JP2020047757A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリセルを駆動回路に電気的に接続する配線層の層数を低減することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体記憶装置は、第1方向に延びる第1セル配線が第2方向に複数並んで設けられた第1セル配線層と、第2方向に延びる第2セル配線が第1方向に複数並んで設けられ、複数の第1セル配線層と交互に積層された第2セル配線層と、第1セル配線層と第2配線層との交差部分に形成される複数のメモリセルを有するセルアレイと、フックアップ領域で奇数層の第1セル配線に接続される第1コンタクトと、フックアップ領域で偶数層の第1セル配線に接続される第2コンタクトと、第1コンタクトと接続される第1接続配線と、第2コンタクトと接続される第2接続配線とが互いに離れて同じ層に設けられた配線層と、第1接続配線と電気的に接続される第1駆動回路と、第2接続配線と電気的に接続される第2駆動回路とを備える。【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
半導体記憶装置の一例として、ビットラインとワードラインとを交互に積層したクロスポイント型の半導体メモリが知られている。このような半導体メモリには、メモリセルを駆動回路(選択回路および非選択回路)に電気的に接続するための配線層が設けられている。
本発明の実施形態は、メモリセルを駆動回路に電気的に接続する配線層の層数を低減することが可能な半導体記憶装置を提供する。
一実施形態に係る半導体記憶装置は、第1方向に延びる第1セル配線が第1方向に直交する第2方向に複数並んで設けられた第1セル配線層と、第2方向に延びる第2セル配線が第1方向に複数並んで設けられ、複数の第1セル配線層と交互に積層された第2セル配線層と、複数の第1セル配線層と複数の第2配線層との交差部分に形成される複数のメモリセルを有するセルアレイと、セルアレイの外側に位置するフックアップ領域で、奇数層の第1セル配線に接続される第1コンタクトと、フックアップ領域で、偶数層の第1セル配線に接続される第2コンタクトと、第1コンタクトと接続される第1接続配線と、第2コンタクトと接続される第2接続配線とが互いに離れて同じ層に設けられた配線層と、第1接続配線と電気的に接続される第1駆動回路と、第2接続配線と電気的に接続される第2駆動回路と、を備える。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。後述の実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の概略的な平面図である。また、図2は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の一部の概略的な断面図である。本実施形態に係る半導体記憶装置1は、ビットラインとワードラインとを交互に積層したクロスポイント型の半導体メモリである。
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の概略的な平面図である。また、図2は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の一部の概略的な断面図である。本実施形態に係る半導体記憶装置1は、ビットラインとワードラインとを交互に積層したクロスポイント型の半導体メモリである。
半導体記憶装置1には、セルアレイ10が設けられている。セルアレイ10は、図2に示すように、複数のメモリセル11を有する。各メモリセル11は、セル配線20とセル配線30との交差部分に形成される。
セル配線20は、X方向に延びるビットラインとして機能する。一方、セル配線30は、X方向に直交するY方向に延びるワードラインとして機能する。本実施形態では、セル配線20が第1セル配線に相当し、セル配線30が第2セル配線に相当する。しかし、セル配線20が第2セル配線に相当し、セル配線30が第1セル配線に相当する構成であってもよい。
セル配線20およびセル配線30は、X方向およびY方向に直交するZ方向に交互に積層されている。半導体記憶装置1では、複数のセル配線20が、3つのセル配線層BL0、BL1、BL2の各々でY方向に配列されている。また、複数のセル配線30が、2つのセル配線層WL0、WL1の各々でX方向に配列されている。なお、各セル配線層に形成されるセル配線の本数と、セル配線層の層数とは、特に制限されない。
複数のセル配線20のうち、奇数層であるセル配線層BL0、BL2に設けられたセル配線20aは、図1に示すように、フックアップ領域50およびフックアップ領域51でコンタクト40に電気的に接続されている。フックアップ領域50は、セルアレイ10のX方向の外側に設けられている。フックアップ領域51は、セルアレイ10を挟んでフックアップ領域50の反対側に設けられている。
