JP2020105046A - 単結晶ウエハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記単結晶ウエハを還元処理する還元処理工程と、
前記単結晶ウエハの両面を粗研磨するラッピング工程と、
粗研磨された前記単結晶ウエハの一方の面を鏡面研磨するポリッシュ工程と、
前記還元工程よりも後に行われ、前記単結晶ウエハの光透過率を測定する光透過率測定工程と、
前記光透過率検査工程の光透過率検査結果に基づき光透過率を調整するためのエッチングを行う光透過率調整エッチング工程と、を有する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る単結晶の製造方法の一例の一連の工程を示した図である。
光透過率の測定は、ポリッシュ工程後の完成に近い状態で単結晶ウエハを測定することが好ましい。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る単結晶ウエハの製造方法の一例を示した図である。
図3は、第3の実施形態に係る単結晶ウエハの製造方法の一例を示した図である。第3の実施形態に係る単結晶ウエハの製造方法では、加工歪み除去エッチング工程の後に光透過率検査工程を行っている。
本発明の実施例、比較例について説明する。
チョクラルスキー法によりLN単結晶を育成した後、キュリー温度から融点の間でポーリングを行って、LN単結晶に単一分極処理を施した。その後、端部カットおよび円筒研削をした。次に、ワイヤーソーを用いて、直径6インチ、厚さ0.58mmのLN単結晶ウエハにスライスした。その後、アルミニウム粉末及び酸化アルミニウム粉末とからなる混合粉中に単結晶ウエハを埋め込んで還元処理した。
実施例1と同様にして、ワイヤーソーを用いて直径6インチ、厚さ0.53mmのLN単結晶ウエハを作製し、べべリング加工により、外周、オリフラの面取りを施した後、厚さが0.53mmになるまで両面ラッピングを施し、加工歪み除去エッチング処理を行った。次に、ウエハ端面に、エッジポリッシュを施した。次に、片面のみの鏡面研磨を施した。その後、光透過率を測定し、所定の範囲より2.0%低かった。そこで、光透過率調整エッチングを60分行った。その後、洗浄を行った。分光光度計で再度測定したところ、ウエハの光透過率は5.8%高くなり、所定の範囲内に入った。
実施例1と同様にして、ワイヤーソーを用いて直径6インチ、厚さ0.53mmのLN単結晶ウエハを作製し、べべリング加工により、外周、オリフラの面取りを施した後、厚さが0.53mmになるまで両面ラッピングを施し、加工歪み除去エッチング処理を行った。次に、端面に、エッジポリッシュを施した。次に、片面のみの鏡面研磨を施した。その後、光透過率を測定し、所定の範囲より2.0%低かった。そこで、光透過率調整エッチングを90分行った。その後、洗浄を行った。分光光度計で再度測定したところ、ウエハの光透過率は7.8%高くなり、所定の範囲内に入った。
チョクラルスキー法によりLN単結晶を育成した後、キュリー温度から融点の間でポーリングを行って、LN単結晶に単一分極処理を施した。その後、端部カットおよび円筒研削をした。次に、ワイヤーソーを用いて、直径6インチ、厚さ0.58mmのLN単結晶ウエハにスライスした。その後、アルミニウム粉末及び酸化アルミニウム粉末とからなる混合粉中に単結晶ウエハを埋め込んで還元処理した。
実施例1と同様にして、ワイヤーソーを用いて直径6インチ、厚さ0.53mmのLN単結晶ウエハを作製し、べべリング加工により、外周、オリフラの面取りを施した後、厚さが0.53mmになるまで両面ラッピングを施し、加工歪み除去エッチング処理を行った。次に、端面に、エッジポリッシュを施した。次に、片面のみの鏡面研磨を施した。その後、光透過率を測定し、所定の範囲より2.0%低かった。
Claims (5)
- 単結晶を円盤状にスライスして単結晶ウエハとするスライス工程と、
前記単結晶ウエハを還元処理する還元処理工程と、
前記単結晶ウエハの両面を粗研磨するラッピング工程と、
粗研磨された前記単結晶ウエハの一方の面を鏡面研磨するポリッシュ工程と、
前記還元処理工程よりも後に行われ、前記単結晶ウエハの光透過率を測定する光透過率検査工程と、
前記光透過率検査工程の光透過率検査結果に基づき光透過率を調整するためのエッチングを行う光透過率調整エッチング工程と、を有する単結晶ウエハの製造方法。 - 前記光透過率検査工程は、前記ポリッシュ工程よりも後に行われる請求項1に記載の単結晶ウエハの製造方法。
- 前記光透過率検査工程は、前記還元処理工程と前記ポリッシュ工程との間に行われ、
前記光透過率調整エッチング工程は、前記ラッピング工程と前記ポリッシュ工程との間に行われる請求項1に記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 前記ラッピング工程の後に、加工歪みを除去する加工歪み除去エッチング工程を更に有し、
前記光透過率検査工程は、前記加工歪み除去エッチング工程よりも前に行われ、
前記光透過率調整エッチング工程は、前記加工歪み除去エッチング工程の後に連続して行われる請求項2に記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 前記ラッピング工程の後に、加工歪みを除去する加工歪み除去エッチング工程を更に有し、
前記光透過率検査工程は、前記加工歪み除去エッチング工程の直後に行われ、
前記光透過率調整エッチング工程は、前記光透過率検査工程の直後に行われる請求項2に記載の単結晶ウエハの製造方法。
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