CN111941268B - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。本发明能够持续进行稳定的研磨处理。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1公开了对基片的背面进行研磨的基片处理装置。该基片处理装置包括：绕铅垂轴自转使得在基片的背面滑动来进行处理的滑动部件；使自转的滑动部件绕铅垂的公转轴公转的公转机构；以及相对移动机构，其用于使基片与滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-93178号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够使稳定的研磨处理持续的基片处理装置和基片处理方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。
发明效果
依照本发明，可提供能够使稳定的研磨处理持续的基片处理装置和基片处理方法。
附图说明
图1是表示基片处理系统的一例的示意图。
图2是表示涂敷显影装置的一例的示意图。
图3是示意地表示研磨单元的一例的俯视图。
图4是示意地表示研磨单元的一例的侧视图。
图5的(a)和图5的(b)是用于说明研磨部件的修整的情形的示意图。
图6的(a)和图6的(b)是用于说明第一修整部件的修整的情形的示意图。
图7是表示控制装置的硬件构成的一例的框图。
图8是表示研磨单元的处理顺序的一例的流程图。
图9是表示对研磨部件的第一修整处理的一例的流程图。
图10是表示研磨处理的一例的流程图。
图11是表示对修整部件的第二修整处理的一例的流程图。
附图标记说明
1…基片处理系统；2…涂敷显影装置；20…研磨单元；50…研磨部；51…研磨部件；51a…研磨面；52…驱动机构；531…旋转载置台；532、542…旋转驱动部；55…升降驱动部；62…修整部件；62a…修整面；65…辅助修整部件；65a…辅助修整面；100…控制装置；W…晶片；Wb…背面；Ax1、Ax2…轴线。
具体实施方式
以下，说明各种例示的实施方式。
本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。
在基片处理装置中，在第一状态下进行研磨面的修整，在第二状态下进行第一修整面的修整。通过进行研磨面的修整，能够稳定地进行基片的研磨处理，但是第一修整部件的第一修整面会发生磨损。然而，通过用第二修整面对第一修整面进行修整，能够进行第一修整面的磨损的部位的修锐。因此，能够在第一修整面的磨损状态改善了的状态下进行研磨面的修整。其结果，能够持续进行稳定的研磨处理。
也可以为，第二修整部件和研磨部件固定在保持部件的一个面上。也可以为，研磨面和第二修整面的高度位置彼此不同。也可以为，第一修整面与研磨面和第二修整面相对。也可以为，驱动部通过改变俯视时的研磨面和第二修整面的位置，并改变保持部件与第一修整面的距离，来切换第一状态和第二状态。在该情况下，用于维持第一修整面的状态的第二修整部件和包含研磨面的研磨部件设置在与第一修整面相对的面上。由此，不使进行基片的研磨的装置大型化，而能够持续进行稳定的研磨处理。
也可以为，第二修整部件的硬度比第一修整部件的硬度低。在该情况下，作为修整的对象的部件比进行修整的部件硬，因此能够更可靠地进行第一修整部件的第一修整面的修锐。
也可以为，驱动部在第二状态下使第二修整面的抵接位置移动，以使其覆盖抵接区域，该抵接区域是在第一状态下进行研磨面的修整时第一修整面的与研磨面抵接的区域。在第一修整面的抵接区域中，因研磨面的修整而磨损发生进展。在上述构成中，以覆盖磨损发生进展的抵接区域的方式进行对第一修整面的修整，因此能够更可靠地使由第一修整面进行的研磨面的修整的程度稳定。
也可以为，基片处理装置包括控制驱动部的控制部。也可以为，驱动部包括第一驱动部和第二驱动部，其中该第一驱动部使保持部件旋转以使得研磨部件绕第一轴旋转，第二驱动部使保持部件旋转以使得第一轴沿着与第一轴平行的第二轴的圆轨道移动。也可以为，控制部通过用第一驱动部使保持部件旋转，来改变俯视时的研磨面和第二修整面的位置。也可以为，控制部在第二状态下，通过用第二驱动部使保持部件移动，来使第二修整面相对于抵接区域的抵接位置移动。在该情况下，能够通过由第二驱动部进行的保持部件的动作，使第二修整面在宽广的范围移动。因此，在进行第一修整面的修整时，容易覆盖抵接区域。
也可以为，基片处理装置还包括获取研磨信息的控制部，其中该研磨信息表示由研磨部件进行研磨后的基片的主面的研磨状态。也可以为，控制部根据研磨信息来判断是否进行第一修整面的修整。也存在根据基片的研磨状态而不需要进行第一修整面的修整的情况。在上述构成中，根据表示研磨状态的研磨信息来判断可否执行第一修整面的修整，由此能够进一步继续使用第二修整部件。
也可以为，基片处理装置还包括获取磨损信息的控制部，其中该磨损信息表示第一修整面和第二修整面的至少一者的磨损状态。控制部根据磨损信息来判断是否进行第一修整面的修整。也存在根据第一修整面或第二修整面的磨损状态而不需要进行第一修整面的修整的情况。在上述构成中，根据表示磨损状态的磨损信息来判断可否执行第一修整面的修整，由此能够进一步继续使用第二修整部件。
也可以为，每次进行对作为处理对象的基片的研磨时，进行研磨面的修整。也可以为，驱动部在进行了多次研磨面的修整后，从第一状态切换至第二状态。也存在在进行了一次研磨面的修整后，不需要进行第一修整面的修整的情况。在上述构成中，在多次修整研磨面后，进行第一修整面的修整，因此能够进一步继续使用第二修整部件。
本发明的另一方面的基片处理方法是由研磨单元进行的基片处理方法，其中，研磨单元包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；以及保持研磨部件和第二修整部件的保持部件，基片处理方法包括：使第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的步骤；使第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的步骤；以及通过使保持部件移动，来切换进行研磨面的修整的第一状态和进行第一修整面的修整的第二状态的步骤。
下面，参照附图，详细说明各种例示的实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[基片处理系统]
基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光、和该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片例如是半导体的晶片W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行形成于晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行曝光处理前，对晶片W(基片)的表面进行形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