また、偶数層であるセル配線層BL1に設けられたセル配線20bも、フックアップ領域50およびフックアップ領域51でコンタクト41に電気的に接続されている。各フックアップ領域において、コンタクト40およびコンタクト41は、互い違いに配置されている。
一方、複数のセル配線30のうち、奇数層であるセル配線層WL0に設けられたセル配線30aは、図1に示すように、フックアップ領域52およびフックアップ領域53でコンタクト42に接続されている。フックアップ領域52は、セルアレイ10のY方向の外側に設けられている。フックアップ領域53は、セルアレイ10を挟んでフックアップ領域52の反対側に設けられている。
また、偶数層であるセル配線層WL1に設けられたセル配線30bも、フックアップ領域52およびフックアップ領域53でコンタクト43に電気的に接続されている。各フックアップ領域において、コンタクト42およびコンタクト43は、互い違いに配置されている。
図3は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1を階層的に示す平面図である。具体的には、セル配線層BL2が配線された階層のXY平面と、セル配線層BL1が配線された階層のXY平面、セル配線層BL0が配置された階層のXY平面と、配線層D0が配線された階層のXY平面と、駆動回路層Tが配置された階層のXY平面と、を縦に並べて示している。図3では、セル配線20とそれぞれ電気的に接続される層のみを記載し、セル配線30と電気的に接続される層の記載を省略する。
図3に示すように、セル配線層BL0のZ軸方向の下には、配線層D0が設けられている。配線層D0には、接続配線60と接続配線61がX方向に互いに離れて設けられている。また、接続配線60と接続配線61はX軸方向に延びて形成されている。接続配線60は、奇数番目のセル配線層BL0、BL2に電気的に接続されている。接続配線60の一端は、セルアレイ10右側のフックアップ領域51に設けられたコンタクト40と電気的に接続される。コンタクト40はセル配線層BL0とセル配線層BL2で共有している。接続配線60の他端は、セルアレイ10の下に配線されている。接続配線61は、偶数番目のセル配線層BL1に電気的に接続される。接続配線61の一端は、セルアレイ10左側のフックアップ領域50に設けられたコンタクト41と電気的に接続される。接続配線61の他端は、セルアレイ10の下に配線されている。また、接続配線61の一端は、セルアレイ10の右側のフックアップ領域51に設けられたコンタクト41と電気的に接続され、他端は、X方向に隣接するセルアレイ12の下に配置されていてもよい。図3は、Y方向に偶数番目のセル配線層BL1は、セルアレイ10の左側のフックアップ領域50からセルアレイ10の下まで配線が延び、Y方向に奇数番目のセル配線層BL1は、セルアレイ10の右側のフックアップ領域51から隣接するセルアレイ12の下まで配線が延びている例を示している。
配線層D0の下には、駆動回路層Tが設けられている。駆動回路層Tには、駆動回路70および駆動回路71が設けられている。各駆動回路は、ゲートGを共有する複数のトランジスタ72を有する。駆動回路70内に配置されたトランジスタのドレインは、トランジスタ配線80を介して接続配線60の他端に接続される。駆動回路71内に配置されたトランジスタのドレインは、トランジスタ配線81を介して接続配線61の他端に接続される。トランジスタ72は、メモリセル11の選択用トランジスタまたは非選択用トランジスタとして機能する。選択用トランジスタは、書き込み又は読み出し対象のメモリセルに接続されたセル配線に書き込み又は読出しのための電圧を印加し、非選択用トランジスタは、書き込み又は読み出し対象ではないメモリセルに接続されたセル配線に非選択のための電圧を印加するよう機能する。
図4は、第1比較例に係る半導体記憶装置100を階層的に示す平面図である。上述した第1実施形態に係る半導体記憶装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図4に示す半導体記憶装置100では、配線層D0に加えて配線層D1が設けられている。配線層D1には、接続配線60が設けられている。接続配線60は、セルアレイ10右側のフックアップ領域51に設けられたコンタクト40と電気的に接続される。
一方、配線層D0には、接続配線61が設けられている。接続配線61は、セルアレイ10右側のフックアップ領域51に設けられたコンタクト41と電気的に接続される。
本比較例に係る半導体記憶装置100では、接続配線60および接続配線61が、異なる配線層D0、D1に別々に設けられている。そのため、メモリセル11と駆動回路70、71とを電気的に接続するために、2つの配線層が必要になる。
一方、図3に示す半導体記憶装置1では、接続配線60および接続配線61が同じ配線層D0に設けられている。すなわち、接続配線60および接続配線61が配線層D0でシェアされている。したがって、本実施形態の半導体記憶装置1は、メモリセル11と駆動回路70、71とを電気的に接続する配線層の層数を、半導体記憶装置100の層数の半分に低減することができる。
