JP2020042072A5 - - Google Patents
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Description
本発明者らは上記の課題に対し、以下の解決法を見出した。
すなわち、本発明に係る波長変換層は、半導体ナノ粒子を含む波長変換層であって、
前記波長変換層は４５０ｎｍの光を、発光ピーク波長が５００〜５５０ｎｍの光または発光ピーク波長が６００ｎｍ〜６６０ｎｍの光に変換可能であり、
前記波長変換層に含まれる半導体ナノ粒子は、コアおよび１層以上のシェルを有し、
前記コアはＩｎおよびＰを含み、
前記シェルの少なくとも１層がＺｎＸＴｅ（但し、ＸはＳｅ、Ｓ、またはその両方）である、
波長変換層である。
なお、本願において「〜」で示す範囲は、その両端に示す数字を含んだ範囲とする。
すなわち、本発明に係る波長変換層は、半導体ナノ粒子を含む波長変換層であって、
前記波長変換層は４５０ｎｍの光を、発光ピーク波長が５００〜５５０ｎｍの光または発光ピーク波長が６００ｎｍ〜６６０ｎｍの光に変換可能であり、
前記波長変換層に含まれる半導体ナノ粒子は、コアおよび１層以上のシェルを有し、
前記コアはＩｎおよびＰを含み、
前記シェルの少なくとも１層がＺｎＸＴｅ（但し、ＸはＳｅ、Ｓ、またはその両方）である、
波長変換層である。
なお、本願において「〜」で示す範囲は、その両端に示す数字を含んだ範囲とする。
Claims (12)
- 半導体ナノ粒子を含む波長変換層であって、
前記波長変換層は４５０ｎｍの光を、発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍの光または発光ピーク波長が６００ｎｍ〜６６０ｎｍの光に変換可能であり、
前記波長変換層に含まれる半導体ナノ粒子は、コアおよび１層以上のシェルを有し、
前記コアはＩｎおよびＰを含み、
前記シェルの少なくとも１層がＺｎＸＴｅ（但し、ＸはＳｅ、Ｓ、またはその両方）である波長変換層。 - 前記波長変換層の膜厚が５μｍの場合に、膜に垂直な方向の光学密度が４５０ｎｍの光に対して１以上である、請求項１に記載の波長変換層。
- 前記波長変換層に対する前記半導体ナノ粒子の割合が２０質量％〜６０質量％である、請求項１または２に記載の波長変換層。
- 前記シェルに含まれるＸとＴｅの物質量が、Ｔｅ／（Ｓｅ＋Ｔｅ）＝０．０１〜０．６０の範囲である（但し、ＸはＳｅである）、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記シェルに含まれるＸとＴｅの物質量が、Ｔｅ／（Ｓ＋Ｔｅ）＝０．０１〜０．６０の範囲である（但し、ＸはＳである）、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記シェルに含まれるＸとＴｅの物質量が、Ｔｅ／（Ｘ＋Ｔｅ）＝０．０２〜０．５０の範囲である（但し、ＸはＳｅ、Ｓの両方を含む）、請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子のＺｎＸＴｅからなるシェルは、前記ＺｎＸＴｅ中のＴｅの含有率がシェルの外側へ向かって少なくなるように勾配を持つ、請求項１〜６のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子のシェルが２層以上であり、最外層がＺｎＳである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子のシェルが２層以上であり、最外層が酸化物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子の蛍光量子効率が７０％以上である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子の蛍光半値幅が４２ｎｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の波長変換層。
- 前記半導体ナノ粒子のＣｄ含有率が１００ｐｐｍ以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の波長変換層。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018167239A JP7192326B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 波長変換層 |
| US16/562,341 US11145792B2 (en) | 2018-09-06 | 2019-09-05 | Wavelength conversion layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018167239A JP7192326B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 波長変換層 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020042072A JP2020042072A (ja) | 2020-03-19 |
| JP2020042072A5 true JP2020042072A5 (ja) | 2021-10-21 |
| JP7192326B2 JP7192326B2 (ja) | 2022-12-20 |
Family
ID=69718921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018167239A Active JP7192326B2 (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | 波長変換層 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11145792B2 (ja) |
| JP (1) | JP7192326B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7286060B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2023-06-05 | 昭栄化学工業株式会社 | 半導体ナノ粒子 |
| CN112420885A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-02-26 | 福建兆元光电有限公司 | 一种集成式Micro LED芯片及其制造方法 |
| WO2022208704A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | シャープ株式会社 | 電界発光素子及び発光装置並びに電界発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040486A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Sharp Corp | 発光装置および画像表示装置 |
| KR20180025982A (ko) * | 2010-01-28 | 2018-03-09 | 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. | 규정된 컬러 방출을 위한 조명 장치 |
| TWI596188B (zh) * | 2012-07-02 | 2017-08-21 | 奈米系統股份有限公司 | 高度發光奈米結構及其製造方法 |
| EP2853578B1 (en) | 2013-09-26 | 2017-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd | Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same |
| KR102449686B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 광 변환 복합체, 이를 포함하는 광 변환 부재, 표시장치 및 발광소자 패키지및 이의 제조방법 |
| US20170306227A1 (en) * | 2016-04-26 | 2017-10-26 | Nanosys, Inc. | Stable inp quantum dots with thick shell coating and method of producing the same |
| JP6732045B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2020-07-29 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換フィルムおよびバックライトユニット |
| JP2018115315A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 可視蛍光を発するＣｄを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 |
| KR102601056B1 (ko) * | 2017-02-14 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점, 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP2019050673A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 株式会社豊田中央研究所 | Ｄｃ／ｄｃコンバータの制御装置 |
| KR102556011B1 (ko) * | 2018-01-23 | 2023-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 나노 결정과, 이를 포함하는 표시 장치 및 유기발광 표시 장치 |
| KR102237547B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2021-04-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 광변환 수지 조성물, 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치 |
-
2018
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2019
- 2019-09-05 US US16/562,341 patent/US11145792B2/en active Active
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