[基片处理装置]
以下，作为基片处理装置的一例，对涂敷显影装置2的构成进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6、研磨单元20和控制装置100(控制部)。
承载器区块4向涂敷显影装置2内导入晶片W并且从涂敷显影装置2内导出晶片W。例如承载器区块4能够支承晶片W用的多个承载器C，内置有包含交接臂的输送装置A1。承载器C例如收纳多个圆形的晶片W。输送装置A1从承载器C取出晶片W并将其交接到处理区块5，从处理区块5接收晶片W并将其送回承载器C内。
处理区块5包括多个处理模块11、12、13、14。处理模块11、12、13内置有涂敷单元U1、热处理单元U2和输送装置A3，该输送装置A3包含对上述单元输送晶片W的输送臂。
处理模块11用涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。处理模块11的涂敷单元U1将下层膜形成用的处理液涂敷在晶片W上。处理模块11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。
处理模块12用涂敷单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理模块12的涂敷单元U1将抗蚀剂膜形成用的处理液涂敷在下层膜上。处理模块12的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。
处理模块13用涂敷单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理模块13的涂敷单元U1将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜上。处理模块13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理模块14内置有显影单元U3、热处理单元U4和对上述单元输送晶片W的输送装置A3。处理模块14用显影单元U3和热处理单元U4进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。显影单元U3在将显影液涂敷于已曝光的晶片W的表面上后，利用冲洗液对其进行冲洗，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U4进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘烤)等。
在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U10。搁架单元U10被分为在上下方向上并排的多个小室。在搁架单元U10的附近设置有包含升降臂的输送装置A7。输送装置A7使晶片W在搁架单元U10的小室彼此之间升降。
在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U11。搁架单元U11被分为在上下方向上并排的多个小室。
接口区块6在其与曝光装置3之间进行晶片W的交接。另外，在本实施方式中，在接口区块6内配置有对晶片W实施研磨处理的研磨单元20。例如接口区块6内置有包含交接臂的输送装置A8，并与曝光装置3连接。输送装置A8将配置于搁架单元U11的晶片W输送到研磨单元20，将由研磨单元20研磨后的晶片W交接到曝光装置3。输送装置A8从曝光装置3接收晶片W并将其送回搁架单元U11。
控制装置100例如控制涂敷显影装置2以按照以下的步骤执行涂敷显影处理。首先，控制装置100控制输送装置A1以将承载器C内的晶片W输送到搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块11用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块11内的涂敷单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制涂敷单元U1和热处理单元U2，以在该晶片W的表面上形成下层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3，以将形成有下层膜的晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7将该晶片W配置在处理模块12用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块12内的涂敷单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制涂敷单元U1和热处理单元U2，以在该晶片W的下层膜上形成抗蚀剂膜。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块13用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块13内的各单元。另外，控制装置100控制涂敷单元U1和热处理单元U2，以在该晶片W的抗蚀剂膜上形成上层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3，以将晶片W输送到搁架单元U11。
接着，控制装置100控制输送装置A8，以将搁架单元U11的晶片W送入研磨单元20，将由研磨单元20实施了研磨处理的晶片W送出到曝光装置3。之后，控制装置100控制输送装置A8，以从曝光装置3接收实施了曝光处理的晶片W，并配置在搁架单元U11中的处理模块14用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U11的晶片W输送到处理模块14内的各单元，控制显影单元U3和热处理单元U4以对该晶片W的抗蚀剂膜实施显影处理。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7和输送装置A1以将该晶片W送回承载器C内。如上所述，涂敷显影处理完成。
此外，基片处理装置的具体的构成不限于以上例示的涂敷显影装置2的构成。基片处理装置只要具有研磨单元20和能够控制该研磨单元20的控制装置100即可，可以为任何构成。也可以为，在由曝光装置3进行的曝光处理之前，涂敷显影装置2在任意时刻进行由研磨单元20研磨晶片W的研磨处理。例如也可以为，在由处理模块11、12中的涂敷单元U1和热处理单元U2进行的处理之前或之后，或者在由处理模块13中的涂敷单元U1和热处理单元U2进行的处理之前，涂敷显影装置2进行晶片W的研磨处理。也可以为在涂敷显影装置2中，在承载器区块4或者处理模块11、12、13内配置研磨单元20。
