JP2020077848A5

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Publication number: JP2020077848A5
Application number: JP2019164328A
Authority: JP
Filing date: 2019-09-10
Publication date: 2020-11-12

Claims

第１画素と、行方向に沿って前記第１画素に隣接する第２画素と、を含み、行列方向に配置された複数の画素と、
前記第１画素と前記第２画素との間に位置する部分を含むシールド電極と、
前記シールド電極から延びる第１シールドビアと、を備え、
前記第１画素は、
入射光を電荷に変換する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層で生成した電荷を収集する第１画素電極と、
を含み、
前記第２画素は、
入射光を電荷に変換する第２光電変換層と、
前記第２光電変換層で生成した電荷を収集する第２画素電極と、
を含み、
前記シールド電極は、前記第１画素電極および前記第２画素電極とは電気的に分離されており、
前記第１シールドビアは、平面視において、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置する、
撮像装置。
前記複数の画素は、列方向に沿って前記第１画素に隣接する第３画素を含み、
前記第３画素は、
入射光を電荷に変換する第３光電変換層と、
前記第３光電変換層で生成した電荷を収集する第３画素電極と、
を含み、
前記シールド電極から延び、前記平面視において、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間に位置する第２シールドビアをさらに備える、
請求項１に記載の撮像装置。
前記複数の画素は、前記列方向に沿って前記第２画素と隣接する第４画素を含み、
前記第４画素は、
入射光を電荷に変換する第４光電変換層と、
前記第４光電変換層で生成した電荷を収集する第４画素電極と、
を含み、
前記シールド電極から延び、前記平面視において、前記第１画素電極と前記第４画素電極との間に位置する第３シールドビアをさらに備える、
請求項２に記載の撮像装置。
さらに、第４シールドビアを備え、
前記シールド電極は、前記複数の画素を取り囲む格子を含み、
前記平面視において、前記第４シールドビアは、前記格子における辺と辺とが交わる部分から延びる、
請求項１に記載の撮像装置。
前記第１画素電極から延びる第１画素ビアと、
前記第２画素電極から延びる第２画素ビアと、
をさらに備える、
請求項１に記載の撮像装置。
前記平面視において、前記第１シールドビアは、前記第１画素ビアと前記第２画素ビアとの間に位置する、
請求項５に記載の撮像装置。
第１配線層をさらに備え、
前記第１シールドビアは、前記シールド電極から前記第１配線層まで延びている、
請求項１に記載の撮像装置。
前記シールド電極と前記第１光電変換層を含む光電変換膜との間に位置する絶縁部をさらに備える、
請求項１に記載の撮像装置。
前記平面視において、前記絶縁部は、前記シールド電極と重ならない部分を含む、
請求項８に記載の撮像装置。
前記平面視において、前記絶縁部は、前記第１画素電極と離間している、
請求項９に記載の撮像装置。
前記絶縁部は、膜形状を有し、
前記膜形状の厚さは、１０ｎｍ以上である、
請求項８に記載の撮像装置。
第１画素を含み、行列方向に配置された複数の画素と、
前記複数の画素を取り囲む格子を含むシールド電極と、
絶縁部と、を備え、
前記第１画素は、
入射光を電荷に変換する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層で生成した電荷を収集する第１画素電極と、を含み、
前記絶縁部は、前記シールド電極と前記第１光電変換層を含む光電変換膜との間に位置し、
平面視において、前記第１画素電極の面積は、前記格子の単位格子の一辺の面積より大きい、
撮像装置。
前記平面視において、前記絶縁部は、前記第１画素電極と離間している、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記絶縁部は、膜形状を有し、
前記膜形状の厚さは、１０ｎｍ以上である、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記第１画素電極が有する面と、前記シールド電極が有する面とが、同一平面上にある、
請求項１２に記載の撮像装置。
さらに、前記第１画素電極に電気的に接続されたゲート電極を含む増幅トランジスタを備える、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記平面視において、前記絶縁部は、前記シールド電極と重ならない部分を含む、
請求項１２に記載の撮像装置。
さらに、第１シールドビアおよび第５シールドビアを備え、
前記格子における辺と辺とが交わる部分を交差部と定義したとき、
前記第１シールドビアおよび前記第５シールドビアは、前記格子の単位格子のうち隣り合う２つの前記交差部の間の部分から延びる、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記絶縁部の下面と側面とのなす角度は９０度より小さい、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記第１画素電極の周囲にわたり、前記第１画素電極と前記シールド電極との間の離間幅は一定である、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記第１画素電極と前記シールド電極との間の離間幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下である、
請求項１２に記載の撮像装置。
前記光電変換膜は、前記平面視で前記絶縁部と重複する位置に、突出部を有する、
請求項１２に記載の撮像装置。
さらに、半導体基板を備え、
前記第１画素は、前記第１画素電極から延びる導体をさらに含み、
前記半導体基板の表面に垂直な方向に平行かつ行方向に平行な断面を第１断面と定義したとき、
前記第１断面における前記導体の幅は、平面視における前記格子の辺の幅よりも小さい、
請求項１２に記載の撮像装置。
第１画素と、行方向に沿って前記第１画素に隣接する第２画素と、を含み、行列方向に配置された複数の画素と、
前記第１画素と前記第２画素との間に位置する部分を含むシールド電極と、
絶縁部と、を備え、
前記第１画素は、
入射光を電荷に変換する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層で生成した電荷を収集する第１画素電極と、を含み、
前記絶縁部は、前記シールド電極と前記第１光電変換層を含む光電変換膜との間に位置し、
前記絶縁部の下面と側面とのなす角度は９０度より小さい、
撮像装置。