制御装置100は、研磨情報に応じてドレス面62aのドレッシングを行うかどうかを判定する。ウェハWの研磨状態によってはドレス面62aのドレッシングが不要である場合もある。第2ドレス処理を繰り返し行うことによって、補助ドレス面65aも摩耗していくことが考えられるが、上記構成では、研磨状態を示す研磨情報に応じて、第2ドレス処理の実行可否が判定される。その結果、補助ドレス部材65をより継続して使用することが可能となる。
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
[変形例]
(1)制御装置100は、上述した研磨処理手順において、各ステップの処理を並行して実行してもよく、順序を入れ替えて実行してもよい。例えば、制御装置100は、ステップS02の研磨処理を実行した後にステップS03の第1ドレス処理を実行してもよい。
(2)制御装置100は、表面情報として、ウェハWの裏面Wbの研磨情報に代えて、ドレス面62aの摩耗状態(劣化状態)を示す摩耗情報を取得してもよい。この場合、研磨ユニット20は、検査部80に代えて、ドレス面62aの斜め下方に配置された検査部81を備えてもよい(図5(a)等参照)。検査部81は、例えば、ドレス面62aに向けて検査用の光を出射する機能と、ドレス面62aにおいて散乱された光(以下、「散乱光」という。)を受光する機能とを有していてもよい。制御装置100は、受光した散乱光が示す情報に応じて、摩耗情報を取得してもよい。制御装置100は、摩耗情報に応じて、ドレス面62aの目立てが必要かどうかを判断してもよい。
(3)あるいは、制御装置100は、表面情報として、補助ドレス面65aの摩耗状態を取得してもよい。補助ドレス面65aの摩耗情報は、上述のドレス面62aの摩耗情報と同様に取得されてもよい。制御装置100は、補助ドレス面65aに関する摩耗情報に応じて、ドレス面62aの目立てが必要かどうかを判断してもよい。なお、制御装置100は、ドレス面62a及び補助ドレス面65aの双方の摩耗状態に応じて、第2ドレス処理の実行可否を判定してもよい。
これらの変形例では、制御装置100は、ドレス面62a及び補助ドレス面65aの少なくとも一方の摩耗状態を示す摩耗情報を取得し、当該摩耗情報に応じて第2ドレス処理を行うかどうかを判定する。ドレス面62a又は補助ドレス面65aの摩耗状態によってドレス面62aのドレッシングが不要である場合もある。上記構成では、摩耗状態を示す摩耗情報に応じて、第2ドレス処理の実行可否が判定されることで、ウェハWの裏面Wbの研磨を行う度にドレス面62aのドレッシングを行う場合と比較して、補助ドレス部材65をより継続して使用することが可能となる。
(4)制御装置100は、表面情報を取得することなく、第1ドレス処理の回数に応じて、第2ドレス処理を実行してもよい。例えば、制御装置100は、複数の第1ドレス処理が行われた後に、1回の第2ドレス処理を実行してもよい。換言すると、制御装置100は、複数枚のウェハWに対する複数回の研磨ごとに、1回の第2ドレス処理を行ってもよい。この際、回転駆動部532,542は、複数回の研磨面51aのドレッシングを行った後に、研磨面51aのドレッシングを行う第1の状態から、ドレス面62aのドレッシングを行う第2の状態へ切り替えてもよい。
この変形例では、研磨面51aのドレッシング(第1ドレス処理)が、処理対象のウェハWに対する研磨が行われる度に実行される。そして、駆動機構52に含まれる駆動部は、複数回の研磨面51aのドレッシングを行った後に、第1の状態から第2の状態へ切り替える。1回の研磨面51aのドレッシングを行った後において、ドレス面62aのドレッシングが不要な場合もある。上記構成では、複数回の研磨面51aのドレッシングの後に、ドレス面62aのドレッシングが行われるので、補助ドレス部材65をより継続して使用することが可能となる。
(5)いくつかの例では、制御装置100は、表面情報に応じて、ドレス面62aの目立てが必要かどうかを判断した上で、ステップS06の第2ドレス処理を実行する。あるいは、制御装置100は、複数回の第1ドレス処理ごとに、1回の第2ドレス処理を実行する。しかしながら、第2ドレス処理の実行方法はこれらの例に限られない。制御装置100は、例えば、表面情報を取得することなく、処理対象のウェハWに対する研磨を行う度に、第1ドレス処理及び第2ドレス処理の双方を実行してもよい。この場合、第2ドレス処理が実行されるタイミングは、第1ドレス処理の前後のいずれで行われもよく、研磨処理の前後のいずれで行われてもよい。この変形例では、1枚のウェハWに対する研磨ごとに、第2ドレス処理が行われるので、他の例に比べて、研磨面51aをドレッシングするためのドレス面62aの目立てをより確実に行うことが可能となる。
(6)制御装置100は、研磨ユニット20とは異なる他の検査ユニットから研磨情報(例えば、撮像画像データ)を取得してもよい。
(7)処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)などであってもよい。
1…基板処理システム、2…塗布・現像装置、20…研磨ユニット、50…研磨部、51…研磨部材、51a…研磨面、52…駆動機構、531…回転ステージ、532,542…回転駆動部、55…昇降駆動部、62…ドレス部材、62a…ドレス面、65…補助ドレス部材、65a…補助ドレス面、100…制御装置、W…ウェハ、Wb…裏面、Ax1,Ax2…軸線。