(研磨单元)
接着，参照图3～图6的(b)，对研磨单元20的详细结构的一例进行说明。此外，在图4～图6的(b)中，省略了图3所示的要素的一部分。图3所示的研磨单元20是对晶片W的形成有抗蚀剂膜的正面Wa的相反侧的背面Wb(主面)进行研磨的单元。研磨单元20通过用能够在晶片W的背面滑动的研磨部件进行研磨，来使晶片W的背面粗糙化。研磨单元20例如可以对形成为圆形的晶片W的背面Wb的中心区域和外周区域分别进行研磨。
由研磨单元20进行的研磨处理(研磨)例如是为了在设置于曝光装置3的载置台设置晶片W时，使晶片W的背面Wb与该载置台的接触面积减少而进行的。研磨单元20包括壳体21、基片保持部30、切换部40、研磨部50、修整部60、旋转部70和检查部80。
壳体21收纳有基片保持部30、切换部40、研磨部50、修整部60、旋转部70和检查部80。壳体21具有内部空间，例如形成为大致长方体状。在壳体21的一端设置有开口部，输送装置A8对研磨单元20送入晶片W，或者从研磨单元20送出晶片W。此外，下面，为了便于说明，将俯视时(从铅垂方向上方观察时)的壳体21的外缘之中的长边的方向作为“前后方向”、短边作为“左右方向”进行说明。
基片保持部30在进行晶片W的研磨时，保持晶片W的背面Wb。具体而言，在进行晶片W的中心区域的研磨(以下称为“中心研磨”。)时保持晶片W的外周区域并在进行晶片W的外周区域的研磨(以下称为“外周研磨”。)时保持晶片W的中心区域，以使晶片W旋转。基片保持部30包括旋转保持部31和周缘保持部32。
在进行晶片W的外周研磨时，旋转保持部31保持晶片W的背面Wb的中心区域。也可以为旋转保持部31在俯视时固定在规定位置。旋转保持部31包括旋转卡盘33、轴34和旋转驱动部35(也参照图4)。
旋转卡盘33吸附晶片W的背面Wb的中心区域，将晶片W水平支承。例如旋转卡盘33可以通过负压吸附晶片W。轴34与旋转卡盘33的下方连接，形成为在铅垂方向延伸。旋转驱动部35借助轴34使旋转卡盘33旋转。旋转驱动部35例如包括旋转致动器。旋转驱动部35使旋转卡盘33绕铅垂的轴线Ax0旋转。伴随由旋转驱动部35进行的旋转卡盘33的旋转，支承于旋转卡盘33的晶片W绕轴线Ax0旋转。
在进行晶片W的中心研磨时，周缘保持部32保持晶片W的背面Wb的外周区域。周缘保持部32例如包括2个固定卡盘36。2个固定卡盘36通过吸附晶片W的背面Wb的外周区域，来水平地支承晶片W。也可以为，例如固定卡盘36构成为能够利用负压来吸附晶片W。2个固定卡盘36配置成在左右方向上将旋转卡盘33夹在中间。
切换部40切换晶片W的配置状态。具体而言，切换部40将晶片W的配置状态切换为晶片W被配置成进行晶片W的中心研磨的状态或者晶片W被配置成进行晶片W的外周研磨的状态。在本实施方式中，切换部40使周缘保持部32移动以切换晶片W的配置状态。切换部40将周缘保持部32的位置切换到进行晶片W的中心研磨的位置或者进行晶片W的外周研磨的位置。此外，在图3和图4中，示出了进行晶片W的外周研磨时的各要素的配置状态。切换部40包括水平驱动部41和升降驱动部42。
水平驱动部41使固定卡盘36沿前后方向往复移动。例如水平驱动部41包括线性致动器。水平驱动部41通过使固定卡盘36移动，使支承于固定卡盘36的晶片W沿前后方向移动。
升降驱动部42使固定卡盘36升降。例如升降驱动部42包括升降致动器。升降驱动部42使固定卡盘36在比旋转卡盘33低的高度位置与比旋转卡盘33靠上方的高度位置之间升降。在用升降驱动部42而固定卡盘36位于比旋转卡盘33靠上方的位置的位置时，固定卡盘36保持晶片W。在用升降驱动部42而固定卡盘36位于比旋转卡盘33靠下方的位置时，旋转卡盘33保持晶片W。
研磨部50对晶片W的背面Wb进行粗糙化。具体而言，研磨部50对保持于基片保持部30的晶片W的背面Wb进行研磨。研磨部50如图4所示，包括研磨部件51和驱动机构52。
研磨部件51相对晶片W的背面Wb滑动来对该背面进行研磨。研磨部件51例如形成为圆筒状或者圆柱状。研磨部件51具有在研磨晶片W的背面Wb时与背面Wb抵接的研磨面51a。研磨面51a例如构成研磨部件51的上表面。研磨部件51也可以以研磨面51a成为大致水平的方式设置。
研磨部件51的包含研磨面51a的上部(以下称为“研磨头”。)可以由磨石构成。例如研磨头可以为金刚石磨石。作为金刚石磨石可以使用粒度为60000号的金刚石。研磨部件51所包含的磨石可以由微小的磨料颗粒、用于将磨料颗粒彼此结合的结合剂、和气孔构成。在俯视时，研磨面51a可以为圆状，也可以形成为环状。研磨头的外径作为一例可以为晶片W的半径的3％～8％程度的大小。例如，研磨头的外径的最小值可以为5mm、6mm和8mm的任一值，研磨头的外径的最大值可以为10mm、11mm和12mm的任一值。
驱动机构52使研磨部件51在水平面内在任一方向上移动。驱动机构52例如包括旋转机构53、旋转机构54和升降驱动部55。如图4所示，从上方依次配置有研磨部件51、旋转机构53、旋转机构54和升降驱动部55。
旋转机构53支承研磨部件51并使其旋转。具体而言，旋转机构53构成为能够使研磨部件51绕铅垂的轴线Ax1(第一轴)旋转。旋转机构53包括旋转载置台531和旋转驱动部532(第一驱动部)。
旋转载置台531保持研磨部件51。换言之，旋转载置台531作为保持研磨部件51的保持部件发挥作用。旋转载置台531也可以形成为圆板状。如图3所示，圆板状的旋转载置台531的中心位置也可以相对于轴线Ax1偏心。旋转载置台531具有保持研磨部件51的面(以下称为“保持面533”。)(参照图5的(a))。旋转载置台531的直径比研磨部件51的外径大。换言之，在俯视时，旋转载置台531的面积比研磨部件51的面积(更详细而言，由研磨头的外缘包围的区域的面积)大。
在旋转载置台531的保持面533以轴线Ax1与研磨部件51的中心位置彼此不同的方式设置研磨部件51。换言之，研磨部件51的中心位置相对于轴线Ax1偏心。例如也可以在旋转载置台531的保持面533的周缘附近设置研磨部件51。
旋转驱动部532构成为能够使旋转载置台531绕轴线Ax1旋转。旋转驱动部532与旋转载置台531的保持面533相反的一侧的背面接触。例如旋转驱动部532包括旋转致动器。用旋转驱动部532而旋转载置台531旋转(自转)，由此研磨部件51绕轴线Ax1旋转。
研磨部件51的外径比绕轴线Ax1的研磨部件51的可动范围的直径小。绕轴线Ax1的研磨部件51的可动范围是通过旋转机构53的驱动而研磨部件51的研磨面51a的至少一部分能够到达的范围。换言之，研磨部件51的外径比由旋转机构53使研磨部件51移动的移动轨迹的外缘的直径小。
旋转机构54使轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2(第二轴)的圆轨道移动。例如旋转机构54构成为能够支承包含绕轴线Ax1旋转的旋转载置台531的旋转机构53并且使旋转机构53绕轴线Ax2旋转。用旋转机构54而旋转载置台531绕轴线Ax2旋转，由此研磨部件51通过旋转机构53旋转并且沿着以轴线Ax2为中心的圆轨道移动。在停止由旋转机构53进行的研磨部件51的旋转动作的状态下驱动旋转机构54时，研磨部件51沿着以轴线Ax2为中心的圆周旋转(公转)。旋转机构54包括旋转载置台541和旋转驱动部542(第二驱动部)。
