JP2020050867A - 組成物並びにこれに関する方法及び使用 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 23
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 239000000976 ink Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 19
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 17
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 9
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 21
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 27
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 7
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VPXSRGLTQINCRV-UHFFFAOYSA-N dicesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][W]([O-])(=O)=O VPXSRGLTQINCRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000004594 Masterbatch (MB) Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N octylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCP(O)(O)=O NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000010951 particle size reduction Methods 0.000 description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- NLSCHDZTHVNDCP-UHFFFAOYSA-N caesium nitrate Chemical compound [Cs+].[O-][N+]([O-])=O NLSCHDZTHVNDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N dimethyl methylphosphonate Chemical compound COP(C)(=O)OC VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical compound [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- ZPONIZOWEKVJGL-AWLASTDMSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC ZPONIZOWEKVJGL-AWLASTDMSA-N 0.000 description 1
- 150000005208 1,4-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- CBECDWUDYQOTSW-UHFFFAOYSA-N 2-ethylbut-3-enal Chemical compound CCC(C=C)C=O CBECDWUDYQOTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABKDZANKXKCXKG-UHFFFAOYSA-B P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].P(=O)([O-])([O-])[O-].P(=O)([O-])([O-])[O-].P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].[W+4] Chemical compound P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].P(=O)([O-])([O-])[O-].P(=O)([O-])([O-])[O-].P(=O)([O-])([O-])[O-].[W+4].[W+4] ABKDZANKXKCXKG-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000012724 UV-induced polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- FRXGWNKDEMTFPL-UHFFFAOYSA-N dioctadecyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC FRXGWNKDEMTFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M diphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)([O-])OC1=CC=CC=C1 ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010316 high energy milling Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004433 infrared transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012669 liquid formulation Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JTHNLKXLWOXOQK-UHFFFAOYSA-N n-propyl vinyl ketone Natural products CCCC(=O)C=C JTHNLKXLWOXOQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N phenyl phosphate Chemical compound OP(O)(=O)OC1=CC=CC=C1 CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012667 polymer degradation Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005336 safety glass Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- FDGZUBKNYGBWHI-UHFFFAOYSA-N trioctadecyl phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOP(=O)(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC FDGZUBKNYGBWHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Chemical group 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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Abstract
【課題】ＵＶ分解しにくく、さらなる処理がなくてもポリマー、コーティング及びインク中によく分散し、溶媒の取り扱いを回避する、酸化タングステンに基づくＮＩＲ吸収材料を提供する。【解決手段】式（Ｉ）：Ｍ１ａＭ２ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ（Ｉ）の材料であって、式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である材料。【選択図】なし
Description
本発明は、組成物並びにこれに関する方法及び使用に関する。
近年、近赤外（ＮＩＲ）吸収材料は、技術的に顕著に重要になってきている。高温気候では、特に建物又は車両の内部の温度制御は、エネルギー消費量の主要部分を代表する。空調、断熱及び関係する材料に関連したより低エネルギー消費及びコストに対する課題が引き続いて存在している。
太陽からの熱のほとんどは、太陽光スペクトルのＮＩＲ部によって運ばれる。例えば、建物及び車両への伝熱を低減するために使用される１つの手段は、太陽光スペクトルのＮＩＲ部が反射されるか又は吸収されるが透過しないように、露出した表面を修飾することである。窓の場合は、このスペクトルの可視部が窓を透過することができるということが望ましいが、ＮＩＲ部は反射されるか又は吸収される必要がある。結果として、窓の背後の空間への伝熱は大きく低減される。
近年は、多くの無機材料が、ＮＩＲ放射線の吸収のために使用されている。無機化合物が一般に好まれる。なぜなら、光における無機化合物の分解は、通常、有機化合物の分解よりも低いからである。
現在、主として、金属化合物が、ＮＩＲ吸収材料の製造のために使用されている。これらの化合物の極めて重要な代表例としては、
酸化スズアンチモン（ＡＴＯ）、
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、
六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）、
酸化セシウムタングステン（ＣＷＯ）、
酸化モリブデン（ＭｏＯ）、
銀金属粒子（Ａｇ）、及び
これらの混合物
が挙げられる。
酸化スズアンチモン（ＡＴＯ）、
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、
