CN113574687A - 热电模块及光模块 - Google Patents

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Abstract

热电模块(1)具备：基板(2)；电极(4)，其设置于基板的第一面(2A)；热电元件(3)；第一防扩散层(5)，其配置于电极和热电元件之间。第一防扩散层包含离子化倾向比氢低的第一材料。

Description

热电模块及光模块
技术领域
本发明涉及热电模块及光模块。
背景技术
已知有一种通过珀耳帖效应进行吸热或发热的热电模块。通过对热电模块的热电元件通电，热电模块进行吸热或发热。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016－111326号公报
发明内容
发明所要解决的问题
当在热电模块结露的状态下通电时，有可能产生电化学迁移，且产生因作为电极或防扩散层使用的金属的移动引起的电短路或断线。
本发明一方式的目的在于提供能够抑制电短路或断线的产生的热电模块。
用于解决问题的技术方案
根据本发明的方式，提供一种热电模块，其具备：基板；电极，其设置于所述基板的第一面；热电元件；第一防扩散层，其配置于所述电极和所述热电元件之间，所述第一防扩散层包含离子化倾向比氢低的第一材料。
发明效果
根据本发明的方式，提供一种能够抑制电短路或断线的产生的热电模块。
附图说明
图1是表示第一实施方式的光模块的剖视图。
图2是表示第一实施方式的热电模块的剖视图。
图3是表示第一实施方式的热电模块的一部分的放大剖视图。
图4是表示第一实施方式的热电模块的制造方法的流程图。
图5是表示第二实施方式的热电模块的剖视图。
图6是表示第二实施方式的热电模块的一部分的放大剖视图。
图7是表示第二实施方式的热电模块的制造方法的流程图。
图8是表示第二实施方式的热电模块的一部分的放大剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限定于此。以下说明的多个实施方式的构成要件能够适当组合。另外，也有时不使用一部分的构成要件。
在以下的说明中，设定XYZ正交坐标系，并参照该XYZ正交坐标系对各部的位置关系进行说明。将与规定面内的X轴平行的方向设为X轴方向、将和在规定面内与X轴正交的Y轴平行的方向设为Y轴方向、将和与规定面正交的Z轴平行的方向设为Z轴方向。X轴、Y轴以及Z轴正交。另外，将包含X轴及Y轴的平面设为XY平面、将包含Y轴及Z轴的平面设为YZ平面、将包含Z轴及X轴的平面设为XZ平面。XY平面与规定面平行。XY平面、YZ平面以及XZ平面正交。
[第一实施方式]
＜光模块＞
图1是表示本实施方式的光模块100的剖视图。光模块100例如用于光通信。如图1所示，光模块100具备热电模块1、发光元件101、散热器102、第一端板(header)103、受光元件104、第二端板105、温度传感器106、金属板107、透镜108、透镜架109、第一端子110、第二端子111、线缆112、壳体113。
另外，光模块100具有光隔离器115、光纤插芯116、光纤117、套筒118。
热电模块1通过珀耳帖效应进行吸热或发热。热电模块1具有一对基板2和配置于一对基板2之间的热电元件3。
发光元件101射出光。发光元件101例如包含射出激光的激光二极管。散热器102支承发光元件101。散热器102将由发光元件101产生的热散热。第一端板103支承散热器102。散热器102固定于第一端板103。
受光元件104检测从发光元件101产生的光。受光元件104例如包含光电二极管。第二端板105支承受光元件104。受光元件104固定于第二端板105。
温度传感器106检测金属板107的温度。温度传感器106例如包含热敏电阻。
金属板107支承第一端板103、第二端板105、及温度传感器106。第一端板103、第二端板105、及温度传感器106通过焊料固定于金属板107。
透镜108将从发光元件101射出的光聚光。透镜架109保持透镜108。