図5(a)は、コンタクトの別のレイアウトを示す平面図である。図5(b)は、コンタクトのさらに別のレイアウトを示す平面図である。
図5(a)では、Y方向に並んで配置されたセル配線20aに接続されたコンタクト40は、フックアップ領域50とフックアップ領域51の互い違いに配置されている。また、Y方向に並んで配置されたセル配線20bに接続されたコンタクト41は、フックアップ領域50とフックアップ領域51の互い違いに配置されている。また、フックアップ領域50およびフックアップ領域51において、コンタクト40とコンタクト41は互いにY方向に対向して配置される。
図5(b)では、Y方向に並んで配置されたセル配線20aに接続されたコンタクト40は、フックアップ領域50とフックアップ領域51の互い違いに配置されている。また、Y方向に並んで配置されたセル配線20bに接続されたコンタクト41は、フックアップ領域50とフックアップ領域51の互い違いに配置されている。その一方で、フックアップ領域50およびフックアップ領域51において、コンタクト40とコンタクト41は、互いにX方向にずらして配置される。
図5(a)または図5(b)に示すレイアウトのようにコンタクト40およびコンタクト41を配置しても、各コンタクトにそれぞれ接続される接続配線60、61をセルアレイ10の下方、もしくはセルアレイ10とセルアレイ12の両方の下方に引き込み、同じ配線層に形成することができる。そのため、配線層の層数を低減することができる。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示す図である。上述した第1実施形態に係る半導体記憶装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図6は、第2実施形態に係る半導体記憶装置の断面構造を概略的に示す図である。上述した第1実施形態に係る半導体記憶装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図6に示す半導体記憶装置2では、4つの配線層D0〜D3が設けられている。各配線層には、接続配線60および接続配線61が設けられている。接続配線60は、フックアップ領域51に設けられたコンタクト40に接続されている。接続配線61は、コンタクト40と同じフックアップ領域51に設けられたコンタクト41に接続されている。コンタクト40は、奇数層の複数のセル配線20aに共通接続され、コンタクト41は、偶数層のセル配線20bに接続されている。
また、接続配線60は、トランジスタ配線80を介して駆動回路70に電気的に接続され、接続配線61は、トランジスタ配線81を介して駆動回路71に電気的に接続されている。
駆動回路70は、メモリセル11が設けられた領域すなわちセルアレイ10の下方領域に配置されている。駆動回路70は、選択回路70aおよび非選択回路70bを有する。選択回路70aは、複数の選択トランジスタ72aを有し、非選択回路70bは、複数の非選択トランジスタ72bを有する。各選択トランジスタ72aは、奇数層のメモリセル11の選択時に通電される。各非選択トランジスタ72bは、奇数層のメモリセル11の非選択時に通電される。
本実施形態では、選択回路70aは、非選択回路70bよりもコンタクト40の近くに配置されている。換言すると、コンタクト40から選択回路70aまでの配線長は、コンタクト40から非選択回路70bまでの配線長よりも短い。また、選択トランジスタ72aの入力電流は、非選択トランジスタ72bの入力電流よりも大きい。そのため、選択回路70aおよび非選択回路70bを上記のように配置することによって、比較的大きな電流が流れる選択トランジスタ72aまでの電流経路の電気抵抗を低減することができる。
駆動回路71は、選択回路71aおよび非選択回路71bを有する。選択回路71aおよび非選択回路71bは、選択回路70aおよび非選択回路70bと同様に、複数の選択トランジスタ72aおよび複数の非選択トランジスタ72bをそれぞれ有する。
本実施形態では、選択回路71aは、フックアップ領域51に配置され、非選択回路71bは、フックアップ領域51の外側に配置されている。これにより、選択回路71aは、非選択回路71bよりもコンタクト41の近くに配置されている。
その結果、比較的大きな電流が流れる選択トランジスタ72aまでの電流経路の電気抵抗を低減することができる。
その結果、比較的大きな電流が流れる選択トランジスタ72aまでの電流経路の電気抵抗を低減することができる。
図7は、第2比較例に係る半導体記憶装置200の断面構造を概略的に示す図である。上述した第2実施形態に係る半導体記憶装置2と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図7に示す半導体記憶装置200では、配線層D0〜配線層D3に加えて配線層D4および配線層D5が設けられている。配線層D2および配線層D3には、接続配線61が設けられている。また、配線層D4および配線層D5には、接続配線60が設けられている。
