JP2020136358A - 発光素子用材料及び発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な材料の提供。【解決手段】式（１Ａ）で表される化合物を含有する発光素子用材料。［化１］［式（１Ａ）中、ｍは、６以上２０以下の整数を表す。Ａｒ１は、単環若しくは縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ａｒ１の少なくとも一つは、縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表す。複数存在するＡｒ１は、同一でも異なっていてもよい。］【選択図】なし

Description

本発明は、発光素子用材料及び発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、近年、発光素子用の材料の研究開発が盛んに行われている。例えば、特許文献１には、発光素子用材料として、下記の化合物（Ｈ０）が記載されている。

特開２０１７−１８３７２３号公報

しかし、特許文献１に記載された発光素子は、輝度寿命が必ずしも十分ではない。
そこで、本発明は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な材料を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［８］を提供する。

［１］式（１Ａ）で表される化合物を含有する発光素子用材料。

［式（１Ａ）中、ｍは、６以上２０以下の整数を表す。
Ａｒ^１は、単環若しくは縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
複数存在するＡｒ^１は、同一でも異なっていてもよい。但し、Ａｒ^１の少なくとも一つは、縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表す。］
［２］Ａｒ^１の少なくとも一つが縮合環のアリーレン基（このアリーレン基は置換基を有していてもよい）である、［１］に記載の発光素子用材料。
［３］Ａｒ^１が、単環又は置換基を有していてもよい縮合環のアリーレン基（このアリーレン基は置換基を有していてもよい）である、［１］又は［２］に記載の発光素子用材料。
［４］前記式（１Ａ）で表される化合物が、式（１Ａ−Ａ１）で表される化合物である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の発光素子用材料。

［式（１Ａ−Ａ１）中、Ａｒ^２は、縮合環のアリーレン基を表し、前記基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ｎは、５以上１９以下の整数を表す。］
［５］前記縮合環のアリーレン基が、置換基を有していてもよいナフタレンジイル基、置換基を有していてもよいアントラセンジイル基又は置換基を有していてもよいピレンジイル基である、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の発光素子用材料。
［６］式（ＦＨ−１）で表される化合物及び式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の発光素子用材料。

［式（ＦＨ−１）中、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ｎ^Ｈ１は、０以上１５以下の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［式（Ｙ）中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［７］正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の発光素子用材料。
［８］［１］〜［７］のいずれかに記載の発光素子用材料を含有する発光素子。

本発明によれば、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な材料を提供することができる。また、本発明によれば、前記材料を含有する発光素子を提供することができる。

本発明の一態様における発光素子の模式断面図である。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、配位子と金属との結合を表す実線は、イオン結合、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、又はグラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基が、後述の置換基Ａ群及び後述の置換基Ｂ群等の重合活性基であると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合、発光特性又は輝度寿命が低下する可能性がある。そのため、高分子化合物の末端基は、好ましくは安定な基である。安定な基としては、例えば、炭素−炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に２個以上存在する原子団を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。

アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３―プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。

「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。

シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。

アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。

アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。

置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(４−メチルフェニル)アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５―ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。

アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。

２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記Ｒ及びＲ^ａと同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、又はラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。置換基は架橋基であってもよい。置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。本明細書において、ある基が置換基を有していてもよい、と表現されている場合、その基は前記「置換基」を少なくとも一つ有していてもよいことを意味する。

＜式（１Ａ）で表される化合物＞
本発明の発光素子用材料は、前記式（１Ａ）で表される化合物を含有する発光素子用材料である。本発明の発光素子用材料において、式（１Ａ）で表される化合物は、１種のみを含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

Ａｒ^１における単環のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは６である。Ａｒ^１における単環のアリーレン基は、好ましくは、フェニレン基であり、置換基を有していてもよい。Ａｒ^１における単環のアリーレン基は、より好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）で表される基である。

