JPH0888441A - 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0888441A JPH0888441A JP22292094A JP22292094A JPH0888441A JP H0888441 A JPH0888441 A JP H0888441A JP 22292094 A JP22292094 A JP 22292094A JP 22292094 A JP22292094 A JP 22292094A JP H0888441 A JPH0888441 A JP H0888441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- compound semiconductor
- gallium nitride
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ
素子の新規な構造と、その製造方法を提供することによ
り、紫外、青色レーザ素子を実現する。 【構成】 活性層５がｎ型クラッド層４とｐ型クラッド
層６とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半
導体よりなるレーザ素子において、前記活性層５よりｐ
型クラッド層６側に、ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系
化合物半導体よりなる電流狭窄層７を備える。
素子の新規な構造と、その製造方法を提供することによ
り、紫外、青色レーザ素子を実現する。 【構成】 活性層５がｎ型クラッド層４とｐ型クラッド
層６とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半
導体よりなるレーザ素子において、前記活性層５よりｐ
型クラッド層６側に、ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系
化合物半導体よりなる電流狭窄層７を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化ガリウム系化合物
半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦a、０≦b、a＋b
≦１）よりなるレーザ素子とその製造方法に関する。
半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦a、０≦b、a＋b
≦１）よりなるレーザ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外、青色のレーザ、ＬＥＤの材料に窒
化ガリウム系化合物半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、
０≦a、０≦b、a＋b≦１）が知られている。ＬＥＤにつ
いては、最近、光度１ｃｄ以上のダブルへテロ構造を備
える青色ＬＥＤがこの材料で実用化されたばかりであ
る。一方、レーザについては、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が超低温で発振したという報告がされているが、窒化
ガリウム系化合物半導体では未だ報告されていない。
化ガリウム系化合物半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、
０≦a、０≦b、a＋b≦１）が知られている。ＬＥＤにつ
いては、最近、光度１ｃｄ以上のダブルへテロ構造を備
える青色ＬＥＤがこの材料で実用化されたばかりであ
る。一方、レーザについては、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が超低温で発振したという報告がされているが、窒化
ガリウム系化合物半導体では未だ報告されていない。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子に
ついては、従来いくつかの構造が提案されている。例え
ばＵＳＰ５，１４６，４６５には活性層をＡｌＧａＮよ
りなる反射鏡で挟んだ構造の面発光型レーザ素子が示さ
れている。また特開平４−２１３８７８号公報ではＺｎ
Ｏ基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層して、最
表面の高抵抗（ｉ型）ＩｎＧａＮ層にＳｉＯ2よりなる
電流狭窄層を設けたレーザ素子が示されており、特開平
４−２４２９８５号公報には、最表面のｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層にＳｉＯ2よりなる電流狭窄層を設
けたレーザ素子が開示されている。
ついては、従来いくつかの構造が提案されている。例え
ばＵＳＰ５，１４６，４６５には活性層をＡｌＧａＮよ
りなる反射鏡で挟んだ構造の面発光型レーザ素子が示さ
れている。また特開平４−２１３８７８号公報ではＺｎ
Ｏ基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層して、最
表面の高抵抗（ｉ型）ＩｎＧａＮ層にＳｉＯ2よりなる
電流狭窄層を設けたレーザ素子が示されており、特開平
４−２４２９８５号公報には、最表面のｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層にＳｉＯ2よりなる電流狭窄層を設
けたレーザ素子が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザ素子を実現する
には、その素子構造として、ｐ−ｎ接合を有するダブル
へテロ構造と、電流を活性層に集中させるための電流狭
窄層が必要である。ダブルヘテロ構造に関しては、従
来、種々の窒化ガリウム系化合物半導体ダブルへテロ構
造が提案されていたが、前述のようにダブルへテロ構造
の青色ＬＥＤが実現されたことにより、ＬＥＤを応用し
たレーザ素子の現実的な構造が示された。
には、その素子構造として、ｐ−ｎ接合を有するダブル
へテロ構造と、電流を活性層に集中させるための電流狭
窄層が必要である。ダブルヘテロ構造に関しては、従
来、種々の窒化ガリウム系化合物半導体ダブルへテロ構
造が提案されていたが、前述のようにダブルへテロ構造
の青色ＬＥＤが実現されたことにより、ＬＥＤを応用し
たレーザ素子の現実的な構造が示された。
【０００５】一方、レーザ素子の電流狭窄層としては、
前記した公報のように、ＳｉＯ2のような絶縁性材料を
最表面の窒化ガリウム系化合物半導体層に形成すること
しか示されておらず、その他の構造についてはほとんど
報告されていない。
前記した公報のように、ＳｉＯ2のような絶縁性材料を
最表面の窒化ガリウム系化合物半導体層に形成すること
しか示されておらず、その他の構造についてはほとんど
報告されていない。
【０００６】従って本発明はこのような事情を鑑み成さ
れたもので、その目的とするところは窒化ガリウム系化
合物半導体を用いたレーザ素子の新規な構造と、その製
造方法を提供することにより、紫外、青色レーザ素子を
実現することにある。
れたもので、その目的とするところは窒化ガリウム系化
合物半導体を用いたレーザ素子の新規な構造と、その製
造方法を提供することにより、紫外、青色レーザ素子を
実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ素子は、