第一端子110与第一端板103、第二端板105、及温度传感器106连接。第二端子111与热电模块1连接。第一端子110和第二端子111经由线缆112而连接。
壳体113收容热电模块1、发光元件101、散热器102、第一端板103、受光元件104、第二端板105、温度传感器106、金属板107、透镜108、透镜架109、第一端子110、第二端子111、及线缆112。壳体113具有从发光元件101射出的光通过的开口部114。
光隔离器115被配置为在壳体113的外侧堵塞开口部114。光隔离器115使向一方向行进的光通过，并遮断向反方向行进的光。从发光元件101射出且通过了透镜108的光经由开口部114向光隔离器115入射。入射到光隔离器115的光通过光隔离器115。
光纤插芯116将从光隔离器115射出的光导入光纤117。套筒118支承光纤插芯116。
接着，对光模块100的动作进行说明。从发光元件101射出的光在被透镜108聚光后，经由开口部114向光隔离器115入射。入射到光隔离器115的光通过光隔离器115后，经由光纤插芯116向光纤117的端面入射。
从发光元件101产生的光的至少一部分朝向受光元件104射出。受光元件104接收从发光元件101射出的光。通过受光元件104监视发光元件101的发光状态。
从发光元件101产生的热经由散热器102及第一端板103传递到金属板107。温度传感器106检测金属板107的温度。在温度传感器106检测到金属板107的温度达到规定温度的情况下，向热电模块1供给电流。通过对热电模块1的热电元件3通电，热电模块1通过珀耳帖效应进行吸热。由此，发光元件101被冷却。通过热电模块1对发光元件101进行温度调整。
＜热电模块＞
图2是表示本实施方式的热电模块1的剖视图。图3是表示本实施方式的热电模块1的一部分的放大剖视图。
热电模块1具有一对基板2和配置于一对基板2之间的热电元件3。
基板2由电绝缘材料形成。在本实施方式中，基板2为陶瓷基板。基板2由氧化物陶瓷或氮化物陶瓷形成。作为氧化物陶瓷，示例氧化铝(Al2O3)或氧化锆(ZrO2)。作为氮化物陶瓷，示例氮化硅(Si3N4)或氧化铝(AlN)。
热电元件3由例如铋碲系化合物(Bi－Te)那样的热电材料形成。热电元件3包含作为n型热电半导体元件的第一热电元件3N和作为p型热电半导体元件的第二热电元件3P。第一热电元件3N及第二热电元件3P分别在XY平面内配置多个。在X轴方向上，第一热电元件3N和第二热电元件3P交替地配置。在Y轴方向上，第一热电元件3N和第二热电元件3P交替地配置。
作为形成热电元件3的热电材料，示例铋(Bi)、铋碲系化合物(Bi－Te)、铋锑系化合物(Bi－Sb)、铅碲系化合物(Pb－Te)、钴锑系化合物(Co－Sb)、铱锑系化合物(Ir－Sb)、钴砷系化合物(Co－As)、硅锗系化合物(Si－Ge)、铜硒系化合物(Cu－Se)、钆硒系化合物(Gd－Se)、碳化硼系化合物、碲基钙钛矿氧化物、稀土类硫化物、TAGS系化合物(GeTe－AgSbTe2)、赫斯勒(heusler)型TiNiSn、FeNbSb、TiCoSb系物质等。
热电模块1为在Z轴方向上实质上对称的结构。在以下的说明中，主要对比图2所示的对称线CL靠+Z侧的结构进行说明。
基板2具有第一面2A和第二面2B。第一面2A面向一对基板2之间的空间。即，第一面2A面向热电元件3存在的空间。第二面2B朝向第一面2A的反方向。第一面2A及第二面2B分别与XY平面实质上平行。
热电模块1具备：电极4，其设置于基板2的第一面2A；第一防扩散层5，其配置于电极4和热电元件3之间；接合层6，其设置于电极4和第一防扩散层5之间。
另外，热电模块1具备：第一金属层7，其设置于基板2的第二面2B；第二金属层8；第二防扩散层9，其配置于第一金属层7和第二金属层8之间。
电极4对热电元件3提供电力。电极4包含与第一面2A接触的第一电极层4A、覆盖第一电极层4A的第二电极层4B以及覆盖第二电极层4B的第三电极层4C。
电极4在第一面2A上设置多个。电极4与相邻的一对第一热电元件3N及第二热电元件3P分别连接。电极4经由接合层6及第一防扩散层5与热电元件3连接。