Ａｒ^１における縮合環のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常７〜６０である。Ａｒ^１における縮合環のアリーレン基の炭素原子数は、好ましくは８〜２０である。Ａｒ^１における縮合環のアリーレン基としては、例えば、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基及びクリセンジイル基が挙げられる。Ａｒ^１における縮合環のアリーレン基は、好ましくは、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基又はピレンジイル基であり、更に好ましくは、ナフタレンジイル基であり、特に好ましくは、式（Ａ−５）で表される基でありこれらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^１における単環の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは２〜５である。Ａｒ^１における単環の２価の複素環基は、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール又はトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^１における縮合環の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０である。Ａｒ^１における縮合環の２価の複素環基としては、例えば、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン又はジヒドロアクリジンから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^１が有していてもよい置換基としては、好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である。これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（１Ａ）で表される化合物の合成が容易になるので、Ａｒ^１が有していてもよい置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ａｒ^１は、式（１Ａ）で表される化合物の合成が容易になるので、単環又は縮合環のアリーレン基であることが好ましく、この基は置換基を有していてもよい。
本発明の発光素子用材料を含有する発光素子（以下、「本発明の発光素子」ともいう。）の輝度寿命がより優れるので、Ａｒ^１の少なくとも一つは縮合環のアリーレン基であることが好ましく、Ａｒ^１の１〜５個が縮合環のアリーレン基であることがより好ましく、Ａｒ^１の１個が縮合環のアリーレン基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

ｍは、式（１Ａ）で表される化合物の合成が容易になるので、好ましくは、７以上１５以下であり、より好ましくは、８以上１３以下であり、更に好ましくは、１０以上１２以下である。

［式（１Ａ−Ａ１）及び式（１Ａ−Ａ２）で表される化合物］
式（１Ａ）で表される化合物は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、前記式（１Ａ−Ａ１）で表される化合物であることが好ましい。

Ａｒ^２における縮合環のアリーレン基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^１における縮合環のアリーレン基の例及び好ましい範囲と同じである。
ｎは、式（１Ａ）で表される化合物の合成が容易になるので、好ましくは、６以上１４以下であり、より好ましくは、７以上１２以下であり、更に好ましくは、９以上１１以下である。
式（１Ａ−Ａ１）中のフェニレン基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１Ａ−Ａ１）で表される化合物は、本発明の発光素子の輝度寿命が更に優れるので、式（１Ａ−Ａ２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^２及びｎは、前記Ａｒ^２及びｎと同じ意味を表す。式中の１，４−フェニレン基は、置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

式（１Ａ−Ａ２）中の１，４−フェニレン基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１Ａ）で表される化合物としては、例えば、式（１Ａ−０１）〜式（１Ａ−３３）で表される化合物が挙げられる。

＜式（１Ａ）で表される化合物の製造方法＞
例えば、式（１Ａ）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、式（Ｍ−２）で表される化合物とを、公知のカップリング反応を用いて反応させることにより、合成することができる。

公知のカップリング反応としては、例えば、Suzuki反応、Stille反応、Negishi反応及びKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応が挙げられる。

［式中、ｍ′及びｎ′は、それぞれ独立に、１以上１９以下の整数を表す。但し、ｍ′とｎ′との合計は、６以上２０以下の整数である。
Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、それぞれ独立に、単環若しくは縮合環のアリーレン基、単環若しくは縮合環の２価の複素環基、又はシクロアルカジエンが有する２つのｓｐ^３炭素原子から水素原子を１個ずつ除いた基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ａｒ^ｂの少なくとも一つは、縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表す。複数のＡｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。複数存在するＺ^１は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＺ^２は、同一でも異なっていてもよい。］

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。

＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲ^Ｃ２)_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、水素原子を除くこれらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ_３Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ(Ｒ^Ｃ３)_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

例えば、Ｚ^１が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^２は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。例えば、Ｚ^１が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^２は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

置換基Ａ群から選ばれる基は、好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子又は−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１で表される基であり、より好ましくは臭素原子である。
置換基Ｂ群から選ばれる基は、好ましくは、−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基である。

−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、例えば、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

式（１Ａ）で表される化合物のより詳細な製造方法について、式（Ｍ−１）で表される化合物として、式（Ｍ−１−１）で表される化合物を用いた、化合物（Ｍ−１−３）の製造方法を例に説明する。式（Ｍ−１−３）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−１−１）で表される化合物と、式（Ｍ−２）で表される化合物とを用いて、下記スキームで合成することができる。

［式中、Ａｒ^ｂ、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ前記Ａｒ^ｂ、Ｚ^１及びＺ^２と同じ意味を表す。Ｒ^Ａは、水酸基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ａは、同一でも異なっていてもよい。ｎ′′は、１以上１１以下の整数を表す。］

Ｒ^Ａは、合成が容易なので、好ましくは、水酸基又はアルコキシ基であり、より好ましくは、アルコキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

（工程Ａ）
工程Ａにおいて、式（Ｍ−１−１）で表される化合物は、例えば、J. Org. Chem. 2012, 77, 6624-6628（以下、「非特許文献１」ともいう）及びJ. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 15800-15802（以下、「非特許文献２」ともいう）等に記載の公知の方法により、合成することができる。

