JP2008090141A5 - - Google Patents

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Claims (17)

  1. 画素電極を有する表示セルと、受光素子を有する受光セルと、を含む画素部を少なくとも一つ有し、
    上記表示セル側の画素電極と上記受光素子との間に固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光素子とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
    表示装置。
  2. 上記受光セルは、上記受光素子で受光して生成された受光信号が伝搬される受光信号配線が接続され、
    上記表示セル側の画素電極と上記受光信号配線との間に固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光信号配線とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
    請求項１記載の表示装置。
  3. 上記遮蔽用の導電体は既存の導電膜層を用いて形成されている
    請求項１記載の表示装置。
  4. 上記遮蔽用の導電体は既存の導電膜層を用いて形成されている
    請求項２記載の表示装置。
  5. 上記遮蔽用の導電体は受光素子の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
    請求項１記載の表示装置。
  6. 上記遮蔽用の導電体は受光素子および受光信号配線の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
    請求項２記載の表示装置。
  7. 上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１記載の表示装置。
  8. 上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項２記載の表示装置。
  9. 上記受光素子は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１記載の表示装置。
  10. 上記受光素子は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項２記載の表示装置。
  11. 上記受光素子は、絶縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１記載の表示装置。
  12. 上記受光素子は、絶縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項２記載の表示装置。
  13. 画素電極を有する表示セルと、受光素子を有する受光セルと、を含む複数の画素部がマトリクス状に配列され、
    上記表示セルは、上記画素電極と信号線とをゲート電極に受けた走査パルスに応答して作動的に接続する薄膜トランジスタを有し、
    上記受光セルは、上記受光素子で受光して生成された受光信号が伝搬される受光信号配線が接続され、
    上記表示セル側の画素電極と上記受光素子との間、および、上記表示セル側の画素電極と上記受光信号配線との間の少なくとも一方に、固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光素子、および／または上記画素電極と上記受光信号配線とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
    表示装置。
  14. 上記遮蔽用の導電体は受光素子および／または受光信号配線の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
    請求項１３記載の表示装置。
  15. 上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１３記載の表示装置。
  16. 上記受光素子は、縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１３記載の表示装置。
  17. 上記受光素子は、縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
    上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
    請求項１３記載の表示装置。
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