JP2020185643A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、露光装置3は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、研磨ユニット20と、制御装置100(制御部)とを備える。
続いて、図3〜図6(b)を参照して、研磨ユニット20の詳細構成の一例を説明する。なお、図4〜図6(b)では、図3に示される要素の一部が省略されている。図3に示される研磨ユニット20は、ウェハWにおけるレジスト膜が形成される表面Waとは反対側の裏面Wb(主面)を研磨するユニットである。研磨ユニット20は、ウェハWの裏面を摺動する研磨部材により研磨することで、ウェハWの裏面を粗面化する。研磨ユニット20は、例えば円形に形成されたウェハWの裏面Wbの中心領域と外周領域とのそれぞれに対して研磨してもよい。
続いて、図7を参照して、制御装置100のハードウェア構成の一例について説明する。制御装置100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図7に示される回路110を有する。回路110は、一つ又は複数のプロセッサ111と、メモリ112と、ストレージ113と、入出力ポート114と、タイマ115と、を有する。
続いて、図8を参照して、基板処理方法の一例として、研磨ユニット20を用いて実行される研磨処理手順について説明する。図8は、複数のウェハWそれぞれに対して順に実行される研磨処理手順の一例を示すフローチャートである。
続いて、図9を参照して、ステップS02における第1ドレス処理の具体例について説明する。図9は、研磨部材51に対する第1ドレス処理の一例を示すフローチャートである。
続いて、図10を参照して、ステップS03における研磨処理の具体例について説明する。図10は、研磨処理の一例を示すフローチャートである。
続いて、図11を参照して、ステップS06における第2ドレス処理の具体例について説明する。図11は、ドレス部材62に対する第2ドレス処理の一例を示すフローチャートである。
以上の実施形態では、第1の状態において研磨面51aのドレッシングが行われ、第2の状態においてドレス面62aのドレッシングが行われる。研磨面51aのドレッシングが行われることで、ウェハWに対する研磨処理が安定して行われるが、ドレス部材62のドレス面62aは摩耗していく。しかしながら、ドレス面62aに対して補助ドレス面65aによりドレッシングが行われることで、ドレス面62aの摩耗した箇所の目立てが行われる。このため、ドレス面62aの摩耗状態が改善された状態で研磨面51aのドレッシングが行われる。その結果、安定した研磨処理を持続させることが可能となる。
(1)制御装置100は、上述した研磨処理手順において、各ステップの処理を並行して実行してもよく、順序を入れ替えて実行してもよい。例えば、制御装置100は、ステップS02の研磨処理を実行した後にステップS03の第1ドレス処理を実行してもよい。
Claims (9)
- 基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、
前記研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、
前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、
前記研磨部材及び前記第2ドレス部材を保持する保持部材と、
前記保持部材を移動させることで、前記第1ドレス面と前記研磨面とが当接して前記研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、前記第1ドレス面と前記第2ドレス面とが当接して前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態と、を切り替える駆動部と、
を備える基板処理装置。 - 前記第2ドレス部材及び前記研磨部材は、前記保持部材の一の面上に固定されており、
前記研磨面及び前記第2ドレス面の高さ位置は、互いに異なっており、
前記第1ドレス面は、前記研磨面及び前記第2ドレス面と対向しており、
前記駆動部は、平面視における前記研磨面及び前記第2ドレス面の位置を変更すると共に、前記保持部材と前記第1ドレス面との距離を変更することで、前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2ドレス部材の硬度は、前記第1ドレス部材の硬度よりも低い、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記駆動部は、前記第1の状態にて前記研磨面のドレッシングが行われる際に前記第1ドレス面のうちの前記研磨面と当接する領域である当接領域を覆うように、前記第2の状態において前記第2ドレス面の当接位置を移動させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記駆動部を制御する制御部をさらに備え、
前記駆動部は、第1軸周りに前記研磨部材が回転するように前記保持部材を回転させる第1駆動部と、前記第1軸に平行な第2軸周りの円軌道に沿って前記第1軸が移動するように前記保持部材を移動させる第2駆動部と、を含み、
前記制御部は、
前記第1駆動部により前記保持部材を回転させることで平面視における前記研磨面及び前記第2ドレス面の位置を変更し、
前記第2の状態において、前記第2駆動部により前記保持部材を移動させることで、前記当接領域に対する前記第2ドレス面の当接位置を移動させる、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記研磨部材による研磨後における前記基板の前記主面の研磨状態を示す研磨情報を取得する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記研磨情報に応じて前記第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 記第1ドレス面及び前記第2ドレス面の少なくとも一方の摩耗状態を示す摩耗情報を取得する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記摩耗情報に応じて前記第1ドレス面のドレッシングを行うかどうかを判定する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記研磨面のドレッシングは、処理対象の前記基板に対する研磨を行う度に行われ、
前記駆動部は、複数回の前記研磨面のドレッシングを行った後に、前記第1の状態から前記第2の状態へ切り替える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板の主面を研磨する研磨面を有する研磨部材と、前記研磨面のドレッシングを行う第1ドレス面を有する第1ドレス部材と、前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2ドレス面を有する第2ドレス部材と、前記研磨部材及び前記第2ドレス部材を保持する保持部材と、を備える研磨ユニットによる基板処理方法であって、
前記第1ドレス面と前記研磨面とを当接させて前記研磨面のドレッシングを行うことと、
前記第1ドレス面と前記第2ドレス面とを当接させて前記第1ドレス面のドレッシングを行うことと、
前記保持部材を移動させることで、前記研磨面のドレッシングを行う第1の状態と、前記第1ドレス面のドレッシングを行う第2の状態とを切り替えることと、
を含む基板処理方法。
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