KR20240026193A - 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents
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Abstract
기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 적어도 불산 및 질산을 포함하는 에칭액을 기판의 하나의 면에 공급하여, 당해 하나의 면을 에칭하는 것을 가지고, 상기 하나의 면의 에칭은, 상기 기판의 회전 중심을 사이에 두고 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도를, 당해 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간이, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧아지는 조건으로 결정하는 것과, 결정된 상기 스캔 폭과 상기 스캔 속도로, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 포함한다.
Description
본 개시는 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 반도체 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼의 적어도 표면을 평탄화하는 공정과, 평탄화된 웨이퍼의 표면을 스핀 에칭에 의해 에칭하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법이 개시되어 있다.
본 개시에 따른 기술은, 에칭 처리 후의 기판 표면 형상을 적절하게 제어한다.
본 개시의 일태양은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 하나의 면을 박화하는 것과, 박화 후의 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 하나의 면의 상방에서 에칭액 공급부를 상기 기판의 회전 중심의 상방을 넘어 왕복동시키면서, 적어도 불산 및 질산을 포함하는 에칭액을 상기 하나의 면에 공급하여, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 가지고, 상기 하나의 면의 에칭은, 상기 회전 중심을 사이에 두고 상기 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 상기 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도를, 상기 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간이, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧아지는 조건으로 결정하는 것과, 결정된 상기 스캔 폭과 상기 스캔 속도로, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 포함한다.
본 개시에 따르면, 에칭 처리 후의 기판 표면 형상을 적절하게 제어할 수 있다.
도 1은 종래 방법에 의한 웨이퍼의 에칭량을 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 3은 에칭 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 연삭 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 5는 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 6은 연삭 유닛으로 웨이퍼 표면을 연삭하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 연삭 유닛으로 웨이퍼 표면을 연삭하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 8은 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 9는 제 1 실시 형태에 따른 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 10은 제 2 실시 형태에 따른 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 11은 제 2 실시 형태에 따른 에칭 처리에 있어서의 웨이퍼 두께의 변화를 나타내는 설명도이다.
도 12는 척의 회전 속도와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 노즐의 스캔 속도와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 노즐의 스캔 폭의 설명도이다.
도 15는 노즐의 스캔 아웃 위치와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 방법에 의한 웨이퍼의 에칭량을 나타내는 설명도이다.
도 17은 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 18은 본 개시의 기술의 다른 적용예를 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 3은 에칭 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 연삭 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 5는 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 6은 연삭 유닛으로 웨이퍼 표면을 연삭하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 연삭 유닛으로 웨이퍼 표면을 연삭하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 8은 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 9는 제 1 실시 형태에 따른 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 10은 제 2 실시 형태에 따른 에칭 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 11은 제 2 실시 형태에 따른 에칭 처리에 있어서의 웨이퍼 두께의 변화를 나타내는 설명도이다.
도 12는 척의 회전 속도와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 노즐의 스캔 속도와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 노즐의 스캔 폭의 설명도이다.
도 15는 노즐의 스캔 아웃 위치와 에칭량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 방법에 의한 웨이퍼의 에칭량을 나타내는 설명도이다.
도 17은 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 18은 본 개시의 기술의 다른 적용예를 나타내는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 단결정 실리콘 잉곳으로부터 와이어 소 (wire-saw) 등에 의해 잘라내 얻은 원반 형상의 실리콘 웨이퍼(이하, 단순히 '웨이퍼'라 함)의 절단면을 평탄화, 평활화하여 웨이퍼의 두께를 균일화하는 것이 행해지고 있다. 절단면의 평탄화는, 예를 들면 평면 연삭 또는 랩핑에 의해 행해진다. 절단면의 평활화는, 예를 들면 웨이퍼를 회전시키면서 당해 웨이퍼의 절단면 상방으로부터 에칭액을 공급하는 스핀 에칭에 의해 행해진다.
상술한 특허 문헌 1에는, 반도체 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼의 적어도 표면을 평면 연삭 또는 랩핑에 의해 평탄화한 후, 당해 표면을 스핀 에칭에 의해 에칭하는 것이 개시되어 있다. 특허 문헌 1에 기재된 스핀 에칭 공정에서는, 당해 스핀 에칭의 개시 시에 있어서는 분사 노즐을 웨이퍼의 외주 부분 상방에서 이동시키고, 이 후, 외주 부분이 에칭된 웨이퍼의 중심부 상방에 분사 노즐의 위치를 고정하고, 에칭액을 공급하여 스핀 에칭한다.
그러나 본 발명자들은, 특허 문헌 1에 개시되는 방법에 의해, 웨이퍼의 중심부 상방에 노즐의 위치를 고정하여 에칭액을 공급한 경우, 특히 에칭액의 토출 직하(直下)에서, 에칭 후의 웨이퍼의 표면 형상을 적절하게 제어할 수 없게 되는 것을 지견했다. 구체적으로, 도 1에 나타내는 바와 같이 에칭액의 토출 직하인 웨이퍼의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량이, 당해 중심부(R1)의 주위의 영역(이하, 직경 방향에 있어서 토출 직하인 중심부(R1)와 외주부(R3)와의 사이의 영역으로서 '중간부(R2)'라 하는 경우가 있음)에서의 에칭량과 비교해 작아지는 것을 지견했다. 이는, 웨이퍼의 중간부(R2)에 있어서는, 중심부(R1)에 공급된 에칭액이 원심력에 의해 통류되어 에칭이 진행되는 한편, 에칭액의 토출 직하인 중심부(R1)에 있어서는, 원심력에 의해 공급된 에칭액(에천트)이 배제되어 버리고, 또한 당해 원심력에 의한 배제에 있어, 웨이퍼(W)의 표면에서 에칭을 진행시키기 위하여 필요해지는 흐름(에칭액의 유속 및 유량)을 형성할 수 없는 것에 기인한다고 상정된다.
본 개시에 따른 기술은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 에칭 처리 후의 기판 표면 형상을 적절하게 제어한다. 이하, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템, 및 기판 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 잉곳으로부터 잘라내 얻어진 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여, 두께의 면내 균일성을 향상시키기 위한 처리를 행한다. 이하, 웨이퍼(W)의 잘라낸 면을 하나의 면으로서의 제 1 면(Wa)과 다른 면으로서의 제 2 면(Wb)이라 한다. 제 1 면(Wa)은 제 2 면(Wb)의 반대측의 면이다. 또한, 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 총칭하여 웨이퍼(W)의 표면이라 하는 경우가 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(10)과 처리 스테이션(11)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 스테이션(10)은, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출된다. 처리 스테이션(11)은, 웨이퍼(W)에 대하여 원하는 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비하고 있다.
반입반출 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(20)는 복수, 예를 들면 2 개의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 구성되어 있다.
처리 스테이션(11)에는, 예를 들면 3 개의 처리 블록(G1 ~ G3)이 마련되어 있다. 제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2) 및 제 3 처리 블록(G3)은, X축 부방향측(반입반출 스테이션(10)측)으로부터 정방향측으로 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
제 1 처리 블록(G1)에는, 반전 장치(30, 31), 두께 측정 장치(40), 에칭 장치(50, 51), 및 웨이퍼 반송 장치(60)가 마련되어 있다. 반전 장치(30)와 에칭 장치(50)는 X축 부방향측으로부터 정방향측으로 이 순으로 배열되어 배치되어 있다. 반전 장치(30, 31) 및 두께 측정 장치(40)는, 예를 들면 연직 방향으로 하단으로부터 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 에칭 장치(50, 51)는, 예를 들면 연직 방향으로 하단으로부터 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(60)는, 에칭 장치(50, 51)의 Y축 정방향측에 배치되어 있다. 또한, 반전 장치(30, 31), 두께 측정 장치(40), 에칭 장치(50, 51) 및 웨이퍼 반송 장치(60)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
반전 장치(30, 31)는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다. 반전 장치(30, 31)의 구성은 임의이다.
두께 측정 장치(40)는, 일례에 있어서 측정부(도시하지 않음)와 산출부(도시하지 않음)를 구비한다. 측정부는, 에칭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정하는 센서를 구비한다. 산출부는, 측정부에 의한 측정 결과(웨이퍼(W)의 두께)로부터 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도(TTV : Total Thickness Variation)를 산출한다. 또한, 이러한 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도의 산출은, 당해 산출부 대신에, 후술하는 제어 장치(150)에서 행해져도 된다. 환언하면, 후술하는 제어 장치(150) 내에 산출부(도시하지 않음)가 마련되어도 된다. 또한, 두께 측정 장치(40)의 구성은 이에 한정되지 않으며, 임의로 구성할 수 있다.
에칭 장치(50, 51)는, 후술하는 가공 장치(110)에 있어서의 연삭 후의 제 1 면(Wa) 또는 연삭 후의 제 2 면(Wb)의 실리콘(Si)을 에칭한다.
도 3에 나타내는 바와 같이 에칭 장치(50, 51)는, 유지부(52)와, 회전 기구(53)와, 에칭액 공급부로서의 노즐(54)을 가지고 있다. 기판 유지부로서의 유지부(52)는, 웨이퍼(W)의 외연부를 복수 점, 본 실시 형태에 있어서 3 점에서 유지한다. 또한, 유지부(52)의 구성은 도시의 예에는 한정되지 않으며, 예를 들면 유지부(52)는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 흡착 유지하는 척(도 8 등을 참조)을 구비하고 있어도 된다. 회전 기구(53)는, 유지부(52)에 유지된 웨이퍼(W)를 연직인 회전 중심선(52a)을 중심으로 회전시킨다. 노즐(54)은, 유지부(52)의 상방에 마련되어, 이동 기구(55)에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 노즐(54)은, 유지부(52)에 유지된 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 또는 제 2 면(Wb)에 에칭액(E)을 공급한다.