工程Ａにおいて、式（Ｍ−２）で表される化合物の使用量は、式（Ｍ−１−１）で表される化合物の物質量の合計に対して、好ましくは０．８〜２．０モル当量である。

工程Ａは、遷移金属触媒を用いるカップリング反応を用いることが好ましい。より詳細には、工程Ａにおいて、式（Ｍ−１−２）で表される化合物は、遷移金属錯体、塩基及び溶媒の存在下、式（Ｍ−１−１）で表される化合物と式（Ｍ−２）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、合成することができる。

工程Ａにおいて、遷移金属錯体は、パラジウム錯体であることが好ましい。パラジウム錯体としては、例えば、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン)パラジウム、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、及び[テトラキス（トリフェニルホスフィン）]パラジウムが挙げられる。
遷移金属錯体の使用量は、式（Ｍ−１−１）で表される化合物の物質量の合計に対して、好ましくは、０．００００１〜３モル当量である。遷移金属錯体は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ａにおいて、遷移金属錯体は、ホスフィン配位子等の配位子と混合して用いてもよい。ホスフィン配位子としては、例えば、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、（４−ジメチルアミノフェニル）ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−２’−（ジメチルアミノ）ビフェニル、ジシクロヘキシル（２’，４’，６’−トリイソプロピル−３,６−ジメトキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−イル）ホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシビフェニル、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィンが挙げられる。

工程Ａにおいて、配位子の使用量は、遷移金属錯体の物質量に対して、好ましくは、０．５〜２０モル当量である。配位子は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ａにおいて、塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。

塩基の使用量は前記式（Ｍ−１−１）で表される化合物の物質量の合計に対して、好ましくは、０．１〜３０モル当量である。塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ａにおいて、溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール及び２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル及びジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン及びクロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル及びベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン及びメシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、並びに、水が挙げられる。
溶媒の使用量は、式（Ｍ−１−１）で表される化合物を１質量部としたとき、好ましくは、１〜２０００質量部である。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ａにおいて、反応温度は、好ましくは、０℃〜２００℃である。
工程Ａにおいて、反応時間は、好ましくは、０．５〜２４時間である。

（工程Ｂ）
工程Ｂにおいて、式（Ｍ−１−３）で表される化合物は、式（Ｍ−１−２）で表される化合物を芳香族化することにより、合成することができる。より詳細には、式（Ｍ−１−２）で表される化合物中のシクロヘキサジエニル骨格部分をベンゼン環に変換することにより、式（Ｍ−１−３）で表される化合物を合成できる。

式（Ｍ−１−２）で表される化合物を芳香族化する方法としては、例えば、還元反応を行った後、酸化反応を行う方法が挙げられる。例えば、還元剤を用いることで、まず、Ｒ^Ａが脱離し、水素化反応が進行する。その後、酸化処理を行うことで、シクロヘキサジエニル骨格部分がベンゼン環に変換される。
工程Ｂにおいて、還元反応としては、例えば、還元剤を用いることで、まずＲ^Ａが脱離され、脱水素反応が進行する。続いて酸化処理を行うことで、シクロヘキサジエニル環部がベンゼン環に変換される。

工程Ｂにおいて、還元剤は、ナトリウムナフタレニド又はリチウムナフタレニドなどが挙げられる。

工程Ｂにおいて、還元剤の使用量は、通常、前記式（Ｍ−１−３）で表される化合物の物質量の合計に対して、好ましくは、１〜５００モル当量である。

工程Ｂにおいて、還元反応は溶媒中で行うことが好ましい。工程Ｂにおける溶媒の例及び好ましい範囲は、工程Ａにおける溶媒の例及び好ましい範囲と同じである。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ｂにおいて、溶媒の使用量は、通常、前記式（Ｍ−１−３）で表される化合物を１質量部としたとき、１〜１０００質量部である。

工程Ｂにおいて、還元反応の反応温度は、−１００℃〜０℃の範囲である。
工程Ｂにおいて、還元反応の反応時間は、０．５〜２４時間である。

工程Ｂにおいて、酸化剤は、クロラニル、ｏ−クロラニル、及び２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン等のキノン、ヨウ素等が挙げられる。

工程Ｂにおいて、酸化剤の使用量は、通常、前記式（１−１−３）で表される化合物の物質量の合計に対して、好ましくは、１〜５００モル当量である。

工程Ｂにおいて、酸化反応は溶媒中で行うことが好ましい。工程Ｂにおける溶媒の例及び好ましい範囲は、工程Ａにおける溶媒の例及び好ましい範囲と同じである。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

