JP2007149945A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス領域の裏面側の研削により凹部W3を形成してその外周側にリング状補強部W4を形成し、裏面に金属膜6を被覆した後、リング状補強部W4の裏面の金属膜を除去し、リング状補強部W4を裏面側から赤外線撮像することにより表面のストリートを検出してストリートを分離させる。デバイス領域の裏面側には電極となる金属膜を残しつつ、裏面側からストリートを分離させることが可能となる。
【選択図】図12
Description
垂直方向の軸心を有する回転軸22と、回転軸22の下端に装着されたホイール23と、ホイール23の下面に固着された砥石部24とから構成される。ウェーハWは、保護部材1側がチャックテーブル20によって保持され、裏面Wbが露出した状態となる。そして、チャックテーブル20が回転すると共に、ホイール23が回転しながら研削部21が下降することにより、回転する砥石部24がウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われる。このとき砥石部24は、ウェーハWの表面Waに形成されたデバイス領域W1(図1参照)の裏側に接触させ、その外周側は研削しないようにする。そして、デバイス領域W1の裏側が所望量研削されると、研削を終了する。こうして、裏面Wbのうちデバイス領域W1の裏側のみを研削することにより、図4及び図5にも示すように、裏面Wbに凹部W3が形成され、その外周側には外周余剰領域W2を含み研削前と同様の厚さを有するリング状補強部W4が残存する(凹状加工工程)。例えば、リング状補強部W4の幅は2〜3mm程度あればよい。また、リング状補強部W4の厚さは数百μmあることが望ましい。一方、デバイス領域W1の厚さは30μm程度にまで薄くすることができる。
Wa:表面
S:ストリート D:デバイス W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域
Wb:裏面
W3:凹部
W4:リング状補強部
T:テープ F:フレーム
1:保護部材
2:研削装置
20:チャックテーブル 21:研削部 22:回転軸 23:ホイール
24:砥石部
3:減圧成膜装置
31:チャンバー 32:保持部 33:励磁部材 34:スパッタ源
35:高周波電源 36:導入口 37:減圧口
4:切削装置
40:チャックテーブル
400:駆動源 401:移動基台
41:切削手段
410:ハウジング 411:スピンドル 412:切削ブレード
413:支持部
42:切削送り手段
420:ボールネジ 421:パルスモータ 422:ガイドレール
43:アライメント手段
430:赤外線カメラ
44:切り込み送り手段
440:壁部 441:ボールネジ 442:パルスモータ
443:ガイドレール
45:割り出し送り手段
450:ボールネジ 451:移動基台 452:パルスモータ
453:ガイドレール
50:保持テーブル 51:プローブ
6:金属膜
7:研削装置
70:保持テーブル 71:回転軸 72:砥石
Claims (3)
- ストリートによって区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
該デバイス領域の裏面側を研削して凹部を形成し、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形成する凹状加工工程と、
該ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該リング状補強部の裏面を研削して該リング状補強部に被覆された金属膜を除去する金属膜除去工程と、
該金属膜が除去されたリング状補強部の裏面側からの赤外線撮像により表面に形成されたストリートの位置を認識するストリート位置認識工程と、
該ストリート位置認識工程によって認識したストリートを裏面側から切削して個々のデバイスに分割する分割工程と
から構成されるウェーハの分割方法。 - 前記凹状加工工程と前記金属膜被覆工程との間に、該凹状加工工程によって研削面に形成された研削歪を除去する歪除去工程が遂行される
請求項1に記載のウェーハの分割方法。 - 前記金属膜被覆工程と前記金属膜除去工程との間に、デバイスのテストを行うテスト工程が遂行される
請求項1または2に記載のウェーハの分割方法。
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