旋转载置台541支承旋转机构53(旋转驱动部532)。旋转载置台541也可以形成为圆板状。圆板状的旋转载置台541的中心位置可以与轴线Ax2大致一致。在俯视时，旋转载置台541的面积可以比旋转机构53的旋转载置台531的面积大。旋转载置台541配置成支承旋转机构53的表面(支承面)沿着水平方向。
旋转驱动部542构成为能够使旋转载置台541绕轴线Ax2旋转。旋转驱动部542与旋转载置台541的支承面相反的一侧的背面连接。例如旋转驱动部542包括旋转致动器。旋转载置通过旋转驱动部542台541旋转，由此轴线Ax1沿着以轴线Ax2为中心的圆轨道移动。
升降驱动部55使旋转机构53、54升降。升降驱动部55支承旋转机构54。升降驱动部55例如包括升降致动器。旋转机构53、54通过升降驱动部55升降，由此支承于旋转机构53的研磨部件51升降。换言之，通过由升降驱动部55进行的旋转机构53、54的升降，研磨部件51的研磨面51a的高度位置发生变化。
修整部60进行研磨部件51的研磨面51a的修整(对研磨面51a的修整)。修整部60进行使构成研磨面51a的磨料颗粒的孔隙从研磨面51a出现(露出)的修锐。通过用修整部60进行研磨面51a的修锐，研磨面51a即使因晶片W的研磨而磨损也能够维持研磨精度(程度)。修整部60如图3所示，在壳体21内设置于与进行晶片W的背面Wb的研磨的研磨位置不同的位置(以下称为“修整位置”。)。修整部60也可以固定在壳体21的规定位置。修整部60如图5的(a)所示包括顶部61、修整部件62(第一修整部件)和喷嘴63。
顶部61是支承修整部件62的板状的部件。顶部61沿着水平方向延伸。顶部61例如配置于比旋转载置台531、541靠上方的位置。顶部61例如具有在俯视时覆盖旋转载置台541的程度的大小。图5的(a)所示的顶部61的形状是一个例子，能够适当改变大小和形状。
修整部件62是用于进行研磨面51a的修整的部件。修整部件62设置于顶部61的下表面。此外，修整部件62也可以借助未图示的固定部固定在顶部61。另外，修整部件62也可以固定在壳体21内的规定位置。修整部件62的大小例如在俯视时比顶部61小。
修整部件62具有进行研磨面51a的修整的修整面62a(第一修整面)。修整面62a例如由修整部件62的下表面形成。可以为修整面62a与旋转载置台531的保持面533相对。另外，也可以为修整面62a与研磨面51a相对。也可以为，例如修整面62a与研磨面51a彼此大致平行。此外，在本说明书中，一个部件(一个面)和另一件(其他的面)相对的情况，包括俯视时一个部件与另一个部件彼此重叠的情况，还包括俯视时一个部件与另一个部件彼此不重叠的情况。
作为构成修整部件62的材料，例如能够使用含碳金属或氧化铝等的陶瓷。修整部件62的至少包含修整面62a的部分也可以由含碳金属或陶瓷构成。另外，可以为修整部件62的硬度比研磨部件51的硬度低。更详细而言，也可以为修整部件62的包含修整面62a的部分的硬度比研磨部件51的包含研磨面51a的部分(研磨头)的硬度低。硬度例如由维氏硬度规定。
喷嘴63将冲洗液供给到修整部件62的修整面62a。也可以为喷嘴63如图5的(a)所示配置在修整部件62的斜下方。也可以为，喷嘴63与未图示的液源连接，在用修整部件62进行研磨面51a的研磨时，向修整面62a排出冲洗液。
在修整位置，进行研磨面51a的修整时，如图5的(a)所示，以研磨面51a抵接在修整面62a的方式配置研磨部件51。此外，关于对该抵接状态的配置，是控制装置100通过控制驱动机构52所包含的各驱动部来进行的。在研磨面51a抵接到修整面62a的状态下，驱动机构52使研磨部件51(旋转载置台531)相对于修整面62a在水平方向移动，进行研磨面51a的修整。如图5的(b)所示，在进行研磨面51a的修整时，在修整面62a的一部分的区域中，形成与研磨面51a抵接的区域即抵接区域CA。研磨面51a的修整处理顺序在后文说明。
研磨部50还包括用于进行修整面62a的修整(对修整面62a的修整)的辅助修整部件65(第二修整部件)。辅助修整部件65如图5的(a)和图5的(b)所示，可以形成为板形。辅助修整部件65设置于旋转载置台531的保持面533。换言之，研磨部件51和辅助修整部件65固定于作为一个面的保持面533上。在图5的(a)所示的例子中，保持面533由彼此高度位置不同的保持面533a和保持面533b构成。保持面533a可以配置在比保持面533b高的位置。
研磨部件51可以设置在保持面533a上。辅助修整部件65可以设置在保持面533b上。辅助修整部件65具有对修整部件62的修整面62a进行修整的修整面(以下称为“辅助修整面65a”。)。辅助修整面65a(第二修整面)构成辅助修整部件65的上表面。辅助修整面65a可以配置在与保持面533a相同程度的高度位置。换言之，保持面533a与保持面533b的高度位置之差，可以与辅助修整部件65的厚度(铅垂方向的长度)大致一致。如上所述，研磨面51a的高度位置可以比辅助修整面65a的高度位置高。此外，也可以为保持面533a和保持面533b的高度位置彼此大致一致，由保持面533a和保持面533b构成同一平面。
如图5的(b)所示，在俯视时，辅助修整部件65(辅助修整面65a)的面积比旋转载置台531小，比研磨部件51大。在俯视时，辅助修整部件65可以占据旋转载置台531的大部分。例如，在俯视时，辅助修整面65a的大小可以为研磨部件51的5倍～20倍程度的大小。辅助修整面65a可以与修整面62a相对。例如，可以为辅助修整面65a与修整面62a彼此大致平行。如上所述，修整部件62的修整面62a可以与辅助修整面65a和研磨面51a这两者相对。
作为构成辅助修整部件65的材料，例如能够使用含碳金属和氧化铝等的陶瓷。辅助修整部件65的至少包含辅助修整面65a的部分可以由含碳金属或陶瓷构成。另外，辅助修整部件65的硬度可以比修整部件62的硬度低。更详细而言，辅助修整部件65的包含辅助修整面65a部分的硬度可以比修整部件62的包含修整面62a的部分的硬度低。修整部件62和辅助修整部件65可以由彼此相同的材料构成，也可以由彼此不同的材料构成。例如，在上述部件由彼此相同的材料构成的情况下，可以通过使辅助修整部件65的粒度(磨石顺序)比修整部件62的粒度(磨石顺序)小，以满足上述的硬度的关系。辅助修整部件65、修整部件62和研磨部件51的硬度按该顺序降低。
