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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109716601B (zh) * 2016-08-08 2022-12-13 菲尼萨公司 经蚀刻的平坦化的竖直腔表面发射激光器
US10396529B2 (en) 2017-05-22 2019-08-27 Finisar Corporation VCSELs having mode control and device coupling
US12007504B2 (en) * 2019-03-01 2024-06-11 Vixar, Inc. 3D and LiDAR sensing modules
CN111313233B (zh) * 2020-03-04 2021-07-27 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器及其制造方法与应用
US11876350B2 (en) 2020-11-13 2024-01-16 Ii-Vi Delaware, Inc. Multi-wavelength VCSEL array and method of fabrication
CN113097864B (zh) * 2021-06-10 2021-11-30 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法
GB202209141D0 (en) * 2022-06-22 2022-08-10 Ams Sensors Asia Pte Ltd Recess-etched regrown vcsel
US12489273B2 (en) * 2022-11-07 2025-12-02 Ii-Vi Delaware, Inc. Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) emitter with guided-antiguided waveguide
CN116826521B (zh) * 2023-08-31 2023-11-28 中国航天三江集团有限公司 一种反射式原子气室及其制备方法
DE102024104293A1 (de) * 2024-02-15 2025-08-21 Trumpf Photonic Components Gmbh Vcsel

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3395194B2 (ja) 1990-09-12 2003-04-07 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザ
JPH0669585A (ja) * 1992-08-12 1994-03-11 Fujitsu Ltd 面発光半導体レーザ及びその製造方法
JPH06314854A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Fujitsu Ltd 面型発光素子とその製造方法
JPH0878773A (ja) * 1994-09-05 1996-03-22 Gijutsu Kenkyu Kumiai Shinjoho Shiyori Kaihatsu Kiko 面発光半導体レーザ
JPH0888441A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
US5594751A (en) * 1995-06-26 1997-01-14 Optical Concepts, Inc. Current-apertured vertical cavity laser
JPH11121864A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Seiko Epson Corp 面発光レーザ及びその製造方法
CA2304151A1 (en) * 1997-10-23 1999-04-29 Honeywell Inc. Filamented multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser
JP2000312890A (ja) 1999-04-28 2000-11-14 Kurita Water Ind Ltd アンモニア含有無機系排水の処理方法
WO2002073753A2 (en) * 2001-03-09 2002-09-19 Alight Technologies A/S Mode control using transversal bandgap structure in vcsels
US6738409B2 (en) * 2001-12-28 2004-05-18 Honeywell International Inc. Current confinement, capacitance reduction and isolation of VCSELs using deep elemental traps
US6850548B2 (en) * 2001-12-28 2005-02-01 Finisar Corporation Assymmetric distributed Bragg reflector for vertical cavity surface emitting lasers
US6795478B2 (en) * 2002-03-28 2004-09-21 Applied Optoelectronics, Inc. VCSEL with antiguide current confinement layer
US7433381B2 (en) * 2003-06-25 2008-10-07 Finisar Corporation InP based long wavelength VCSEL
JP2005026625A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Toyota Motor Corp 面発光半導体レーザ及びその製造方法
TW200505120A (en) * 2003-07-29 2005-02-01 Copax Photonics Corp Single transverse mode vertical cavity surface emitting laser device with array structure and method for fabricating the same
JP2006128609A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Toshiba Corp リッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法
JP4594814B2 (ja) * 2004-10-25 2010-12-08 株式会社リコー フォトニック結晶レーザ、フォトニック結晶レーザの製造方法、面発光レーザアレイ、光伝送システム、及び書き込みシステム
JP2006231316A (ja) 2004-11-15 2006-09-07 Jsr Corp 積層体の製造方法
JP2006253340A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム
JP4748646B2 (ja) * 2005-03-16 2011-08-17 株式会社リコー フォトニック結晶レーザおよび光伝送システム
US7352788B2 (en) * 2005-08-15 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte, Ltd. Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser
KR100703530B1 (ko) * 2006-02-09 2007-04-03 삼성전자주식회사 면 발광 레이저
JP2008243954A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光型半導体光デバイス
JP2008283137A (ja) 2007-05-14 2008-11-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光半導体レーザ
JP2009038310A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光型半導体光デバイス
JP2009088333A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Seiko Epson Corp 面発光型半導体レーザーアレイおよびその製造方法
US7718455B2 (en) * 2007-12-17 2010-05-18 Palo Alto Research Center Incorporated Method of forming a buried aperture nitride light emitting device
US8774246B1 (en) * 2011-01-14 2014-07-08 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Semiconductor light sources including selective diffusion for optical and electrical confinement
EP2686925B1 (en) * 2011-03-17 2018-08-22 Finisar Corporation Lasers with ingaas(p) quantum wells with indium ingap barrier layers with reduced decomposition
JP2013030505A (ja) * 2011-07-26 2013-02-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子
US9231367B2 (en) * 2012-05-17 2016-01-05 Finisar Corporation Co-modulation of DBR laser and integrated optical amplifier
CN104184564B (zh) 2013-05-21 2019-01-04 中兴通讯股份有限公司 一种harq信息发送的方法及装置
US9153944B2 (en) * 2014-02-05 2015-10-06 Epistar Corporation Light-emitting array
CN109716601B (zh) * 2016-08-08 2022-12-13 菲尼萨公司 经蚀刻的平坦化的竖直腔表面发射激光器

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