さらに、半導体記憶装置200では、選択回路70aおよび選択回路71aは、メモリセル11が設けられた領域すなわちセルアレイ10の下方領域に配置されている。非選択回路70bおよび非選択回路71bは、フックアップ領域51に配置されている。
本比較例に係る半導体記憶装置200では、接続配線60および接続配線61が、異なる配線層に別々に設けられている。そのため、メモリセル11と駆動回路70、71とを電気的に接続するために、4つの配線層が必要になる。また、半導体記憶装置200では、選択回路70a、71aは、非選択回路70b、71bよりもコンタクト40、41から離れて配置されている。
一方、図6に示す半導体記憶装置2では、接続配線60および接続配線61が同じ配線層に設けられている。すなわち、接続配線60および接続配線61が同じ配線層でシェアされている。したがって、本実施形態の半導体記憶装置2は、メモリセル11と駆動回路70、71とを電気的に接続する配線層の層数を低減することができる。
また、本実施形態では、選択回路70a、71aをコンタクト40、41の近くに配置することによって、比較的大きな電流が流れる選択トランジスタ72aまでの電流経路の電気抵抗を低減することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10、12 セルアレイ、11 メモリセル、20 第1セル配線、30 第2セル配線、50,51 フックアップ領域、40 第1コンタクト、41 第2コンタクト、60 第1接続配線、61 第2接続配線、
BL0〜BL2 第1セル配線層、WL0,WL1 第2セル配線層、D0〜D5 配線層、70 第1駆動回路、71 第2駆動回路、70a,71a 選択回路、70b,71b 非選択回路、80,81 トランジスタ配線、
BL0〜BL2 第1セル配線層、WL0,WL1 第2セル配線層、D0〜D5 配線層、70 第1駆動回路、71 第2駆動回路、70a,71a 選択回路、70b,71b 非選択回路、80,81 トランジスタ配線、
Claims (5)
- 第1方向に延びる第1セル配線が第1方向に直交する第2方向に複数並んで設けられた第1セル配線層と、
前記第2方向に延びる第2セル配線が前記第1方向に複数並んで設けられ、前記複数の第1セル配線層と交互に積層された第2セル配線層と、
前記複数の第1セル配線層と前記複数の第2配線層との交差部分に形成される複数のメモリセルを有するセルアレイと、
前記セルアレイの外側に位置するフックアップ領域で、奇数層の第1セル配線に接続される第1コンタクトと、
前記フックアップ領域で、偶数層の第1セル配線に接続される第2コンタクトと、
前記第1コンタクトと接続される第1接続配線と、前記第2コンタクトと接続される第2接続配線とが互いに離れて同じ層に設けられた配線層と、
前記第1接続配線と電気的に接続される第1駆動回路と、
前記第2接続配線と電気的に接続される第2駆動回路と、
を備える半導体記憶装置。 - 前記第1接続配線の一端側に前記第1コンタクトが接続され、前記第1接続配線の他端側に前記第1駆動回路が接続され、
前記第2接続配線の一端側に前記第2コンタクトが接続され、前記第2接続配線の他端側に前記第2駆動回路が接続され、
前記第1コンタクトと前記第2コンタクトが互いに前記第2方向に対向する、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1駆動回路および前記第2駆動回路の各々は、前記複数のメモリセルの選択時に通電される選択回路と、前記複数のメモリセルの非選択時に通電される非選択回路と、を有し、前記選択回路は、前記非選択回路よりも前記第1コンタクトまたは前記第2コンタクトの近くに配置されている、請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 前記フックアップ領域は、第1フックアップ領域と、前記セルアレイを挟んで前記第1フックアップ領域の反対側に位置する第2フックアップ領域と、を有し、
前記第1接続配線は、前記第1フックアップ領域で前記奇数層の第1セル配線に接続される前記第1コンタクトと接続され、
前記第1接続配線と同じ配線層に設けられる前記第2接続配線は、前記第2フックアップ領域で前記偶数層の第1セル配線に接続される前記第2コンタクトと接続される、請求項1から3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記第1駆動回路は、第1選択回路と第1非選択回路を有し、前記第2駆動回路は、第2選択回路と第2非選択回路を有し、前記第1非選択回路は前記セルアレイの下に配置され、前記第2非選択回路は第1方向に隣接するセルアレイの下に配置され、前記第1選択回路と前記第2選択回路は、前記第1非選択回路と前記第2非選択回路の間に配置される、請求項1から3のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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