活性層がｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで挟まれた
構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザ素子において、前記活性層よりｐ型クラッド層側に、
ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる
電流狭窄層を備えることを特徴とする。
活性層がｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで挟まれた
構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザ素子において、前記活性層よりｐ型クラッド層側に、
ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる
電流狭窄層を備えることを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明のレーザ素子の製造方法
は、基板上に少なくともｎ型クラッド層と活性層とｎ型
またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを形成
し、前記ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層の一部をエッチングして取り除いた後、そのｉ型また
はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を電流狭窄層とす
ることを特徴とする。
は、基板上に少なくともｎ型クラッド層と活性層とｎ型
またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを形成
し、前記ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層の一部をエッチングして取り除いた後、そのｉ型また
はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を電流狭窄層とす
ることを特徴とする。
【０００９】図１は本発明のレーザ素子の一構造を示す
模式断面図である。素子構造は、サファイアよりなる基
板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２と、Ｓｉド
ープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３と、Ｓｉド
ープｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層４と、Ｓｉ
ドープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層５と、Ｍｇドープ
ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層６と、ノンドー
プｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる電流狭窄層７と、Ｍｇドー
プｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８とが順に積層
された構造を有している。さらにｎ型コンタクト層３の
表面に負電極９、ｐ型コンタクト層８の表面には正電極
１０が設けられている。
模式断面図である。素子構造は、サファイアよりなる基
板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２と、Ｓｉド
ープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３と、Ｓｉド
ープｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層４と、Ｓｉ
ドープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層５と、Ｍｇドープ
ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層６と、ノンドー
プｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる電流狭窄層７と、Ｍｇドー
プｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８とが順に積層
された構造を有している。さらにｎ型コンタクト層３の
表面に負電極９、ｐ型コンタクト層８の表面には正電極
１０が設けられている。
【００１０】基板１には、サファイアの他、ＳｉＣ、Ｇ
ａＡｓ、ＺｎＯ等の材料が使用可能である。またサファ
イアもＣ面、Ｒ面、Ｍ面、Ａ面等数々の面方位がある
が、いずれの面も使用可能である。バッファ層２は基板
と窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数不整を緩和
するために形成されるものであって、ＧａＮの他、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＧａＮ等が選択され、５０オングストローム〜
０．１μｍ程度の膜厚で成長される。
ａＡｓ、ＺｎＯ等の材料が使用可能である。またサファ
イアもＣ面、Ｒ面、Ｍ面、Ａ面等数々の面方位がある
が、いずれの面も使用可能である。バッファ層２は基板
と窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数不整を緩和
するために形成されるものであって、ＧａＮの他、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＧａＮ等が選択され、５０オングストローム〜
０．１μｍ程度の膜厚で成長される。
【００１１】ｎ型コンタクト層３はＧａＮの他、ＡｌＧ
ａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等が形成でき、その
中でもＧａＮが最も結晶性がよいものが得られるので、
レーザ素子のｎ型コンタクト層として特に好ましい。ま
たｎ型にするには、ノンドープの状態、または半導体層
成長中にＳｉ、Ｇｅ等のドナー不純物をドープすること
によりｎ型とすることが可能である。さらにｎ型コンタ
クト層３の表面に直接活性層を成長させることにより、
このコンタクト層をクラッド層として作用させることも
できる。
ａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等が形成でき、その
中でもＧａＮが最も結晶性がよいものが得られるので、
レーザ素子のｎ型コンタクト層として特に好ましい。ま
たｎ型にするには、ノンドープの状態、または半導体層
成長中にＳｉ、Ｇｅ等のドナー不純物をドープすること
によりｎ型とすることが可能である。さらにｎ型コンタ
クト層３の表面に直接活性層を成長させることにより、
このコンタクト層をクラッド層として作用させることも
できる。
【００１２】次にｎ型クラッド層４はＡｌＧａＮの他、
ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等が形成でき、そ
の中でもＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１
以下のＡｌＧａＮ（ＧａＮも含む）が好ましい。なぜな