Claims (9)

  1. 基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、
    前記研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、
    前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、
    前記研磨部材及び前記第2ドレス部材を保持する保持部材と、
    前記保持部材を移動させることで、前記第1ドレス面と前記研磨面とが当接して前記研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、前記第1ドレス面と前記第2ドレス面とが当接して前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態と、を切り替える駆動部と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記第2ドレス部材及び前記研磨部材は、前記保持部材の一の面上に固定されており、
    前記研磨面及び前記第2ドレス面の高さ位置は、互いに異なっており、
    前記第1ドレス面は、前記研磨面及び前記第2ドレス面と対向しており、
    前記駆動部は、平面視における前記研磨面及び前記第2ドレス面の位置を変更すると共に、前記保持部材と前記第1ドレス面との距離を変更することで、前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記第2ドレス部材の硬度は、前記第1ドレス部材の硬度よりも低い、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
  4. 前記駆動部は、前記第1の状態にて前記研磨面のドレッシングが行われる際に前記第1ドレス面のうちの前記研磨面と当接する領域である当接領域を覆うように、前記第2の状態において前記第2ドレス面の当接位置を移動させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記駆動部を制御する制御部をさらに備え、
    前記駆動部は、第1軸周りに前記研磨部材が回転するように前記保持部材を回転させる第1駆動部と、前記第1軸に平行な第2軸周りの円軌道に沿って前記第1軸が移動するように前記保持部材を移動させる第2駆動部と、を含み、
    前記制御部は、
    前記第1駆動部により前記保持部材を回転させることで平面視における前記研磨面及び前記第2ドレス面の位置を変更し、
    前記第2の状態において、前記第2駆動部により前記保持部材を移動させることで、前記当接領域に対する前記第2ドレス面の当接位置を移動させる、請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 前記研磨部材による研磨後における前記基板の前記主面の研磨状態を示す研磨情報を取得する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、前記研磨情報に応じて前記第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 記第1ドレス面及び前記第2ドレス面の少なくとも一方の摩耗状態を示す摩耗情報を取得する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、前記摩耗情報に応じて前記第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記研磨面のドレッシングは、処理対象の前記基板に対する研磨を行う度に行われ、
    前記駆動部は、複数回の前記研磨面のドレッシングを行った後に、前記第1の状態から前記第2の状態へ切り替える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、前記研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、前記研磨部材及び前記第2ドレス部材を保持する保持部材と、を備える研磨ユニットによる基板処理方法であって、
    前記第1ドレス面と前記研磨面とを当接させて前記研磨面のドレッシングを行うことと、
    前記第1ドレス面と前記第2ドレス面とを当接させて前記第1ドレス面のドレッシングを行うことと、
    前記保持部材を移動させることで、前記研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態とを切り替えることと、
    を含む基板処理方法。
JP2019091560A 2019-05-14 2019-05-14 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP7308074B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019091560A JP7308074B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 基板処理装置及び基板処理方法
TW109114861A TW202108302A (zh) 2019-05-14 2020-05-05 基板處理裝置及基板處理方法
CN202010376534.XA CN111941268B (zh) 2019-05-14 2020-05-07 基片处理装置和基片处理方法
KR1020200056091A KR20200131754A (ko) 2019-05-14 2020-05-11 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US16/872,441 US11532487B2 (en) 2019-05-14 2020-05-12 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019091560A JP7308074B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020185643A true JP2020185643A (ja) 2020-11-19
JP7308074B2 JP7308074B2 (ja) 2023-07-13