六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）、
酸化セシウムタングステン（ＣＷＯ）、
酸化モリブデン（ＭｏＯ）、
銀金属粒子（Ａｇ）、及び
これらの混合物
が挙げられる。
これらの極めて重要な物質種の数多くの誘導体が商業的に使用されている。
典型的には、建物の太陽光に対して露出された表面を覆うために使用されるコーティング又はポリマーフィルム（膜）の中へＮＩＲ吸収材料の粒子を組み込むことが必要である。スペクトルの可視部がこのフィルムを透過するようにするために、吸収材の粒径（粒子サイズ）をナノスケールまで、典型的には１００ｎｍ未満まで小さくして、視覚的に透明なコーティングを提供する必要がある。粒径の減少は、通常、マイクロメートルサイズの粒子を、必要とされるナノスケールまで高エネルギー粉砕によって粉砕することで行われる。
ナノ粒子の直接合成は水熱プロセス又はソルボサーマルプロセスによって可能であり、先行技術の方法は、実験室スケールで成功しているということが知られている。しかしながら、スケールアップに際しては、水熱プロセス及びソルボサーマルプロセスに関するいくつかの問題、例えば低効率、副生成物を除去する難しさ、及び必要とされる設備の高コストなどがある。
異なる物質は、異なるＮＩＲ吸収特性を有する。これらの差は、光学分光法によって測定することができる。粉末反射率スペクトル又は透過率スペクトルを測定することができ、太陽スペクトルに対する吸収が観測される。個々の材料の吸収効率を算出するための方法がいくつかある。
好ましい物質は、スペクトルの可視範囲（例えば４００〜８００ｎｍ）ではわずかの吸収しか示さず、ＮＩＲ範囲（８００〜２５００ｎｍ）では高い吸収を示す物質である。好ましい材料は、吸収特性の急激で狭い波長範囲での変化を有する。
例えば、酸化スズアンチモン（ＡＴＯ）薄膜は、可視範囲において高い透明性を有するが、最高の吸収は１２００ｎｍ以降、より長波長側まで起こる。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）薄膜は、ＡＴＯよりも高い吸収率を示すが、一般に同様の傾きを有する。ＩＴＯ薄膜の最大吸収は、１１００ｎｍ以降に起こる。
ＡＴＯ系及びＩＴＯ系の材料は、長波長側で、とりわけ１５００ｎｍより長波長側で高い吸収を示すが、これは、太陽スペクトルの一部分であり、しかもこの部分は熱負荷のより小さい部分しか担っていない。
六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）及び酸化セシウムタングステン（ＣＷＯ）は、ＮＩＲ範囲においてより効率的である。ＮＩＲ範囲におけるこれらの吸収極大は、９５０ｎｍ以降に始まる。その吸収は１４００ｎｍより長波長側で再び減少する。これは、これらの化合物とＡＴＯ系及びＩＴＯ系の材料との主要な差異の１つである。
しかしながら、ＬａＢ６及びＣＷＯの粒径が透明なフィルム又はコーティングを作り出すために必要なナノスケールにまで減少すると、ＬａＢ６及びＣＷＯは不安定になるということが当業者にとっては周知である。ＬａＢ６は水分に敏感である一方で、ＣＷＯの分解は酸化に関係する。
ＣＷＯのＮＩＲ吸収特性はいくつかの要因に起因し、その要因としては、ＷＯ３マトリクスの結晶構造（六方晶系、立方晶系及び三斜晶系の形態のみがＩＲ吸収性材料を生じる）、Ｗ５＋酸化状態及びＷ６＋酸化状態の比、及び痕跡量の金属の存在が挙げられる。
ＣＷＯが酸化されると、結晶構造は必ずしも変化しないが、Ｗ５＋の量は大きく減少し、このことはＮＩＲ吸収能の喪失につながる可能性がある。
これを考慮して、合成経路を変更することにより、組成を変更することにより、又は酸化亜鉛等のＵＶ吸収材料若しくは置換ヒドロキノン類、シンナミド類若しくはリンに基づく有機ＵＶ吸収材と組み合わせることにより、ＣＷＯの不安定性を克服するためのいくつかの試みが行われてきている。このような組み合わせは、典型的には、コーティング又はポリマー配合物における物理的混合物である。
ＣＷＯ及びそれに基づく材料を製造するための工業的に実行可能な方法がいくつかある。
１つの方法は、固体のセシウム供給源、例えば炭酸セシウム又は水酸化セシウム、及び酸化タングステン供給源、例えばタングステン酸、タングステン酸アンモニウム又はタングステン酸ナトリウム、から出発する標準的な固相合成を含む。これらの原料は、混合され、典型的には、形成ガス又は他の不活性ガス／水素ガスの組み合わせの還元性雰囲気下で、８００℃以下の高温で加熱される。結果物は典型式Ｃｓ０．３２ＷＯ３の粗い濃青色の粉末である。粒径の減少は、この粉末をビーズミル中で長時間加工してナノスケールの粒径を達成することにより成し遂げられる。
１つの別の方法は、六塩化タングステン及び塩化セシウムから出発する、溶媒を用いる沈殿プロセスを使用する。これらの材料はエタノールに溶解され、乾燥され、次いで水素含有ガス混合物によって高温で還元される。得られた粗い粒子は、ここでもビーズ粉砕によってナノスケールまで小さくされる。
ナノ粒子の直接合成は、水熱プロセス又はソルボサーマルプロセスを伴う。これらは、類似のタングステン供給源及びセシウム供給源並びに付加的な化学還元剤から出発する。この混合原料は液相に溶解され、次いで１５０〜３２０℃の温度に長時間加熱され、ナノ粒子状ＣＷＯの分散液が直接形成される。典型的には、このナノスケールＣＷＯの分散液からの副生成物の分離は困難である。しかしながら、優位点は、粒径分布及び粒子形状が、固体状態プロセスにおけるよりも簡単に影響を受けうるということである。
どの合成アプローチを選択するにせよ、酸化に対する感受性は克服されない。問題は、意図された最終生成物における他の成分との潜在的な非相溶性である。ほとんどのプロセスでは、最終生成物は、塗料、コーティング又はインクへ含まれる液体分散液である。そのポリマーコーティング及びインクはすべて液体であるので、ナノスケールＣＷＯの分散液の組み込みは、溶媒及び分散助剤の非相溶性に関するあらゆる問題が回避される限りは、問題ではない。しかしながら、ＣＷＯがポリマーの中へ、例えばマスターバッチ又は化合物の形態で組み込まれる必要があるとなると、固体生成物が好ましい。液体材料の導入は技術的に簡単ではない。なぜなら、溶媒又は水はポリマー融液から除去される必要があるからである。例えばエステル基を含有するポリマーでは、このことは、ポリマーの分解につながりうる。これは、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート又はポリブチレンテレフタレート及び類似のポリマーについて当てはまる。
ＣＷＯ分散液を固体状態に変換することは、技術的には問題ではないが、ナノ粒子は固体状態で再凝集する。乾燥したＣＷＯ粉末がポリマー融液の中へ含まれると、通常、不完全な分散（デアグロメレーション）が生じ、これがポリマー中でのＮＩＲ吸収の効率を制限し、ポリマーフィルム又は押出成形品の透明性を損なう。固体のＣＷＯ粒子がインク及びコーティング等の液体配合物へと組み込まれると、類似の効果が見られる。この効率は、マトリクス中での集塊した粒子の分布が悪いため、典型的にはより低い。これまで、分散液は最善の選択肢であると考えられている。しかしながら、これらは、使用者が大量の溶媒を使って作業することを必要とする。これはあまり望ましいことではない。なぜなら、好ましい溶媒は典型的には可燃性であり、限られた量のＮＩＲ吸収材料だけを運ぶのに大量の溶媒を運搬したり取り扱ったりすることを伴うからである。
それゆえ、ＵＶ分解しにくく、さらなる処理がなくてもポリマー、コーティング及びインク中によく分散し、溶媒の取り扱いを回避する、酸化タングステンに基づくＮＩＲ吸収材料を提供することが非常に望ましいであろう。
先行技術の少なくとも１つの不都合を克服するＮＩＲ吸収材料を提供することが、本発明の目的である。
本発明の第１の態様によれば、式（Ｉ）の材料が提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１及びＭ２の各々は、好適には、カチオン種として存在する。Ｍ１及びＭ２の各々は、アンモニウムカチオン又は金属カチオンから選択される。
Ｍ１は、好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、１３族金属、１４族金属及び第１列又は第２列のｄ−ブロック金属からなる群から選択される金属カチオンである。
好ましくは、Ｍ１は、アンモニウム、アルカリ金属、亜鉛及びスズから選択される。より好ましくは、Ｍ１は、アンモニウム、カリウム、ナトリウム、セシウム、ルビジウム、亜鉛及びスズから選択される。最も好ましくは、Ｍ１はアルカリ金属、とりわけセシウムである。
Ｍ２は、好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、１３族金属、１４族金属及び第１列又は第２列のｄ−ブロック金属からなる群から選択される金属カチオンである。
好ましくは、Ｍ２は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、亜鉛及びスズから選択される。より好ましくは、Ｍ２は、アルカリ金属、亜鉛及びスズから選択される。最も好ましくは、Ｍ２は、ナトリウム、カリウム、亜鉛及びスズから選択される。
Ｍ２は、２以上の金属の混合物を含んでもよい。
好ましくは、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はセシウムではない。
好ましくは、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２は、アルカリ金属、亜鉛及びスズからなる群から選択される。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はナトリウムである。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２は亜鉛である。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はスズである。
１つのとりわけ好ましい実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はカリウムである。