在修整位置，在进行修整部件62的修整面62a的修整时，如图6的(a)所示，将辅助修整部件65配置成辅助修整面65a抵接到修整面62a。此外，关于对该抵接状态的配置，是由控制装置100控制驱动机构52所包含的各驱动部来进行的。在辅助修整面65a抵接到修整面62a的状态下，通过驱动机构52的各驱动部使辅助修整部件65(旋转载置台531)相对于修整面62a移动，来进行修整面62a的修整。如图6的(b)所示，在进行修整面62a的修整时，辅助修整面65a相对于修整面62a的抵接位置移动，以使其覆盖修整面62a内的与研磨面51a抵接的抵接区域CA。修整面62a的修整处理顺序在后文说明。
驱动机构52所包含的一部分的要素，在修整位置切换进行研磨面51a的修整的状态(以下称为“第一状态”。)和进行修整面62a的修整的状态(以下称为“第二状态”。)。研磨部件51和辅助修整部件65这两者设置于旋转载置台531，因此通过旋转载置台531移动，而研磨部件51与修整部件62的相对位置以及辅助修整部件65与修整部件62的相对位置发生变化。因此，驱动机构52所包含的旋转驱动部532、542和升降驱动部55，基于控制装置100的动作指示使旋转载置台531移动，由此能够切换第一状态和第二状态。
在图5的(a)和图6的(a)所示的例中，旋转驱动部532改变俯视时的研磨面51a与辅助修整面65a的位置，并且升降驱动部55改变旋转载置台531与修整部件62的距离，由此切换第一状态和第二状态。在该例中，旋转驱动部532、542和升降驱动部55构成驱动部。
返回图3和图4，旋转部70使研磨部50在研磨位置与修整位置之间移动。旋转部70构成为能够使研磨部50沿着以与轴线Ax1(轴线Ax2)平行的轴线Ax3为中心的圆轨道移动。旋转部70具有旋转载置台71和旋转驱动部72。
旋转载置台71支承研磨部50(升降驱动部55)。旋转载置台71可以形成为板状。可以为，俯视时旋转载置台71的面积比旋转机构54的旋转载置台541的面积大。旋转载置台71以支承升降驱动部55的表面(以下称为“支承面”。)成为水平的方式配置。
旋转驱动部72使旋转载置台71绕轴线Ax3旋转。旋转驱动部72与旋转载置台71的支承面相反的一侧的背面(下表面)连接。旋转驱动部72例如包含旋转致动器。用旋转驱动部72而旋转载置台71沿着以轴线Ax3为中心的圆周移动，由此研磨部50沿该圆周在研磨位置与修整位置之间移动。
检查部80获取表示晶片W的研磨中的各部的表面的状态的信息即表面信息。检查部80例如获取表示晶片W的背面Wb的研磨状态的研磨信息作为表面信息，将该研磨信息输出到控制装置100。检查部80例如可以为照相机，也可以在进行了对晶片W的背面Wb的研磨后，拍摄该晶片W的背面Wb，由此例如获取背面Wb的图像数据作为研磨信息。此外，也可以为，作为检查部80，代替照相机，而设置对背面Wb照射规定的波长的光的光源和检测在背面Wb反射的光的检测部。在该情况下，能够代替背面Wb的图像数据，而使用反射的光的强度信息等作为研磨信息。
(控制装置)
接着，参照图7，说明控制装置100的硬件构成的一例。控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如控制装置100具有图7所示的电路110。电路110包括一个或多个处理器111、内存112、存储器113、输入输出端口114和计时器115。
存储器113例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行后述的研磨处理顺序的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等的可取出的介质。内存112临时存储从存储器113的存储介质装载的程序和处理器111的运算结果。处理器111与内存112协作来执行上述程序，由此构成上述的各功能模块。计时器115例如对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。输入输出端口114根据来自存储器113的指令，在研磨单元20所包含的控制对象或者信息获取对象的部件之间进行电信号的输入输出。
此外，控制装置100的硬件构成并不一定限于由程序构成各功能模块。例如，控制装置100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或将其集成而成的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[研磨处理顺序]
接着，参照图8，对作为基片处理方法的一例的、使用研磨单元20执行的研磨处理顺序进行说明。图8是表示对多个晶片W分别依次执行的研磨处理顺序的一例的流程图。
首先，控制装置100执行步骤S01。在步骤S01中，例如控制装置100通过控制输送装置A8，将作为处理对象的晶片W送入研磨单元20内。此时，输送装置A8可以将作为处理对象的该晶片W交接到基片保持部30的旋转保持部31。
接着，控制装置100执行步骤S02。在步骤S02中，控制装置100执行第一修整处理。具体而言，控制装置100在修整位置配置有研磨部50的状态下，利用修整部60的修整部件62(修整面62a)进行研磨部件51的研磨面51a的修整。该第一修整处理的具体例在后文说明。
接着，控制装置100执行步骤S03。在步骤S03中，控制装置100执行研磨处理。具体而言，控制装置100在研磨位置配置有研磨部50的状态下，利用研磨部件51对晶片W的背面Wb进行研磨。该研磨处理的具体例在后文说明。
接着，控制装置100执行步骤S04。在步骤S04中，控制装置100获取表面信息。例如，可以为控制装置100从检查部80获取研磨信息(例如拍摄图像数据)作为表面信息，该研磨信息表示实施了步骤S03中的研磨处理的晶片W的背面Wb的研磨状态。
接着，控制装置100执行步骤S05。在步骤S05中，控制装置100根据在步骤S04中得到的表面信息(此处，为研磨信息)来判断是否需要修整部件62的修整面62a的修锐。即，控制装置100根据研磨信息来判断是否进行修整部件62的修整面62a的修整。也可以为，控制装置100例如预先存储有研磨状态适当的比较用的图像数据，通过对研磨信息和比较用的图像数据进行差分处理，来判断是否需要修整面62a的修锐。
在步骤S05中，在判断为需要修整面62a的修锐的情况下(步骤S05：是)，控制装置100执行步骤S06。在步骤S06中，控制装置100执行第二修整处理。具体而言，控制装置100在修整位置配置有研磨部50的状态下，对辅助修整部件65(辅助修整面65a)进行修整部件62的修整面62a的修整。该第二修整处理的具体例在后文说明。另一方面，在步骤S05中，在判断为不需要修整面62a的修锐的情况下，控制装置100不执行步骤S06。
接着，控制装置100执行步骤S07。在步骤S07中，例如，控制装置100通过控制输送装置A8，从研磨单元20送出作为处理对象的晶片W。由此，对1个晶片W的一连串的研磨处理顺序结束，控制装置100对每个作为处理对象的晶片W进行步骤S01～S07的处理。
(研磨面的修整处理)
接着，参照图9，说明步骤S02中的第一修整处理的具体例。图9是表示对研磨部件51的第一修整处理的一例的流程图。