第一电极层4A由铜(Cu)形成。第二电极层4B由离子化倾向比氢低的材料形成。作为形成第二电极层4B的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一个。在本实施方式中，第二电极层4B由钯(Pd)形成。第三电极层4C由金(Au)形成。
接合层6将电极4和第一防扩散层5接合。作为形成接合层6的材料，示例了以锡(Sn)为主成分的无铅焊料。无铅焊料是指铅量为0.10质量％以下的焊料。作为形成接合层6的焊料的材料，示例锡(Sn)和锑(Sb)的金属间化合物即锡锑合金系(Sn－Sb系)焊料、金(Au)和锡(Sn)的金属间化合物即金锡合金系(Au－Sn系)焊料、及铜(Cu)和锡(Sn)的金属间化合物即铜锡合金系(Cu－Sn系)焊料。
即，在本实施方式中，电极4和第一防扩散层5通过焊料接合。第一防扩散层5经由接合层6与电极4连接。第一防扩散层5与接合层6接触。电极4与接合层6接触。在本实施方式中，电极4的第三电极层4C与接合层6接触。
第一防扩散层5抑制接合层6中所含的元素向热电元件3扩散。通过抑制接合层6中所含的元素向热电元件3扩散，抑制热电元件3的性能降低。
第一防扩散层5由离子化倾向比氢低的材料(第一材料)形成。作为形成第一防扩散层5的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一个。在本实施方式中，第一防扩散层5由钯(Pd)形成。
第一防扩散层5与接合层6及热电元件3分别接触。第一防扩散层5具有与接合层6接触的第一接触面5A、与热电元件3接触的第二接触面5B、以及将第一接触面5A的周缘部和第二接触面5B的周缘部连结的侧面5C。第一接触面5A、第二接触面5B、及侧面5C分别由离子化倾向比氢低的材料形成。在本实施方式中，第一防扩散层5仅由离子化倾向比氢低的材料形成。
第三电极层4C通过作为焊料的接合层6与第一防扩散层5接合。第三电极层4C由通过焊料与第一防扩散层5容易接合的金(Au)形成。第二电极层4B作为抑制第一电极层4A中所含的元素向第三电极层4C扩散的防扩散层起作用。第二电极层4B被设置为覆盖第一电极层4A。通过抑制第一电极层4A中所含的元素向第三电极层4C扩散，第三电极层4C和第一防扩散层5经由接合层6充分地连接。
第一金属层7与基板2的第二面2B接触。第一金属层7由热传导率高的金属形成。在本实施方式中，第一金属层7由铜(Cu)形成。通过使用热传导率高的铜(Cu)作为第一金属层7，在多个热电元件3各自吸热或发热时，第一金属层7的温度被均匀化。
第二金属层8与基于热电模块1的温度对象连接。第二金属层8被设置为覆盖第二防扩散层9。在本实施方式中，第二金属层8与参照图1说明的金属板107连接。第二金属层8和金属板107通过焊料接合。第二金属层8由通过焊料与金属板107容易接合的金属形成。在本实施方式中，第二金属层8由金(Au)形成。
第二防扩散层9抑制第一金属层7中所含的元素向第二金属层8扩散。第二防扩散层9被设置为覆盖第一金属层7。通过抑制第一金属层7中所含的元素向第二金属层8扩散，第二金属层8和金属板107被充分地连接。
第二防扩散层9由离子化倾向比氢低的材料(第三材料)形成。作为形成第二防扩散层9的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一种。在本实施方式中，第二防扩散层9由钯(Pd)形成。
在本实施方式中，形成第一防扩散层5的材料和形成第二防扩散层9的材料相同。此外，形成第一防扩散层5的材料和形成第二防扩散层9的材料也可以不同。例如，也可以是，形成第一防扩散层5的材料为钯(Pd)，形成第二防扩散层9的材料为铂(Pt)。
第二防扩散层9与第一金属层7及第二金属层8分别接触。第二防扩散层9具有与第一金属层7接触的第三接触面9A、和与第二金属层8接触的第四接触面9B。第三接触面9A及第四接触面9B分别由离子化倾向比氢低的材料形成。在本实施方式中，第二防扩散层9仅由离子化倾向比氢低的材料形成。
