JP2020077753A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020077753A5
JP2020077753A5 JP2018210072A JP2018210072A JP2020077753A5 JP 2020077753 A5 JP2020077753 A5 JP 2020077753A5 JP 2018210072 A JP2018210072 A JP 2018210072A JP 2018210072 A JP2018210072 A JP 2018210072A JP 2020077753 A5 JP2020077753 A5 JP 2020077753A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
taper angle
pattern
control unit
controls
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018210072A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7195113B2 (ja
JP2020077753A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2018210072A external-priority patent/JP7195113B2/ja
Priority to JP2018210072A priority Critical patent/JP7195113B2/ja
Priority to TW108139225A priority patent/TWI826563B/zh
Priority to US16/671,407 priority patent/US11380545B2/en
Priority to KR1020190140601A priority patent/KR20200052844A/ko
Priority to CN201911082523.4A priority patent/CN111162006A/zh
Publication of JP2020077753A publication Critical patent/JP2020077753A/ja
Publication of JP2020077753A5 publication Critical patent/JP2020077753A5/ja
Publication of JP7195113B2 publication Critical patent/JP7195113B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

図４（ａ）の線Ａのパターン１（ＣＤ＝２９ｎｍ）、線Ｂのパターン２（ＣＤ＝２６ｎｍ）、線Ｃのパターン３（ＣＤ＝２３ｎｍ）、線Ｄのパターン４（ＣＤ＝２０ｎｍ）の初期状態におけるＣＤ値の差分の最大値は９ｎｍ（＝２９ｎｍ−２０ｎｍ）であった。
［テーパ角］
図５の下側に示すように、マスクパターンの側面が垂直のときのテーパ角を９０°とする。マスクパターンが逆テーパ形状になるときのテーパ角は９０°よりも大きく（増加）、マスクパターンがテーパ形状になるときのテーパ角は９０°よりも小さい（減少）と定義する。
更に、制御部４０は、堆積工程及び除去工程のサイクルステップを、図１２（ｅ）に示す２段階に制御してもよい。この場合、１段階目のサイクルステップＰでは、制御部４０は、レジスト膜１０８の側面を概ね垂直形状にするように制御する。例えば、図１２（ｃ）の例では、制御部４０は、テーパ角が８５°〜９５°の間になるように制御する。その後、２段階目のサイクルステップＱでは、制御部４０は、レジスト膜１０８の側面を概ね垂直形状にしつつ、式（５）を満たすように制御する。図１２（ｅ）の例では、制御部４０は、テーパ角が８５°〜９５°の間になるように制御しつつ、式（５）を満たすように制御する。

JP2018210072A 2018-11-07 2018-11-07 処理方法及び基板処理装置 Active JP7195113B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018210072A JP7195113B2 (ja) 2018-11-07 2018-11-07 処理方法及び基板処理装置
TW108139225A TWI826563B (zh) 2018-11-07 2019-10-30 處理方法及基板處理裝置
US16/671,407 US11380545B2 (en) 2018-11-07 2019-11-01 Processing method and substrate processing apparatus
KR1020190140601A KR20200052844A (ko) 2018-11-07 2019-11-06 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN201911082523.4A CN111162006A (zh) 2018-11-07 2019-11-07 处理方法和基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018210072A JP7195113B2 (ja) 2018-11-07 2018-11-07 処理方法及び基板処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020077753A JP2020077753A (ja) 2020-05-21
JP2020077753A5 true JP2020077753A5 (ja) 2021-09-24
JP7195113B2 JP7195113B2 (ja) 2022-12-23

Family

ID=70458783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018210072A Active JP7195113B2 (ja) 2018-11-07 2018-11-07 処理方法及び基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11380545B2 (ja)
JP (1) JP7195113B2 (ja)
KR (1) KR20200052844A (ja)
CN (1) CN111162006A (ja)
TW (1) TWI826563B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10727045B2 (en) * 2017-09-29 2020-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6624016B2 (en) * 2001-02-22 2003-09-23 Silicon-Based Technology Corporation Method of fabricating trench isolation structures with extended buffer spacers
JP4176365B2 (ja) * 2002-03-25 2008-11-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
JP4727171B2 (ja) 2003-09-29 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
KR100553839B1 (ko) * 2003-11-27 2006-02-24 삼성전자주식회사 캐패시터와 그 제조 방법, 이를 포함하는 반도체 장치 및그 제조 방법
KR100573827B1 (ko) * 2003-12-30 2006-04-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 콘택 형성 방법
JP2006203035A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法
US7271108B2 (en) 2005-06-28 2007-09-18 Lam Research Corporation Multiple mask process with etch mask stack
US20070181530A1 (en) 2006-02-08 2007-08-09 Lam Research Corporation Reducing line edge roughness
JP2007294905A (ja) 2006-03-30 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造方法およびエッチングシステム
US7491343B2 (en) 2006-09-14 2009-02-17 Lam Research Corporation Line end shortening reduction during etch
US7894927B2 (en) * 2008-08-06 2011-02-22 Tokyo Electron Limited Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures
US7772122B2 (en) * 2008-09-18 2010-08-10 Lam Research Corporation Sidewall forming processes
US8592327B2 (en) * 2012-03-07 2013-11-26 Tokyo Electron Limited Formation of SiOCl-containing layer on exposed low-k surfaces to reduce low-k damage
US20130267097A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for forming features with plasma pre-etch treatment on photoresist
JP2014225501A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP6185305B2 (ja) * 2013-06-28 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
KR20150015978A (ko) * 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 방법
CN104916577B (zh) * 2014-03-14 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 斜孔刻蚀方法
US9922839B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Lam Research Corporation Low roughness EUV lithography
JP2017084938A (ja) * 2015-10-27 2017-05-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USD810668S1 (en) Tire tread
JP2015042402A5 (ja)
USD769802S1 (en) Tire tread
USD795167S1 (en) Tire
USD785555S1 (en) Tire tread
USD792837S1 (en) Tire tread
USD813150S1 (en) Tire sidewall
JP2016130869A5 (ja)
JP2020525936A5 (ja)
JP2019502056A5 (ja)
JP2020520331A5 (ja)
JP2014186333A5 (ja) 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法
USD807281S1 (en) Tire tread
USD788688S1 (en) Tire tread
JP2012507141A5 (ja)
JP2020077753A5 (ja)
JP2018518013A5 (ja) 流体導管が埋め込まれた半導体製造装置及び導管の形成方法
JP2013247367A5 (ja)
USD812547S1 (en) Tire tread
USD815588S1 (en) Tire tread
JP2007522673A5 (ja)
JP2020514457A5 (ja)
JP2016098123A5 (ja)
JP2016206655A5 (ja)
JP2016035967A5 (ja)