工程Ｂにおいて、溶媒の使用量は、通常、前記式（１−１−３）で表される化合物を１質量部としたとき、１〜１０００質量部である。

工程Ｂにおいて、酸化反応の反応温度は、−１００℃〜０℃の範囲である。
工程Ｂにおいて、酸化反応の反応時間は、０．５〜２４時間である。

＜式（１Ａ）で表される化合物の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜ホスト材料＞
本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、本発明の発光素子用材料は、式（１Ａ）で表される化合物と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有する組成物（以下、「組成物１」ともいう。）であることが好ましい。組成物１において、ホスト材料は、１種のみを含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。
組成物１において、式（１Ａ）で表される化合物の含有量は、式（１Ａ）で表される化合物とホスト材料との合計を１００質量部とした場合、通常、０．０１〜９９質量部であり、好ましくは０．１〜５０質量部であり、より好ましくは０．５〜２５質量部であり、更に好ましくは１〜１０質量部である。

組成物１において、ホスト材料の有する最低励起一重項状態（Ｓ_１）は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、式（１Ａ）で表される化合物の有するＳ_１と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

組成物１において、ホスト材料としては、本発明の発光素子を湿式法で作製できるので、式（１Ａ）で表される化合物を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。ホスト材料としては、例えば、後述の正孔輸送材料、及び、後述の電子輸送材料が挙げられる。

・低分子ホスト
ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）は、例えば、前記式（ＦＨ−１）で表される化合物である。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜１４である。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ジヒドロフェナントレン環、ナフタセン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ピレン環、ペリレン環、クリセン環、インデン環、フルオランテン環又はベンゾフルオランテン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いてなる基が挙げられる。Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基は、フェニル基、ナフチル基又はアントラセニル基であることがより好ましく、フェニル基又はナフチル基であることが更に好ましい。これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２における１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０である。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２における１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、インドール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾトリアゾール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、アクリジン環、９，１０−ジヒドロアクリジン環、アクリドン環、フェナジン環及び５，１０−ジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いてなる基が挙げられる。これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。

Ｌ^Ｈ１は、好ましくはアリーレン基であり、この基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^Ｈ１におけるアリーレン基は、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１４）又は式（Ａ−１７）〜式（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−６）、式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１２）で表される基である。

Ｌ^Ｈ１における２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２２）又は式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ１１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（ＦＨ−１）で表される化合物としては、例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。

・高分子ホスト
ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）は、例えば、前記式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）、式（Ａ−１３）又は式（Ａ−１９)で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）、式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１３）、式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）又は式（ＡＡ−２０)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例は、後述の式（Ｘ）のＡｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例と同じである。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−８）で表される構成単位が挙げられる。

高分子ホストは、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるため、好ましくは、式（Ｙ−２）で表される構成単位及び／又は式（Ｙ−８）で表される構成単位を含む高分子化合物である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記Ｒ^Ｙ１と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−又は−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基である。−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、より好ましくは一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基である。これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜式（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１は前記Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記Ｒ^Ｙ１と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記Ｒ^Ｙ１と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記Ｒ^Ｙ１と同じ意味を表す。］

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１１）〜式（Ｙ−５６）で表される構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位において、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である場合、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは１０〜１００モル％であり、より好ましくは５０〜１００モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストの電荷輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜４０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式（Ｘ）中、ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2およびＲ^X3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくはアリール基であり、この基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）又は式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは５〜３０モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜式（Ｘ１−１９）で表される構成単位が挙げられる。

高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、表１に示す高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−６が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、又はグラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

高分子ホストのポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは５×１０^３〜１×１０^６であり、より好ましくは１×１０^４〜５×１０^５であり、より好ましくは１．５×１０^４〜２×１０^５である。

高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応及びKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、及びトリニトロフルオレノン等が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、式（１Ａ）で表される化合物１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、式（１Ａ）で表される化合物１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン酸化物及びタングステン酸化物等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、及びフッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部である。

正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^―５Ｓ/ｃｍ〜１×１０^３Ｓ/ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、及び樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、及びテトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料（式（１Ａ）で表される化合物とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、及びピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、式（１Ａ）で表される化合物１００質量部に対して、通常、０．１〜４００質量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の式（１Ａ）で表される化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、式（１Ａ）で表される化合物１００質量部に対して、通常、０．００１〜１０質量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の式（１Ａ）で表される化合物及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」と言う。）は、インクジェットプリント法又はノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