에칭액(E)에는, 처리 대상인 웨이퍼(W)의 실리콘을 적절하게 에칭하기 위하여, 적어도 불산 및 질산이 포함된다. 일례에 있어서 에칭액(E)은, 불산, 질산, 인산 및 물을 함유하는 수용액이며, 중량%로 불산 : 질산 : 인산 = 0.5 ~ 40% : 5 ~ 50% : 5 ~ 70%의 혼합 비율로 함유할 수 있다. 또한, 일례에 있어서 에칭액(E)은, 중량%로 불산 농도가 5 ~ 15%, 인산 농도가 10 ~ 40%일 수 있다.
또한, 노즐(54)로부터 토출되는 에칭액(E)의 유량(토출 유량)은, 일례로서 500 ~ 3000 mL/min일 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 반송 장치(60)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(61)을 가지고 있다. 각 반송 암(61)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(60)는, 카세트 배치대(20)의 카세트(C), 반전 장치(30, 31), 두께 측정 장치(40), 에칭 장치(50, 51), 후술하는 버퍼 장치(70), 후술하는 세정 장치(80), 및 후술하는 반전 장치(90)에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 2 처리 블록(G2)에는, 버퍼 장치(70), 세정 장치(80), 반전 장치(90), 및 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 버퍼 장치(70), 세정 장치(80) 및 반전 장치(90)는, 예를 들면 연직 방향으로 하단으로부터 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 버퍼 장치(70), 세정 장치(80) 및 반전 장치(90)의 Y축 부방향측에 배치되어 있다. 또한, 버퍼 장치(70), 세정 장치(80), 반전 장치(90), 및 웨이퍼 반송 장치(100)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
버퍼 장치(70)는, 제 1 처리 블록(G1)으로부터 제 2 처리 블록(G2)으로 전달되는 처리 전의 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지한다. 버퍼 장치(70)의 구성은 임의이다.
세정 장치(80)는, 가공 장치(110)에 의한 연삭 처리 후의 제 1 면(Wa) 또는 제 2 면(Wb)을 세정한다. 예를 들면 제 1 면(Wa) 또는 제 2 면(Wb)에 브러시를 접촉시켜, 당해 제 1 면(Wa) 또는 제 2 면(Wb)을 스크럽 세정한다. 또한, 제 1 면(Wa) 또는 제 2 면(Wb)의 세정에는, 가압된 세정액을 이용해도 된다. 또한, 세정 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 세정할 시, 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 동시에 세정 가능하게 구성되어 있어도 된다.
반전 장치(90)는 반전 장치(30, 31)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다. 반전 장치(90)의 구성은 임의이다.
웨이퍼 반송 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(101)을 가지고 있다. 각 반송 암(101)은, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(100)는, 에칭 장치(50, 51), 버퍼 장치(70), 세정 장치(80), 반전 장치(90), 및 후술하는 가공 장치(110)에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 3 처리 블록(G3)에는, 가공 장치(110)가 마련되어 있다. 또한, 가공 장치(110)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
가공 장치(110)는, 회전 테이블(111)을 가지고 있다. 회전 테이블(111)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해, 연직인 회전 중심선(112)을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 회전 테이블(111) 상에는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는, 척(113)이 4 개 마련되어 있다. 4 개의 척(113) 중, 2 개의 제 1 척(113a)은 제 1 면(Wa)의 연삭에 이용되는 척이며, 제 2 면(Wb)을 흡착 유지한다. 이들 2 개의 제 1 척(113a)은, 회전 중심선(112)을 사이에 두고 점 대칭의 위치에 배치되어 있다. 나머지 2 개의 제 2 척(113b)은 제 2 면(Wb)의 연삭에 이용되는 척이며, 제 1 면(Wa)을 흡착 유지한다. 이들 2 개의 제 2 척(113b)도, 회전 중심선(112)을 사이에 두고 점 대칭의 위치에 배치되어 있다. 즉, 제 1 척(113a)과 제 2 척(113b)은, 둘레 방향으로 교호로 배치되어 있다.
척(113)에는 예를 들면 포러스 척이 이용된다. 척(113)의 표면, 즉 웨이퍼(W)의 유지면은, 측면에서 봤을 때 중앙부가 단부에 비해 돌출된 볼록 형상을 가지고 있다. 또한, 이 중앙부의 돌출은 미소하지만, 도 4에 있어서는, 설명의 명료화를 위하여 척(113)의 중앙부의 돌출을 크게 도시하고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 척(113)은 척 베이스(114)에 유지되어 있다. 척 베이스(114)에는, 후술하는 각 연삭 유닛(130, 140)이 구비하는 연삭 숫돌(131, 141)과 척(113)의 상대적인 기울기를 조정하는 기울기 조정부(115)가 마련되어 있다. 기울기 조정부(115)는, 척 베이스(114)의 하면에 마련된 고정축(116)과 복수, 예를 들면 2 개의 승강축(117)을 가지고 있다. 각 승강축(117)은 신축 가능하게 구성되고, 척 베이스(114)를 승강시킨다. 이 기울기 조정부(115)에 의해, 척 베이스(114)의 외주부의 일단부(고정축(116)에 대응하는 위치)를 기점으로, 타단부를 승강축(117)에 의해 연직 방향으로 승강시킴으로써, 척(113) 및 척 베이스(114)를 경사시킬 수 있다. 그리고 이에 의해, 후술하는 가공 위치(B1 ~ B2)의 각 연삭 유닛(130, 140)이 구비하는 연삭 숫돌(131, 141)의 표면과 척(113)의 표면과의 상대적인 기울기를 조정할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 4 개의 척(113)은, 회전 테이블(111)이 회전하는 것에 의해, 전달 위치(A1 ~ A2) 및 가공 위치(B1 ~ B2)로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 4 개의 척(113)은 각각, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
제 1 전달 위치(A1)는 회전 테이블(111)의 X축 부방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 제 1 면(Wa)을 연삭할 시에 제 1 척(113a)에 대한 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 제 2 전달 위치(A2)는 회전 테이블(111)의 X축 부방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 제 2 면(Wb)을 연삭할 시에 제 2 척(113b)에 대한 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.
전달 위치(A1, A2)에는, 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정하는 두께 측정부(120)가 마련되어 있다. 두께 측정부(120)는, 일례에 있어서 측정부(121)와 산출부(122)를 구비한다. 측정부(121)는, 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정하는 비접촉식의 센서(도시하지 않음)를 구비한다. 산출부(122)는, 측정부(121)에 의한 측정 결과(웨이퍼(W)의 두께)로부터 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다. 또한, 이러한 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도의 산출은, 당해 산출부(122) 대신에, 후술하는 제어 장치(150)에서 행해져도 된다. 환언하면, 후술하는 제어 장치(150) 내에 산출부(도시하지 않음)가 마련되어도 된다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정하기 위한 두께 측정부(120)를 전달 위치(A1, A2)에 마련하는 경우를 예로 설명을 행하지만, 두께 측정부(120)의 배치는 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 예를 들면 두께 측정부(120)는, 전달 위치(A1, A2) 대신에, 가공 위치(B1, B2)에 마련되어도 된다. 또한 예를 들면, 두께 측정부(120)는, 제 2 처리 블록(G2)에 있어서, 세정 장치(80) 및 반전 장치(90)와 적층되어 배치되어도 된다. 이러한 경우, 웨이퍼 반송 장치(100)는, 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)를 제 2 처리 블록(G2)에 배치된 두께 측정부(120)에 대하여 반송 가능하게 구성될 수 있다.
제 1 가공 위치(B1)는 회전 테이블(111)의 X축 정방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 제 1 연삭 유닛(130)이 배치된다. 제 1 연삭 유닛(130)은, 제 1 척(113a)에 유지된 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)을 연삭한다. 제 2 가공 위치(B2)는 회전 테이블(111)의 X축 정방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 제 2 연삭 유닛(140)이 배치된다. 제 2 연삭 유닛(140)은, 제 2 척(113b)에 유지된 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)을 연삭한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 연삭 유닛(130)은, 하면에 환상(環狀)의 연삭 숫돌(131)을 구비하는 연삭 휠(132)과, 연삭 휠(132)을 지지하는 마운트(133)와, 마운트(133)를 개재하여 연삭 휠(132)을 회전시키는 스핀들(134)과, 예를 들면 모터(도시하지 않음)를 내장하는 구동부(135)를 가지고 있다. 또한 제 1 연삭 유닛(130)은, 도 2에 나타내는 지주(136)를 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
제 2 연삭 유닛(140)은, 제 1 연삭 유닛(130)과 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 제 2 연삭 유닛(140)은, 환상의 연삭 숫돌(141)을 구비하는 연삭 휠(142), 마운트(143), 스핀들(144), 구동부(145) 및 지주(146)를 가지고 있다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 제어 장치(150)가 마련되어 있다. 제어 장치(150)는, 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 제어 장치(150)는, 상술한 바와 같이, 두께 측정 장치(40) 및 두께 측정부(120)에서의 측정 결과(웨이퍼(W)의 두께)로부터 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출하기 위한 산출부(도시하지 않음)를 가지고 있어도 된다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(150)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 상기 기억 매체(H)는, 일시적인 것이어도 비일시적인 것이어도 된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 제 1 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 잉곳으로부터 와이어 소 등에 의해 잘라내져, 랩핑된 웨이퍼(W)에 대하여, 두께의 면내 균일성을 향상시키기 위한 처리를 행한다.