Family

ID=73223439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019091560A Active JP7308074B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11532487B2 (ja)
JP (1) JP7308074B2 (ja)
KR (1) KR20200131754A (ja)
CN (1) CN111941268B (ja)
TW (1) TW202108302A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7308074B2 (ja) * 2019-05-14 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10296616A (ja) * 1997-04-08 1998-11-10 Lsi Logic Corp 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整
JP2000343407A (ja) * 1999-06-08 2000-12-12 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2001030169A (ja) * 1999-05-17 2001-02-06 Ebara Corp ドレッシング装置及びポリッシング装置
JP2014207450A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法
JP2018192541A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ディスコ 研磨装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56152562A (en) * 1980-04-24 1981-11-26 Fujitsu Ltd Grinder
JP2003257911A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Nikon Corp ドレッシング方法及び装置、研磨装置、半導体デバイス並びに半導体デバイス製造方法
KR100565913B1 (ko) * 2001-09-10 2006-03-31 가부시키가이샤 니콘 드레싱 공구, 드레싱 장치, 드레싱 방법, 가공 장치 및반도체 디바이스 제조 방법
US7404757B2 (en) * 2004-06-22 2008-07-29 Samsung Austin Semiconductor, L.P. Apparatus and method for breaking in multiple pad conditioning disks for use in a chemical mechanical polishing system
JP2008023674A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Nikon Corp ドレッシング装置の調整方法およびドレッシング装置、並びに研磨装置
KR20100077535A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 주식회사 하이닉스반도체 콘택 구조체, 그것의 제조방법, 그것을 구비한 상변화 메모리 장치 및 그 제조방법
JP5695963B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-08 株式会社荏原製作所 研磨方法
CN203282328U (zh) * 2013-04-28 2013-11-13 株式会社荏原制作所 抛光装置以及基板处理装置
SG10201404086XA (en) * 2013-07-19 2015-02-27 Ebara Corp Substrate cleaning device, substrate cleaning apparatus, method for manufacturing cleaned substrate and substrate processing apparatus
JP2015030058A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 信越半導体株式会社 ドレッシング方法及びドレッシング装置
JP6254383B2 (ja) * 2013-08-29 2017-12-27 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びそれを備えた化学的機械的研磨装置、それに用いるドレッサーディスク
JP6304132B2 (ja) * 2015-06-12 2018-04-04 信越半導体株式会社 ワークの加工装置
JP6704244B2 (ja) * 2015-12-03 2020-06-03 株式会社ディスコ 研磨装置
CN205309889U (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 佛山市盈向精密机械科技有限公司 一种带多工位刀具和工装的加工中心
JP6672207B2 (ja) * 2016-07-14 2020-03-25 株式会社荏原製作所 基板の表面を研磨する装置および方法
JP6715153B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-01 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
JP7052280B2 (ja) * 2016-11-29 2022-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7169769B2 (ja) * 2017-08-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
US10857651B2 (en) * 2017-11-20 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus of chemical mechanical polishing and operating method thereof
CN208005408U (zh) * 2018-03-30 2018-10-26 广州大学 一种可自动换刀的打磨机械手
US20200094375A1 (en) * 2018-09-26 2020-03-26 Cana Diamond Technology, LLC Multiple zone pad conditioning disk
JP7308074B2 (ja) * 2019-05-14 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10296616A (ja) * 1997-04-08 1998-11-10 Lsi Logic Corp 化学・機械研磨用研磨パッドの前調整
JP2001030169A (ja) * 1999-05-17 2001-02-06 Ebara Corp ドレッシング装置及びポリッシング装置
JP2000343407A (ja) * 1999-06-08 2000-12-12 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2014207450A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法
JP2018192541A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ディスコ 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11532487B2 (en) 2022-12-20
JP7308074B2 (ja) 2023-07-13
CN111941268A (zh) 2020-11-17
US20200365417A1 (en) 2020-11-19
TW202108302A (zh) 2021-03-01
CN111941268B (zh) 2024-04-05
KR20200131754A (ko) 2020-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10840079B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
TWI806985B (zh) 研磨設備
KR102499098B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR102570853B1 (ko) 기판 이면 연마 부재의 드레싱 장치 및 드레싱 방법
US11731229B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP7308074B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7169769B2 (ja) 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
CN113165135B (zh) 基板处理装置
TWI763765B (zh) 基板的研磨裝置及研磨方法
TWI801516B (zh) 基板之翹曲修正方法、電腦記錄媒體及基板之翹曲修正裝置
TWI837242B (zh) 基板處理裝置
JP2024064958A (ja) 基板洗浄部材、基板処理装置、及び、基板洗浄方法
CN117943965A (zh) 基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230703

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7308074

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150