インクに含まれる溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１,２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、及びｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；ＴＨＦ、ジオキサン、アニソール、及び４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、及びシクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、及びビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及びアセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、及び酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、及び１,２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール及びシクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の式（１Ａ）で表される化合物１００質量部に対して、通常、１０００〜１０００００質量部である。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、式（１Ａ）で表される化合物を含有する発光素子用材料を含有する発光素子である。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、この電極間に設けられた前記発光素子用材料を含有する層とを有する。

［層構成］
式（１Ａ）で表される化合物を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層から選択される１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、及び電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、及び電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。例えば、図１に示すように、発光素子１０は、陽極１と陰極２の間に、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、及び電子注入層７をこの順に積層した構造を有していてもよい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料等が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、前記溶媒に前記材料が溶解することを回避するために、前記材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、前記架橋基を架橋させることにより、前記層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、及び電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子効率及び輝度寿命を勘案して調整する。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、又はシリコン等の材料からなる基板である。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、及びインジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、又は銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、及びインジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、及び錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、及びカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
本発明の発光素子は、ディスプレイ、照明等に用いることができる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）のいずれかにより求めた。なお、ＳＥＣの各測定条件は、次のとおりである。

測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１２９０ Ｉｎｆｉｎｉｔｙ ＬＣ及び６２３０ ＴＯＦ ＬＣ／ＭＳ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００、又は、ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＺ４００Ｓ/Ｌ1）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

（実施例１）
＜合成例１＞ 化合物ＥＭ−０１の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４-メトキシフェノール（１５．５ｇ）、メタノール（３１１ｍＬ）を加え、室温（２５℃であり、以下、同様である。）で３０分撹拌した。その後、０℃に冷却し、ヨードベンゼンジアセタート（４０．０ｇ）を加え、０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで昇温した後、水酸化カリウム水溶液及びジクロロメタンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで化合物ＥＭ−０１（１９．１ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０１のＨＰＬＣ面積百分率値は９５．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.36(6H、s)、6.27(2H、d)、6.82(2H、d)

＜合成例２＞ 化合物ＥＭ−０２の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、１,４-ジブロモベンゼン（３４．０ｇ）、テトラヒドロフラン（３８６ｍＬ）を加え、−７０℃に冷却した。その後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ ヘキサン溶液）（８６ｍＬ）を３０分以上かけて滴下した。その後、化合物ＥＭ−０１（１９．１ｇ）を加え、−７０℃で２時間撹拌した。その後、メタノールを滴下し、得られた反応液を室温まで昇温した後、酢酸及びアセトンを加え、室温で１時間撹拌した。その後、イオン交換水及び酢酸エチルを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで固体を得た。得られた固体をヘキサンで洗浄することで、化合物ＥＭ−０２（２３．０ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０２のＨＰＬＣ面積百分率値は９３．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : 2.45(1H、s)、6.25(2H、d)、6.86(2H、d)、7.36(2H、d)、7.52(2H、d)

＜合成例３＞ 化合物ＥＭ−０３の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、１−ブロモ−４−クロロベンゼン（４９．０ｇ）、テトラヒドロフラン（６００ｍＬ）を加え、−７０℃に冷却した。その後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ ヘキサン溶液）（１５６ｍＬ）を１時間以上かけて滴下した。その後、化合物ＥＭ−０２（２０．０ｇ）を加え、−７０℃で２時間撹拌した。その後、メタノールを滴下し、得られた反応液を室温まで昇温した後、イオン交換水及び酢酸エチルを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで、化合物ＥＭ−０３（２４．０ｇ）を得た。

LC-MS（ESI,positive） : m/z=376[M]⁺

＜合成例４＞ 化合物ＥＭ−０４の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、水素化ナトリウム（６０質量％，流動パラフィンに分散)（６．４ｇ）、テトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。その後、化合物ＥＭ−０３（２０．０ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下し、０℃で３０分間撹拌した。その後、ヨウ化メチル（３７．５ｇ）を加え、４５℃で１４時間撹拌した。イオン交換水及び酢酸エチルを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、２−プロパノールを用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−０４（１１．４ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : 3.39(6H、s)、6.08(4H、s)、7.24-7.32(6H、m)、7.44(2H、d)

＜合成例５＞ 化合物ＥＭ−０６の合成

化合物ＥＭ−０５は、非特許文献１及び非特許文献２に記載の方法に準じて合成した。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−０５（８．０ｇ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（９．９ｇ）、酢酸パラジウム（８０ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（３３９ｍｇ）、酢酸カリウム（６．９ｇ）及び１,２−ジメトキシエタン（１２０ｍＬ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。その後、トルエン及びイオン交換水を加え、水層を分離した。有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層に無水硫酸マグネシウム及び活性炭を加えた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−０６（６．９ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.41(3H、s)、6.08(2H、s)、7.37(2H、d)、7.69(2H、d)

＜合成例６＞ 化合物ＥＭ−０７の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−０４（８．１ｇ）、化合物ＥＭ−０６（５．４ｇ）、トルエン（２７０ｍＬ）、メシル酸[（ジ（１−アダマンチル）−ｎ−ブチルホスフィン）−２−（２’−アミノ−１，１’−ビフェニル）]パラジウム（３６ｍｇ）及び２０質量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（６４ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−０７（６．７ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０７のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.42(9H、s)、6.05(2H、d)、6.13(4H、d)、7.28(2H、d)、7.36(2H、d)、7.43(2H、d)、7.49(2H、d)、7.56(4H、d)

＜合成例７＞ 化合物ＥＭ−０８の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−０７（６．５ｇ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（３．８ｇ）、酢酸パラジウム（４６ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（１９７ｍｇ）、酢酸カリウム（２．８ｇ）及び１,２−ジメトキシエタン（１９５ｍＬ）を加え、８０℃で５時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。その後、トルエン及びイオン交換水を加え、水層を分離した。有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層に無水硫酸マグネシウム及び活性炭を加えた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−０８（６．５ｇ）を得た。化合物ＥＭ−０８のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.45(9H、s)、6.11-6.15(6H、m)、7.41-7.49(6H、m)、7.55(4H、m)、7.70(2H、d)

＜合成例８＞ 化合物ＥＭ−０９の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、１、４-ジブロモベンゼン（２９．８ｇ）、テトラヒドロフラン（２５０ｍＬ）を加え、−７０℃に冷却した。その後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ ヘキサン溶液）（７７ｍＬ）を１時間以上かけて滴下した。その後、１、４-ナフトキノン（５．０ｇ）を加え、−７０℃で２時間撹拌した。その後、メタノールを滴下し、得られた反応液を室温まで昇温した後、イオン交換水及び酢酸エチルを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで、化合物ＥＭ−０９（１４．９ｇ）を得た。

LC-MS（ESI,positive） : m/z=470[M]+

＜合成例９＞ 化合物ＥＭ−１０の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、水素化ナトリウム（６０質量％，流動パラフィンに分散)（３．３ｇ）、テトラヒドロフラン（２６４ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。その後、化合物ＥＭ−０９（１３．２ｇ）をテトラヒドロフラン（６６ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下し、０℃で３０分間撹拌した。その後、ヨウ化メチル（１９．８ｇ）を加え、４５℃で１４時間撹拌した。イオン交換水及び酢酸エチルを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、トルエン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−１０（８．１ｇ）を得た。化合物ＥＭ−１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.16(3H、s)、6.09(1H、s)、7.16(2H、d)、7.37(4H、m)

＜合成例１０＞ 化合物ＥＭ−１１の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−０８（５００ｍｇ）、化合物ＥＭ−１０（２１８ｍｇ）、トルエン（２５０ｍＬ）、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム（９．５ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（１４．３ｍｇ）及び２質量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（１６．９ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウム及び活性炭で乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、トルエン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−１１（３５０ｍｇ）を得た。化合物ＥＭ−１１のＨＰＬＣ面積百分率値は９６．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.17(3H、s)、3.40(9H、s)、6.10(7H、m)、7.35-7.46(18H、m)
LC-MS（ESI,positive） : m/z=1210[M]+

＜合成例１１＞ 化合物ＥＭ−１２の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、ナフタレン（１．６ｇ）、金属ナトリウム（３４６ｍｇ）及びテトラヒドロフラン（２９ｍＬ）を加え、０℃で６時間撹拌し、ナトリウムナフタレニド溶液を調製した。
続いて、反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−１１（１９８ｍｇ）、及びテトラヒドロフラン（２４ｍＬ）を加え、−７０℃に冷却した。その後、先ほど調製したナトリウムナフタレニド溶液を加え、−７０℃で２時間撹拌した。その後、ヨウ素を加え、得られた反応液を室温まで昇温した後、イオン交換水及びジクロロメタンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウム及び活性炭で乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。更に、得られた固体を、メタノールで洗浄することにより、化合物ＥＭ−１２の粗体を得た。
続いて、反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、得られた化合物ＥＭ−１２の粗体、２,３-ジクロロ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン（１０７ｍｇ）及びクロロベンゼン（２０ｍＬ）を加え、７０℃で５時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水及びジクロロメタンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）により精製し、更に、トルエン、２−プロパノール及びメタノールの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−１２（３６ｍｇ）を得た。化合物ＥＭ−１２のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．０％以上であった。

LC-MS（ESI,positive） : m/z=962[M]⁺

化合物ＥＭ−１２の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４６８ｎｍであった。

（実施例２）
＜合成例１２＞ 化合物ＥＭ−１３の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、前記化合物ＥＭ−０８（５００ｍｇ）、１，４−ジブロモナフタレン（１２３ｍｇ）、トルエン（２５０ｍＬ）、［トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム（９．５ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（１４．３ｍｇ）及び２質量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（１６．９ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウム及び活性炭で乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、トルエン及び２−プロパノールの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−１３（２１０ｍｇ）を得た。化合物ＥＭ−１３のＨＰＬＣ面積百分率値は９６．０％以上であった。

¹H-NMR (CD₂Cl₂、400MHz) : δ(ppm) = 3.40-3.51(9H、m)、6.07-6.26(6H、m)、7.40-7.60(15H、m)
LC-MS（ESI,positive） : m/z=996[M]+

＜合成例１３＞ 化合物ＥＭ−１４の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、ナフタレン（０．７ｇ）、金属ナトリウム（１４９ｍｇ）及びテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）を加え、０℃で６時間撹拌し、ナトリウムナフタレニド溶液を調製した。
続いて、反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＥＭ−１３（７０ｍｇ）、及びテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）を加え、−７０℃に冷却した。その後、先ほど調製したナトリウムナフタレニド溶液を加え、−７０℃で２時間撹拌した。その後、ヨウ素を加え、得られた反応液を室温まで昇温した後、イオン交換水及びジクロロメタンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウム及び活性炭で乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。更に、得られた固体を、メタノールで洗浄することにより、化合物ＥＭ−１４の粗体を得た。
続いて、反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、得られた化合物ＥＭ−１４の粗体、２,３-ジクロロ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン（４６ｍｇ）及びクロロベンゼン（８ｍＬ）を加え、７０℃で４時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水及びジクロロメタンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）により精製し、更に、トルエン、２−プロパノール及びメタノールの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＥＭ−１４（１２ｍｇ）を得た。化合物ＥＭ−１４のＨＰＬＣ面積百分率値は９６．０％以上であった。

LC-MS（ESI,positive） : m/z=810[M]+

化合物ＥＭ−１４の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４７４ｎｍであった。

（実施例以外の発光材料）
＜合成例１４＞ 化合物ＥＭ−３の合成
化合物ＥＭ−３は、特開２００９−２９００９１号公報及び特開２０１１−１７６３０４号公報に記載の方法に準じて合成した。

化合物ＥＭ−３の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４６０ｎｍであった。

（発光材料以外の材料）
＜合成例１５＞ 化合物ＨＭ−１〜ＨＭ−３の合成、入手
化合物ＨＭ−１は、ＡＫ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社より購入した。
化合物ＨＭ−２は、国際公開第２０１１／１３７９２２号に記載の方法に準じて合成した。
化合物ＨＭ−３は、特開２０１１−１００９４２号公報及び国際公開第２０１１／１３７９２２号に記載の方法に準じて合成した。

化合物ＨＭ−１の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４２５ｎｍであった。
化合物ＨＭ−２の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４３０ｎｍであった。
化合物ＨＭ−３の発光スペクトルの最大ピーク波長は、４３０ｎｍであった。

＜合成例１６＞ 化合物６〜８の合成及び入手
化合物６は、市販品を用いた。
化合物７は、国際公開第2009/131255号に記載の方法に従って合成した。
化合物８は、国際公開第2016/031639号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例１７＞ 高分子化合物１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物８（０．０９６ｇ）、化合物６（０．９１６ｇ）、化合物７（１．１１９ｇ）、ジクロロビス(フェニルホスフィン)パラジウム（１．５ｍｇ）及びトルエン（４７ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
その後、そこへ、１０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１８ｍＬ）を滴下し、４時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸（４８．８ｍｇ）及びジクロロビス(トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン)パラジウム（０．９ｍｇ）を加え、６時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で２回、１０質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水で２回、水で２回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番に通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を１．１ｇ得た。高分子化合物１のＭｎは５．０×１０^４であり、Ｍｗは１．１×１０^５であった。

高分子化合物１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物６から誘導される構成単位と、化合物７から誘導される構成単位と、化合物８から誘導される構成単位とが、４５:５０:５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で２４０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．６質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、３０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。なお、高分子化合物ＨＴＬ−１は、国際公報第２０１４／１０２５４３号のポリマー実施例１の高分子化合物である。

（発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１及び化合物ＥＭ−１２（化合物ＨＭ−１：化合物ＥＭ−１２＝９５質量％：５質量％）を１．５質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上に、スピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、１００ｃｄ/ｍ^２において、４６５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。この時のＣＩＥ１９３１色度座標は、（０．１５,０．１９）であった。初期電流密度が２０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を有機ＥＬ輝度評価システム（ＥＨＣ社製、ＰＥＬ―１００Ｔ）を用いて測定した。輝度が初期輝度の７０％となるまでの時間は、１１８時間であった。初期輝度とは、初期電流密度が２０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、発光素子の定電流駆動を開始した時の輝度である。また本明細書において、発光素子の定電流駆動開始から輝度が初期輝度の７０％となるまでの時間を、輝度寿命と定義する。

＜実施例Ｄ２〜Ｄ３＞ 発光素子Ｄ２〜Ｄ３の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１及び化合物ＥＭ−１２」に代えて、表２に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２〜Ｄ３を作製した。

＜比較例ＣＤ１〜ＣＤ３＞ 発光素子ＣＤ１〜ＣＤ３の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における、「化合物ＨＭ−１及び化合物ＥＭ−１２」に代えて、表２に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１〜ＣＤ３を作製した。

＜実施例Ｄ４＞ 発光素子Ｄ４の作製と評価
陽極、正孔注入層、及び正孔輸送層は、実施例Ｄ１同様に形成した。
（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物１及び化合物ＥＭ−１２（高分子化合物１：化合物ＥＭ−１２＝９５質量％：５質量％）を１．２質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上に、スピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約７nm、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ４を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ４に電圧を印加することにより、１００ｃｄ/ｍ^２において、４４５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するEL発光が観測された。この時のＣＩＥ１９３１色度座標は、（０．１５,０．０９）であった。初期電流密度が２０ｍＡ/ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の７０％となるまでの時間は、７時間であった。

＜実施例Ｄ５＞ 発光素子Ｄ５の作製と評価
実施例Ｄ４の（発光層の形成）における、「化合物ＥＭ−１２」に代えて、表３に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ４と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。

＜比較例ＣＤ４＞ 発光素子ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ４の（発光層の形成）における、「化合物ＥＭ−１２」に代えて、表３に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ４と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。

１…陽極、２…陰極、３…正孔注入層、４…正孔輸送層、５…発光層、６…電子輸送層、７…電子注入層、１０…発光素子。

Claims (8)

1. 式（１Ａ）で表される化合物を含有する発光素子用材料。
   

   

   ［式（１Ａ）中、ｍは、６以上２０以下の整数を表す。
   Ａｒ^１は、単環若しくは縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ａｒ^１の少なくとも一つは、縮合環のアリーレン基又は単環若しくは縮合環の２価の複素環基を表す。複数存在するＡｒ^１は、同一でも異なっていてもよい。］
2. Ａｒ^１の少なくとも一つが縮合環のアリーレン基（このアリーレン基は置換基を有していてもよい）である、請求項１に記載の発光素子用材料。
3. Ａｒ^１が、単環又は縮合環のアリーレン基（このアリーレン基は置換基を有していてもよい）である、請求項１又は２に記載の発光素子用材料。
4. 前記式（１Ａ）で表される化合物が、式（１Ａ−Ａ１）で表される化合物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子用材料。
   

   

   ［式（１Ａ−Ａ１）中、Ａｒ^２は、縮合環のアリーレン基を表し、前記基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   ｎは、５以上１９以下の整数を表す。］
5. 前記縮合環のアリーレン基が、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基又はピレンジイル基（これらの基は置換基を有していてもよい）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子用材料。
6. 式（ＦＨ−１）で表される化合物及び式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１〜５のいずれか一項に発光素子用材料。
   

   

   ［式（ＦＨ−１）中、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   ｎ^Ｈ１は、０以上１５以下の整数を表す。
   Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
   

   

   ［式（Ｙ）中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
7. 正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１〜６のいずれか一項に発光素子用材料。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子用材料を含有する発光素子。

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