먼저, 웨이퍼(W)를 복수 수납한 카세트(C)가, 반입반출 스테이션(10)의 카세트 배치대(20)에 배치된다. 카세트(C)에 있어서 웨이퍼(W)는, 제 1 면(Wa)이 상측, 제 2 면(Wb)이 하측을 향한 상태로 수납되어 있다. 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 취출되어, 버퍼 장치(70)로 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 가공 장치(110)로 반송되어, 제 1 전달 위치(A1)의 제 1 척(113a)으로 전달된다. 제 1 척(113a)에서는, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)이 흡착 유지된다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 1 가공 위치(B1)로 이동시킨다. 그리고, 제 1 연삭 유닛(130)에 의해, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)이 연삭된다(도 5의 단계(S1)).
여기서, 상술한 바와 같이 제 1 척(113a)은 웨이퍼(W)의 유지면의 중앙부에 볼록 형상을 가지고 있다. 이 때문에, 단계(S1)에 있어서, 제 1 연삭 유닛(130)을 이용한 제 1 면(Wa)을 연삭할 시에는, 도 6에 나타내는 바와 같이 제 1 척(113a)에 유지된 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과, 연삭 숫돌(131)의 표면이 평행이 되도록, 제 1 척(113a)을 경사시킨다. 또한, 도 7의 두꺼운 선에 나타내는 바와 같이, 환상의 연삭 숫돌(131)의 일부가 가공점(P)으로서 웨이퍼(W)와 접촉한다. 보다 구체적으로, 환상의 연삭 숫돌(131)과 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주 단부까지가 원호선 형상으로 접촉하고, 이러한 상태에서 제 1 척(113a)과 연삭 휠(132)을 각각 회전시키는 것에 의해, 제 1 면(Wa)의 전면이 연삭 처리된다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 1 전달 위치(A1)로 이동시킨다. 제 1 전달 위치(A1)에서는, 세정부(도시하지 않음)에 의해 연삭 후의 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)을 세정해도 된다.
또한 전달 위치(A1)에 있어서는, 두께 측정부(120)에 의해, 제 1 연삭 유닛(130)에 의한 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정한다(도 5의 단계(S2)).
여기서, 상술한 바와 같이 두께 측정부(120)에서는, 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정함으로써 제 1 면(Wa)의 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다. 산출된 웨이퍼(W)(하나의 기판)의 두께 분포 및 평탄도는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 다음으로 제 1 척(113a)으로 유지(제 1 연삭 유닛(130)으로 연삭)되는 다른 웨이퍼(W)(다른 기판)의 연삭 처리에 이용된다. 구체적으로, 취득된 웨이퍼(W)(하나의 기판)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여, 제 1 연삭 유닛(130)에 의한 연삭 후의 다음의 웨이퍼(W)(다른 기판)의 두께 분포, 평탄도를 개선하도록, 다음의 웨이퍼(W)(다른 기판)의 연삭 시의 연삭 숫돌(131)의 표면과 제 1 척(113a)의 표면과의 상대적인 기울기를, 기울기 조정부(115)에 의해 조정한다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 세정 장치(80)로 반송된다. 세정 장치(80)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)이 세정된다(도 5의 단계(S3)).
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 반전 장치(90)로 반송된다. 반전 장치(90)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다(도 5의 단계(S4)). 즉, 제 1 면(Wa)이 하측, 제 2 면(Wb)이 상측을 향한 상태로 웨이퍼(W)가 반전된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 가공 장치(110)로 반송되어, 제 2 전달 위치(A2)의 제 2 척(113b)으로 전달된다. 제 2 척(113b)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)이 흡착 유지된다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 2 가공 위치(B2)로 이동시킨다. 그리고, 제 2 연삭 유닛(140)에 의해, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)이 연삭된다(도 5의 단계(S5)). 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)의 연삭 방법은, 도 6 및 도 7에 나타낸 제 1 면(Wa)의 연삭 방법(단계(S1))과 동일하다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 2 전달 위치(A2)로 이동시킨다. 제 2 전달 위치(A2)에서는, 세정부(도시하지 않음)에 의해 연삭 후의 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)을 세정해도 된다.
또한 전달 위치(A2)에 있어서는, 두께 측정부(120)에 의해, 제 2 연삭 유닛(140)에 의한 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정한다(도 5의 단계(S6)).
여기서, 상술한 바와 같이 두께 측정부(120)에서는, 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정함으로써 제 2 면(Wb)의 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다. 산출된 웨이퍼(W)(하나의 기판)의 두께 분포 및 평탄도는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 다음으로 제 2 척(113b)으로 유지(제 2 연삭 유닛(140)으로 연삭)되는 다른 웨이퍼(W)(다른 기판)의 연삭 처리에 이용된다. 구체적으로, 취득된 웨이퍼(W)(하나의 기판)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여, 제 2 연삭 유닛(140)에 의한 연삭 후의 다음의 웨이퍼(W)(다른 기판)의 두께 분포, 평탄도를 개선하도록, 다음의 웨이퍼(W)(다른 기판)의 연삭 시의 연삭 숫돌(141)의 표면과 제 2 척(113b)의 표면과의 상대적인 기울기를, 기울기 조정부(115)에 의해 조정한다.
또한, 두께 측정부(120)로 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도는, 에칭 장치(51)에 있어서의 후술하는 제 2 면(Wb)의 에칭 처리에 이용된다. 구체적으로, 연삭 후에 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도(웨이퍼(W)의 실제 표면 형상)와, 희망하는 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도(목표 표면 형상)를 비교하고, 당해 비교 결과에 기초하여, 에칭 장치(51)에 있어서의 웨이퍼(W)의 각 영역(도 1에 나타낸 중심부(R1), 중간부(R2) 및 외주부(R3))의 에칭량을 산출한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 각 영역에 있어서의 에칭량이 산출된 값이 되도록, 제어 장치(150)에 의해, 에칭 장치(51)에 있어서의 각종 에칭 조건을 결정한다. 일례로서, 결정되는 에칭 조건은 후술하는 웨이퍼 회전수, 후술하는 스캔 폭(L), 후술하는 스캔 속도, 및 후술하는 스캔 아웃 위치이다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 세정 장치(80)로 반송된다. 세정 장치(80)에서는, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)이 세정된다(도 5의 단계(S7)).
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 에칭 장치(51)로 반송된다. 에칭 장치(51)에서는, 유지부(52)에 웨이퍼(W)가 제 2 면(Wb)을 상측(노즐(54)측)을 향하게 하여 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 노즐(54)로부터 제 2 면(Wb)에 에칭액(E)을 공급하여, 당해 제 2 면(Wb)을 에칭한다(도 5의 단계(S8)).
단계(S8)에 있어서의 제 2 면(Wb)의 상세한 에칭 방법에 대하여 설명한다.
제 2 면(Wb)의 에칭에 있어서는, 먼저, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이 유지부(52)(웨이퍼(W))를 연직인 회전 중심선(52a)을 중심으로 회전시키고, 또한 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출을 개시하고, 제 2 면(Wb)의 스핀 에칭을 개시한다(도 9의 단계(S8-1)).
제 2 면(Wb)의 스핀 에칭에 있어서는, 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출을 계속하면서, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이 노즐(54)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(중심부(R1))의 상방, 즉 회전 중심선(52a)을 넘도록, 당해 회전 중심선(52a)을 중간점으로서 왕복동(스캔)시킨다(도 9의 단계(S8-2)). 또한, 노즐(54)의 스캔 폭(L), 및 노즐(54)을 왕복동시킬 시의 스캔 속도의 상세에 대해서는 후술한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 노즐(54)을 스캔 이동시키지 않는 종래의 방법에 의해 스핀 에칭을 행한 경우, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량이 작아진다. 이는, 상술한 바와 같이 중심부(R1)에 공급된 에칭액(에천트)이 원심력에 의해 배제되어 버리고, 또한 당해 원심력에 의한 배제에 있어, 웨이퍼(W)의 표면에 에칭을 진행시키기 위하여 필요해지는 흐름(에칭액(E)의 유속 및 유량)을 형성할 수 없는 것에 기인한다고 상정된다.
이에 본 실시 형태에 따른 스핀 에칭에서는, 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출을 계속하면서, 웨이퍼(W)의 회전 중심(중심부(R1))의 상방, 즉 회전 중심선(52a)을 넘도록, 당해 회전 중심선(52a)을 중간점으로서 노즐(54)을 왕복동(스캔)시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 에칭액(E)의 공급을 행하면서, 당해 중심부(R1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면에 에칭액(E)의 흐름을 발생시켜, 적절하게 에칭을 진행시킬 수 있다.
웨이퍼(W)에 원하는 에칭량이 얻어지면, 다음으로, 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출을 계속하면서, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 노즐(54)을 스캔 아웃 위치(에칭액(E)의 토출 종료 위치)까지 이동시킨다(도 9의 단계(S8-3)). 노즐(54)의 스캔 아웃 위치(에칭액(E)의 토출 종료 위치)의 상세에 대해서는 후술한다.
노즐(54)이 스캔 아웃 위치로 이동하면, 이 후, 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출 및 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전을 정지하고, 제 2 면(Wb)의 스핀 에칭을 종료한다(도 9의 단계(S8-4)).
여기서, 상술한 바와 같이, 단계(S8)에 있어서의 제 2 면(Wb)의 에칭 조건은, 단계(S6)에 있어서 취득된 제 2 면(Wb)의 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여 결정된다. 구체적으로, 단계(S6)에 있어서 취득된 두께 분포에 기초하여, 두께가 크다고 판단되는 부분에 있어서는 에칭량을 크게 하고, 두께가 작다고 판단되는 부분에 있어서는 에칭량을 작게 하도록, 에칭 조건을 결정한다. 또한, 에칭 조건의 상세에 대해서는 후술한다.
도 5의 설명으로 돌아온다.
웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)의 에칭이 완료되면, 동일한 에칭 장치(51)에 있어서 에칭 처리 후의 제 2 면(Wb)을 순수에 의해 린스한 후, 또한 당해 제 2 면(Wb)을 건조한다. 제 2 면(Wb)이 건조되면, 다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 두께 측정 장치(40)로 반송된다. 두께 측정 장치(40)에서는, 에칭 장치(51)에 의한 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정한다(도 5의 단계(S9)).
여기서, 상술한 바와 같이 두께 측정 장치(40)에서는, 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정함으로써 제 2 면(Wb)의 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득하고, 또한 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다. 산출된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 에칭 장치(50)에 있어서의 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)의 에칭 처리에 이용된다. 구체적으로, 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여, 또는, 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포에만 기초하여, 에칭 장치(50)에 있어서의 웨이퍼(W)의 실리콘의 에칭량을 시산하고, 시산된 에칭량이 되도록 에칭 장치(50)에 있어서의 에칭 조건을 결정한다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 반전 장치(31)로 반송된다. 반전 장치(31)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다(도 5의 단계(S10)). 즉, 제 1 면(Wa)이 상측, 제 2 면(Wb)이 하측을 향한 상태로 웨이퍼(W)가 반전된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 에칭 장치(50)로 반송된다. 에칭 장치(50)에서는, 유지부(52)에 웨이퍼(W)가 제 1 면(Wa)을 상측을 향하게 하여 유지된다. 그리고, 이러한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 노즐(54)로부터 제 1 면(Wa)에 에칭액(E)을 공급하여, 당해 제 1 면(Wa)을 에칭한다(도 5의 단계(S11)). 이 제 1 면(Wa)의 에칭 처리(단계(S11))는, 예를 들면 도 8 및 도 9에 나타낸 제 2 면(Wb)에 대한 에칭 처리(단계(S8))와 동일한 방법에 의해 행해진다. 이 때, 제 1 면(Wa)의 에칭 조건은, 상술한 바와 같이 단계(S9)에 있어서 취득된 제 2 면(Wb)의 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여, 또는, 웨이퍼(W)의 두께 분포에만 기초하여 결정된다.
즉, 제 1 면(Wa)의 에칭 처리 후의 웨이퍼(W)는, 평탄도 및 두께 분포의 면내 균일성의 양방이 개선되어도 되고, 평탄도(목표 형상)를 도외시하고 두께 분포의 면내 균일성만을 개선해도 된다.
제 1 면(Wa)의 에칭이 완료되면, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)에 대한 모든 처리가 완료되고, 이 후, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 웨이퍼(W)가 카세트 배치대(20)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다. 또한, 웨이퍼 처리 시스템(1)에서 원하는 처리가 실시된 웨이퍼(W)에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부에 있어서 폴리싱이 행해져도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는 에칭 장치(50)에 있어서 제 1 면(Wa)의 에칭이 행해진 후의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 카세트 배치대(20)의 카세트(C)로 반송했지만, 카세트(C)로의 반송에 앞서, 제 1 면(Wa)의 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께가 측정(두께 분포 및 평탄도가 산출)되어도 된다. 제 1 면(Wa)의 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께는, 예를 들면 두께 측정 장치(40)에 있어서 측정할 수 있다. 측정된 웨이퍼(W)의 두께는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 다음으로 처리되는 웨이퍼(W)(다른 기판)의 에칭 처리에 이용할 수 있다.
다음으로, 이상의 단계(S8)에 있어서의 제 2 면(Wb)의 에칭 조건, 및 단계(S10)에 있어서의 제 1 면(Wa)의 에칭 조건의 상세에 대하여 설명한다. 이하, 에칭 조건으로서의 웨이퍼 회전수, 스캔 속도, 스캔 폭(L), 및 스캔 아웃 위치에 대하여, 에칭 조건으로서의 각각 효과에 대하여 설명한다. 또한 본 발명자들은, 각종 에칭 조건의 효과를 확인하기 위하여, 일례로서 직경이 300 mm인 웨이퍼(W)를 이용하여, 이하에 나타내는 각종 검토를 행했다.
<웨이퍼 회전수>
먼저 본 발명자들은, 웨이퍼(W)의 에칭 조건으로서, 단계(S8)에 있어서의 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수를 600 rpm, 700 rpm, 800 rpm, 900 rpm, 1000 rpm, 1100 rpm으로 변화시킨 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 면내 에칭량 분포를 측정했다. 도 12에 있어서, 각각의 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 직경 방향 위치, 종축은 에칭량을 나타내고 있다. 또한, 본 측정에 있어서는, 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수 이외의 조건은 일정하다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수가 600 rpm인 경우에는 중심부(R1)의 에칭량이 큰 볼록 형상의 에칭량 분포를 가지고 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여, 웨이퍼(W)의 회전수를 올려 회전수가 900 rpm에 가까워짐에 따라 전면에서의 에칭량이 대략 균등해지는 평탄도가 개선된 에칭량 분포가 되고, 또한 웨이퍼(W)의 회전수를 올림으로써 중심부(R1)의 에칭량이 작은 오목 형상의 에칭량 분포가 되는 것을 알 수 있다.
또한 이 때, 중심부(R1)의 에칭량(도 12의 중심부(R1)에 있어서의 종축 위치)은 웨이퍼(W)의 회전수에 관계없이 대략 일정하며, 중간부(R2) 및 외주부(R3)의 에칭량이 변화함으로써 웨이퍼(W)의 표면 형상이 평탄화되어 있는 것을 알 수 있다.
이는, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 중심부(R1)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 회전수에 관계없이 공급된 에칭액(E)이 원심력에 의해 외주부(R3)를 향해 배제되고, 또한 중심부(R1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 에칭액(E)의 흐름(유량 및 유속)은 대략 일정해지는 것에 기인하는 것이라고 추측된다.
또한, 중심부(R1)의 직경 방향 외측의 영역인 중간부(R2) 및 외주부(R3)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 회전수에 따라, 중심부(R1)측으로부터 원심력에 의해 통류되는 에칭액(E)의 흐름(유량 및 유속)이 변화하고, 이에 의해 에칭량에 변화가 생겨 있는 것이라고 추측된다.
이상에 나타내는 바와 같이, 단계(S8)에 있어서의 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수를 제어함으로써, 특히 웨이퍼(W)의 중간부(R2) 및 외주부(R3)에 있어서의 에칭량을 조정할 수 있어, 에칭 후의 웨이퍼(W)의 표면 형상의 제어를 행할 수 있다.
이 때, 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수는, 도 5의 단계(S6), 단계(S9)에서 각각 측정된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도를 참조하여, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 두께와, 외주부(R3)에 있어서의 두께와의 차분을 작게 할 수 있는 조건으로 결정되는 것이 바람직하다.
또한, 일실시 형태에 있어서 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수는, 노즐(54)이 회전 중심선(52a)(중심부(R1)) 상을 통과한 후, 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 회전 중심선(52a)(중심부(R1))을 통과할 때까지의 시간(제 1 시간)이, 회전 중심선(52a)(중심부(R1))에 공급된 에칭액(E)이, 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 당해 웨이퍼(W)의 외주부(R3)측으로 배출될 때까지의 시간(제 2 시간)보다 짧아지는 조건(제 1 시간 < 제 2 시간)으로 결정하는 것이 바람직하다. 결정된 회전수는, 예를 들면 제어 장치(150)에 설정된다.
이들 에칭량은, 예를 들면 에칭액(E)의 공급 유량 및 점도에도 영향을 받아 변화한다고 상정되는데, 특히 본 실시 형태에 있어서의 적합한 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전수는, 800 ~ 1000 rpm, 바람직하게는 850 ~ 950 rpm, 보다 바람직하게는 900 rpm이다.
<스캔 속도>
다음으로 본 발명자들은, 웨이퍼(W)의 에칭 조건으로서, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 속도에 대하여 검토를 행했다.
단계(S8-2)에 있어서는, 중심부(R1)에 있어서의 에칭을 계속해 진행시키기 때문에, 원심력에 의해 당해 중심부(R1)가 건조되지 않도록, 노즐(54)의 스캔 속도가 결정되는 것이 바람직하다. 환언하면, 중심부(R1)에 공급된 에칭액(E)은 원심력에 의해 외주부(R3)를 향해 배제되는데, 당해 공급된 에칭액(E)이 중심부(R1)로부터 완전하게 배제되기보다 전에 재차 노즐(54)이 중심부(R1)의 상방으로 이동하여, 새로운 에칭액(E)을 공급 가능하게 스캔 속도가 결정되는 것이 바람직하다.