在第一修整处理中，首先，控制装置100执行步骤S21。在步骤S21中，控制装置100对位于修整位置的研磨部50，通过控制驱动机构52，在进行研磨面51a的修整的位置配置研磨部件51。例如，控制装置100通过控制旋转驱动部532，如图5的(a)所示，使旋转载置台531移动以使得俯视时研磨面51a与修整面62a重叠。
接着，控制装置100执行步骤S22。在步骤S22中，控制装置100开始进行研磨部件51的旋转驱动。控制装置100例如控制旋转驱动部532、542，以使得俯视时在修整部件62(修整面62a)内研磨部件51移动。作为一例，也可以为控制装置100控制旋转驱动部532、542，以一边维持研磨部件51和辅助修整部件65的旋转载置台531上的位置，一边旋转载置台531绕轴线Ax2旋转。
由此，如图5的(b)所示，研磨部件51沿着具有与轴线Ax1和轴线Ax2的间隔大致相同的半径的圆轨道移动。此外，在图5的(b)中，研磨部件51移动的痕迹(抵接位置的轨迹)被示为抵接区域CA。在图5的(b)所示的例中，抵接区域CA形成为环状。研磨部件51移动的路径能够通过旋转驱动部532、542的控制方法来适当改变。
接着，控制装置100执行步骤S23。在步骤S23中，控制装置100一边维持在步骤S22中开始的旋转驱动，一边控制升降驱动部55，由此使旋转载置台531向上方移动，从而将研磨面51a抵接(接触)到修整面62a。由此，能够开始由修整面62a进行的研磨面51a的修整。
接着，控制装置100执行步骤S24。在步骤S24中，控制装置100从将研磨面51a抵接到修整面62a的时刻至经过预先规定的规定时间为止待机。由此，在规定时间中，如图5的(b)所示，研磨面51a与修整面62a抵接并且沿着修整面62a移动，由此用修整面62a进行研磨面51a的修锐。在该情况下，在修整研磨面51a时，研磨部件51沿着上述的圆轨道移动，由此研磨部件51的沿着该圆轨道行进的部位，在研磨部件51的外缘中不断地成为不同的位置，所以能够防止对研磨部件51的修整的偏差。
在经过规定时间后，控制装置100执行步骤S25。在步骤S25中，控制装置100通过控制旋转驱动部532、542，使旋转驱动停止。此外，也可以为控制装置100在停止旋转驱动之前和之后的任一者中，通过控制升降驱动部55，以使旋转载置台531向下方移动。由此，每一次对一个作为处理对象的晶片进行的第一修整处理结束。
(研磨处理)
接着，参照图10，说明步骤S03中的研磨处理的具体例。图10是表示研磨处理的一例的流程图。
首先，控制装置100执行步骤S31。在步骤S31中，首先，控制装置100通过控制切换部40，将晶片W配置在进行中心研磨的位置。例如控制装置100使固定卡盘36保持基片保持部30所保持的晶片W，将固定卡盘36移动至晶片W的中心区域从旋转卡盘33离开的位置。然后，控制装置100通过控制旋转驱动部72，将研磨部50从修整位置移动到研磨位置。之后，控制装置100通过控制旋转驱动部542，以旋转载置台531与晶片W的背面Wb的中心区域重叠的方式配置研磨部件51。
接着，控制装置100执行步骤S32。在步骤S32中，控制装置100通过控制驱动机构52，对晶片W的背面Wb的中心区域进行研磨。例如，控制装置100一边利用旋转驱动部532使旋转载置台531(研磨部件51)绕轴线Ax1旋转，一边通过控制升降驱动部55以将研磨面51a抵接到晶片W的背面Wb。此时，控制装置100也可以停止由旋转驱动部542进行的旋转驱动。控制装置100在预先规定的规定时间中进行中心区域的研磨。
接着，控制装置100执行步骤S33。在步骤S33中，控制装置100通过控制切换部40，将晶片W的配置从进行中心研磨的位置切换至进行外周研磨的位置。例如，控制装置100将保持晶片W的固定卡盘36移动至晶片W的中心部分与旋转卡盘33重叠的位置。然后，控制装置100将该晶片W载置在旋转卡盘33上。
接着，控制装置100执行步骤S34。在步骤S34中，控制装置100通过控制基片保持部30和驱动机构52，对晶片W的背面Wb的外周区域进行研磨。例如，控制装置100一边用旋转驱动部35使晶片W绕轴线Ax0旋转，一边在研磨部件51抵接到晶片W的背面Wb的状态下使研磨部件51沿着晶片W的半径方向移动。作为一例，可以为控制装置100通过控制旋转驱动部532、542，一边进行旋转载置台531的自转动作和公转动作，一边将研磨部件51从晶片W的中心区域移动至晶片W外，由此对晶片W的外周区域进行研磨。如上所述，对一个作为处理对象的晶片W的研磨处理结束。
(修整面的修整处理)
接着，参照图11，说明步骤S06中的第二修整处理的具体例。图11是表示对修整部件62进行的第二修整处理的一例的流程图。
首先，控制装置100执行步骤S61。在步骤S61中，控制装置100将辅助修整部件65配置在进行修整面62a的修整的位置。例如，控制装置100首先通过控制旋转驱动部72，将研磨部50移动到修整位置。然后，控制装置100通过控制旋转驱动部532，以使得如图6的(a)所示，俯视时辅助修整面65a与修整面62a重叠(使旋转载置台531旋转)。
接着，控制装置100执行步骤S62。在步骤S62中，控制装置100开始进行旋转驱动。控制装置100例如也可以为控制旋转驱动部532、542的至少一者，以使得俯视时移动后的辅助修整面65a覆盖抵接区域CA的整个区域。此时，控制装置100也可以控制旋转驱动部532、542的至少一者，以使得研磨部件51与修整部件62在俯视时彼此不重叠，而辅助修整面65a覆盖抵接区域CA的整个区域。控制装置100也可以控制旋转驱动部532、542的至少一者，以使得研磨部件51与修整部件62彼此不干扰，而辅助修整面65a覆盖修整面62a的整个区域。
作为一个例子，也可以如图6的(b)所示，控制装置100控制旋转驱动部532、542，以一边使旋转载置台531以研磨部件51不干扰修整部件62的方式自转，一边使旋转载置台531在绕轴线Ax2的旋转轨迹的一部分中往复移动。辅助修整部件65的动作能够通过旋转驱动部532、542的控制方法来适当改变。例如，也可以为控制装置100控制旋转驱动部532、542，以使得一边维持研磨部件51和辅助修整部件65的旋转载置台531上的位置，一边使旋转载置台531在绕轴线Ax2的旋转轨迹的一部分往复移动。
接着，控制装置100执行步骤S63。在步骤S63中，控制装置100一边维持在步骤S62中开始的旋转驱动(往复移动)，一边通过控制升降驱动部55使旋转载置台531向上方移动，以将辅助修整面65a抵接到修整面62a。由此，能够开始实施由辅助修整面65a进行的修整面62a的修整。
接着，控制装置100执行步骤S64。在步骤S64中，控制装置100从将辅助修整面65a抵接到修整面62a的时刻起至经过预先设定的规定时间为止待机。例如，规定时间也可以被设定为修整面62a多次通过抵接区域CA的整个区域。在规定时间中，如图6的(b)所示，以研磨部件51与修整部件62彼此不干扰的方式，辅助修整面65a一边抵接到修整面62a一边沿着修整面62a移动，由此实施由辅助修整面65a进行修整面62a的修锐。此外，在上述的旋转驱动(往复移动)中，无法对抵接区域CA的整个区域实施由辅助修整面65a进行的修锐的情况下，也可以改变移动方向以使得能够对抵接区域CA的整个区域实施由辅助修整面65a进行的修锐。
在经过规定时间后，控制装置100执行步骤S65。在步骤S65中，控制装置100通过控制旋转驱动部532、542，使旋转驱动停止。此外，也可以为控制装置100在停止旋转驱动之前和之后的任一者中，控通过制升降驱动部55，使旋转载置台531向下方移动。如上所述，第二修整处理结束。
在以上说明的使用研磨单元20的基片处理顺序中，包括：使修整面62a与研磨面51a抵接来进行研磨面51a的修整的步骤(步骤S02)；使修整面62a与辅助修整面65a抵接进行来修整面62a的修整的步骤(步骤S06)；以及通过使旋转载置台531移动，来切换进行研磨面51a的修整的第一状态和进行修整面62a的修整的第二状态的步骤(步骤S21、S23、S61、S63)。
[作用]
在以上的方式中，在第一状态下进行研磨面51a的修整，在第二状态下进行修整面62a的修整。通过进行研磨面51a的修整，能够稳定地进行对晶片W的研磨处理，不过修整部件62的修整面62a会磨损。然而，通过用辅助修整面65a对修整面62a进行修整，能够进行修整面62a的磨损的部位的修锐。因此，能够在修整面62a的磨损状态得到了改善的状态下进行研磨面51a的修整。其结果，能够持续进行稳定的研磨处理。
也考虑不进行修整面62a的修整，而用该修整面62a进行研磨面51a的修整继续晶片W的研磨。在该情况下，在修整部件62的修整面62a发生了磨损的状态下，进行研磨面51a的修整。因此，修整研磨面51a的次数越增加(例如，超过十几次时)，研磨面51a的修锐越不能够充分进行，会变得无法进行充分的研磨至得到所希望的研磨结果的程度。即，无法适当地进行晶片W的研磨，或者存在用于适当地进行晶片W的研磨的研磨时间变长的可能性。对此，在上述实施方式中，在修整面62a的磨损状态得到了改善的状态下进行研磨面51a的修整，因此能够持续进行可得到所期望的研磨结果的研磨处理。
也考虑将修整部件62更换为新的部件，以对晶片W得到所期望的研磨结果，但是在该更换中，需要停止由研磨单元20(涂敷显影装置2)进行的处理。在上述实施方式的构成中，在因辅助修整部件65的辅助修整面65a的磨损而变得无法充分修整修整面62a时进行上述动作。然而，至少与无法进行修整面62a的修整的构成相比，能够使充分实施由修整面62a进行的研磨面51a的修锐的期间持续。由此，能够兼顾生产率的维持和研磨处理的稳定化。
在以上的实施方式中，辅助修整部件65和研磨部件51固定在旋转载置台531的一个保持面533上。辅助修整面65a和研磨面51a的高度位置彼此不同。驱动机构52所包含的驱动部改变俯视时的辅助修整面65a和研磨面51a的位置，并且改变旋转载置台531与修整面62a的距离，由此切换第一状态和第二状态。在该构成中，用于将修整面62a维持为良好的状态的辅助修整部件65和用于研磨晶片W的背面Wb的研磨部件51，设置在与修整面62a相对的面(保持面533)上。由此，能够不使进行晶片W研磨的研磨单元20大型化，而持续进行稳定的研磨处理。
在以上的实施方式中，辅助修整部件65的硬度比修整部件62的硬度低。在该情况下，成为修整的对象的部件(修整部件62)比进行修整的部件(辅助修整部件65)硬，因此能够更可靠地进行修整部件62的修整面62a的修锐。
在以上的实施方式中，驱动机构52所包含的驱动部在第二状态(第二修整处理)下使辅助修整部件65的辅助修整面65a的抵接位置移动，以使其覆盖在第一状态(第一修整处理)下进行研磨面51a的修整时修整面62a的与研磨面51a抵接的抵接区域CA。在修整面62a的抵接区域CA中，因研磨面51a的修整而磨损发生进展。在上述构成中，以覆盖发生磨损的抵接区域CA的方式进行对修整面62a修整，因此能够更可靠地使由修整面62a进行的研磨面51a的修整的程度稳定。
此外，由辅助修整面65a进行的修整的对象为抵接区域CA及其周边区域，以使得形成在修整面62a的抵接区域CA的周缘(抵接区域CA以外的区域的边界部分)包含于对象。通过将抵接区域CA及其周边作为修整的对象，能够适当地进行抵接区域CA的修整。另外，有辅助修整面65a进行的修整的对象可以为形成在修整面62a的抵接区域CA及其周边，也可以为修整面62a整体。在将修整面62a整体作为修整的对象的情况下，能够对包含抵接区域CA的修整面62a整体均匀地进行修锐，因此在由修整后的修整面62a进行的研磨面51a的修整中，也能够均匀地进行修锐。
在以上的实施方式中，涂敷显影装置2包括控制驱动机构52所包含的驱动部的控制装置100。驱动机构52包括：使旋转载置台531旋转以使得研磨部件51绕轴线Ax1旋转的旋转驱动部532；和使旋转载置台531旋转以使得轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2的圆轨道移动的旋转驱动部542。控制装置100通过用旋转驱动部532使旋转载置台531旋转，来切换俯视时的研磨面51a和辅助修整面65a的位置。控制装置100在第二状态(第二修整处理)下，通过用旋转驱动部542使旋转载置台531移动，以移动到辅助修整面65a相对于抵接区域CA的抵接位置。
在该情况下，通过由旋转驱动部542进行的旋转载置台531的动作，能够在更宽广的范围使辅助修整面65a移动。因此，在进行修整面62a的修整时，容易覆盖抵接区域CA。另外，旋转驱动部542也用于对晶片W的背面Wb(更详细而言，外周区域)的研磨处理。即，不使研磨单元20大型化，而能够实现辅助修整面65a的抵接位置覆盖抵接区域CA以使得研磨面51a的修整稳定化。
在以上的实施方式中，涂敷显影装置2具有获取研磨信息的控制装置100，该研磨信息表示由研磨部件51进行研磨后的晶片W的背面Wb的研磨状态。控制装置100根据研磨信息来判断是否进行修整面62a的修整。有时根据晶片W的研磨状态而不需要修整面62a的修整。发明人认为通过反复进行第二修整处理，辅助修整面65a也会发生磨损，但是在上述构成中，根据表示研磨状态的研磨信息，能够判断可否执行第二修整处理。其结果，能够进一步继续使用辅助修整部件65。
以上，对实施方式进行了说明，但是，本发明并不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围能够进行各种各样的改变。
[变形例]
(1)也可以为，控制装置100在上述的研磨处理顺序中，并行执行各步骤的处理，也可以更换顺序来执行各步骤的处理。例如控制装置100可以在执行了步骤S02的研磨处理后执行步骤S03的第一修整处理。
(2)也可以为，控制装置100来代替晶片W的背面Wb的研磨信息，而获取表示修整面62a的磨损状态(劣化状态)的磨损信息，作为表面信息。在该情况下，也可以为研磨单元20代替检查部80而具有配置于修整面62a的斜下方的检查部81(参照图5的(a)等)。也可以为，检查部81例如具有向修整面62a出射检查用的光的功能和接收在修整面62a散射的光(以下称为“散射光”。)的功能。也可以为，控制装置100根据接收的散射光表示的信息，来获取磨损信息。也可以为，控制装置100根据磨损信息，来判断是否需要进行修整面62a的修锐。