ら、ＡｌＧａＮはＡｌを含む混晶にするに従い結晶性が
悪くなる傾向にあり、１以下であると結晶性のよいＡｌ
ＧａＮが得られてクラッド層として最適であるからであ
る。ｎ型には前述のように、ノンドープか、成長中にド
ナー不純物がドープされてｎ型とされる。また、コンタ
クト層をクラッド層として作用させる際には、このクラ
ッド層４は省略することも可能である。
ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等が形成でき、そ
の中でもＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１
以下のＡｌＧａＮ（ＧａＮも含む）が好ましい。なぜな
ら、ＡｌＧａＮはＡｌを含む混晶にするに従い結晶性が
悪くなる傾向にあり、１以下であると結晶性のよいＡｌ
ＧａＮが得られてクラッド層として最適であるからであ
る。ｎ型には前述のように、ノンドープか、成長中にド
ナー不純物がドープされてｎ型とされる。また、コンタ
クト層をクラッド層として作用させる際には、このクラ
ッド層４は省略することも可能である。
【００１３】次に活性層５は、クラッド層よりもバンド
ギャップの小さい材料を選択する必要があり、ＩｎＧａ
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等少なくともインジウムを含む窒化
ガリウム系化合物半導体を好ましく活性層として形成で
きる。その中でも特にＩｎのＧａに対する混晶比（Ｉｎ
／Ｇａ）が１以下のＩｎＧａＮを活性層とすることが好
ましい。なぜならこの結晶もまたＩｎを含有させるに従
い、結晶性が悪くなる傾向にあるからである。また、Ｉ
ｎ比を１以下とすることにより、好ましいＩｎＮのバン
ド間発光が得られ、発光色を紫外〜緑色まで自由に変え
ることもできる。さらにまた、活性層５はノンドープの
ｎ型、もしくはドナー不純物をドープしたｎ型、または
ドナー不純物とアクセプター不純物両方をドープしたｎ
型が好ましい。ノンドープのｎ型ではインジウムのバン
ド間発光が得られ、それにドナー不純物および／または
アクセプター不純物をドープしてｎ型とすることによ
り、発光中心が増えて発光効率が向上する。従って、最
も好ましい活性層は、ＩｎのＧａに対するモル比が１以
下のノンドープのｎ型ＩｎＧａＮか、ドナー不純物およ
び／またはアクセプター不純物がドープされたｎ型Ｉｎ
ＧａＮである。
ギャップの小さい材料を選択する必要があり、ＩｎＧａ
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等少なくともインジウムを含む窒化
ガリウム系化合物半導体を好ましく活性層として形成で
きる。その中でも特にＩｎのＧａに対する混晶比（Ｉｎ
／Ｇａ）が１以下のＩｎＧａＮを活性層とすることが好
ましい。なぜならこの結晶もまたＩｎを含有させるに従
い、結晶性が悪くなる傾向にあるからである。また、Ｉ
ｎ比を１以下とすることにより、好ましいＩｎＮのバン
ド間発光が得られ、発光色を紫外〜緑色まで自由に変え
ることもできる。さらにまた、活性層５はノンドープの
ｎ型、もしくはドナー不純物をドープしたｎ型、または
ドナー不純物とアクセプター不純物両方をドープしたｎ
型が好ましい。ノンドープのｎ型ではインジウムのバン
ド間発光が得られ、それにドナー不純物および／または
アクセプター不純物をドープしてｎ型とすることによ
り、発光中心が増えて発光効率が向上する。従って、最
も好ましい活性層は、ＩｎのＧａに対するモル比が１以
下のノンドープのｎ型ＩｎＧａＮか、ドナー不純物およ
び／またはアクセプター不純物がドープされたｎ型Ｉｎ
ＧａＮである。
【００１４】次に、ｐ型クラッド層６はＡｌＧａＮの
他、活性層よりもバンドギャップの大きいＩｎＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等が形成でき、クラッド層４と
同様に、ＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１
以下のＡｌＧａＮ（ＧａＮも含む）が好ましい。ｐ型に
するには、半導体層成長中にアクセプター不純物をドー
プした後、４００℃以上、好ましくは６００℃以上でア
ニーリングすることによりｐ型とできる。アクセプター
不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ等のＩＩ族元素が挙
げられ、またＣ（炭素）もアクセプター不純物として作
用する。その中でもＭｇを好ましい不純物として用いる
ことができる。また、コンタクト層をクラッド層として
作用させる場合には、このクラッド層６も省略可能であ
る。
他、活性層よりもバンドギャップの大きいＩｎＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等が形成でき、クラッド層４と
同様に、ＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１
以下のＡｌＧａＮ（ＧａＮも含む）が好ましい。ｐ型に
するには、半導体層成長中にアクセプター不純物をドー
プした後、４００℃以上、好ましくは６００℃以上でア
ニーリングすることによりｐ型とできる。アクセプター
不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ等のＩＩ族元素が挙
げられ、またＣ（炭素）もアクセプター不純物として作
用する。その中でもＭｇを好ましい不純物として用いる
ことができる。また、コンタクト層をクラッド層として
作用させる場合には、このクラッド層６も省略可能であ
る。
【００１５】次に、本発明の特徴とする電流狭窄層７で
あるが、電流狭窄層７はｉ型もしくはｎ型とする必要が
ある。電流狭窄層７がｉ型の場合、活性層５よりも上、
つまりｐ型クラッド層６側に形成されていればよく、例
えば図１に示すようにｐ型クラッド層６とｐ型コンタク
ト層８との間に形成することも可能であるし、活性層５
とｐ型クラッド層６との間に形成することも可能であ
り、またｐ型コンタクト層８と正電極１０との間に形成
することも可能である。但し、活性層に近い層に形成す
る方がさらに好ましい。さらにまた、ｐ型クラッド層
６、またはｐ型コンタクト層８の中に中間層として形成
することも可能である。一方、電流狭窄層７がｎ型の場
合も同様にｐ型クラッド層側に形成されていればよく、
例えば、図１に示すようなｐ型クラッド層６とｐ型コン
タクト層８との間、またｐ型コンタクト層８と正電極１
０との間、ｐ型コンタクト層８の内部、ｐ型クラッド層
６の内部等に形成することができる。但し、活性層５が
ｎ型である場合、電流狭窄層もｎ型であるので、活性層
５とｐ型クラッド層６との間に形成することはできな
い。
あるが、電流狭窄層７はｉ型もしくはｎ型とする必要が
ある。電流狭窄層７がｉ型の場合、活性層５よりも上、
つまりｐ型クラッド層６側に形成されていればよく、例
えば図１に示すようにｐ型クラッド層６とｐ型コンタク
ト層８との間に形成することも可能であるし、活性層５
とｐ型クラッド層６との間に形成することも可能であ
り、またｐ型コンタクト層８と正電極１０との間に形成
することも可能である。但し、活性層に近い層に形成す
る方がさらに好ましい。さらにまた、ｐ型クラッド層
６、またはｐ型コンタクト層８の中に中間層として形成
することも可能である。一方、電流狭窄層７がｎ型の場
合も同様にｐ型クラッド層側に形成されていればよく、
例えば、図１に示すようなｐ型クラッド層６とｐ型コン