이에 본 발명자들은, 웨이퍼(W)의 에칭 조건으로서, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 속도를 100 mm/s, 50 mm/s, 25 mm/s로 변화시킨 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 면내 에칭량 분포를 측정했다. 도 13에 있어서, 각각의 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 직경 방향 위치, 종축은 에칭량을 나타내고 있다. 또한, 본 측정에 있어서는, 노즐(54)의 스캔 속도 이외의 조건은 일정하다. 또한 본 측정에 있어서는, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)(회전 중심선(52a))를 왕복동의 중간점으로서, 노즐(54)을 웨이퍼(W)의 상방에서 왕복동(스캔)시켰다. 또한 이 때, 왕복동의 양 단부에 해당하는 반환 지점의 사이의 거리, 즉 노즐(54)의 왕복동의 스캔 폭(L)도 동일 조건으로 했다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 노즐(54)의 스캔 속도가 100 mm/s인 경우에는 중심부(R1)의 에칭량이 큰 볼록 형상의 에칭량 분포를 가지고 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여, 노즐(54)의 스캔 속도를 떨어뜨림으로써 중심부(R1)의 에칭량이 감소하고, 스캔 속도가 25 mm/s에서는 중심부(R1)의 볼록 형상이 해소되어, 웨이퍼(W)의 평탄도가 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
또한 이 때, 중심부(R1)의 에칭량은 노즐(54)의 스캔 속도가 느려지는 것에 수반하여 작아지고 있는 것을 알 수 있다.
이는, 노즐(54)의 스캔 속도가 빠를수록, 왕복동에 의해 당해 노즐(54)이 중심부(R1)의 상방으로 돌아올 때까지의 시간이 짧아지고, 이에 의해 중심부(R1)에 대한 에칭액(E)의 공급 빈도가 증가하는 것에 기인한다고 추측된다.
이상에 나타내는 바와 같이, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 속도를 제어함으로써, 특히 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량을 조정할 수 있다.
일실시 형태에 있어서, 노즐(54)의 스캔 속도는, 당해 노즐(54)이 회전 중심선(52a)(중심부(R1)) 상을 통과한 후, 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 회전 중심선(52a)(중심부(R1))을 통과할 때까지의 시간(제 1 시간)이, 회전 중심선(52a)(중심부(R1))에 공급된 에칭액(E)이, 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 당해 웨이퍼(W)의 외주부(R3)측으로 배출될 때까지의 시간(제 2 시간)보다 짧아지는 조건(제 1 시간 < 제 2 시간)으로 결정하는 것이 바람직하다. 결정된 스캔 속도는, 예를 들면 제어 장치(150)에 설정된다.
그리고, 본 실시 형태에 있어서의 적합한 노즐(54)의 스캔 속도는, 도 13에도 나타낸 바와 같이 예를 들면 25 mm/s이다.
또한, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량은, 후술하는 노즐(54)의 스캔 폭(L)에 따라서도 변화한다. 이 때문에, 노즐(54)의 스캔 속도는 노즐(54)의 스캔 폭(L)과 함께 제어되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중심부(R1)가 건조되는 것을 더 적절하게 억제할 수 있다.
<스캔 폭(L)>
다음으로 본 발명자들은, 웨이퍼(W)의 에칭 조건으로서, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 폭(L)(도 8의 (b)를 참조)에 대하여 검토를 행했다. 노즐(54)의 스캔 폭(L)이란, 상기한 바와 같이, 노즐(54)의 왕복동의 양 단부에 해당하는 반환 지점의 사이의 거리이다.
상술한 바와 같이 단계(S8-2)에 있어서는, 중심부(R1)에 있어서의 에칭을 계속해 진행시키기 때문에, 원심력에 의해 당해 중심부(R1)가 건조되지 않도록, 노즐(54)의 스캔 폭(L)이 결정되는 것이 바람직하다. 환언하면, 중심부(R1)에 공급된 에칭액(E)은 원심력에 의해 외주부(R3)를 향해 배제되는데, 당해 공급된 에칭액(E)이 중심부(R1)로부터 완전하게 배제되기보다 전에 재차 노즐(54)이 중심부(R1)의 상방으로 이동하여, 새로운 에칭액(E)을 공급 가능하게 스캔 폭(L)이 결정되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 노즐(54)의 스캔 폭(L)을 작게 하는 것에 의해 노즐(54)이 중심부(R1)의 상방으로 돌아올 때까지의 시간이 짧아지고, 스캔 폭(L)을 크게 하는 것에 의해 노즐(54)이 중심부(R1)의 상방으로 돌아올 때까지의 시간이 길어진다.
이상에 나타내는 바와 같이, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 폭(L)을 제어함으로써, 특히 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량을 조정할 수 있다.
일실시 형태에 있어서, 노즐(54)의 스캔 폭(L)은, 당해 노즐(54)이 회전 중심선(52a)(중심부(R1)) 상을 통과한 후, 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 회전 중심선(52a)(중심부(R1))을 통과할 때까지의 시간(제 1 시간)이, 회전 중심선(52a)(중심부(R1))에 공급된 에칭액(E)이, 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 당해 웨이퍼(W)의 외주부(R3)측으로 배출될 때까지의 시간(제 2 시간)보다 짧아지는 조건(제 1 시간 < 제 2 시간)으로 결정하는 것이 바람직하다. 결정된 스캔 폭(L)은, 예를 들면 제어 장치(150)에 설정된다.
또한, 일실시 형태에 있어서, 노즐(54)의 스캔 폭(L)은, 도 5의 단계(S6), 단계(S9)에서 각각 측정된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도를 참조하여, 중심부(R1)의 근방에 있어서 두께가 큰 부분(에칭량을 크게 할 필요가 있는 부분)을 특정하고, 이러한 두께가 큰 부분의 영역에 맞추어 결정되어도 된다.
그리고, 본 발명자들이 예의 검토를 행한 바, 특히 본 실시 형태에 있어서의 적합한 스캔 폭(L)은 웨이퍼(W)의 반경(r) 이하, 바람직하게는 2/3r 이하인 것을 지견했다. 환언하면, 도 14에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 중심선(52a)으로부터 왕복동의 단부인 반환 지점(Le)까지의 거리(L/2)가 r/2 이하, 바람직하게는 r/3 이하이다.
또한, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량은, 상술한 바와 같이 노즐(54)의 스캔 속도에 따라서도 변화한다. 이 때문에, 노즐(54)의 스캔 폭(L)은 노즐(54)의 스캔 속도와 함께 제어되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중심부(R1)가 건조되는 것을 더 적절하게 억제할 수 있다.
<스캔 아웃 위치>
다음으로 본 발명자들은, 웨이퍼(W)의 에칭 조건으로서, 단계(S8-3)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 아웃 위치(에칭액(E)의 토출 종료 위치)를, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)(회전 중심선(52a))로부터 90 mm, 80 mm, 70 mm, 60 mm로 변화시킨 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 면내 에칭량 분포를 측정했다. 또한, 본 측정에 있어서는, 단계(S8-2)에 있어서의 왕복동의 반환 지점(스캔 폭(L)의 단부)으로서의 웨이퍼(W)의 중심부(R1)(회전 중심선(52a))로부터 35 mm의 지점으로부터, 상술한 각각의 스캔 아웃 위치까지 노즐(54)을 이동시켰다. 도 15에 있어서, 각각의 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 직경 방향 위치, 종축은 에칭량을 나타내고 있다. 또한, 본 측정에 있어서는, 노즐(54)의 스캔 아웃 위치 이외의 조건은 일정하다.
도 15에 나타내는 바와 같이, 노즐(54)의 스캔 아웃 위치가 중심부(R1)로부터 60 mm인 경우, 특히 중간부(R2)에서의 에칭량이 작은 대략 W 형상의 에칭량 분포를 가지고 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여, 노즐(54)의 스캔 아웃 위치를 직경 방향 외측(외주부(R3)측)으로 이동시킴으로써 전면에서의 에칭량이 대략 균등해지는 평탄도가 개선된 에칭량 분포가 되는 것을 알 수 있다.
이는, 단계(S8-2)에 있어서의 노즐(54)의 왕복동만을 행한 경우에 있어서는, 종래의 방법과 마찬가지로 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에서의 에칭량이 중간부(R2) 및 외주부(R3)에서의 에칭량과 비교해 커지는 바, 에칭액(E)의 토출을 계속하면서 노즐(54)을 스캔 아웃 위치까지 이동시킴으로써, 에칭량이 작아지는 중간부(R2) 및 외주부(R3)(단계(S8-2)에 있어서의 왕복동의 반환 지점보다 직경 방향 외측)에서 에칭을 더 진행할 수 있는 것에 기인한다고 추측된다.
이상에 나타내는 바와 같이, 단계(S8-3)에 있어서의 노즐(54)의 스캔 아웃 위치를 제어함으로써, 특히 웨이퍼(W)의 중간부(R2) 및 외주부(R3)에 있어서의 에칭량을 조정하여, 에칭 후의 웨이퍼(W)의 표면 형상의 제어를 행할 수 있다.
