JP2020155556A - 熱電モジュール及び光モジュール - Google Patents
熱電モジュール及び光モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020155556A JP2020155556A JP2019051808A JP2019051808A JP2020155556A JP 2020155556 A JP2020155556 A JP 2020155556A JP 2019051808 A JP2019051808 A JP 2019051808A JP 2019051808 A JP2019051808 A JP 2019051808A JP 2020155556 A JP2020155556 A JP 2020155556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffusion prevention
- thermoelectric module
- thermoelectric
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 88
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 38
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000009791 electrochemical migration reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 bismuth tellurium compound Chemical class 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020712 Co—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMGBMIYXUJCHG-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Ir] Chemical compound [Sb].[Ir] TVMGBMIYXUJCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- UFIKNOKSPUOOCL-UHFFFAOYSA-N antimony;cobalt Chemical compound [Sb]#[Co] UFIKNOKSPUOOCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMLUQMQPJQWTFK-UHFFFAOYSA-N arsanylidynecobalt Chemical compound [As]#[Co] NMLUQMQPJQWTFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N11/00—Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
<光モジュール>
図1は、本実施形態に係る光モジュール100を示す断面図である。光モジュール100は、例えば光通信に使用される。図1に示すように、光モジュール100は、熱電モジュール1と、発光素子101と、ヒートシンク102と、第1ヘッダ103と、受光素子104と、第2ヘッダ105と、温度センサ106と、金属板107と、レンズ108と、レンズホルダ109と、第1端子110と、第2端子111と、ワイヤ112と、ハウジング113とを備える。
図2は、本実施形態に係る熱電モジュール1を示す断面図である。図3は、本実施形態に係る熱電モジュール1の一部を示す拡大断面図である。
図4は、本実施形態に係る熱電モジュール1の製造方法を示すフローチャートである。基板2の第1面2Aに第1電極層4Aが形成され、基板2の第2面2Bに第1金属層7が形成される。例えば基板2をメッキ処理することにより、第1電極層4A及び第1金属層7が形成される(ステップSA1)。
以上説明したように、本実施形態によれば、第1拡散防止層5が、水素よりもイオン化傾向の低い材料によって形成される。これにより、熱電モジュール1が結露した状態で通電されても、エレクトロケミカルマイグレーションの発生が抑制される。そのため、電極又は拡散防止層として用いられる金属の移動に起因する電気的短絡又は断線の発生が抑制される。また、エレクトロケミカルマイグレーションに起因する熱電素子3の劣化が抑制される。したがって、熱電モジュール1の性能は長期間維持される。
第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。
図5は、本実施形態に係る熱電モジュール1を示す断面図である。図6は、本実施形態に係る熱電モジュール1の一部を示す拡大断面図である。
図7は、本実施形態に係る熱電モジュール1の製造方法を示すフローチャートである。基板2の第1面2Aに第1電極層4Aが形成され、基板2の第2面2Bに第1金属層7が形成される。例えば基板2をメッキ処理することにより、第1電極層4A及び第1金属層7が形成される(ステップSA1)。
以上説明したように、本実施形態においては、第1拡散防止層5は、ニッケルのような水素よりもイオン化傾向の高い材料で形成された第2材料層52を含む。第2材料層52の表面(露出面)は、水素よりもイオン化傾向の低い材料で形成された第1材料層51で覆われる。これにより、熱電モジュール1が結露しても、第2材料層52に水分が接触することが抑制される。そのため、熱電素子3が通電されても、エレクトロケミカルマイグレーションの発生が抑制される。したがって、電極又は拡散防止層として用いられる金属の移動に起因する電気的短絡又は断線の発生が抑制される。また、熱電素子3の劣化が抑制され、熱電モジュール1の性能は長期間維持される。
図8は、本実施形態に係る熱電モジュール1の一部を示す拡大断面図である。図8に示すように、第1材料層51は、第2材料層52の表面を覆う第1材料層51Aと、熱電素子3の表面を覆う第1材料層51Bとを含んでもよい。例えば上述のステップSBbにおいて、熱電素子3に設けられた第2材料層52の表面に第1材料層51Aが形成され、第2材料層52が設けられた熱電素子3の表面に第1材料層51Bが形成されてもよい。
第1拡散防止層5が水素よりもイオン化傾向の低い材料のみで形成され、第2拡散防止層9が第3材料層91及び第4材料層94を含んでもよい。第1拡散防止層5が第1材料層51及び第2材料層52を含み、第2拡散防止層9が水素よりもイオン化傾向の低い材料のみで形成されてもよい。
Claims (14)
- 基板と、
前記基板の第1面に設けられる電極と、
熱電素子と、
前記電極と前記熱電素子との間に配置される第1拡散防止層と、を備え、
前記第1拡散防止層は、水素よりもイオン化傾向の低い第1材料を含む、
熱電モジュール。 - 前記電極と前記第1拡散防止層との間に設けられる接合層を備え、