第二电极层4B与第一电极层4A及第三电极层4C分别接触。第二电极层4B具有与第一电极层4A接触的第五接触面15和与第三电极层4C接触的第六接触面16。第五接触面15及第六接触面16分别由离子化倾向比氢低的材料形成。在本实施方式中，第二电极层4B仅由离子化倾向比氢低的材料的形成。
＜热电模块的制造方法＞
图4是表示本实施方式的热电模块1的制造方法的流程图。在基板2的第一面2A上形成第一电极层4A，在基板2的第二面2B上形成第一金属层7。例如通过对基板2进行镀覆(plating)处理，形成第一电极层4A及第一金属层7(步骤SA1)。
接着，以覆盖第一电极层4A的方式形成第二电极层4B，以覆盖第一金属层7的方式形成第二防扩散层9。例如，通过镀覆处理形成第二电极层4B及第二防扩散层9(步骤SA2)。
接着，以覆盖第二电极层4B的方式形成第三电极层4C，以覆盖第二防扩散层9的方式形成第二金属层8。例如通过镀覆处理形成第三电极层4C及第二金属层8(步骤SA3)。
在热电元件3的端面形成第一防扩散层5。例如通过溅射形成第一防扩散层5(步骤SB)。
将结束了步骤SA3的处理的基板2的第三电极层4C和结束了步骤SB的处理的热电元件3的第一防扩散层5通过焊料接合(步骤SC)。
通过步骤SC的处理，第一防扩散层5经由接合层6与电极4连接。
＜效果＞
如以上说明，根据本实施方式，第一防扩散层5由离子化倾向比氢低的材料形成。由此，即使在热电模块1结露的状态下进行通电，也能够抑制电化学迁移的产生。因此，抑制因作为电极或防扩散层使用的金属的移动引起的电短路或断线的产生。另外，抑制因电化学迁移引起的热电元件3的劣化。因此，热电模块1的性能被长时间维持。
本发明人发现：如果由离子化倾向比氢高的材料形成第一防扩散层(5)，则在热电模块1结露的状态下进行通电时，产生电化学迁移产生的可能性高。另外，本发明人发现：如果由离子化倾向比氢低的材料形成第一防扩散层5，则即使在热电模块1结露的状态下进行通电，也能够抑制电化学迁移的产生。此外，示例镍(Ni)作为离子化倾向比氢高的材料。
在热电模块1调温的温度低于周围的环境气氛的露点的情况下，热电模块1结露的可能性高。因此，在由镍(Ni)那样的材料形成第一防扩散层的情况下，为了防止电化学迁移的产生，需要提高壳体(113)的气密性且用不活泼气体充满壳体的内部空间。在提高壳体的气密性且用不活泼气体充满壳体的内部空间的结构中，成本上升。
在本实施方式中，由离子化倾向比氢低的材料形成第一防扩散层5。因此，即使壳体113的气密性低，也能够抑制电化学迁移的产生。因此，能够提供抑制了成本的热电模块1及光模块100。
[第二实施方式]
对第二实施方式进行说明。在以下的说明中，对与上述的实施方式相同或同等的构成要件标注相同的附图标记，并将其说明简略或省略。
在上述的实施方式中，对第一防扩散层5、第二防扩散层9、及第二电极层4B分别仅由离子化倾向比氢低的材料形成的例子进行了说明。在本实施方式中，对第一防扩散层5、第二防扩散层9、及第二电极层4B分别由离子化倾向比氢高的材料和离子化倾向比氢低的材料形成的例子进行说明。
＜热电模块＞
图5是表示本实施方式的热电模块1的剖视图。图6是表示本实施方式的热电模块1的一部分的放大剖视图。
在本实施方式中，第一防扩散层5包含：由离子化倾向比氢高的材料(第二材料)形成的第二材料层52、和由离子化倾向比氢低的材料(第一材料)形成且包覆第二材料层52的侧面52C的第一材料层51。
作为形成第一材料层51的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一个。作为形成第二材料层52的材料，示例镍(Ni)。
第一材料层51覆盖第二材料层52的至少侧面52C。第二材料层52的表面因第一材料层51而未露出。
接合层6设置于电极4和第一防扩散层5之间。第一材料层51的至少一部分配置于接合层6和第二材料层52之间。第一材料层51与接合层6接触。第二材料层52与热电元件3接触。
在本实施方式中，第二防扩散层9包含：由离子化倾向比氢高的材料(第四材料)形成的第四材料层92、和由离子化倾向比氢低的材料(第三材料)形成且配置于第四材料层92和第二金属层8之间的第三材料层91。