ａは０．０１〜０．５である。好ましくは、ａは０．１〜０．４５である。最も好ましくは、ａは０．２２〜０．４である。
ｂは０〜０．５である。好ましくは、ｂは０．００１〜０．４、又は０．００５〜０．３である。好適には０．００７５〜０．２５、例えば０．０１〜０．２である。
ａ及びｂの和は、好ましくは０．１〜０．６、好ましくは０．２〜０．４、より好ましくは０．３〜０．３５である。
ｄは２．５〜３である。好ましくは、ｄは２．６〜３である。最も好ましくは、ｄは２．７〜３である。
ｅは０．０１〜０．７５である。
好ましくは、ｅは０．０１〜５、より好ましくは０．０２〜０．４、好適に０．０３〜０．４、例えば０．０５〜０．２５である。
１つの好ましい実施形態では、ｅは０．０６〜０．１である。
ｎは１、２又は３であってもよい。
好ましくは、ｎは２又は３である。最も好ましくは、ｎは３である。
ｍは１、２又は３であってもよい。
好ましくは、ｍは１又は２である。最も好ましくは、ｍは１である。
ｍが１より大きい場合、各Ｒは同じであってもよいし異なっていてもよい。このような実施形態では、本明細書中のＲについての規定は、独立に各Ｒに適用される。しかしながら、好ましい実施形態では、各Ｒは同じである。
Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
好ましくは、Ｒは、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラルキル基、置換されていてもよいアルカリール基又はアルコキシ含有基である。
好ましくは、Ｒは、非置換のアルキル基、非置換のアルケニル基、非置換のアリール基、非置換のアラルキル基若しくは非置換のアルカリール基又はアルコキシ含有基である。好ましくは、Ｒは、アルキル基、アリール基、アラルキル基及びアルコキシ含有基又はフェノキシ含有基から選択される。
好適なアルコキシ含有基としては、アルコキシル化アルキル基、ポリアルコキシル化アルキル基、アルコキシル化アルコール及びポリアルコキシル化アルコールが挙げられる。
好ましいアルコキシ含有基は、ポリアルコキシル化アルコール、とりわけエチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシドから誘導される部分である。とりわけ好ましいアルコキシ含有基は、５０〜２５００、より好ましくは５０〜１０００、最も好ましくは５０〜４００の数平均分子量を有するポリエチレングリコール（ＰＥＧ）基又はポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基である。
いくつかの実施形態では、Ｒはアリール基である。好適なアリール基は、１以上の芳香環を含んでもよい。いくつかの実施形態では、Ｒはナフチルであってもよい。
好適なアリール基としては複素環式アリール基が挙げられる。好ましいアリール基は、５〜７個の炭素原子を有し、任意に１以上のヘテロ原子、例えばＮ、Ｓ又はＯを含有する。
好ましいアリール基はフェニル基及び置換フェニル基である。
いくつかの実施形態では、Ｒは、Ａｒがアリール基であるＯＡｒであってもよい。例えばＲはフェノキシであってもよい。
好適な置換基としては１以上のアルキル基及び／又はアルコキシ含有基が挙げられる。好ましい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノナニル、及びこれらの異性体、ポリ（イソプレン）及びポリ（イソブチレン）及びポリアルコキシル化アルコールの誘導体、とりわけエチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシドから誘導される部分が挙げられる。Ｒがフェニルである場合のいくつかの好ましい置換基はイソヘキシル、イソヘプチル及びイソノニルである。
いくつかの実施形態では、Ｒはトルエン又はキシレンであってもよい。
いくつかの実施形態では、Ｒは非置換のアリール基である。１つの好ましい実施形態では、Ｒはフェニルである。
いくつかの実施形態では、Ｒは置換されていてもよいアルキル基である。
好適な置換基としてはハロ、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ及びアルコキシが挙げられる。
好ましいアルキル基は非置換のものである。
好適には、Ｒは非置換の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基である。
好適には、Ｒは、アルコキシ基、フェノキシ基又は１〜３６個の炭素原子を有するアルキル若しくは１〜３６個の炭素原子を有するアリール基から選択される。
好ましくは、Ｒは、１〜３６個の炭素原子、好ましくは２〜３０個の炭素原子、より好ましくは４〜２４個の炭素原子、好適には６〜２０個の炭素原子を有するアルキル基又は１〜３６個の炭素原子、好ましくは２〜３０個の炭素原子、より好ましくは４〜２４個の炭素原子、好適には６〜２０個の炭素原子を有するアリール基である。
いくつかの実施形態では、Ｒは、４〜２４個の炭素原子を有する非置換のアルキル基又は４〜２４個の炭素原子を有する非置換のアリール基である。
いくつかの実施形態では、Ｒは、８〜１８個の炭素原子を有する非置換のアルキル基である。
１つの好ましい実施形態では、ＲはＣ８Ｈ１７である。
１つの好ましい実施形態では、ＲはＣ１８Ｈ３７である。
最も好ましくは、Ｒは、オクチル、オクタデシル及びフェニルから選択される。
リンが＋３又は＋５の酸化状態で存在してもよい。最も好ましくは、リンが＋５の酸化状態で存在する。
好ましくは、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２は、アルカリ金属、スズ又は亜鉛から選択され、ａは０．１〜０．４５であり、ｂは０〜０．３であり、ｃは１であり、ｄは２．７〜３であり、ｅは０．０１〜０．４であり、ｎは２又は３であり、ｍは１又は２であり、各Ｒは、１〜３０個の炭素原子を有する非置換のアルキル基若しくは１〜３０個の炭素原子を有する非置換のアリール基又は１〜３０個の炭素原子を有するアルコキシ基である。
いくつかの好ましい実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２は、ナトリウム、カリウム、スズ又は亜鉛から選択され、ａは０．２２〜０．４であり、ｂは０．０１〜０．２であり、ｃは１であり、ｄは２．７〜３であり、ｅは０．０５〜０．２５であり、ｎは２であり、ｍは１であり、Ｒは、６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアルキル基又は６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアリール基である。
１つの好ましい実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はカリウムであり、ａは０．３２であり、ｂは０．０１であり、ｃは１であり、ｄは２．９であり、ｅは０．０８であり、ｎは２であり、ｍは１であり、ＲはＣ８Ｈ１７である。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．３２Ｋ０．０１ＷＯ２．９（Ｐ（Ｏ２）Ｃ８Ｈ１７）０．０８であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はカリウムであり、ａは０．３２であり、ｂは０．０１であり、ｃは１であり、ｄは２．９であり、ｅは０．１６であり、ｎは２であり、ｍは１であり、Ｒはフェニルである。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．３２Ｋ０．０１ＷＯ２．９（Ｐ（Ｏ２）Ｃ６Ｈ５）０．１６であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はカリウムであり、ａは０．２７であり、ｂは０．０５であり、ｃは１であり、ｄは２．９であり、ｅは０．２であり、ｎは２であり、ｍは１であり、ＲはＣ１８Ｈ３７である。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．２７Ｋ０．０５ＷＯ２．９（Ｐ（Ｏ２）Ｃ１８Ｈ３７）０．２であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はナトリウムであり、ａは０．３２であり、ｂは０．０１であり、ｃは１であり、ｄは３であり、ｅは０．２であり、ｎは２であり、ｍは１であり、ＲはＣ１８Ｈ３７である。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．３２Ｎａ０．０１ＷＯ３（Ｐ（Ｏ２）Ｃ１８Ｈ３７）０．２であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２はスズであり、ａは０．２２であり、ｂは０．１であり、ｃは１であり、ｄは２．９であり、ｅは０．１６であり、ｎは２であり、ｍは１であり、ＲはＣ１８Ｈ３７である。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．２２Ｓｎ０．１ＷＯ２．９（Ｐ（Ｏ２）Ｃ１８Ｈ３７）０．１６であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、Ｍ２は亜鉛であり、ａは０．１２であり、ｂは０．２であり、ｃは１であり、ｄは３であり、ｅは０．１６であり、ｎは２であり、ｍは１であり、Ｒはフェニルである。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．１２Ｚｎ０．２ＷＯ３（Ｐ（Ｏ２）Ｃ６Ｈ５）０．１６であってもよい。