前記第1拡散防止層は、前記接合層に接触する第1接触面と、前記熱電素子に接触する第2接触面と、側面とを有し、
前記第1接触面、前記第2接触面、及び前記側面のそれぞれが、前記第1材料で形成される、
請求項1に記載の熱電モジュール。 - 前記第1拡散防止層は、水素よりもイオン化傾向の高い第2材料で形成された第2材料層と、前記第1材料で形成され前記第2材料層の側面を被覆する第1材料層と、を含む、
請求項1に記載の熱電モジュール。 - 前記電極と前記第1拡散防止層との間に設けられる接合層を備え、
前記第1材料層の少なくとも一部は、前記接合層と前記第2材料層との間に配置され、
前記第2材料層は、前記熱電素子に接触する、
請求項3に記載の熱電モジュール。 - 前記第2材料は、ニッケルを含む、
請求項3又は請求項4に記載の熱電モジュール。 - 前記第1材料は、パラジウム、白金、金、及びロジウムの少なくとも一つを含む、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の熱電モジュール。 - 前記基板の第2面に設けられる第1金属層と、
第2金属層と、
前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置される第2拡散防止層と、を備え、
前記第2拡散防止層は、水素よりもイオン化傾向の低い第3材料を含む、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の熱電モジュール。 - 基板と、
前記基板の第2面に設けられる第1金属層と、
第2金属層と、
前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置される第2拡散防止層と、を備え、
前記第2拡散防止層は、水素よりもイオン化傾向の低い第3材料を含む、
熱電モジュール。 - 前記第2拡散防止層は、前記第1金属層に接触する第3接触面及び前記第2金属層に接触する第4接触面を有し、
前記第3接触面及び前記第4接触面のそれぞれが、前記第3材料で形成される、
請求項7又は請求項8に記載の熱電モジュール。 - 前記第2拡散防止層は、水素よりもイオン化傾向の高い第4材料で形成された第4材料層と、前記第3材料で形成され前記第4材料層と前記第2金属層との間に配置される第3材料層と、を含む、
請求項9に記載の熱電モジュール。 - 前記第3材料層は、前記第2金属層に接触し、
前記第4材料層は、前記第1金属層に接触する、
請求項10に記載の熱電モジュール。 - 前記第4材料は、ニッケルを含む、
請求項10又は請求項11に記載の熱電モジュール。 - 前記第3材料は、パラジウム、白金、金、及びロジウムの少なくとも一つを含む、
請求項7から請求項12のいずれか一項に記載の熱電モジュール。 - 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の熱電モジュールと、
前記熱電モジュールにより温度調整される発光素子と、を備える、
光モジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019051808A JP7267791B2 (ja) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 熱電モジュール及び光モジュール |
PCT/JP2020/011573 WO2020189650A1 (ja) | 2019-03-19 | 2020-03-16 | 熱電モジュール及び光モジュール |
US17/437,167 US20220173298A1 (en) | 2019-03-19 | 2020-03-16 | Thermoelectric module and optical module |
CN202080021870.0A CN113574687B (zh) | 2019-03-19 | 2020-03-16 | 热电模块及光模块 |
KR1020217028269A KR102567153B1 (ko) | 2019-03-19 | 2020-03-16 | 열전 모듈 및 광 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019051808A JP7267791B2 (ja) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 熱電モジュール及び光モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155556A true JP2020155556A (ja) | 2020-09-24 |
JP7267791B2 JP7267791B2 (ja) | 2023-05-02 |
Family
ID=72520832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019051808A Active JP7267791B2 (ja) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 熱電モジュール及び光モジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220173298A1 (ja) |
JP (1) | JP7267791B2 (ja) |
KR (1) | KR102567153B1 (ja) |
CN (1) | CN113574687B (ja) |
WO (1) | WO2020189650A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022169072A1 (ko) * | 2021-02-08 | 2022-08-11 | 한국재료연구원 | 전기도금법으로 형성된 접합층 및 확산방지 구조를 포함하는 소자 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050863A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 熱電モジュール |
JP2006128522A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 熱−電気直接変換装置 |
JP2010192764A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Kelk Ltd | 熱電変換モジュール、熱電変換モジュール用基板及び熱電半導体素子 |
JP2017143111A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 日立化成株式会社 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024913A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極および発光素子 |