作为形成第三材料层91的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一个。作为形成第四材料层92的材料，示例镍(Ni)。
第三材料层91与第二金属层8及第四材料层92分别接触。第四材料层92与第一金属层7接触。
在本实施方式中，第二电极层4B包含：由离子化倾向比氢高的材料形成的第六材料层46、和由离子化倾向比氢低的材料形成且配置于第六材料层46和第三电极层4C之间的第五材料层45。
作为形成第五材料层45的材料，示例钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、及铑(Rh)的至少一个。作为形成第六材料层46的材料，示例镍(Ni)。
第五材料层45与第三电极层4C及第六材料层46分别接触。第六材料层46与第一电极层4A接触。
＜热电模块的制造方法＞
图7是表示本实施方式的热电模块1的制造方法的流程图。在基板2的第一面2A上形成第一电极层4A，在基板2的第二面2B上形成第一金属层7。例如，通过对基板2进行镀覆处理，形成第一电极层4A及第一金属层7(步骤SA1)。
接着，以覆盖第一电极层4A的方式形成第六材料层46，以覆盖第一金属层7的方式形成第四材料层92。例如通过镀覆处理形成第一金属层7及第四材料层92(步骤SA2a)。
接着，以覆盖第六材料层46的方式形成第五材料层45，以覆盖第四材料层92的方式形成第三材料层91。例如通过镀覆处理形成第五材料层45及第三材料层91(步骤SA2b)。
接着，以覆盖第五材料层45的方式形成第三电极层4C，以覆盖第三材料层91的方式形成第二金属层8。例如通过镀覆处理形成第三电极层4C及第二金属层8(步骤SA3)。
在热电元件3的端面形成第二材料层52。例如通过镀覆处理形成第二材料层52(步骤SBa)。
接着，以覆盖第二材料层52的方式形成第一材料层51。例如通过溅射形成第一材料层51(步骤SBb)。
将结束了步骤SA3的处理的基板2的第三电极层4C和结束了步骤SBb的处理的热电元件3的第一材料层51通过焊料接合(步骤SC)。
通过步骤SC的处理，第一防扩散层5经由接合层6与电极4连接。
＜效果＞
如以上说明，在本实施方式中，第一防扩散层5包含由镍那样的离子化倾向比氢高的材料形成的第二材料层52。第二材料层52的表面(露出面)被由离子化倾向比氢低的材料形成的第一材料层51覆盖。由此，即使热电模块1结露，也能够抑制水分与第二材料层52接触。因此，即使对热电元件3通电，也能够抑制电化学迁移的产生。因此，抑制因作为电极或防扩散层使用的金属的移动引起的电短路或断线的产生。另外，抑制热电元件3的劣化，且长时间维持热电模块1的性能。
＜变形例＞
图8是表示本实施方式的热电模块1的一部分的放大剖视图。如图8所示，第一材料层51也可以包含覆盖第二材料层52的表面的第一材料层51A和覆盖热电元件3的表面的第一材料层51B。例如在上述的步骤SBb中，也可以在设置于热电元件3的第二材料层52的表面形成第一材料层51A，在设置有第二材料层52的热电元件3的表面形成第一材料层51B。
[其它实施方式]
也可以是，第一防扩散层5仅由离子化倾向比氢低的材料形成，第二防扩散层9包含第三材料层91及第四材料层92。还可以是，第一防扩散层5包含第一材料层51及第二材料层52，第二防扩散层9仅由离子化倾向比氢低的材料形成。
在上述的实施方式中，热电模块1通过珀耳帖效应进行吸热或发热。热电模块1也可以通过塞贝克效应进行发电。通过对热电模块1的一对基板2提供温度差，热电模块1能够通过塞贝克效应进行发电。
在上述的实施方式中，与热电模块1连接的第二端子111也可以由离子化倾向比氢低的材料形成。另外，第二端子111也可以通过由离子化倾向比氢低的材料包覆离子化倾向比氢高的材料的表面而形成。与线缆112连接的第二端子111的连接部由能够与线缆112连接的材料形成。作为能够与线缆112连接的第二端子111的连接部的表面，例如示例金膜。通过由金膜形成第二端子111的连接部的表面，能够将线缆112接合。此外，在使用引线来代替线缆112的情况下，引线及连接部的材料也可以由离子化倾向比氢低的材料形成。