いくつかの実施形態では、式（Ｉ）の材料がＭ２を含まないようにｂは０である。このような実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、ａは０．２２〜０．４であり、ｂは０であり、ｃは１であり、ｄは２．７〜３であり、ｅは０．０５〜０．２５であり、ｎは２であり、ｍは１であり、Ｒは６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアルキル基又は６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアリール基である。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、ａは０．３２であり、ｂは０であり、ｃは１であり、ｄは２．７２であり、ｅは０．０８であり、ｎは２であり、ｍは１であり、ＲはＣ１８Ｈ３７である。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．３２ＷＯ２．７２（Ｐ（Ｏ２）Ｃ８Ｈ１７）０．０８であってもよい。
１つの実施形態では、Ｍ１はセシウムであり、ａは０．３１であり、ｂは０であり、ｃは１であり、ｄは２．９であり、ｅは０．１６であり、ｎは２であり、ｍは１であり、Ｒはフェニルである。従って、式（Ｉ）の材料はＣｓ０．３１ＷＯ２．９（Ｐ（Ｏ２）Ｃ６Ｈ５）０．１６であってもよい。
本発明は、酸化タングステン系の材料に関する。好ましい実施形態では、この材料は、式Ｗ−Ｏ−Ｐ−ＯＲ又は式Ｗ−Ｏ−Ｐ−Ｒの有機リン部分を含む。
式Ｗ−Ｏ−Ｐ−ＯＲ又は式Ｗ−Ｏ−Ｐ−Ｒの部分によって、本発明者らは、結晶構造中のタングステン原子に配位している酸素原子がリン原子にも配位しており、かつこのリン原子が置換されていてもよいヒドロカルビル基Ｒに直接又は酸素原子を介して結合しているという単位を式（Ｉ）の材料が備えているということを意味する。
本発明の第２の態様によれば、式（Ｉ）の材料の調製方法が提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。当該方法は、
（ｉ）
（ａ）ドーパント種Ｍ１及び任意にＭ２の供給源、及び
（ｂ）タングステンの供給源
を混合する工程と、
（ｉｉ）（ｃ）有機リン化合物を添加する工程と、
（ｉｉｉ）（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱する工程と
を備える。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。当該方法は、
（ｉ）
（ａ）ドーパント種Ｍ１及び任意にＭ２の供給源、及び
（ｂ）タングステンの供給源
を混合する工程と、
（ｉｉ）（ｃ）有機リン化合物を添加する工程と、
（ｉｉｉ）（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱する工程と
を備える。
本発明の第２の態様の工程（ｉ）は、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）及びタングステンの供給源（ｂ）を混合することを含む。
金属Ｍ１及びＭ２がともに使用される場合、これらは、各々、同じ供給源から提供されてもよいし異なる供給源から供給されてもよい。従って、いくつかの実施形態では、成分（ａ）は化合物の混合物を含んでもよい。
工程（ｉｉ）は、有機リン化合物（ｃ）を添加することを含む。
いくつかの実施形態では、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）は組み合わされてもよく、第２の態様の方法は、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を混合することを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）は別個に実施されてもよく、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）及びタングステンの供給源（ｂ）が最初に混合され、次いで、還元性雰囲気中で加熱される前又は後に有機リン化合物（ｃ）とさらに混合される。
いくつかの実施形態では、工程（ｉｉ）は工程（ｉｉｉ）の前に実施され、工程（ｉｉｉ）は、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）、タングステンの供給源（ｂ）及び有機リン化合物（ｃ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱することを含む。
いくつかの実施形態では、工程（ｉｉｉ）は工程（ｉｉ）の前に実施される。このような実施形態では、工程（ｉｉｉ）が、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）及びタングステンの供給源（ｂ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱することを含み、工程（ｉｉ）が、有機リン化合物（ｃ）をこの還元された混合物に添加することを含む。
好適には、上記ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源は、カチオン種Ｍ１／Ｍ２及びアニオンを含む塩を含む。好適な塩としては、ハロゲン化物、亜硝酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、炭酸塩及び酸化物が挙げられる。好ましくは、このドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源は炭酸塩、水酸化物又は硝酸塩である。
好ましい実施形態では、Ｍ１がセシウムである場合、ドーパント種Ｍ１の供給源は、好適にはセシウム供給源であろう。好ましいセシウム供給源としては、炭酸セシウム、水酸化セシウム、及び硝酸セシウムが挙げられる。
いくつかの実施形態では、成分（ａ）は、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の２以上の供給源の混合物を含んでもよい。このような実施形態では、成分（ａ）は、同じ種Ｍ１／Ｍ２の２以上の異なる塩及び／又は異なる種Ｍ１／Ｍ２を含む塩の混合物を含んでもよい。
タングステンを含む任意の化合物が、タングステンの供給源（ｂ）として使用されてもよい。タングステンの好ましい供給源としては、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸及びメタタングステン酸アンモニウムが挙げられる。
成分（ｂ）は、２以上のタングステンの供給源の混合物を含んでもよい。
工程（ｉ）で使用される成分（ａ）及び成分（ｂ）の比は、式（Ｉ）の材料における所望のモル比によって決定される。
典型的には、タングステンに対するドーパント種Ｍ１／Ｍ２のモル比は、１：２〜１：４、好ましくはおよそ１：３である。出発材料の適切な比の選択は、当業者の力量の範囲内にある。
好ましい実施形態では、工程（ｉ）は溶媒中で実施される。好ましい溶媒としては、水、水混和性アルコール、及びこれらの混合物が挙げられる。とりわけ好ましい溶媒は、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール及びこれらの混合物である。
工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）が同時に実施される好ましい実施形態では、この複合工程は、好ましくは、そのような溶媒の存在下で実施される。
工程（ｉｉ）は（ｃ）有機リン化合物の添加を含む。
任意の有機リン化合物を使用することができる。有機リン化合物によって、本発明者らは、リン原子及びヒドロカルビル基を含む化合物であって、炭素原子がリン原子に直接又は酸素原子を介して結合している化合物を意味する。
好適な有機リン化合物としては、ヒドロカルビルホスフィン、リン酸エステル及びホスホン酸エステルが挙げられる。
好ましい有機リン化合物は式（ＩＩ）の化合物である。
上記式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は、独立に、ＯＨ、Ｈ、ＯＲ４、アルキル、アリール及び（ＯＲ５）ｎＯＨから選択され、Ｒ４はアルキル又はアリールであり、各Ｒ５は、独立に、エチル又はプロピルであり、ｎは少なくとも１である。
好ましくは、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は、独立に、ＯＨ、ＯＲ４、アルキル及びアリールから選択される。
好ましくは、Ｒ１はＯＨであり、Ｒ２はＯＨであり、Ｒ３は第１の態様に関して定義される基Ｒである。
最も好ましくは、Ｒ１はＯＨであり、Ｒ２はＯＨであり、Ｒ３はＣ８Ｈ１７、Ｃ１８Ｈ３７及びフェニルから選択される。
本発明で使用するための好ましい有機リン化合物としては、オクチルホスホン酸、メチルホスホン酸ジメチルエステル、リン酸トリステアリル、リン酸フェニル及びリン酸トリフェニル及びリン酸ポリエチレングリコールモノオレイルエーテルが挙げられる。
１つの実施形態では、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）及びタングステンの供給源（ｂ）が工程（ｉ）で予め混合され、有機リンの供給源（ｂ）が工程（ｉｉ）でこの混合物に添加される。
工程（ｉ）は、常温又は高温で実施されてよい。いくつかの実施形態では、工程（ｉ）は、５０℃より高い温度、例えば６０℃又は７０℃で実施されてもよい。いくつかの実施形態では、工程（ｉ）は８０℃で実施されてもよい。
工程（ｉｉ）が工程（ｉｉｉ）の前に実施される実施形態では、工程（ｉｉ）は、常温又は高温で実施されてよい。いくつかの実施形態では、工程（ｉｉ）は、５０℃より高い温度、例えば６０℃又は７０℃で実施されてもよい。いくつかの実施形態では、工程（ｉｉ）は８０℃で実施されてもよい。
工程（ｉ）及び／又は工程（ｉｉ）は、好適には、生成した混合物を撹拌することを含む。
好ましくは、溶媒が存在すれば、工程（ｉｉｉ）に先だってその溶媒は除去される。好ましくは、工程（ｉｉｉ）の前に当該材料を乾燥する工程が存在する。好適な乾燥方法は当業者に公知であり、例えば噴霧乾燥器の使用が挙げられる。
工程（ｉｉｉ）は、（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱することを含む。
好適には、工程（ｉｉｉ）は、（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を３００℃を超える温度で、好適には４００℃を超える温度で、好ましくは４５０℃超える温度で、例えば５００〜６００℃の温度で、還元性雰囲気中で加熱することを含む。