이 때, 노즐(54)의 스캔 아웃 위치는, 도 5의 단계(S6), 단계(S9)에서 각각 측정된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도를 참조하여, 단계(S8-2)에 있어서의 왕복동의 반환 지점(스캔 폭(L)의 단부)으로부터 웨이퍼(W)의 외주 단부까지의 사이의 영역에 있어서 웨이퍼(W)의 두께가 큰 부분, 즉 에칭량을 크게 하고자 하는 부분에 맞추어 결정되는 것이 바람직하다. 결정된 스캔 아웃 위치는, 예를 들면 제어 장치(150)에 설정된다.
그리고, 본 실시 형태에 있어서의 적합한 노즐(54)의 스캔 아웃 위치는, 도 15에도 나타낸 바와 같이, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부(R1)(회전 중심선(52a))로부터 80 mm의 위치이다.
또한, 도 3에 나타낸 바와 같이, 에칭 장치(50, 51)에 있어서 웨이퍼(W)를 외연부의 3점에서 지지하는 경우, 에칭액(E)을 토출하면서 노즐(54)을 웨이퍼(W)의 외주 단부까지 이동시키면, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 에칭액(E)이 유지부(52)와 충돌하여 되튐이 발생하고, 이러한 되튐에 의해 웨이퍼(W)의 에칭량 분포가 흐트러질 우려가 있다. 이 점, 상술한 바와 같이, 에칭액(E)의 토출을 웨이퍼(W)의 외주 단부까지 계속하지 않고, 스캔 아웃 위치에 있어서 에칭액(E)의 토출을 종료시킴으로써, 되튐에 기인하여 에칭량 분포에 흐트러짐이 생기는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 웨이퍼(W)의 에칭 조건은, 이상과 같이 하여 결정된다. 또한, 결정되는 에칭 조건은 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 상술한 스캔 아웃 시에 있어서의 스캔 아웃 위치까지의 노즐(54)의 이동 속도 등의 제어를, 제어 장치(150)에 의해 실행해도 된다.
또한, 상술한 바와 같이, 에칭 장치에 있어서의 실리콘의 에칭량은, 예를 들면 에칭액(E)의 공급 유량 및 점도에 영향을 받아 변화한다고 상정된다.
이러한 점을 감안하여, 제어 장치(150)에 있어서, 미리 약액의 종류(점도, 농도) 또는 공급 유량에 따른, 상술한 각 에칭 조건에 있어서의 에칭량의 경향(웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 에칭량 분포), 즉, 각 에칭 조건과 에칭량과의 상관 관계를 입수, 기억해도 된다. 그리고, 단계(S6), 단계(S9)에 있어서 얻어진 에칭 전의 웨이퍼(W)의 두께 분포에 따라 최적인 에칭 조건(회전수, 스캔 폭, 스캔 아웃 위치, 스캔 속도)을 결정함으로써, 적절하게 웨이퍼(W)의 표면 형상을 희망하는 형상으로 가공할 수 있다.
또한, 예를 들면 에칭 처리 전에 미리 설정되어 있던 처리 레시피로 웨이퍼(W)의 처리를 행했을 시에 웨이퍼(W)의 표면 형상이 악화된다고 예측되는 경우에, 웨이퍼(W)의 표면 형상을 희망하는 형상으로 하기 위하여 에칭 조건을 변경하도록 해도 된다.
또한, 이상의 제 1 실시 형태에 있어서는, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)의 에칭(단계(S8))에 관한 조건을, 단계(S6)에서 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여 결정하는 것으로 했지만, 제 2 면(Wb)의 에칭은, 당해 제 2 면(Wb)의 에칭량이 전면에서 똑같아지는 고정 조건(고정 레시피)으로 행해져도 된다.
이하, 이와 같이 제 2 면(Wb)을 고정 레시피에 의해 에칭하는, 제 2 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서도, 잉곳으로부터 와이어 소 등에 의해 잘라내져, 랩핑된 웨이퍼(W)에 대하여, 두께의 면내 균일성을 향상시키기 위한 처리를 행한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 상기한 제 1 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리와 실질적으로 동일한 처리에 대해서는, 상세한 설명을 생략한다.
먼저, 카세트 배치대(20)에 배치된 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 취출되고, 버퍼 장치(70) 및 웨이퍼 반송 장치(100)를 개재하여, 가공 장치(110)의 제 1 척(113a)으로 전달된다. 제 1 척(113a)에서는, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)이 흡착 유지된다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 1 가공 위치(B1)로 이동시키고, 제 1 연삭 유닛(130)에 의해, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)을 연삭한다(도 10의 단계(St1)). 제 1 연삭 유닛(130)에 의한 웨이퍼(W)의 연삭 방법은, 제 1 실시 형태에 따른 단계(S1)와 동일하다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 1 전달 위치(A1)로 이동시키고, 두께 측정부(120)에 의해, 제 1 연삭 유닛(130)에 의한 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정한다(도 10의 단계(St2)). 두께 측정부(120)에서는, 측정된 웨이퍼(W)의 복수 점의 두께로부터 두께 분포를 취득한다. 산출된 웨이퍼(W)의 두께 분포는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 다음으로 제 1 척(113a)으로 유지(제 1 연삭 유닛(130)으로 연삭)되는 다른 웨이퍼(W)의 연삭 처리에 이용된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 세정 장치(80)로 반송된다. 세정 장치(80)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)이 세정된다(도 10의 단계(St3)).
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 반전 장치(90)로 반송된다. 반전 장치(90)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다(도 10의 단계(St4)). 즉, 제 1 면(Wa)이 하측, 제 2 면(Wb)이 상측을 향한 상태로 웨이퍼(W)가 반전된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 가공 장치(110)로 반송되고, 제 2 전달 위치(A2)의 제 2 척(113b)으로 전달된다. 제 2 척(113b)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)이 흡착 유지된다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 2 가공 위치(B2)로 이동시키고, 제 2 연삭 유닛(140)에 의해, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)을 연삭한다(도 10의 단계(St5)). 제 2 연삭 유닛(140)에 의한 웨이퍼(W)의 연삭 방법은, 제 1 면(Wa)의 연삭 방법(단계(St1))과 동일하다.
다음으로, 회전 테이블(111)을 회전시켜, 웨이퍼(W)를 제 2 전달 위치(A2)로 이동시키고, 두께 측정부(120)에 의해, 제 2 연삭 유닛(140)에 의한 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정한다(도 10의 단계(St6)). 두께 측정부(120)에서는, 측정된 웨이퍼(W)의 복수 점의 두께로부터 두께 분포를 취득한다. 산출된 웨이퍼(W)의 두께 분포는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 다음으로 제 2 척(113b)으로 유지(제 2 연삭 유닛(140)으로 연삭)되는 다른 웨이퍼(W)의 연삭 처리에 이용된다.
또한, 상기한 제 1 실시 형태에 있어서는, 이와 같이 두께 측정부(120)로 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여, 에칭 장치(51)에 있어서의 제 2 면(Wb)의 에칭 조건(웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 에칭량)을 결정했지만, 본 실시 형태에 있어서는, 이를 행하지 않는다.
제 2 연삭 유닛(140)에 의한 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께가 측정되면, 다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 세정 장치(80)로 반송된다. 세정 장치(80)에서는, 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)이 세정된다(도 10의 단계(St7)).
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 에칭 장치(51)로 반송된다. 에칭 장치(51)에서는, 유지부(52)에 웨이퍼(W)가 제 2 면(Wb)을 상측(노즐(54)측)을 향하게 하여 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 노즐(54)로부터 제 2 면(Wb)에 에칭액(E)을 공급하여, 당해 제 2 면(Wb)을 에칭한다(도 10의 단계(St8)).
여기서, 제 2 실시 형태에 따른 제 2 면(Wb)의 에칭에 있어서는, 제 1 실시 형태에서 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여 면내의 에칭량을 결정하는 것 대신에, 도 11의 (a)에 나타내는 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)을, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 고정 조건(고정 레시피)을 이용하여 전면을 똑같은 두께로 에칭한다.
본 실시 형태에 따르면, 고정 조건(고정 레시피)을 이용하는 점에서 제 1 실시 형태와 비교해 제 2 면(Wb)의 에칭 조건이 간소해지고, 그 결과, 단계(S8)의 제 2 면(Wb)의 에칭에 따른 스루풋을 향상시킬 수 있다.
제 2 면(Wb)의 앞면에 원하는 에칭량이 얻어지면, 이 후, 노즐(54)로부터의 에칭액(E)의 토출 및 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전을 정지하여, 제 2 면(Wb)의 스핀 에칭을 종료한다.
웨이퍼(W)의 제 2 면(Wb)의 에칭이 완료되면, 동일한 에칭 장치(51)에 있어서 에칭 처리 후의 제 2 면(Wb)을 순수에 의해 린스한 후, 또한 당해 제 2 면(Wb)을 건조한다. 제 2 면(Wb)이 건조되면, 다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 반전 장치(31)로 반송된다. 반전 장치(31)에서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)을 상하 방향으로 반전시킨다(도 10의 단계(St9)). 즉, 제 1 면(Wa)이 상측, 제 2 면(Wb)이 하측을 향한 상태로 웨이퍼(W)가 반전된다.
다음으로, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 두께 측정 장치(40)로 반송하고, 에칭 장치(51)에 의한 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정한다(도 10의 단계(St10)).
두께 측정 장치(40)에서는, 웨이퍼(W)의 두께를 복수 점에서 측정함으로써 제 2 면(Wb)의 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포를 취득한다. 산출된 웨이퍼(W)의 두께 분포는 예를 들면 제어 장치(150)에 출력되고, 에칭 장치(50)에 있어서의 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)의 에칭 처리에 이용된다. 구체적으로, 취득된 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여, 에칭 장치(50)에 있어서의 웨이퍼(W)의 실리콘의 에칭량을 시산하고, 시산된 에칭량이 되도록 에칭 장치(50)에 있어서의 에칭 조건을 결정한다.
또한, 에칭 장치(50)에 있어서의 웨이퍼(W)의 실리콘의 에칭량은, 에칭 대상인 웨이퍼(W)가 면내 두께 균일해지도록 결정된다. 구체적으로, 산출된 두께 분포에 기초하여, 두께가 크다고 판단되는 부분에 있어서는 에칭량을 크게 하고, 두께가 작다고 판단되는 부분에 있어서는 에칭량을 작게 하도록, 에칭 조건을 결정한다. 또한, 결정되는 에칭 조건은, 일례에 있어서 상기한 웨이퍼 회전수, 스캔 속도, 스캔 폭(L), 및 스캔 아웃 위치 등이다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 에칭 장치(50)로 반송된다. 에칭 장치(50)에서는, 유지부(52)에 웨이퍼(W)가 제 1 면(Wa)을 상측을 향하게 하여 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 노즐(54)로부터 제 1 면(Wa)에 에칭액(E)을 공급하여, 당해 제 1 면(Wa)을 에칭한다(도 10의 단계(St11)).
이 제 1 면(Wa)의 에칭 처리에서는, 상기한 웨이퍼(W)의 면내 두께가 균일해지는 조건에 의해 제 1 면(Wa)의 에칭이 행해지고, 그 결과, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이 전면 균일한 두께를 가지는 웨이퍼(W)가 얻어진다.
그리고, 제 1 면(Wa)의 에칭이 완료되면, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)에 대한 모든 처리가 완료되고, 이 후, 웨이퍼 반송 장치(60)에 의해 웨이퍼(W)가 카세트 배치대(20)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상, 제 2 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리에 의하면, 상기한 바와 같이 단계(S8)의 제 2 면(Wb)의 에칭에 따른 스루풋을 향상시키면서, 이 제 2 면(Wb)의 표면 형상이 반영되도록 제 1 면(Wa)의 에칭을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 두께의 면내 균일을 향상시킬 수 있다.
<본 개시의 기술에 의한 작용 효과>
이상의 본 개시에 따른 기술에 의한면, 웨이퍼(W)의 에칭에 있어 에칭액(E)을 토출하는 노즐(54)을 웨이퍼(W)의 회전 중심선(52a)을 넘도록 왕복동시킴으로써, 당해 에칭액(E)의 토출 직하인 중심부(R1)를 적절하게 에칭할 수 있다. 구체적으로, 이와 같이 노즐(54)을 왕복동시킴으로써 중심부(R1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면에서 에칭액(E)의 흐름을 형성할 수 있고, 이에 의해 중심부(R1)에 있어서의 에칭을 진행시킬 수 있다.
또한, 제 1 실시 형태에 따르면, 에칭 전에 미리 측정된 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도에 기초하여, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 에칭 조건을 결정한다. 이러한 경우, 이들 에칭 조건을 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)에서 개별로 설정할 수 있어, 제 1 면(Wa)과 제 2 면(Wb)의 면내 형상을 개별로 제어할 수 있다.
구체적으로, 에칭 처리 시에 있어서의 노즐(54)의 스캔 속도, 및 스캔 폭(L)을 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 중심부(R1)에 있어서의 에칭량을 제어할 수 있다. 또한, 에칭 처리 시에 있어서의 유지부(52)(웨이퍼(W))의 회전 속도, 및 노즐(54)의 스캔 아웃 위치를 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 중간부(R2) 및 외주부(R3)에 있어서의 에칭량을 조정하는 제어를, 제어 장치(150)에서 실행할 수 있다.
그리고 본 실시 형태에 따르면, 종래, 도 1에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 면내에서 불균일이 발생해 있던 에칭량 분포를, 상술한 바와 같이 에칭 조건을 각각 결정함으로써, 도 16에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 면내에서 대략 균일한 에칭량 분포로 할 수 있다. 또한 이에 의해, 웨이퍼(W)의 평탄도를, 적절하게 개선할 수 있다.
또는, 제 2 실시 형태에 따르면, 고정 조건에 의해 하나의 면의 웨트 에칭을 행한 후, 이 웨트 에칭 후의 웨이퍼(W)의 두께 분포에 기초하여 다른 면의 에칭 조건을 결정한다. 이러한 경우, 하나의 면의 에칭에 따른 스루풋을 향상시키면서, 웨이퍼(W)의 면내 두께를 균일하게 제어할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는 에칭 조건을 제어하는 것에 의해, 도 16에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 에칭량을 면내 균일하게 제어하는 경우를 예로 설명을 행했다. 그러나, 본 개시의 기술에 의하면, 예를 들면 웨이퍼(W)의 처리의 목적 등에 따라, 에칭 조건을 제어하여 에칭 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면 형상을 임의로(예를 들면 볼록 형상, 오목 형상, 또는 W 형상 등) 제어할 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이, 제 1 실시 형태에 있어서는 에칭 조건을 제어하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 에칭량을 제어하여 당해 웨이퍼(W)의 두께 분포 및 평탄도를 개선했지만, 반드시 웨이퍼(W)의 평탄도는 개선될 필요는 없으며, 당해 웨이퍼(W)의 두께 분포만을 개선하도록 해도 된다.
또한, 본 개시의 기술에 있어서는, 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 연삭(도 5의 단계(S1), 단계(S5))에 앞서, 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 연삭의 가공 부하를 저감하기 위한 프리 에칭이 행해져도 된다. 이러한 경우, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 배치되는 2 개의 에칭 장치(50, 51) 중 일방(예를 들면 에칭 장치(50))에서 연삭 전의 프리 에칭을 행하고, 타방(예를 들면 에칭 장치(51))에서 연삭 후의 포스트 에칭을 행하도록 해도 된다.
구체적으로, 예를 들면 제 1 면(Wa)의 연삭(단계(S1)) 또는 제 2 면(Wb)의 연삭(단계(S5)) 전의 웨이퍼(W)를 에칭 장치(50)로 반송하고, 당해 에칭 장치(50)에 있어서, 제 1 면(Wa), 또는 제 2 면(Wb)을 프리 에칭한다(도 17의 단계(T1), 단계(T2)). 프리 에칭의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 적어도 이후의 연삭 처리(단계(S1), 단계(S5))에 있어서의 연삭 저항을 저하시킬 수 있도록, 웨이퍼(W)의 표면을 평탄화한다. 또한, 단계(T2)에 있어서의 제 2 면(Wb)의 프리 에칭의 조건은, 단계(S2)에 있어서의 제 1 면(Wa)의 프리 에칭 및 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 두께를 측정하고, 당해 두께 측정 결과(두께 분포 및 평탄도)에 기초하여 결정되어도 된다.
또한, 도 17에 나타내는 단계(S1 ~ S11)에 따른 각종 처리는, 상술한 도 5에 나타낸 단계(S1 ~ S11)에 따른 각종 처리와 동일한 방법에 의해 행해진다.
이 때, 단계(S1) 및 단계(S5)에 있어서의 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 연삭 처리에 있어서는, 미리 단계(T1) 및 단계(T2)에 있어서 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 프리 에칭이 행해지고 있기 때문에, 연삭의 가공 부하를 저감시켜, 이들 연삭을 적절하게 행할 수 있다. 구체적으로, 프리 에칭에 의해 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 면 정밀도가 어느 정도 개선되어 있기 때문에, 이에 의해 당해 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 연삭 처리를 용이하게 행할 수 있다.
그 결과, 단계(S1) 및 단계(S5)에서의 연삭에 의해 웨이퍼(W)를 적절하게 평탄화할 수 있고, 이에 의해, 그 후에 행해지는 포스트 에칭(단계(S8) 및 단계(S11))에 있어서의 에칭량을 감소시켜, 에칭 후의 웨이퍼(W)의 표면 형상을 보다 적절하게 제어할 수 있다.
또한, 본 개시의 기술에 있어서, 상술한 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)의 프리 에칭, 연삭, 세정, 두께 측정 및 포스트 에칭의 순서는, 상기 실시 형태에 한정되지 않고 임의로 설정할 수 있다.
구체적으로, 예를 들면 제 2 면(Wb)의 에칭(단계(S8))에 앞서, 제 1 면(Wa)의 에칭(단계(S11))이 행해져도 된다. 또한, 제 1 면(Wa)의 프리 에칭(단계(T1)) 및 제 2 면(Wb)의 프리 에칭(단계(T2))을 순차 행한 후, 제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb)에 대한 각종 처리(단계(S1 ~ S11))가 개시되어도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는 잉곳으로부터 와이어 소 등에 의해 잘라내져, 랩핑된 웨이퍼(W)의 양면(제 1 면(Wa) 및 제 2 면(Wb))에 각종 처리를 실시하는 경우를 예로 설명을 행했지만, 웨이퍼(W)의 편면에만 각종 처리가 실시되어도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는 잉곳으로부터 와이어 소 등에 의해 잘라내져, 랩핑된 웨이퍼(W)에 각종 처리를 실시하는 경우를 예로 설명을 행했지만, 예를 들면 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 후처리 공정에 있어서도, 본 개시의 기술을 적용할 수 있다.
구체적으로, 예를 들면 도 18의 (a)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합하여 구성되는 중합 웨이퍼(T)에 있어서, 도 18의 (b)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)를 박화한 후, 도 18의 (c)에 나타내는 바와 같이 박화 후의 제 1 웨이퍼(W1)의 표면(W1a)을 에칭하는 경우에 있어서도, 본 개시의 기술을 적용할 수 있다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 박화 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 가공 장치에 의한 연삭 처리에 의해 박화되어도 되고, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 레이저 가공에 의해 형성된 개질층(도시하지 않음)을 기점으로 한 분리에 의해 박화되어도 된다. 이러한 경우, 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 가공 장치(110) 대신에, 개질층(도시하지 않음)의 형성용의 레이저 처리 장치(도시하지 않음)가 마련된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1 : 웨이퍼 처리 시스템
30 : 반전 장치
31 : 반전 장치
50 : 에칭 장치
51 : 에칭 장치
52 : 유지부
53 : 회전 기구
54 : 노즐
55 : 이동 기구
110 : 가공 장치
150 : 제어 장치
E : 에칭액
L : 스캔 폭
r : (기판의) 반경
W : 웨이퍼
Wa : 제 1 면
Wb : 제 2 면
30 : 반전 장치
31 : 반전 장치
50 : 에칭 장치
51 : 에칭 장치
52 : 유지부
53 : 회전 기구
54 : 노즐
55 : 이동 기구
110 : 가공 장치
150 : 제어 장치
E : 에칭액
L : 스캔 폭
r : (기판의) 반경
W : 웨이퍼
Wa : 제 1 면
Wb : 제 2 면
Claims (20)
- 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판의 하나의 면을 박화하는 것과,
박화 후의 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 하나의 면의 상방에서 에칭액 공급부를 상기 기판의 회전 중심의 상방을 넘어 왕복동시키면서, 적어도 불산 및 질산을 포함하는 에칭액을 상기 하나의 면에 공급하여, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 가지고,
상기 하나의 면의 에칭은,
상기 회전 중심을 사이에 두고 상기 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 상기 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도를,
상기 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간이, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧아지는 조건으로 결정하는 것과,
결정된 상기 스캔 폭과 상기 스캔 속도로, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭액 공급부를 왕복동시킬 시의 상기 회전 중심과 상기 왕복동의 단부인 반환 지점과의 사이의 거리는, 상기 기판의 반경의 반 이하인, 기판 처리 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 회전 중심과 상기 반환 지점과의 사이의 거리는, 상기 기판의 반경의 1/3 이하인, 기판 처리 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나의 면을 에칭할 시의 상기 기판의 회전수를,
상기 제 1 시간이 상기 제 2 시간보다 짧아지는 회전수로 결정하는, 기판 처리 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나의 면의 에칭을 종료할 시, 상기 에칭액을 토출하면서, 상기 에칭액 공급부를 상기 반환 지점과 상기 기판의 외주 단부의 사이의 스캔 아웃 위치까지 이동시키고, 상기 스캔 아웃 위치에 있어서 상기 에칭액의 토출을 종료하는, 기판 처리 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 것과,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 취득된 상기 두께 분포에 기초하여, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건을 조정하는 것을 포함하는 기판 처리 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나의 면의 에칭 전에,
상기 기판의 다른 면을 박화하는 것과,
상기 기판을 회전시키면서, 상기 다른 면의 상방으로부터 에칭액을 공급하여 상기 기판의 다른 면을 고정 레시피로 에칭하는 것과,
상기 다른 면의 에칭 후에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 것과,
취득된 상기 하나의 면의 두께 분포에 기초하여, 상기 하나의 면의 에칭 조건으로서의, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건을 결정하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건과, 상기 기판의 에칭량과의 상관을 취득하는 것과,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 것과,
취득된 상기 상관과, 취득된 상기 두께 분포에 기초하여 상기 하나의 면의 에칭 조건을 결정하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법. - 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
상기 기판의 하나의 면을 박화하는 박화 장치와,
박화된 후의 상기 하나의 면을 에칭하는 에칭 장치와,
제어 장치를 가지고,
상기 에칭 장치는,
상기 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 상기 하나의 면의 상방으로부터 적어도 불산 및 질산을 포함하는 에칭액을 공급하는 에칭액 공급부와,
상기 에칭액 공급부를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 가지고,
상기 제어 장치는,
상기 하나의 면을 에칭할 시, 상기 에칭액을 토출하는 에칭액 공급부를, 상기 기판의 회전 중심의 상방을 넘어 왕복동시키는 제어를 행하는 것과,
상기 회전 중심을 사이에 두고 상기 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 상기 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도의 설정에 의해,
상기 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간을, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧게 하는 제어를 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 제어 장치는,
상기 에칭액 공급부를 왕복동시킬 시의 상기 회전 중심과 상기 왕복동의 단부인 반환 지점과의 사이의 거리를 상기 기판의 반경의 반 이하로 제어하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 10 항에 있어서,
상기 제어 장치는,
상기 회전 중심과 상기 반환 지점과의 사이의 거리를 상기 기판의 반경의 1/3 이하로 제어하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 장치는,
상기 하나의 면을 에칭할 시의 상기 기판의 회전수의 설정에 의해, 상기 제 1 시간을 상기 제 2 시간보다 짧게 하는 제어를 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 장치는,
상기 하나의 면의 에칭을 종료할 시, 상기 에칭액을 토출하면서, 상기 에칭액 공급부를 상기 반환 지점과 상기 기판의 외주 단부의 사이의 스캔 아웃 위치까지 이동시키는 제어를 행하는 것과,
상기 스캔 아웃 위치에 있어서 상기 에칭액의 토출을 종료하는 제어를 행하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 두께 분포를 측정하는 두께 측정 장치를 가지고,
상기 제어 장치는,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 제어를 행하는 것과,
취득된 두께 분포에 기초하여, 상기 에칭 장치에 있어서의, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건을 조정하는 제어를 행하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 두께 분포를 측정하는 두께 측정 장치와,
상기 기판의 상기 하나의 면과 상기 하나의 면의 반대측의 다른 면을 상하 방향으로 반전하는 반전 장치를 가지고,
상기 제어 장치는, 상기 하나의 면의 에칭 전에,
상기 기판의 다른 면을 박화하는 제어를 행하는 것과,
상기 기판을 회전시키면서, 상기 다른 면의 상방으로부터 에칭액을 공급하여 상기 기판의 다른 면을 고정 레시피로 에칭하는 제어를 행하는 것과,
상기 다른 면의 에칭 후에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 제어를 행하는 것과,
취득된 상기 하나의 면의 두께 분포에 기초하여, 상기 하나의 면의 에칭 조건으로서의, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건을 결정하는 제어를 행하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 두께 분포를 측정하는 두께 측정 장치를 가지고,
상기 제어 장치는,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 스캔 폭, 상기 기판의 회전 속도를 포함하는 적어도 어느 하나의 에칭 조건과, 상기 기판의 에칭량과의 상관을 취득하는 제어를 행하는 것과,
상기 하나의 면의 에칭 전에, 상기 기판의 두께를 측정하여, 상기 하나의 면의 두께 분포를 취득하는 제어를 행하는 것과,
취득된 상기 상관과, 취득된 상기 두께 분포에 기초하여 상기 하나의 면의 에칭 조건을 결정하는 제어를 행하는 것을 실행하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박화 장치는, 상기 기판을 연삭하는 가공 장치를 포함하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박화 장치는, 상기 기판의 내부에 레이저광을 조사하여 개질층을 형성하는 레이저 조사 장치를 포함하는, 기판 처리 시스템. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
처리 대상인 상기 기판은 잉곳으로부터 잘라내진 기판이며,
상기 기판은, 상기 하나의 면 및 상기 하나의 면의 반대측의 다른 면의 처리가 행해지고,
상기 하나의 면과 상기 다른 면을 상하 방향으로 반전하는 반전 장치를 가지는, 기판 처리 시스템. - 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
상기 기판 처리 시스템은,
상기 기판의 하나의 면을 박화하는 박화 장치와,
박화된 후의 상기 하나의 면을 에칭하는 에칭 장치와,
제어 장치를 가지고,
상기 에칭 장치는,
상기 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 상기 하나의 면의 상방으로부터 에칭액을 공급하는 에칭액 공급부와,
상기 에칭액 공급부를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 가지고,
상기 기판 처리 방법은,
상기 기판의 하나의 면을 박화하는 것과,
박화 후의 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 하나의 면의 상방에서 상기 에칭액 공급부를 상기 기판의 회전 중심의 상방을 넘어 왕복동시키면서, 적어도 불산 및 질산을 포함하는 상기 에칭액을 상기 하나의 면에 공급하여, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 가지고,
상기 하나의 면의 에칭은,
상기 회전 중심을 사이에 두고 상기 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 상기 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도를,
상기 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간이, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧아지는 조건으로 결정하는 것과,
결정된 상기 스캔 폭과 상기 스캔 속도로, 상기 하나의 면의 에칭을 하는 것을 포함하는, 컴퓨터 기억 매체.
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