JP2020096155A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 35
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 21
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 2
- -1 ammonium fluorosilicate Chemical compound 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108131778A TWI821386B (zh) | 2018-11-30 | 2019-09-04 | 基板處理方法 |
| US16/564,851 US11114304B2 (en) | 2018-11-30 | 2019-09-09 | Substrate processing method |
| CN201910857745.2A CN111261514B (zh) | 2018-11-30 | 2019-09-09 | 基片处理方法 |
| KR1020190112799A KR102867092B1 (ko) | 2018-11-30 | 2019-09-11 | 기판 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018225461 | 2018-11-30 | ||
| JP2018225461 | 2018-11-30 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020096155A JP2020096155A (ja) | 2020-06-18 |
| JP2020096155A5 true JP2020096155A5 (enExample) | 2022-03-16 |
| JP7336873B2 JP7336873B2 (ja) | 2023-09-01 |
Family
ID=71085070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019086812A Active JP7336873B2 (ja) | 2018-11-30 | 2019-04-26 | 基板処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7336873B2 (enExample) |
| TW (1) | TWI821386B (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102516340B1 (ko) * | 2020-09-08 | 2023-03-31 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법 |
| JP2023002466A (ja) * | 2021-06-22 | 2023-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及びプラズマ処理システム |
| JP7561795B2 (ja) * | 2022-06-17 | 2024-10-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094307A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及び記録媒体 |
| JP5374039B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
| JP5140608B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2013-02-06 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| TWI591712B (zh) * | 2012-10-03 | 2017-07-11 | 應用材料股份有限公司 | 使用低溫蝕刻劑沉積與電漿後處理的方向性二氧化矽蝕刻 |
| CN108778739B (zh) * | 2016-03-13 | 2021-07-16 | 应用材料公司 | 用于选择性干式蚀刻的方法及设备 |
| JP6670707B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
2019
- 2019-04-26 JP JP2019086812A patent/JP7336873B2/ja active Active
- 2019-09-04 TW TW108131778A patent/TWI821386B/zh active
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