(3)或者，也可以为，控制装置100获取辅助修整面65a的磨损状态作为表面信息。也可以为，辅助修整面65a的磨损信息与上述的修整面62a的磨损信息以同样的方式获取。也可以为，控制装置100根据关于辅助修整面65a的磨损信息，来判断是否需要进行修整面62a的修锐。此外，也可以为，控制装置100根据修整面62a和辅助修整面65a这两者的磨损状态，来判断可否执行第二修整处理。
在上述的变形例中，控制装置100获取表示修整面62a和辅助修整面65a的至少一者的磨损状态的磨损信息，根据该磨损信息来判断是否进行第二修整处理。也存在根据修整面62a或者辅助修整面65a的磨损状态而不需要进行修整面62a的修整的情况。在上述构成中，根据表示磨损状态的磨损信息，来判断可否执行第二修整处理，由此与每次进行晶片W的背面Wb的研磨时进行修整面62a的修整的情况相比，能够进一步继续使用辅助修整部件65。
(4)也可以为，控制装置100不获取表面信息，而根据第一修整处理的次数来执行第二修整处理。例如，也可以为，控制装置100在进行了多次第一修整处理后，执行一次第二修整处理。换言之，也可以为控制装置100在对多个晶片W进行多次研磨的每一次时，进行一次第二修整处理。此时，旋转驱动部532、542在进行了多次研磨面51a的修整后，从进行研磨面51a的修整的第一状态向进行修整面62a的修整的第二状态切换。
在该变形例中，每次对作为处理对象的晶片W进行研磨时，执行研磨面51a的修整(第一修整处理)。而且，驱动机构52所包含的驱动部在进行了多次研磨面51a的修整后，从第一状态切换至第二状态。也存在当进行了一次研磨面51a的修整后，不需要进行修整面62a的修整的情况。上述构成中，在多次修整研磨面51a后，进行修整面62a的修整，因此能够进一步继续使用辅助修整部件65。
(5)在若干例子中，控制装置100在根据表面信息判断了是否需要修整面62a的修锐之后，执行步骤S06的第二修整处理。或者，控制装置100在多次第一修整处理的每一次中，执行一次的第二修整处理。然而，第二修整处理的执行方法不限于上述的例子。例如也可以为控制装置100不获取表面信息，而每次对作为处理对象的晶片W进行研磨时，执行第一修整处理和第二修整处理这两者。在该情况下，关于执行第二修整处理的时刻，可以在第一修整处理之前和之后的任一者进行，也可以在研磨处理之前和之后的任一者进行。在该变形例中，每次对一个晶片W进行研磨的期间，进行第二修整处理，因此与其他例子相比，能够更可靠地进行用于对研磨面51a进行修整的修整面62a的修锐。
(6)也可以为，控制装置100从与研磨单元20不同的其他检查单元获取研磨信息(例如拍摄图像数据)。
(7)作为处理对象的基片不限于半导体晶片，例如也可以为玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；
第一修整部件，其具有进行所述研磨面的修整的第一修整面；
第二修整部件，其具有进行所述第一修整面的修整的第二修整面；
保持所述研磨部件和所述第二修整部件的保持部件；以及
通过使所述保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为所述第一修整面与所述研磨面抵接来进行所述研磨面的修整的状态，所述第二状态为所述第一修整面与所述第二修整面抵接来进行所述第一修整面的修整的状态。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二修整部件和所述研磨部件固定于所述保持部件的一个面上，
所述研磨面和所述第二修整面的高度位置彼此不同，
所述第一修整面与所述研磨面和所述第二修整面相对，
所述驱动部通过改变俯视时的所述研磨面和所述第二修整面的位置，并改变所述保持部件与所述第一修整面的距离，来切换所述第一状态和所述第二状态。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二修整部件的硬度比所述第一修整部件的硬度低。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述驱动部在所述第二状态下使所述第二修整面的抵接位置移动以使其覆盖抵接区域，所述抵接区域是在所述第一状态下进行所述研磨面的修整时所述第一修整面的与所述研磨面抵接的区域。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制所述驱动部的控制部，
所述驱动部包括第一驱动部和第二驱动部，其中所述第一驱动部使所述保持部件旋转以使得所述研磨部件绕第一轴旋转，所述第二驱动部使所述保持部件旋转以使得所述第一轴沿着与所述第一轴平行的第二轴的圆轨道移动，
所述控制部通过用所述第一驱动部使所述保持部件旋转来改变俯视时的所述研磨面和所述第二修整面的位置，
所述控制部在所述第二状态下，通过用所述第二驱动部使所述保持部件移动，来使所述第二修整面以覆盖作为所述第一修整面中的与所述研磨面抵接的区域的所述抵接区域的方式移动。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括获取研磨信息的控制部，其中所述研磨信息表示由所述研磨部件进行研磨后的所述基片的所述主面的研磨状态，
所述控制部根据所述研磨信息来判断是否进行所述第一修整面的修整。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括获取磨损信息的控制部，其中所述磨损信息表示所述第一修整面和所述第二修整面的至少一者的磨损状态，
所述控制部根据所述磨损信息来判断是否进行所述第一修整面的修整。
8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
每次对作为处理对象的所述基片进行研磨时，进行所述研磨面的修整，
所述驱动部在进行多次所述研磨面的修整后，从所述第一状态切换至所述第二状态。
9.一种由研磨单元进行的基片处理方法，其特征在于：
所述研磨单元包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行所述研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行所述第一修整面的修整的第二修整面；以及保持所述研磨部件和所述第二修整部件的保持部件，
所述基片处理方法包括：
使所述第一修整面与所述研磨面抵接来进行所述研磨面的修整的步骤；
使所述第一修整面与所述第二修整面抵接来进行所述第一修整面的修整的步骤；以及
通过使所述保持部件移动，来切换进行所述研磨面的修整的第一状态和进行所述第一修整面的修整的第二状态的步骤。
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