JP2008277584A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Yamaha Corp | 熱電用基板部材、熱電モジュール及びそれらの製造方法 |
JP6145609B2 (ja) | 2014-12-09 | 2017-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換モジュール及び熱電変換システム |
JP6587099B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末及びその製造方法並びにこの粉末を用いたハンダ用ペーストの調製方法 |
CN109037407B (zh) * | 2018-08-03 | 2024-04-23 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 半导体发光芯片及其制造方法 |
-
2019
- 2019-03-19 JP JP2019051808A patent/JP7267791B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-16 KR KR1020217028269A patent/KR102567153B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-16 US US17/437,167 patent/US20220173298A1/en active Pending
- 2020-03-16 WO PCT/JP2020/011573 patent/WO2020189650A1/ja active Application Filing
- 2020-03-16 CN CN202080021870.0A patent/CN113574687B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050863A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 熱電モジュール |
JP2006128522A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 熱−電気直接変換装置 |
JP2010192764A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Kelk Ltd | 熱電変換モジュール、熱電変換モジュール用基板及び熱電半導体素子 |
JP2017143111A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 日立化成株式会社 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022169072A1 (ko) * | 2021-02-08 | 2022-08-11 | 한국재료연구원 | 전기도금법으로 형성된 접합층 및 확산방지 구조를 포함하는 소자 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113574687B (zh) | 2024-02-20 |
KR20210124370A (ko) | 2021-10-14 |
CN113574687A (zh) | 2021-10-29 |
KR102567153B1 (ko) | 2023-08-16 |
JP7267791B2 (ja) | 2023-05-02 |
WO2020189650A1 (ja) | 2020-09-24 |
US20220173298A1 (en) | 2022-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0969525B1 (en) | Thermoelectric module and solder for use in its manufacture | |
US7834370B2 (en) | Semiconductor light emitting device, illuminating device, mobile communication device, camera, and manufacturing method therefor | |
WO2020189650A1 (ja) | 熱電モジュール及び光モジュール | |
EP3940799A1 (en) | Thermoelectric conversion module | |
JP5713526B2 (ja) | 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置 | |
JP4363958B2 (ja) | 熱電変換モジュール及びその製造方法 | |
US20210119099A1 (en) | Thermoelectric module and method for manufacturing thermoelectric module post | |
JP7461138B2 (ja) | 熱電モジュール及び光モジュール | |
JP7461137B2 (ja) | 熱電モジュール及び光モジュール | |
WO2021124757A1 (ja) | 熱電モジュール及び光モジュール | |
JP7373353B2 (ja) | 熱電モジュール、及び熱電モジュール用ポストの製造方法 | |
JP3935062B2 (ja) | 熱電モジュール | |
US20220199885A1 (en) | Thermoelectric module | |
JP4294965B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2023175395A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2005050862A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2021064726A (ja) | 熱電モジュール、及び熱電モジュール用ポストの製造方法 | |
JP2011114139A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JPWO2010024229A1 (ja) | 熱電素子および熱電モジュール | |
JP2003282971A (ja) | 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール | |
JP2005217028A (ja) | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20220202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7267791 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |