JP2020136348A - ウエーハの加工方法およびウエーハの加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエーハの裏面に被覆された金属膜の除去を確実に行うことができると共に、ウエーハを削りすぎてウエーハに埋設された電極を不用意に除去することがないウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハ60の表面60aに保護部材68を配設する保護部材配設工程と、回転可能なチャックテーブル4に保護部材68側を載置する載置工程と、チャックテーブル4を回転しながら金属膜66を除去する除去加工を施す金属膜除去工程とを少なくとも含む。金属膜除去工程において、ウエーハ60の裏面60bに光L1を照射し反射光L2を受光して反射光L2の受光量が急激に低下した際、金属膜66が除去されたと判断して除去加工を終了する。【選択図】図6
Description
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されると共に、裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工方法および裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置、研磨装置によって裏面が研削、研磨され所定の厚み、所望の面粗さに加工された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
研削装置は、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が環状に配設された研削ホイールを回転可能に備えた研削手段と、研削手段をチャックテーブルに接近および離反させる送り手段と、ウエーハの厚みを検出する厚み検出手段と、から少なくとも構成されていてウエーハを所望の厚みに加工できる(たとえば特許文献1参照)。
また、研磨装置は、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段と、研磨手段をチャックテーブルに接近および離反させる送り手段と、から少なくとも構成されていてウエーハを所望の面粗さに加工できる(たとえば特許文献2参照)。
しかし、ウエーハの裏面からデバイスに至る電極を埋設することでウエーハの裏面全面に金属膜が残存しウエーハの裏面から残存した金属膜を除去する際に、研削装置、研磨装置を用いて金属膜を除去すると、金属膜の除去が不十分であったり、削りすぎて埋設された電極を不用意に除去してしまうという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ウエーハの裏面に被覆された金属膜の除去を確実に行うことができると共に、ウエーハを削りすぎてウエーハに埋設された電極を不用意に除去することがないウエーハの加工方法およびウエーハの加工装置を提供することである。
上記課題を解決するために本発明の第一の局面が提供するのは以下のウエーハの加工方法である。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されると共に、裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、回転可能なチャックテーブルに保護部材側を載置する載置工程と、該チャックテーブルを回転しながら金属膜を除去する除去加工を施す金属膜除去工程と、を少なくとも含み、該金属膜除去工程において、ウエーハの裏面に光を照射し反射光を受光して反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了するウエーハの加工方法である。
好ましくは、該金属膜除去工程において、縦軸を受光量hとし横軸を時間tとした場合に微分値dh/dtの絶対値が所定値を超えた際、金属膜が除去されたと判断する。該金属膜除去工程において、該除去加工は、研磨パッドによって金属膜を研磨して除去するのが好適である。該金属膜除去工程において、該除去加工は、研削砥石を環状に備えた研削ホイールによって金属膜を研削して除去するのが好都合である。該金属膜除去工程において、ウエーハの裏面に照射および反射する光の光路に沿って流体を供給して光の散乱を防止するのが好ましい。
本発明の第二の局面が提供するのは以下のウエーハの加工装置である。すなわち、裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工装置であって、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの裏面に被覆された金属膜を除去する除去手段と、ウエーハの裏面に光を照射すると共に裏面からの反射光を受光する検出手段と、該検出手段によって受光された反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了する制御手段と、から少なくとも構成されるウエーハの加工装置である。
本発明の第一の局面が提供するウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、回転可能なチャックテーブルに保護部材側を載置する載置工程と、該チャックテーブルを回転しながら金属膜を除去する除去加工を施す金属膜除去工程と、を少なくとも含み、該金属膜除去工程において、ウエーハの裏面に光を照射し反射光を受光して反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了するので、ウエーハの裏面に被覆された金属膜の除去を確実に行うことができると共に、ウエーハを削りすぎてウエーハに埋設された電極を不用意に除去することがない。
本発明の第二の局面が提供するウエーハの加工装置は、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの裏面に被覆された金属膜を除去する除去手段と、ウエーハの裏面に光を照射すると共に裏面からの反射光を受光する検出手段と、該検出手段によって受光された反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了する制御手段と、から少なくとも構成されているので、ウエーハの裏面に被覆された金属膜の除去を確実に行うことができると共に、ウエーハを削りすぎてウエーハに埋設された電極を不用意に除去することがない。
以下、本発明のウエーハの加工方法およびウエーハの加工装置の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
まず、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置の好適実施形態について図1ないし図4を参照して説明する。図1に示すウエーハの加工装置2は、ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブル4と、チャックテーブル4に保持されたウエーハの裏面に被覆された金属膜を除去する除去手段6と、ウエーハの裏面に光を照射すると共に裏面からの反射光を受光する検出手段8と、検出手段8によって受光された反射光の光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了する制御手段10とから少なくとも構成される。
図示の実施形態では図1に示すとおり、ウエーハの加工装置2は直方体状の基台12を備えており、この基台12の上面には、下方に没入して図1に矢印Xで示すX軸方向に延びる搭載凹所14が形成されている。図示の実施形態におけるチャックテーブル4は、X軸方向に移動自在かつ上下方向に延びる軸線を回転中心として回転自在に搭載凹所14に搭載されている。円形状のチャックテーブル4の上面には、吸引手段(図示していない。)に接続された多孔質の円形状の吸着チャック15が配置されており、チャックテーブル4においては、吸引手段で吸着チャック15の上面に吸引力を生成することにより、吸着チャック15の上面に載せられたウエーハを吸引保持するようになっている。
また、基台12には、搭載凹所14に沿ってチャックテーブル4をX軸方向に移動させるX軸送り手段(図示していない。)と、チャックテーブル4の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を回転中心としてチャックテーブル4を回転させるチャックテーブル用モータ(図示していない。)とが装着されている。X軸送り手段は、たとえば、チャックテーブル4に連結されX軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。チャックテーブル用モータはチャックテーブル4と共にX軸送り手段でX軸方向に移動され、チャックテーブル4がX軸送り手段でX軸方向に移動された場合でも、チャックテーブル用モータはチャックテーブル4を回転させるようになっている。
図1を参照して説明を続けると、除去手段6は、基台12のX軸方向端部(図1における奥側端部)から上方に延びる装着壁16と、装着壁16の片面に昇降自在に装着された昇降板18と、昇降板18を昇降させる昇降手段20とを含む。昇降手段20は、装着壁16の片面に沿って上下方向に延びるボールねじ22と、ボールねじ22を回転させるモータ24とを有する。そして、昇降手段20は、ボールねじ22によりモータ24の回転運動を直線運動に変換して昇降板18に伝達し、装着壁16の片面に付設された一対の案内レール16aに沿って昇降板18を昇降させるようになっている。
図1に示すとおり、除去手段6は、昇降板18の片面からX軸方向に突出する支持壁26と、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に支持壁26に支持されたスピンドル28と、支持壁26の上面に搭載されスピンドル28を回転させるモータ30とを含む。スピンドル28の下端には円板状のホイールマウント32が固定され、ホイールマウント32の下面にはボルト34を介して除去具が固定されている。ホイールマウント32に固定される除去具は、図2に示す研磨パッド36でもよく、あるいは、図3に示すとおり、研削砥石38を環状に備えた研削ホイール40であってもよい。
図1および図4を参照して検出手段8について説明する。図1に示すとおり、検出手段8は、支持壁26の突出端に連結され上下方向に延びるケース42を含む。図4に示すとおり、ケース42の上端側には発光体44が装着され、ケース42の下端側には、発光体44が発した光L1を集光してウエーハの裏面(金属膜が被覆された面)に照射する集光レンズ46が装着されている。また、発光体44と集光レンズ46との間には、発光体44が発した光L1の一部を透過して集光レンズ46に導くと共に、集光レンズ46で集光された光L1がウエーハの裏面で反射した反射光L2の一部を反射して受光素子48に導くスプリッター50が配置されている。受光素子48は制御手段10に電気的に接続されており、受光素子48によって受光された反射光L2の受光量データは制御手段10に送られるようになっている。
図示の実施形態では図4に示すとおり、検出手段8のケース42の下端には開口52が設けられていると共に、開口52と集光レンズ46との間のケース下端側内部空間54は、エアーまたは水等の流体を供給する流体供給源56に流路58を介して接続されている。そして、発光体44が発した光L1を集光レンズ46で集光してウエーハに照射する際に流体供給源56を作動させると、ウエーハの裏面に照射および反射する光の光路(図示の実施形態では集光レンズ46とウエーハの裏面との間の光路)に沿って流体が供給される。ウエーハの裏面を研磨ないし研削している際には研磨液や研削水がウエーハの裏面に供給されるところ、集光レンズ46とウエーハの裏面との間の光路には流体供給源56から供給される流体が満たされるので、ウエーハの裏面に照射する光L1やウエーハで反射した反射光L2の散乱が防止される。
ウエーハの加工装置2の作動を制御する制御手段10は、コンピュータから構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)とを含む。そして制御手段10は、検出手段8の受光素子48によって受光された反射光L2の受光量が急激に低下した際、ウエーハの裏面に被覆された金属膜がウエーハから除去されたと判断して、ウエーハの裏面に被覆された金属膜を除去する除去加工を終了するようになっている。
次に、本発明に係るウエーハの加工方法の好適実施形態について説明するが、図示の実施形態では上述のウエーハの加工装置2を用いたウエーハの加工方法について説明する。
図5には、本発明に係るウエーハの加工方法によって加工が施されるウエーハ60が示されている。円盤状のウエーハ60は、Si(シリコン)等の適宜の半導体材料から形成されている。ウエーハ60の表面60aは、格子状の分割予定ライン62によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはデバイス64が形成されている。また、ウエーハ60の裏面60bには、裏面60bからデバイス64に至る電極(図示していない。)を埋設する際に形成された金属膜66(図4参照)が被覆されている。
図示の実施形態のウエーハの加工方法では、まず、図5に示すとおり、ウエーハ60の表面60aに、デバイス64を保護するための保護部材68を配設する保護部材配設工程を実施する。
保護部材配設工程を実施した後、回転可能なチャックテーブル4に保護部材68側を載置する載置工程を実施する。図1に示すとおり、載置工程では、金属膜66側を上に向けると共に保護部材68側を下に向けてウエーハ60をチャックテーブル4の上面に載置する。この際、チャックテーブル4は、除去手段6から離間したウエーハ着脱位置(図1に示す位置)に位置づけられている。
載置工程を実施した後、チャックテーブル4を回転しながら金属膜66を除去する除去加工を施す金属膜除去工程を実施する。金属膜除去工程では、まず、チャックテーブル4の吸着チャック15に接続された吸引手段を作動させ、吸着チャック15の上面でウエーハ60を吸引保持する。次いで、X軸送り手段を作動させて、除去手段6の下方の除去加工位置にチャックテーブル4を位置づける。
図2および図3を参照して説明を続けると、チャックテーブル4を除去加工位置に位置づけた後、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば300rpm)でチャックテーブル4をチャックテーブル用モータで回転させると共に、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば6000rpm)でスピンドル28をモータ30で回転させる。次いで、昇降手段20でスピンドル28を下降させ、ウエーハ60の裏面60bに被覆された金属膜66に除去具を接触させる。
除去手段6の除去具が研磨パッド36である場合には、図2に示すとおり、金属膜66に研磨パッド36を接触させた後、所定の荷重(たとえば120kg)で研磨パッド36を金属膜66に押し付ける。また、除去手段6の除去具が研削砥石38を環状に備えた研削ホイール40である場合には、図3に示すとおり、金属膜66に研削砥石38を接触させた後、所定の研削送り速度(たとえば0.1μm/s)でスピンドル28を下降させる。これによって、金属膜66を除去する除去加工を施すことができる。このように金属膜除去工程の除去加工では、研磨パッド36によって金属膜66を研磨して除去してもよく、研削砥石38を環状に備えた研削ホイール40によって金属膜66を研削して除去してもよい。なお、除去加工を施す際には、ウエーハの研磨領域や研削領域には、研磨液や研削水が適宜供給される。
また、金属膜除去工程においては、ウエーハ60の裏面60bに光L1を照射し反射光L2を受光して反射光L2の受光量が急激に低下した際、金属膜66が除去されたと判断して除去加工を終了する。詳述すると、金属膜除去工程において除去加工を施している際に、発光体44が発した光L1を集光レンズ46で集光してウエーハ60の裏面60bに照射する。そうすると、ウエーハ60の裏面60b(金属膜除去前においては金属膜66)で光L1が反射し、光L1の反射光L2がスプリッター50によって受光素子48に導かれる。そして、受光素子48によって受光された反射光L2の受光量データが制御手段10に送られ、制御手段10において受光量の時間微分値の絶対値が演算される。
図6には、縦軸を受光量hとし横軸を時間tとして、受光素子48によって受光された反射光L2の受光量hの時間変化を示すグラフの例が示されており、図7には、受光量hの時間微分値dh/dtの絶対値|dh/dt|の時間変化のグラフの例が示されている。図6に示すとおり、除去加工により金属膜66が平坦化されていくに従って反射光L2の受光量hが増加していくが、除去加工開始後70秒程度経過した際に急激に受光量hが低下している。これに対応して、図7においても除去加工開始後70秒程度経過した際に、受光量hの時間微分値dh/dtの絶対値|dh/dt|が急激に大きくなっている。そして、図示の実施形態の金属膜除去工程では、受光量hの時間微分値dh/dtの絶対値|dh/dt|が所定値(たとえば図7においては40)を超えた際、金属膜66が除去され、光L1に対して金属膜66よりも反射率の低い半導体材料から形成されたウエーハ60の裏面60bが露出したと判断し、除去加工を終了するように制御手段10によって制御する。したがって、図示の実施形態では、ウエーハ60の裏面60bに被覆された金属膜66の除去を確実に行うことができると共に、ウエーハ60を削りすぎてウエーハ60に埋設された電極を不用意に除去することがない。なお、受光量hの時間微分値dh/dtの絶対値|dh/dt|が所定値を超えてから所定時間(たとえば10秒)経過した後に除去加工を終了するようにしてもよい。
また、図示の実施形態の金属膜除去工程では、流体供給源56を作動させ、ウエーハ60の裏面60bに照射する光L1および反射光L2の光路に沿って、エアーまたは水等の流体を供給する。これによって、集光レンズ46とウエーハ60の裏面60bとの間の光路には流体供給源56から供給された流体が満たされるので、ウエーハ60の裏面60bに照射する光L1やウエーハ60の裏面60bで反射した反射光L2の散乱が防止される。したがって、図示の実施形態では、研磨液や研削水の影響を受けずに反射光L2の受光量を検出することができ、ウエーハ60の裏面60bに被覆された金属膜66の除去を一層確実に行うことができる。
2:ウエーハの加工装置
4:チャックテーブル
6:除去手段
8:検出手段
10:制御手段
36:研磨パッド
38:研削砥石
40:研削ホイール
60:ウエーハ
60a:ウエーハの表面
60b:ウエーハの裏面
62:分割予定ライン
64:デバイス
66:金属膜
68:保護部材
L1:発光体が発した光
L2:ウエーハで反射した反射光
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L2:ウエーハで反射した反射光
Claims (6)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されると共に、裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
回転可能なチャックテーブルに保護部材側を載置する載置工程と、
該チャックテーブルを回転しながら金属膜を除去する除去加工を施す金属膜除去工程と、
を少なくとも含み、
該金属膜除去工程において、ウエーハの裏面に光を照射し反射光を受光して反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了するウエーハの加工方法。 - 該金属膜除去工程において、
縦軸を受光量hとし横軸を時間tとした場合に微分値dh/dtの絶対値が所定値を超えた際、金属膜が除去されたと判断する請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 該金属膜除去工程において、
該除去加工は、研磨パッドによって金属膜を研磨して除去する請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 該金属膜除去工程において、
該除去加工は、研削砥石を環状に備えた研削ホイールによって金属膜を研削して除去する請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 該金属膜除去工程において、
ウエーハの裏面に照射および反射する光の光路に沿って流体を供給して光の散乱を防止する請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 裏面に金属膜が被覆されたウエーハの裏面を加工するウエーハの加工装置であって、
ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハの裏面に被覆された金属膜を除去する除去手段と、
ウエーハの裏面に光を照射すると共に裏面からの反射光を受光する検出手段と、
該検出手段によって受光された反射光の受光量が急激に低下した際、金属膜が除去されたと判断して除去加工を終了する制御手段と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工装置。
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