附图标记说明
1…热电模块、2…基板、2A…第一面、2B…第二面、3…热电元件、3N…第一热电元件、3P…第二热电元件、4…电极、4A…第一电极层、4B…第二电极层、4C…第三电极层、5…第一防扩散层、5A…第一接触面、5B…第二接触面、5C…侧面、6…接合层、7…第一金属层、8…第二金属层、9…第二防扩散层、9A…第三接触面、9B…第四接触面、15…第五接触面、16…第六接触面、51…第一材料层、51A…第一材料层、51B…第一材料层、52…第二材料层、52C…侧面、45…第五材料层、46…第六材料层、91…第三材料层、92…第四材料层、100…光模块、101…发光元件、102…散热器、103…第一端板、104…受光元件、105…第二端板、106…温度传感器、107…金属板、108…透镜、109…透镜架、110…第一端子、111…第二端子、112…线缆、113…壳体、114…开口部、115…光隔离器、116…光纤插芯、117…光纤、118…套筒、CL…对称线。

Claims (14)

1.一种热电模块，其具备：
基板；
电极，其设置于所述基板的第一面；
热电元件；
第一防扩散层，其配置于所述电极和所述热电元件之间，
所述第一防扩散层包含离子化倾向比氢低的第一材料。
2.根据权利要求1所述的热电模块，其中，
具备接合层，其设置于所述电极和所述第一防扩散层之间，
所述第一防扩散层具有与所述接合层接触的第一接触面、与所述热电元件接触的第二接触面、以及侧面，
所述第一接触面、所述第二接触面、及所述侧面分别由所述第一材料形成。
3.根据权利要求1所述的热电模块，其中，
所述第一防扩散层包含由离子化倾向比氢高的第二材料形成的第二材料层和由所述第一材料形成且包覆所述第二材料层的侧面的第一材料层。
4.根据权利要求3所述的热电模块，其中，
具备接合层，其设置于所述电极和所述第一防扩散层之间，
所述第一材料层的至少一部分配置于所述接合层和所述第二材料层之间，
所述第二材料层与所述热电元件接触。
5.根据权利要求3或4所述的热电模块，其中，
所述第二材料包含镍。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的热电模块，其中，
所述第一材料包含钯、铂、金、及铑中的至少一个。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的热电模块，其中，具备：
第一金属层，其设置于所述基板的第二面；
第二金属层；
第二防扩散层，其配置于所述第一金属层和所述第二金属层之间，
所述第二防扩散层包含离子化倾向比氢低的第三材料。
8.一种热电模块，其具备：
基板；
第一金属层，其设置于所述基板的第二面；
第二金属层；
第二防扩散层，其配置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；
所述第二防扩散层包含离子化倾向比氢低的第三材料。
9.根据权利要求7或8所述的热电模块，其中，
所述第二防扩散层具有与所述第一金属层接触的第三接触面及与所述第二金属层接触的第四接触面，
所述第三接触面及所述第四接触面分别由所述第三材料形成。
10.根据权利要求9所述的热电模块，其中，
所述第二防扩散层包含由离子化倾向比氢高的第四材料形成的第四材料层和由所述第三材料形成且配置于所述第四材料层和所述第二金属层之间的第三材料层。
11.根据权利要求10所述的热电模块，其中，
所述第三材料层与所述第二金属层接触，
所述第四材料层与所述第一金属层接触。
12.根据权利要求10或11所述的热电模块，其中，
所述第四材料包含镍。
13.根据权利要求7～12中任一项所述的热电模块，其中，
所述第三材料包含钯、铂、金、及铑中的至少一个。
14.一种光模块，其具备：
权利要求1～13中任一项所述的热电模块、和
通过所述热电模块进行温度调整的发光元件。
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