タクト層８との間、またｐ型コンタクト層８と正電極１
０との間、ｐ型コンタクト層８の内部、ｐ型クラッド層
６の内部等に形成することができる。但し、活性層５が
ｎ型である場合、電流狭窄層もｎ型であるので、活性層
５とｐ型クラッド層６との間に形成することはできな
い。
【００１６】電流狭窄層７はＡｌＧａＮの他はＩｎＡｌ
ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等の材料が形成可能である
が、好ましくはＡｌＧａＮを形成する。特に前記のよう
にＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１以下の
ＡｌＧａＮを形成することが好ましい。ＡｌＧａＮは活
性層およびクラッド層に対して、格子定数のミスマッチ
が少なく、格子欠陥が少なくて結晶性のよい半導体層が
実現できるからである。特にクラッド層またはコンタク
ト層を、少なくともＡｌを含む窒化ガリウム系化合物半
導体とした際には、電流狭窄層をＡｌＧａＮとすること
が最適である。
ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等の材料が形成可能である
が、好ましくはＡｌＧａＮを形成する。特に前記のよう
にＡｌのＧａに対する混晶比（Ａｌ／Ｇａ）が１以下の
ＡｌＧａＮを形成することが好ましい。ＡｌＧａＮは活
性層およびクラッド層に対して、格子定数のミスマッチ
が少なく、格子欠陥が少なくて結晶性のよい半導体層が
実現できるからである。特にクラッド層またはコンタク
ト層を、少なくともＡｌを含む窒化ガリウム系化合物半
導体とした際には、電流狭窄層をＡｌＧａＮとすること
が最適である。
【００１７】ｎ型の電流狭窄層には、前述のようにノン
ドープの窒化ガリウム系化合物半導体、またはＳｉ、Ｇ
ｅ等のドナー不純物をドープした窒化ガリウム系化合物
半導体が形成でき、ｉ型にはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプタ
ー不純物を適量ドープしてｉ型にした窒化ガリウム系化
合物半導体が形成できる。但し、本発明においてｉ（in
sulator）型とは抵抗率１０3Ω・cm以上を指すものとす
る。
ドープの窒化ガリウム系化合物半導体、またはＳｉ、Ｇ
ｅ等のドナー不純物をドープした窒化ガリウム系化合物
半導体が形成でき、ｉ型にはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプタ
ー不純物を適量ドープしてｉ型にした窒化ガリウム系化
合物半導体が形成できる。但し、本発明においてｉ（in
sulator）型とは抵抗率１０3Ω・cm以上を指すものとす
る。
【００１８】次にｐ型コンタクト層８はＧａＮの他、Ａ
ｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等が形成でき、
その中でもＧａＮが最も結晶性がよいものが得られ、ま
た電極との接着性もよいため最適である。ｐ型にするに
は、前記ｐ型クラッド層と同様にアクセプター不純物が
ドープされた半導体層を４００℃以上でアニーリングす
ることにより実現できる。また、ｐ型コンタクト層８、
ｐ型クラッド層６のいずれかを省略して、コンタクト層
およびクラッド層として作用させてもよい。
ｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等が形成でき、
その中でもＧａＮが最も結晶性がよいものが得られ、ま
た電極との接着性もよいため最適である。ｐ型にするに
は、前記ｐ型クラッド層と同様にアクセプター不純物が
ドープされた半導体層を４００℃以上でアニーリングす
ることにより実現できる。また、ｐ型コンタクト層８、
ｐ型クラッド層６のいずれかを省略して、コンタクト層
およびクラッド層として作用させてもよい。
【００１９】さらに、本発明のレーザ素子では、レーザ
の共振面となる反射鏡の内の少なくとも一方は、酸化物
が積層された多層膜とされている。図１では反射鏡はｐ
層側に形成された第一の反射鏡Ａと、基板側に形成され
た第二の反射鏡Ｂとから成っており、第一の反射鏡Ａお
よび第二の反射鏡Ｂを図３に示すような酸化物が積層さ
れた多層膜としている。酸化物には例えばＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）等が形成され、これらの酸化物を例えばλ／４ｎ
（λ：波長、ｎ：材料の屈折率）となる条件で多層に積
層して、発光が反射鏡で全反射する条件に設計すれば、
面発光レーザが実現できる。
の共振面となる反射鏡の内の少なくとも一方は、酸化物
が積層された多層膜とされている。図１では反射鏡はｐ
層側に形成された第一の反射鏡Ａと、基板側に形成され
た第二の反射鏡Ｂとから成っており、第一の反射鏡Ａお
よび第二の反射鏡Ｂを図３に示すような酸化物が積層さ
れた多層膜としている。酸化物には例えばＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）等が形成され、これらの酸化物を例えばλ／４ｎ
（λ：波長、ｎ：材料の屈折率）となる条件で多層に積
層して、発光が反射鏡で全反射する条件に設計すれば、
面発光レーザが実現できる。
【００２０】また、図２は本願の他の実施例を示すレー
ザ素子の断面図である。これはｐ層側に形成する第一の
反射鏡Ｃを酸化物の多層膜とし、基板側に形成する第二
の反射鏡Ｄをｎ型コンタクト層３とｎ型クラッド層４と
の間に形成し、その材料を互いに組成比の異なるＡｌＧ
ａＮを積層した多層膜としている。このように一方の反
射鏡を窒化ガリウム系化合物半導体層内に形成する際に
は、例えば互いに組成の異なるＡｌＧａＮ層を、前記の
ようにλ／４ｎとなるように交互に積層して多層膜とす
ることにより反射鏡とすることができる。この窒化ガリ
ウム系化合物半導体より成る反射鏡は、活性層５とｎ型
コンタクト層３との間、ｎ型コンタクト中であれば、ど
の層にでも形成可能である。
ザ素子の断面図である。これはｐ層側に形成する第一の
反射鏡Ｃを酸化物の多層膜とし、基板側に形成する第二
の反射鏡Ｄをｎ型コンタクト層３とｎ型クラッド層４と
の間に形成し、その材料を互いに組成比の異なるＡｌＧ
ａＮを積層した多層膜としている。このように一方の反
射鏡を窒化ガリウム系化合物半導体層内に形成する際に
は、例えば互いに組成の異なるＡｌＧａＮ層を、前記の
ようにλ／４ｎとなるように交互に積層して多層膜とす
ることにより反射鏡とすることができる。この窒化ガリ
ウム系化合物半導体より成る反射鏡は、活性層５とｎ型
コンタクト層３との間、ｎ型コンタクト中であれば、ど
の層にでも形成可能である。
【００２１】次にレーザ素子の製造方法を述べる。本発
明ではｎ型クラッド層および活性層層を形成した後、電
流狭窄層となるｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物
半導体層を先に形成した化合物半導体層（活性層、ｐ型
クラッド層、ｐ型コンタクト層等）の表面全面に形成す
る。その次にウェーハを反応容器から取り出し、先ほど
形成したｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層の一部をエッチングして、電流を集中させるべき部分
を露出させる。エッチング後、その電流狭窄層の表面に
新たにｐ型化合物半導体層、電極等を形成することによ
り、本発明のレーザ素子を得ることができる。
