JP2020160258A - 電子写真感光体および画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
該表面被覆層は、表面側の光導電層と、該光導電層よりも前記基体側に位置する電荷注入阻止層と、該電荷注入阻止層よりも前記基体側に位置する耐電圧層と、を含み、該耐電圧層は、アモルファス窒化シリコン含有層である。
前記耐電圧層に関して測定されたラマンスペクトルを波形分離またはフィッティング処理して得られる複数のピーク波形のうち、縦光学フォノンに対応するピーク波形の面積をLO、横光学フォノンに対応するピーク波形の面積をTO、としたとき、
前記TOに対する前記LOの比である〔LO/TO〕の値が、1.56以上1.90以下である。
図1(b)に示すように、表面被覆層の最表面(図示上側)に位置する表面保護層23は、後記の光導電層22の表面を保護する役割を有するものである。表面保護層23は、たとえばアモルファス炭化シリコン(a−SiC)あるいはアモルファス窒化シリコン(a−SiN)などのアモルファスシリコン(a−Si)系材料または、アモルファスカーボン(a−C)を用いるか、あるいはそれらの多層構造とすればよい。実施形態では、耐摩耗性の観点から、耐性の高いa−Cが採用される。表面保護層23の好適な厚さは、たとえば0.1〜2μm、より具体的には0.5〜1.5μmである。
<電子写真感光体の作製>
供試品(サンプル)となる電子写真感光体は、アルミニウム合金製の円筒管(外径30mmφ、筒長254mm)準備し、その管の外周面に鏡面加工を施して洗浄したものを、成膜用の基体として用意した。そして、グロー放電分解成膜装置を使用して、下記の「表1」に示す条件で、前述の基体の表面に、各層を順次形成した。
複数個作製した電子写真感光体のうち、測定したラマンスペクトルにおける耐電圧層の〔LO/TO〕値が1.32〜1.34の範囲内のもの10本を選び、この耐電圧層が形成された各基体の上に、前述の表面被覆層の積層を続行して、「サンプルA群」(グループ)の電子写真感光体を作製した。なお、10本平均の耐電圧層の〔LO/TO〕値は1.33であった。
サンプルの耐電圧層のラマンスペクトルの測定は、以下の条件にて行なった。なお、測定に用いた機器は、レーザーラマン顕微鏡(ナノフォトン社製 RAMANtouch)である。
・測定条件
レーザー波長:532nm
レーザー強度:436mW
露光時間:120秒
顕微鏡を用いた、サンプルの端部の観察により、長径が0.2μmを超える「層剥離」が、1箇所でも見られたものを「1本」とカウントして、サンプル群(10本)あたりの、層剥離が発生したサンプル本数を評価した。なお、結果は、10本あたりの剥離確認本数を、%で表示している(1本=10%)。
同様に、顕微鏡を用いた端部の観察により、長径が0.2μmを超える「層剥離」が1箇所以上見られたサンプルについて、この0.2μmを超える層剥離が何箇所存在するかを、目視によりカウントした。サンプル群10本を全て観察し、層剥離の発生箇所数(個数)を合計して、1本あたりの、層剥離の発生箇所の平均個数(発生の頻度)を算出し、評価とした。なお、平均値計算の母数には、「層剥離」が1つも見られないサンプルも含まれている。
1a 外周面
1b 端面
1c 面取り面
10 電子写真感光体
11 耐電圧層
21 電荷注入阻止層
22 光導電層
23 表面保護層
100 画像形成装置
Claims (3)
- 導電性の基体と、前記基体の外表面を被覆する表面被覆層と、を備え、
該表面被覆層は、
表面側の光導電層と、
該光導電層よりも前記基体側に位置する電荷注入阻止層と、
該電荷注入阻止層よりも前記基体側に位置する耐電圧層と、を含み、
該耐電圧層は、アモルファス窒化シリコン含有層であり、
前記耐電圧層に関して測定されたラマンスペクトルを波形分離して得られる複数のピーク波形のうち、
縦光学フォノンに対応するピーク波形の面積をLO、
横光学フォノンに対応するピーク波形の面積をTO、としたとき、
前記TOに対する前記LOの比である〔LO/TO〕の値が、1.56以上である、電子写真感光体。 - 前記耐電圧層の厚さが、0.5〜20μmである、請求項1に記載の電子写真感光体。
- 請求項1または2に記載の電子写真感光体を備える画像形成装置。
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JPH11305471A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
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