工程（ｉｉｉ）は、好適には、水素、窒素、一酸化炭素又はこれらの混合物を含むガス環境中で（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を加熱することを含む。好ましい実施形態では、工程（ｉｉｉ）は、窒素／水素の雰囲気中で（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を加熱することを含む。
好ましい実施形態では、工程（ｉｉｉ）は、工程（ｉｉ）の後に実施され、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）、タングステンの供給源（ｂ）及び有機リン化合物（ｃ）を含む混合物を加熱することを含む。
いくつかの実施形態では、工程（ｉｉｉ）は、工程（ｉｉ）の前に実施され、ドーパント種Ｍ１／Ｍ２の供給源（ａ）及びタングステンの供給源（ｂ）を含む混合物を加熱することを含む。このような実施形態では、還元された混合物が、次に、有機リン化合物（ｃ）と混合される。
工程（ｉｉｉ）の後に得られる還元された混合物は、好適には、工程（ｉｉ）で、溶媒の存在下で有機リン化合物（ｃ）と混合される。好ましい溶媒としては、水、水混和性アルコール（とりわけメタノール及びエタノール）、並びにこれらの混合物が挙げられる。
工程（ｉｉ）後、生成物は、好適には乾燥される。このような実施形態では、生成物は、任意に、還元性雰囲気中で再度加熱されてもよい。好ましい条件は、工程（ｉｉｉ）に関して記載されているとおりである。
工程（ｉｉｉ）が工程（ｉｉ）の前に実施される実施形態は、少量の有機リンのみが組み込まれることを可能にするのに対し、工程（ｉｉｉ）が工程（ｉｉ）後に実施される実施形態は、最終生成物におけるＷ／Ｐ比をほとんど自由に変えることを可能にする。
工程（ｉｉｉ）後に得られる材料は、そのまま使用されてもよいし、又はさらなる処理に供されてもよい。
いくつかの好ましい実施形態では、第２の態様の方法は、工程（ｉｉｉ）で得られた材料を粉砕する工程（ｉｖ）をさらに含んでもよい。
好ましい粉砕プロセスはボールミル粉砕を含む。
好適には、特定の表面積／粒径が得られるまで、粉砕が実施される。
好ましい実施形態では、当該材料は、少なくとも２０ｍ２／グラムの表面積が得られるまで、ボールミル処理される。
好適には、本発明の第２の態様の方法は、ナノ粒子を直接提供するために使用することができる。ナノ粒子は、好適には、１００ｎｍ以下のオーダーの１以上の寸法を有する粒子である。粒径はいずれかの好適な方法によって測定してよい。例えば、英国規格（Ｂｒｉｔｉｓｈ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）によって公開されているＰＡＳ ７１：２００５に記載されている方法のうちのいずれかを使用することができよう。粒径の決定のための好ましい方法としては、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡法。炭素のＴＥＭグリッドと高コントラストを有する材料から粒子が構成される場合）、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡法）及びＡＦＭ（原子間力顕微鏡法）が挙げられる。粒子がプラズモン共鳴を示す場合には、サイズは、ＵＶ−ＶＩＳスペクトルにおけるピークから決定することもできる。１０−８ｍ以上の桁のサイズを有するより大きい粒子については、光散乱を使用することができる。
好適には、本発明の第２の態様の方法は、１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満の平均粒径を有する粒子を提供する。平均粒径は、ＳＥＭ又はレーザー回折によって決定されてもよく、当業者の力量の範囲内にある。
本発明は、有機リン部分が酸化タングステンの結晶構造の中へと組み込まれている式（Ｉ）の材料を提供すると考えられる。
六方晶系又は立方晶系又は三斜晶系の結晶構造を有する酸化タングステンがＮＩＲ吸収材料にとって好ましいということは周知である。ほとんどの場合、六方晶系構造が最も効率的な吸収構造を作り出すようである。この構造はタングステン−酸素の六方晶系格子からなり、このタングステン−酸素の六方晶系格子はチャネルを作り出す。
構造の安定化のために、ドーパント金属が含まれる。このドーパント金属は、上記チャネルの中に囲まれている。ドーパント金属のイオン半径は、取り込み度（ｄｅｇｒｅｅ ｏｆ ｌｏａｄｉｎｇ）に大きく影響する。ドーパント金属としてのセシウムについては、最も広く記載されているタングステン／セシウム比は３：１である。
理論は明らかではないが、固体状態Ｐ−ＮＭＲの証拠に基づき、式（Ｉ）の材料では、上記有機リン部分が酸化タングステン格子の上及び中に組み込まれていると考えられる。
結晶格子の上又は中への有機リン化合物の組み込みは、粒径を小さくすることができ、凝集度が劇的に低下するという効果をももたらす。
式（Ｉ）の化合物は、固体粉末を使用するときに生じる分散性及び凝集に関する問題を克服することがわかった。理論は明らかではないが、Ｗ−Ｏ−Ｐ−Ｒ結合又はＷ−Ｏ−Ｐ−ＯＲ結合の存在により、より安定で、容易に分散（デアグロメレーション）できる生成物が提供されると考えられる。リンの酸化状態が＋３である場合には、Ｗ５＋の酸化安定性に対して有益な効果があるとも考えることができる。
それゆえ、式（Ｉ）の化合物は、実に様々な用途において、かなりの有用性を有している。
本発明の第３の態様によれば、式（Ｉ）の材料と、１以上のさらなる成分とを含む組成物が提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
第３の態様の組成物は、式（Ｉ）の材料と１以上のさらなる成分とを含む。この１以上のさらなる成分の性質は、当該材料の意図された用途に依存するであろう。
いくつかの実施形態では、第３の態様の組成物は、ポリマー前駆体組成物を含む。このような実施形態では、当該組成物は、好適には、式（Ｉ）の材料と、１以上のモノマーとを含む。
このような組成物では、式（Ｉ）の材料は、好適には、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜０．２５重量％の量で存在する。
いくつかの好ましい実施形態では、上記ポリマー前駆体組成物は、溶媒を含まない。
いくつかの実施形態では、上記ポリマー前駆体組成物は溶媒をさらに含む。
好適な溶媒は、どんなモノマーが存在するかに依存する。好ましい溶媒としては、水、アルコール（グリコール類が挙げられる）、ケトン（例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ））、芳香族溶媒（例えばトルエン）並びに脂肪族炭化水素溶媒が挙げられる。
モノマーの性質は、当該組成物によって調製される所望のポリマーに依存する。いくつかの好ましい実施形態では、上記モノマーはエステルを含み、生成されるポリマーは、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、及びアクリレート若しくはメタクリレートのポリマー又はコポリマーから選択される。
他の好適なモノマーとしては、ビニルモノマー及びビニル由来のモノマー、例えばビニルブチラールが挙げられる。
このようなポリマー前駆体組成物は、１以上のさらなる任意の成分を含んでもよい。これらは、好適には、開始剤、分散剤、安定剤、ＵＶ安定剤、触媒、難燃剤及び他の機能性物質から選択される。
式（Ｉ）の材料は、好適には、ナノ粒子として第３の態様の組成物、例えばポリマー前駆体組成物に含まれる。従って、本発明の第３の態様は、好ましくは、式（Ｉ）の材料のナノ粒子と１以上のさらなる成分とを含む組成物を提供する。
いくつかの実施形態では、第３の態様の組成物はポリマーを含んでもよい。従って、本発明は、式（Ｉ）の材料の粒子が中に分散したポリマーをさらに提供してもよい。好適には、本発明は、式（Ｉ）の材料のナノ粒子が中に分散したポリマーを提供する。
本発明の材料の特に優位な点は、本発明の材料が、通常の製造過程によってナノ粒子へ好適に分散するであろうということである。余計な配合分散液、マスターバッチ又は他の中間体は、ＮＩＲ吸収効果の高い性能を達成するためには必要ではない。
本発明の第４の態様によれば、第３の態様の組成物の調製方法が提供される。この方法は、式（Ｉ）の材料を、１以上のさらなる成分と組み合わせる工程を備える。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
この第４の態様の方法では、式（Ｉ）の材料は、無溶媒の固体形態で１以上のさらなる成分と直接混合されてもよい。式（Ｉ）の材料は、例えば、希釈剤又は担体の必要なくポリマー前駆体組成物に直接混合することができる。好適には、ナノ粒子は、組成物の中へと直接組み込むことができる。
従って、本発明の第４の態様は、式（Ｉ）の材料の固体ナノ粒子を１以上のさらなる成分と直接混合することを含んでもよい。
本発明の方法は、式（Ｉ）の材料の粒子、好ましくはナノ粒子が中に分散したポリマーの調製方法をさらに提供してもよい。
いくつかの実施形態では、当該方法は、式（Ｉ）の材料の粒子、好ましくはナノ粒子を、１以上のモノマーを含むポリマー前駆体組成物と混合すること、次いでこのモノマーを重合することを含んでもよい。
このような実施形態では、重合は、例えば、縮合反応によって又はＵＶで誘起される重合によって実施されてもよい。関与するモノマーに応じた適切な技術の選択は、当業者の力量の範囲内にあるであろう。
いくつかの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、マスターバッチを作製するために、押出機の中でポリマーと直接混合されてもよい。いくつかの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、透明なシート、フィルム（膜）、プレート又は他のワークピースを直接製造するための射出成形プロセスに使用するためのポリマーと混合されてもよい。好適には、さらなる処理又は粒径減少プロセスは必要ではない。