明ではｎ型クラッド層および活性層層を形成した後、電
流狭窄層となるｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物
半導体層を先に形成した化合物半導体層（活性層、ｐ型
クラッド層、ｐ型コンタクト層等）の表面全面に形成す
る。その次にウェーハを反応容器から取り出し、先ほど
形成したｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層の一部をエッチングして、電流を集中させるべき部分
を露出させる。エッチング後、その電流狭窄層の表面に
新たにｐ型化合物半導体層、電極等を形成することによ
り、本発明のレーザ素子を得ることができる。
【００２２】
【作用】従来のＳｉＯ2のような絶縁膜を最表面に形成
するレーザ素子は、電流が発光層近くで広がってしまう
ので電流密度が小さくなり、発振での電流が大きくな
る。電流か大きくなると発熱量が増大するため常温での
レーザ発振が難しい。一方、本発明ではｐ型層側にｉ型
またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭
窄層を形成しているので、発光層近くで電流密度を効率
よく上げることができ、常温、かつ低電流での発振が可
能となる。特に電流狭窄層の組成をＡｌXＧａ1-XＮ（０
≦X≦１）、さらに好ましくはXが０≦X≦０．５の範囲
にあるＡｌXＧａ1-XＮを電流狭窄層とすることにより、
結晶性のよい電流狭窄層が実現するので、レーザ素子の
長寿命化を実現できる。
するレーザ素子は、電流が発光層近くで広がってしまう
ので電流密度が小さくなり、発振での電流が大きくな
る。電流か大きくなると発熱量が増大するため常温での
レーザ発振が難しい。一方、本発明ではｐ型層側にｉ型
またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭
窄層を形成しているので、発光層近くで電流密度を効率
よく上げることができ、常温、かつ低電流での発振が可
能となる。特に電流狭窄層の組成をＡｌXＧａ1-XＮ（０
≦X≦１）、さらに好ましくはXが０≦X≦０．５の範囲
にあるＡｌXＧａ1-XＮを電流狭窄層とすることにより、
結晶性のよい電流狭窄層が実現するので、レーザ素子の
長寿命化を実現できる。
【００２３】電流狭窄層がｎ型である場合、順方向では
ｎからｐに電流は流れず、ｐ−ｎ接合部に電流を集中さ
せて優れた電流狭窄層として作用する。一方ほぼ、絶縁
体であるｉ型の場合も同様に抵抗率の低い箇所に電流を
集中させて優れた電流狭窄層として作用する。
ｎからｐに電流は流れず、ｐ−ｎ接合部に電流を集中さ
せて優れた電流狭窄層として作用する。一方ほぼ、絶縁
体であるｉ型の場合も同様に抵抗率の低い箇所に電流を
集中させて優れた電流狭窄層として作用する。
【００２４】また図１、図２および図３に示すように、
ｐ型コンタクト層表面に形成する第一の反射鏡を酸化物
層とすると、波長に応じて容易に反射鏡の膜厚、種類が
設計可能となり、また蒸着、スパッタ等のＣＶＤ技術を
用いれば、膜厚の制御も容易に可能となる。
ｐ型コンタクト層表面に形成する第一の反射鏡を酸化物
層とすると、波長に応じて容易に反射鏡の膜厚、種類が
設計可能となり、また蒸着、スパッタ等のＣＶＤ技術を
用いれば、膜厚の制御も容易に可能となる。
【００２５】
［実施例１］この実施例は図１の構造のレーザ素子を得
る例を示しており、図１を元に説明する。まずサファイ
ア基板１のＣ面（０００１）上にＧａＮよりなるバッフ
ァ層２を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
バッファ層２の上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させる。次
に同じくＳｉをドープしたｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりな
るｎ型クラッド層４を０．２μｍの膜厚で成長させる。
続いてＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりな
る活性層５を０．１μｍの膜厚で成長させる。次にＭｇ
をドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラ
ッド層６を０．２μｍで成長させる。次に電流狭窄層と
して、ノンドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる層を
成長させる。
る例を示しており、図１を元に説明する。まずサファイ
ア基板１のＣ面（０００１）上にＧａＮよりなるバッフ
ァ層２を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
バッファ層２の上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させる。次
に同じくＳｉをドープしたｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりな
るｎ型クラッド層４を０．２μｍの膜厚で成長させる。
続いてＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりな
る活性層５を０．１μｍの膜厚で成長させる。次にＭｇ
をドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラ
ッド層６を０．２μｍで成長させる。次に電流狭窄層と
して、ノンドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる層を
成長させる。
【００２６】ノンドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を成長
させた後、ウェーハを反応容器から取り出し、ｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層の表面をフォトリソグラフィー技術を用
いて部分的にエッチングし、およそ１０μｍφのｐ型ク
ラッド層６が露出した電流狭窄層７を形成する。
させた後、ウェーハを反応容器から取り出し、ｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層の表面をフォトリソグラフィー技術を用
いて部分的にエッチングし、およそ１０μｍφのｐ型ク
ラッド層６が露出した電流狭窄層７を形成する。
【００２７】電流狭窄層７形成後、ウェーハを再び反応
容器に入れ、電流狭窄層７の表面にＭｇドープＧａＮよ
りなるｐ型コンタクト層８を成長させる。
容器に入れ、電流狭窄層７の表面にＭｇドープＧａＮよ
りなるｐ型コンタクト層８を成長させる。
【００２８】ｐ型コンタクト層８成長後、ウェーハを反
応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層のほぼ全面にＳ
ｉＯ2とＴｉＯ2よりなる多層膜を２層以上蒸着により積
層して、同様にフォトリソグラフィー技術を用いて多層
膜を所定の形状にして第一の反射鏡Ａを作成する。
応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層のほぼ全面にＳ
ｉＯ2とＴｉＯ2よりなる多層膜を２層以上蒸着により積
層して、同様にフォトリソグラフィー技術を用いて多層
膜を所定の形状にして第一の反射鏡Ａを作成する。
【００２９】一方、サファイア基板側にも同様にＳｉＯ
2とＴｉＯ2よりなる多層膜を２層以上積層して、第二の
反射鏡Ｂを形成する。
2とＴｉＯ2よりなる多層膜を２層以上積層して、第二の
反射鏡Ｂを形成する。
【００３０】後は常法に従い、ウェーハにエッチングを
行い、負電極９を形成すべきｎ型コンタクト層を露出さ
せてＴｉ−Ａｌよりなる負電極９を形成し、一方ｐコン
タクト層にもＮｉ−Ａｕよりなる正電極を１０を形成し
た後、チップ状に分離することにより図１に示すような
構造のレーザ素子を得る。
行い、負電極９を形成すべきｎ型コンタクト層を露出さ
せてＴｉ−Ａｌよりなる負電極９を形成し、一方ｐコン
タクト層にもＮｉ−Ａｕよりなる正電極を１０を形成し
た後、チップ状に分離することにより図１に示すような
構造のレーザ素子を得る。
【００３１】以上のようにして得たレーザ素子をダイヤ
モンドヒートシンク上にマウントしてレーザダイオード
としたところ、常温で、しきい値電流１００ｍＡにおい
て３８０ｎｍのレーザ光を発振し、４０時間以上の連続
発振を確認した。
モンドヒートシンク上にマウントしてレーザダイオード
としたところ、常温で、しきい値電流１００ｍＡにおい
て３８０ｎｍのレーザ光を発振し、４０時間以上の連続
発振を確認した。
【００３２】［実施例２］図４および図５を元に実施例
２を説明する。図４は実施例２で得られたレーザ素子の
構造を示す模式断面図であり、図５は図４のレーザ素子
を電極側から見た平面図である。
２を説明する。図４は実施例２で得られたレーザ素子の
構造を示す模式断面図であり、図５は図４のレーザ素子
を電極側から見た平面図である。
【００３３】図４に示すように、サファイア基板１のＣ
面にＧａＮよりなるバッファ層２、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎよりなるｎ型コンタクト層３、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.
2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層４、Ｓｉドープｎ型
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型活性層５、Ｍｇドープ
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層６、ノン
ドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流狭窄層７、Ｍ
ｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８を実施例１
と同様にして積層する。
面にＧａＮよりなるバッファ層２、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎよりなるｎ型コンタクト層３、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.
2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層４、Ｓｉドープｎ型
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型活性層５、Ｍｇドープ
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層６、ノン
ドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流狭窄層７、Ｍ
ｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８を実施例１
と同様にして積層する。
【００３４】ｐ型コンタクト層８成長後、正電極１０を
ｐ型コンタクト層８のほぼ全面に形成する。正電極形成
後、常法に従ってエッチングを行い、負電極９を形成す
べきｎ型コンタクト層を露出させ、図５に示すような形
状で負電極を形成する。
ｐ型コンタクト層８のほぼ全面に形成する。正電極形成
後、常法に従ってエッチングを行い、負電極９を形成す
べきｎ型コンタクト層を露出させ、図５に示すような形
状で負電極を形成する。
【００３５】両電極形成後、ウェーハをチップ状に分離
し、分離したチップの両側面に図４の破線に示すような
形状でＴｉＯ2とＳｉＯ2よりなる多層膜を２層以上積層
して第一の反射鏡Ｅと第二の反射鏡Ｆとを形成し、レー
ザ素子とした。
し、分離したチップの両側面に図４の破線に示すような
形状でＴｉＯ2とＳｉＯ2よりなる多層膜を２層以上積層
して第一の反射鏡Ｅと第二の反射鏡Ｆとを形成し、レー
ザ素子とした。
【００３６】以上のようにして得たレーザ素子をダイヤ
モンドヒートシンク上にマウントしてレーザダイオード
としたところ、実施例１と同様に、常温でしきい値電流
１００ｍＡにおいて３８０ｎｍのレーザ光を発振し、４
０時間以上の連続発振を確認した。
モンドヒートシンク上にマウントしてレーザダイオード
としたところ、実施例１と同様に、常温でしきい値電流
１００ｍＡにおいて３８０ｎｍのレーザ光を発振し、４
０時間以上の連続発振を確認した。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ｉ型もしくはｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層を活性層
とｐ型層との間に形成しているので、発振の際のしきい
値電流が低くなり、発熱量が少なくできるので、常温で
のレーザ発振が可能となる。このように、紫外、青色の
短波長領域でのレーザ素子は産業上有用である。
化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層を活性層
とｐ型層との間に形成しているので、発振の際のしきい
値電流が低くなり、発熱量が少なくできるので、常温で
のレーザ発振が可能となる。このように、紫外、青色の
短波長領域でのレーザ素子は産業上有用である。
【図１】 本発明の一実施例のレーザ素子の構造を示す
模式断面図。
模式断面図。
【図２】 本発明の他の実施例のレーザ素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図３】 図１及び図２の第一の反射鏡の構造を拡大し
て示す模式断面図。
て示す模式断面図。
【図４】 本発明の他の実施例のレーザ素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図５】 図４のレーザ素子を正電極側から見た平面
図。
図。
１・・・・サファイア基板 ２・・・・バ
ッファ層 ３・・・・ｎ型コンタクト層 ４・・・・ｎ
型クラッド層 ５・・・・活性層 ６・・・・ｐ
型クラッド層 ７・・・・電流狭窄層 ８・・・・ｐ
型コンタクト層 ９・・・・負電極 １０・・・・正
電極 Ａ、Ｃ、Ｅ・・・・第一の反射鏡 Ｂ、Ｄ、Ｆ・・
・・第二の反射鏡
ッファ層 ３・・・・ｎ型コンタクト層 ４・・・・ｎ
型クラッド層 ５・・・・活性層 ６・・・・ｐ
型クラッド層 ７・・・・電流狭窄層 ８・・・・ｐ
型コンタクト層 ９・・・・負電極 １０・・・・正
電極 Ａ、Ｃ、Ｅ・・・・第一の反射鏡 Ｂ、Ｄ、Ｆ・・
・・第二の反射鏡
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層がｎ型クラッド層とｐ型クラッド
層とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半導
体よりなるレーザ素子において、前記活性層よりｐ型ク
ラッド層側に、ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物
半導体よりなる電流狭窄層を備えることを特徴とする窒
化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記電流狭窄層がＡｌXＧａ1-XＮ（０≦
X≦１）よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒
化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 レーザ素子の一対の反射鏡の内の少なく
とも一方は、酸化物が積層された多層膜とされているこ
とを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 基板上に少なくともｎ型クラッド層と活
性層とｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層
とを形成し、前記ｎ型またはｉ型の窒化ガリウム系化合
物半導体層の一部をエッチングして取り除いた後、その
ｉ型またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を電流狭
窄層とすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導
体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22292094A JPH0888441A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22292094A JPH0888441A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888441A true JPH0888441A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16789939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22292094A Pending JPH0888441A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888441A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167735A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| WO1998019375A1 (fr) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Hitachi, Ltd. | Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent |
| JPH10173294A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-26 | Canon Inc | 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス |
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| US6031858A (en) * | 1996-09-09 | 2000-02-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| US6580736B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-06-17 | Sanyo Electric Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US6590919B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride group compound semiconductor laser device and method for producing the same |
| US6661822B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6683175B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
| US6803932B2 (en) | 2002-08-22 | 2004-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| US7418014B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-08-26 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser, and method for manufacturing the same, optical switch, and optical branching ratio variable element |
| US7785762B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-08-31 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| JP2014160872A (ja) * | 2014-05-26 | 2014-09-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2019525485A (ja) * | 2016-08-08 | 2019-09-05 | フィニサー コーポレイション | エッチングされた平坦化ｖｃｓｅｌ |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22292094A patent/JPH0888441A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167735A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| US6031858A (en) * | 1996-09-09 | 2000-02-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| US6400742B1 (en) | 1996-09-09 | 2002-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| JPH10173294A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-26 | Canon Inc | 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス |
| US6639925B2 (en) | 1996-10-30 | 2003-10-28 | Hitachi, Inc. | Optical information processing equipment and semiconductor light emitting device suitable therefor |
| WO1998019375A1 (fr) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Hitachi, Ltd. | Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent |
| US6542526B1 (en) * | 1996-10-30 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Optical information processor and semiconductor light emitting device suitable for the same |
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| US6242761B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting device |
| US6590919B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride group compound semiconductor laser device and method for producing the same |
| US6580736B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-06-17 | Sanyo Electric Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US6661822B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6683175B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
| US6833227B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus |
| US6803932B2 (en) | 2002-08-22 | 2004-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| US7418014B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-08-26 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser, and method for manufacturing the same, optical switch, and optical branching ratio variable element |
| US7785762B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-08-31 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| JP2014160872A (ja) * | 2014-05-26 | 2014-09-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2019525485A (ja) * | 2016-08-08 | 2019-09-05 | フィニサー コーポレイション | エッチングされた平坦化ｖｃｓｅｌ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3374737B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3744211B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3223832B2 (ja) | 窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード | |
| JPH08228025A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3835225B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP5098135B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002033512A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| JPH10145000A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH0888441A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3375042B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3523700B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3446660B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3301601B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3651260B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3275810B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH09260772A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3314641B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3448196B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2004104088A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3441883B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4628651B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| KR20050042715A (ko) | 전극 구조체, 이를 구비하는 반도체 발광 소자 및 그제조방법 | |
| JP3772651B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP5156347B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2005101536A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 |