JP2020080369A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域上に第2導電型のボディ領域が設けられている窒化物半導体層を準備する工程と、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達する深さを有する溝を形成する工程と、結晶成長技術を利用して、前記溝内に第1導電型の窒化物半導体を結晶成長させてJFET領域を形成する工程であって、前記JFET領域の表面に前記ボディ領域の表面よりも深い位置まで侵入するテーパ溝を残存させる、工程と、結晶成長技術を利用して、前記テーパ溝内に第2導電型の窒化物半導体を結晶成長させて電界緩和領域を形成する工程と、を備えている。
【選択図】図1
Description
次に、半導体装置1の製造方法を説明する。まず、図3に示されるように、エピタキシャル成長技術を利用して、n型GaNのGaN基板であるドレイン領域21の表面からn型GaNのドリフト領域22及びp型GaNのボディ領域24をこの順で積層し、窒化物半導体層20を準備する。必要に応じて、ドレイン領域21(GaN基板)とドリフト領域22の間に、n型GaNのバッファ層を形成してもよい。
20:窒化物半導体層
21:ドレイン領域
22:ドリフト領域
23:JFET領域
24:ボディ領域
25:ソース領域
26,126:電界緩和領域
32:ドレイン電極
34:ソース電極
36:絶縁ゲート部
36a:ゲート絶縁膜
36b:ゲート電極
Claims (3)
- 第1導電型のドリフト領域上に第2導電型のボディ領域が設けられている窒化物半導体層を準備する工程と、
前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達する深さを有する溝を形成する工程と、
結晶成長技術を利用して、前記溝内に第1導電型の窒化物半導体を結晶成長させてJFET領域を形成する工程であって、前記JFET領域の表面に前記ボディ領域の表面よりも深い位置まで侵入するテーパ溝を残存させる、工程と、
結晶成長技術を利用して、前記テーパ溝内に第2導電型の窒化物半導体を結晶成長させて電界緩和領域を形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記テーパ溝の側面は、(10-11)、(10-12)、(10-13)、(10-14)、(10-15)、(10-16)、(11-21)、(11-22)、(11-23)、(11-24)、(11-25)、(11-26)からなる群から選択される少なくとも1つの結晶面を有する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の一方の主面上に設けられているドレイン電極と、
前記窒化物半導体層の他方の主面上に設けられているソース電極と、
絶縁ゲート部と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に設けられている第1導電型のJFET領域と、
前記ドリフト領域上に設けられており、前記JFET領域に隣接している第2導電型のボディ領域と、
前記JFET領域上に設けられており、前記JFET領域によって前記ボディ領域から隔てられている第2導電型の電界緩和領域と、
前記ボディ領域によって前記JFET領域から隔てられている第1導電型のソース領域と、
を有しており、
前記絶縁ゲート部は、前記JFET領域と前記ソース領域を隔てている部分の前記ボディ領域に対向しており、
前記JFET領域と前記電界緩和領域の界面の結晶面が、(10-11)、(10-12)、(10-13)、(10-14)、(10-15)、(10-16)、(11-21)、(11-22)、(11-23)、(11-24)、(11-25)、(11-26)からなる群から選択される少なくとも1つの結晶面を有する、半導体装置。
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-
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