先行技術のプロセスと比較して本発明の特に優位な点は、先行技術の材料は、ポリマー融液又はモノマー含有ポリマー前駆体組成物にペースト又は分散液の形態で添加される必要があるということである。このことは、式（Ｉ）の材料を微粒子形態で直接添加することができポリマーフィルムの中で自己分散していく本発明の場合には、必要ではない。
従って、本発明は、式（Ｉ）の材料の粒子（とりわけナノ粒子）が中に分散しているポリマーフィルムの調製方法であって、式（Ｉ）の材料の固体粒子（とりわけナノ粒子）をポリマー又はポリマー前駆体組成物の中へ直接添加する工程を含む方法を提供してもよい。好適には、式（Ｉ）の材料の粒子（とりわけナノ粒子）は、ポリマー又はポリマー前駆体組成物との混合に先立って、どの他の成分（希釈剤又は担体等）とも混合されない。
本発明の第５の態様によれば、赤外吸収材料としての式（Ｉ）の材料の使用が提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
本発明の第５の態様は、赤外線を吸収するための式（Ｉ）の材料の使用に関する。好ましくは、当該使用は、近赤外領域における吸収に関する。好ましくは、当該材料は、７８０ｎｍ〜２５００ｎｍの領域の少なくとも１つの波長の光を吸収する。
好ましくは、当該材料は、７８０ｎｍ〜２５００ｎｍの領域の光を強く吸収する。好ましくは、当該材料は、４００〜７８０ｎｍの領域の光を透過させる。
第５の態様によれば、式（Ｉ）の材料は、実に様々な用途において赤外線を吸収するために使用することができる。
１つの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、家庭窓用又は自動車用ガラス窓用の、太陽放射に対する保護用フィルムにおいて使用されてもよい。
式（Ｉ）の材料は、コーティング、粉末コーティング、インクにおいて、及びレーザーマーキング用のポリマーにおいて使用されてもよい。
１つの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、セキュリティ印刷用及び偽造防止手段用のスペクトル選択的なタガントとして使用することができる。
式（Ｉ）の材料は、射出成形された部品で使用されてもよい。
いくつかの好ましい実施形態では、第５の態様は、ポリマーフィルム、とりわけ窓に付着したポリマーフィルムにおける赤外吸収材料としての式（Ｉ）の材料の使用を含む。
本発明の第６の態様によれば、式（Ｉ）の材料の粒子を含むポリマーフィルムが提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
好適には、本発明の第６の態様は、式（Ｉ）の材料のナノ粒子が中に分散しているポリマーフィルムを提供する。
好ましくは、当該ポリマーフィルムは、赤外線を吸収し、可視光を透過させる。
本発明の第７の態様によれば、式（Ｉ）の材料の粒子を含む組成物によって少なくとも部分的に覆われている窓が提供される。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
上記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
１つの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、窓の表面上にあるフィルム中に存在する。
１つの実施形態では、式（Ｉ）の材料は、窓の表面上にある有機コーティング又はゾル−ゲルコーティングの中に存在する。
別の実施形態では、式（Ｉ）の材料は、２枚の窓ガラスの間に挟まれたポリマーフィルム中に存在する。好適には、当該窓は、自動車用前窓として又は安全ガラス（防犯ガラス）として使用されてもよい。
本発明は、第７の態様の窓を備える建物又は車両をさらに提供してもよい。
本発明のいずれの態様のいずれの特徴も、本発明のいずれの他の態様のいずれの特徴とも適宜組み合わされてもよい。特に、第２の態様、第３の態様、第４の態様、第５の態様、第６の態様、第７の態様及びさらなる態様における式（Ｉ）の材料は、第１の態様に関して規定されるとおりである。
本発明は、これより、以下の限定を意図しない実施例を参照してさらに説明される。
実施例１
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に４５ｋｇのリン酸ジフェニルを、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢（匣鉢）に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、そして少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に４５ｋｇのリン酸ジフェニルを、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢（匣鉢）に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、そして少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を再度噴霧乾燥し、８６ｋｇの青色粉末を得る。
実施例２
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、２２ｋｇのフェニルホスホン酸を、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、２２ｋｇのフェニルホスホン酸を、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を再度噴霧乾燥し、８０ｋｇの青色粉末を得る。
実施例３
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、メタノールに溶解させた３５ｋｇのメチルホスホン酸ジメチルエステルを、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、メタノールに溶解させた３５ｋｇのメチルホスホン酸ジメチルエステルを、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を再度噴霧乾燥し、８０ｋｇの青色粉末を得る。
実施例４
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、水／エタノール混合物に溶解した３０ｋｇの８５％オクチルホスホン酸を、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１００ｋｇの脱イオン水を充填し、１８ｋｇの炭酸セシウムを撹拌しながら溶解させる。溶解後、８２ｋｇのメタタングステン酸アンモニウムを、撹拌しながら室温で添加する。最後に、水／エタノール混合物に溶解した３０ｋｇの８５％オクチルホスホン酸を、撹拌しながら添加する。撹拌を３時間続ける。３時間後、この溶液は濁り、得られたスラリーを、噴霧乾燥器を用いて乾燥する。得られた粉末をこう鉢に移し、窒素／水素雰囲気下で、６００℃で２時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を再度噴霧乾燥し、８５ｋｇの青色粉末を得る。
実施例５
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの炭酸セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、２６ｋｇのフェニルホスホン酸を添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの炭酸セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、２６ｋｇのフェニルホスホン酸を添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を噴霧乾燥し、９８ｋｇの青色粉末を得る。
実施例６
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの水酸化セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、水／エタノール混合物中の３０ｋｇのオクチルホスホン酸を添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの水酸化セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、水／エタノール混合物中の３０ｋｇのオクチルホスホン酸を添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を噴霧乾燥し、９８ｋｇの青色粉末を得る。
実施例７
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの水酸化セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、エタノール中の５４ｋｇのリン酸ジステアリルを添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
清浄な反応器に１５０ｋｇの脱イオン水を充填し、８２ｋｇのタングステン酸を、撹拌しながら室温で添加する。２２ｋｇの水酸化セシウムを、撹拌しながら添加する。８０℃の高温で撹拌を３時間続ける。この濁った分散液を濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間乾燥する。室温まで冷却した後、この黄橙色粉末を再び水に分散させ、エタノール中の５４ｋｇのリン酸ジステアリルを添加し、その混合物をさらに５時間撹拌し続ける。この分散液を再度濾過し、濾過ケーキを１０５℃で１６時間再び乾燥する。乾燥濾過ケーキを砕き、窒素／水素雰囲気下で、５００℃で４時間電気窯の中で加熱する。得られた濃青色粉末を２００Ｌの脱イオン水に分散させ、少なくとも２０ｍ２／ｇの表面積に到達するまでボールミル処理する。
得られた分散液を噴霧乾燥し、９８ｋｇの青色粉末を得る。
実施例８
実施例４の本発明の有機リン酸化タングステン及び通常のタングステン酸セシウム粉末化合物を、各々乾式混合装置の中でポリカーボネートと混合し、通常の条件下で試験板を射出成形した。各タングステン化合物のレベルは、ポリマー中で０．０５重量％であった。他の添加剤は加えなかった。
実施例４の本発明の有機リン酸化タングステン及び通常のタングステン酸セシウム粉末化合物を、各々乾式混合装置の中でポリカーボネートと混合し、通常の条件下で試験板を射出成形した。各タングステン化合物のレベルは、ポリマー中で０．０５重量％であった。他の添加剤は加えなかった。
試験板の写真を図１に提供する。未処理の試験板（Ａ）は無色であった。試験板の目視検査により、上記通常のタングステン酸セシウム粉末を用いて作製した試験板（Ｂ）はほぼ無色であり、未分散の材料の黒いスポットをほとんど含有していないことが示された。実施例４の本発明のタングステン複合材料を用いて作製した試験板（Ｃ）は薄緑色であった。
実施例９
実施例８のポリカーボネート板の可視赤外透過率スペクトルを記録した。結果を図２に示す。トレースＡは標準板についてのものであり、トレースＢは、通常のＣＷＯを用いた板についてのものであり、トレースＣは、実施例４の材料が中に分散している板についてのものである。ＮＩＲ分析は、本発明の材料の非常に良好な結果を示す。つまり、可視範囲での高い透明性を有するが、本発明のものではないＣＷＯと比較して、７５０〜１２００ｎｍ範囲ではるかに高い吸収を示す。図３は、すべての板が良好なレベルで可視光を透過させるが、実施例４の材料を含む板だけが赤外光の高い吸収を有するということを明瞭に示す。
実施例８のポリカーボネート板の可視赤外透過率スペクトルを記録した。結果を図２に示す。トレースＡは標準板についてのものであり、トレースＢは、通常のＣＷＯを用いた板についてのものであり、トレースＣは、実施例４の材料が中に分散している板についてのものである。ＮＩＲ分析は、本発明の材料の非常に良好な結果を示す。つまり、可視範囲での高い透明性を有するが、本発明のものではないＣＷＯと比較して、７５０〜１２００ｎｍ範囲ではるかに高い吸収を示す。図３は、すべての板が良好なレベルで可視光を透過させるが、実施例４の材料を含む板だけが赤外光の高い吸収を有するということを明瞭に示す。
実施例１０
実施例４の材料の粉末反射率を記録し、それを図３に示す。このスペクトルは、９００〜１８００ｎｍの範囲の反射が非常に少ないことを示し、反射が非常に少ないことは、高い吸収があることを意味する。なぜなら、粉末試料において透過はないからである。
実施例４の材料の粉末反射率を記録し、それを図３に示す。このスペクトルは、９００〜１８００ｎｍの範囲の反射が非常に少ないことを示し、反射が非常に少ないことは、高い吸収があることを意味する。なぜなら、粉末試料において透過はないからである。
実施例１１
実施例８で生成した試験板を、１０６４ｎｍレーザーでレーザーマーキングし、分析した。レーザーマーキングした板の写真を図４に示す。図Ｂ１は、従来のＣＷＯを用いたレーザーマーキングした板を示し、図Ｂ２は、実施例４の本発明の材料のレーザーマーキングした板を示す。
実施例８で生成した試験板を、１０６４ｎｍレーザーでレーザーマーキングし、分析した。レーザーマーキングした板の写真を図４に示す。図Ｂ１は、従来のＣＷＯを用いたレーザーマーキングした板を示し、図Ｂ２は、実施例４の本発明の材料のレーザーマーキングした板を示す。
レーザーマーキングは、レーザー周波数を線変位速度に対して変化させることによって、試験板を曝露させることにより行った。従来のＣＷＯを用いた板は、黒いスポットによって見える不均一な生成物分布を示した。不十分な分布に起因して、良好なレーザーマーキング結果は、低線変位速度で成し遂げられるだけである。より高い速度では、１％含有量であっても良好な結果は得られなかった。
本発明の材料を含有する板は、生成物分布の悪さを示す黒いスポットを示さず、より高い範囲の周波数及び線変位速度でより良好なレーザー応答を示した。これは、板上の着色した試験区画マーキングの数が増加したことによって見える。
これらの結果は、本発明の有機リン修飾した酸化タングステンが先行技術のＣＷＯよりも、ポリマー中での高い分散度を示すことを明示する。
実施例１２
さらなる試験として、実施例４の有機リン酸化タングステン化合物を印刷用インクの中へ組み込み、赤外線吸収に対する効果を試験した。
さらなる試験として、実施例４の有機リン酸化タングステン化合物を印刷用インクの中へ組み込み、赤外線吸収に対する効果を試験した。
再び、先行技術のＣＷＯ粉末及び本発明の有機リン酸化タングステン化合物を、高速混合機を用いて様々なレベルで非吸収性の白いベースインクにブレンドした。このすぐに使えるインクを、オレンジプルーファによって紙及びポリマーフィルム上に塗布した。
印刷物を乾燥し、分光学的に分析した。図５は、先行技術の材料を含むインクについてのスペクトルを示す。図６は、本発明の材料を含むインクについてのスペクトルを示す。
上記有機リン酸化タングステン化合物が先行技術のＣＷＯ粉末よりも高いＮＩＲ吸収能を有することを明瞭に見ることができる。例えば、９００ｎｍで、印刷インク中の５％ＣＷＯは６０％の吸収を生じたのに対し、同量の有機リンタングステン複合材料は７５％吸収率を生じた。より低い濃度率では、ＮＩＲ吸収の増加ははるかに大きい。
上記スペクトルは、当該有機リン酸化タングステン化合物は、先行技術の材料と比較して、フィルムにおけるはるかに良好な分散性を有し、より高いＮＩＲ吸収につながるということを確認する。
実施例１２
実施例７の有機リン酸化タングステン化合物を、有機脂肪族溶媒に１重量％の濃度で分散させた。この分散液の可視赤外透過率スペクトルを図７に示す。
実施例７の有機リン酸化タングステン化合物を、有機脂肪族溶媒に１重量％の濃度で分散させた。この分散液の可視赤外透過率スペクトルを図７に示す。
Claims (12)
- 式（Ｉ）の材料であって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式中（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である式（Ｉ）の材料。 - Ｍ１がセシウムであり、Ｍ２が、アルカリ金属、亜鉛及びスズからなる群から選択される請求項１に記載の式（Ｉ）の材料。
- Ｍ１がセシウムであり、Ｍ２が、ナトリウム、カリウム、スズ又は亜鉛から選択され、ａが０．２２〜０．４であり、ｂが０．０１〜０．２であり、ｃが１であり、ｄが２．７〜３であり、ｅが０．０５〜０．２５であり、ｎが２であり、ｍが１であり、Ｒが、６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアルキル基又は６〜２０個の炭素原子を有する非置換のアリール基である請求項１又は請求項２に記載の式（Ｉ）の材料。
- 式（Ｉ）の材料の調製方法であって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基であり、
（ｉ）
（ａ）ドーパント種Ｍ１及び任意にＭ２の供給源、及び
（ｂ）タングステンの供給源
を混合する工程と、
（ｉｉ）（ｃ）有機リン化合物を添加する工程と、
（ｉｉｉ）（ａ）、（ｂ）及び任意に（ｃ）の混合物を還元性雰囲気中で加熱する工程と
を備える方法。 - 式（Ｉ）の材料と、１以上のさらなる成分とを含む組成物であって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である組成物。 - 式（Ｉ）の材料のナノ粒子が中に分散しているポリマーを含む請求項５に記載の組成物。
- 請求項５又は請求項６に記載の組成物の調製方法であって、
式（Ｉ）の材料を、１以上のさらなる成分と組み合わせる工程を備え、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である方法。 - 式（Ｉ）の材料の無溶媒の固体粒子を１以上のさらなる成分と直接混合することを含む請求項７に記載の方法。
- 赤外吸収材料としての式（Ｉ）の材料の使用であって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である使用。 - コーティング、粉末コーティング、インクにおける、又はレーザーマーキング用のポリマーにおける請求項９に記載の式（Ｉ）の材料の使用。
- 式（Ｉ）の材料の粒子を含むポリマーフィルムであって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基であるポリマーフィルム。 - 式（Ｉ）の材料の粒子を含む組成物によって少なくとも部分的に覆われている窓であって、
Ｍ１ ａＭ２ ｂＷｃＯｄ（Ｐ（Ｏ）ｎＲｍ）ｅ （Ｉ）
前記式（Ｉ）中、Ｍ１及びＭ２の各々は、独立に、アンモニウムカチオン又は金属カチオンであり、ａは０．０１〜０．５であり、ｂは０〜０．５であり、ｃは１であり、ｄは２．５〜３であり、ｅは０．０１〜０．７５であり、ｎは１、２又は３であり、ｍは１、２又は３であり、Ｒは置換されていてもよいヒドロカルビル基である窓。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1815402.1 | 2018-09-21 | ||
| GB1815402.1A GB2574075B (en) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | Near infra-red absorbing material and uses |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020050867A true JP2020050867A (ja) | 2020-04-02 |
| JP6840806B2 JP6840806B2 (ja) | 2021-03-10 |
Family
ID=64024193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019162813A Active JP6840806B2 (ja) | 2018-09-21 | 2019-09-06 | 組成物並びにこれに関する方法及び使用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11292914B2 (ja) |
| EP (1) | EP3628645B1 (ja) |
| JP (1) | JP6840806B2 (ja) |
| KR (1) | KR101997407B1 (ja) |
| GB (1) | GB2574075B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020196519A1 (ja) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | サトーホールディングス株式会社 | プリンタ、プリンタの制御方法及びプログラム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018081795A1 (en) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Zipline Medical, Inc. | Systems and methods for monitoring physical therapy of the knee and other joints |
| GB2574074B (en) | 2018-07-27 | 2020-05-20 | Mclaren Applied Tech Ltd | Time synchronisation |
| GB2588236B (en) | 2019-10-18 | 2024-03-20 | Mclaren Applied Ltd | Gyroscope bias estimation |
| JP6937998B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-09-22 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、及び積層体に対する印字又は描画方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212202A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-18 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 無機酸化物球状微粒子 |
| JPH08208545A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-08-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフェノールａの製造方法 |
| JP2011503274A (ja) * | 2007-11-05 | 2011-01-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 近赤外線の熱入力量を増加させるために使用される酸化タングステン |
| JP2015044922A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽分散体、熱線遮蔽分散体形成用塗布液および熱線遮蔽体 |
| JP2017067863A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 株式会社日本触媒 | 光学材料用樹脂組成物 |
| WO2017130492A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 住友金属鉱山株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物、熱線遮蔽成形体および熱線遮蔽積層体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2004282041B2 (en) * | 2003-10-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Infrared shielding material microparticle dispersion, infrared shield, process for producing infrared shielding material microparticle, and infrared shielding material microparticle |
| JP5168449B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2013-03-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体および赤外線遮蔽体 |
| JP5245284B2 (ja) * | 2007-04-26 | 2013-07-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽ポリエステルフィルムおよび熱線遮蔽ポリエステルフィルム積層体 |
| KR101691898B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2017-01-02 | 데이터레이즈 리미티드 | 열 흡수 첨가제 |
| JP6317880B2 (ja) * | 2009-07-07 | 2018-04-25 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | カリウム・セシウム・タングステンブロンズ粒子 |
| JP2017095686A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-06-01 | 帝人株式会社 | 赤外線遮蔽透明部材用樹脂組成物及び成形品 |
| JP6686719B2 (ja) * | 2016-06-15 | 2020-04-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽微粒子分散体、熱線遮蔽合わせ透明基材、およびそれらの製造方法 |
| GB2569676B (en) * | 2018-09-21 | 2020-02-19 | Inovink Ltd | Article and security ink comprising near infra-red absorbing material |
-
2018
- 2018-09-21 GB GB1815402.1A patent/GB2574075B/en active Active
- 2018-10-29 KR KR1020180129527A patent/KR101997407B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-09-06 JP JP2019162813A patent/JP6840806B2/ja active Active
- 2019-09-18 EP EP19198104.2A patent/EP3628645B1/en active Active
- 2019-09-18 US US16/574,337 patent/US11292914B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212202A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-18 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 無機酸化物球状微粒子 |
| JPH08208545A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-08-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ビスフェノールａの製造方法 |
| JP2011503274A (ja) * | 2007-11-05 | 2011-01-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 近赤外線の熱入力量を増加させるために使用される酸化タングステン |
| JP2015044922A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽分散体、熱線遮蔽分散体形成用塗布液および熱線遮蔽体 |
| JP2017067863A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 株式会社日本触媒 | 光学材料用樹脂組成物 |
| WO2017130492A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 住友金属鉱山株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物、熱線遮蔽成形体および熱線遮蔽積層体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020196519A1 (ja) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | サトーホールディングス株式会社 | プリンタ、プリンタの制御方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11292914B2 (en) | 2022-04-05 |
| EP3628645B1 (en) | 2020-08-26 |
| KR101997407B1 (ko) | 2019-07-05 |
| GB2574075A (en) | 2019-11-27 |
| EP3628645A1 (en) | 2020-04-01 |
| US20200095426A1 (en) | 2020-03-26 |
| GB201815402D0 (en) | 2018-11-07 |
| JP6840806B2 (ja) | 2021-03-10 |
| GB2574075B (en) | 2020-07-08 |
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