JP2020028037A - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
以下、第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す平面図である。
各画素10においては、開口領域12が設けられている。開口領域12にはフォトダイオードが形成されている。外部から開口領域12を介して光が入射すると、フォトダイオードにおいて信号電荷が発生する。開口領域12は、画素10のX方向における幅全体にわたって配置されている。「幅全体にわたって配置されている」とは、開口領域12のX方向の端縁と画素10との端縁との間に他の素子が配置されていないことを意味する。なお、開口領域12のX方向の端縁と画素10との端縁との間に、隣の画素10との境界を形成する構造体、並びに、設計ルール及びプロセス条件等の製造技術上の要請に基づくマージン領域等は配置されていてもよい。また、画素10間の境界の上方、すなわち、Z方向側には、配線等が設けられていてもよい。
本実施形態に係る固体撮像装置1は、高解像度撮像モードと高感度撮像モードとを選択することができる。高解像度撮像モードのときは、1つの画素10を1つの撮像素子として駆動する。高感度撮像モードのときは、各単色領域に属しX方向において隣り合う2つの画素10、例えば、図1に示す画素10a及び画素10bを、1つの撮像素子として駆動する。高感度撮像モードのときは、画素10aの開口領域12に蓄積された信号電荷と画素10bの開口領域12に蓄積された信号電荷の合計量を検出する。高解像度撮像モードは高感度撮像モードよりも解像度が高くなる一方、感度は低くなる。逆に、高感度撮像モードは高解像度撮像モードよりも感度が高くなる一方、解像度は低くなる。各画素10の動作は、後述する参考例において説明する。
本実施形態においては、開口領域12が画素10のX方向における幅全体にわたって配置されているため、X方向において、開口領域12の中心12cが画素10の中心と略一致する。このため、X方向に沿って配列された複数の画素10において、開口領域12のX方向の中心12c間の距離は、画素10の配列周期P1と等しい。すなわち、開口領域12のX方向における配列周期をP3とするとき、P3=P1である。このように、隣り合う撮像素子間における開口領域12の中心間の距離が一定(P3)となるため、高解像度撮像モードで撮像する場合において、画像の解像度が向上する。また、固体撮像装置1の撮像面に結像する像に周期がP3程度のパターンが含まれている場合でも、モアレが発生しにくい。この結果、高解像度撮像モードにおいても、品質が良好な撮像画像を得ることができる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図2は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す平面図である。
本実施形態においても、前述の第1の実施形態と同様に、開口領域12が画素10のX方向における幅全体にわたって配置されている。このため、X方向において、開口領域12の中心12cが画素10の中心と略一致し、開口領域12の配列周期P3を画素10の配列周期P1と一致させることができる。この結果、高解像度撮像モードにおいても、品質が良好な撮像画像を得ることができる。但し、本実施形態においては、開口領域12の重心は中心12cとは異なる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、第3の実施形態について説明する。
図3は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す平面図である。
本実施形態においては、開口領域12の形状を凹多角形とすることにより、凹角に対向する領域に、転送ゲート13等の構成要素を配置することができる。すなわち、転送ゲート13等の開口領域12以外の構成要素の配置に合わせて、開口領域12の形状を決定することができる。これにより、画素10内のスペースを有効活用し、画素10に対する開口領域12の面積比を向上させることができる。開口領域12の面積比が向上することにより、光の検出効率が向上する。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、第4の実施形態について説明する。
図4は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す平面図である。
本実施形態においては、1つの画素10内に2つの開口領域12a及び12bを設けることにより、各開口領域の形状を単純な矩形としつつ、画素10に対する開口領域12の面積比を向上させることができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、参考例について説明する。
図5は、本参考例に係る固体撮像装置を示す平面図である。
図6(a)は本参考例に係る固体撮像装置の一対の画素を示す平面図であり、図6(b)は横軸に図6(a)に示すA−A’線に沿った位置をとり縦軸に電位をとって電荷分布の変化を示す電位図であり、図6(c)は縦軸に図6(a)に示すB−B’線に沿った位置をとり横軸に電位をとって電荷分布の変化を示す電位図であり、図6(d)は横軸に時間をとり縦軸に電位をとって各部の電位変化を示すタイミングチャートである。
以下に説明する画素10の動作は、前述の各実施形態においても同様である。
先ず、画素10a及び画素10bの開口領域12に光が入射すると、開口領域12に設けられたフォトダイオードにおいて、信号電荷が発生する。
10、10a、10b:画素
12、12a、12b:開口領域
12c:中心
12w1、12w2、12w3、12x1、12x2、12x3、12x4、12y1、12y2、12y3、12y4:辺
13:転送ゲート
14:電荷蓄積部
15:転送ゲート
16:フローティングジャンクション
17:駆動トランジスタ
18:アドレストランジスタ
19:共通転送ゲート
100:固体撮像装置
R:赤色領域
B:青色領域
G:緑色領域
P1、P2、P3:配列周期
P4、P5:距離
PS1〜PS4:電位
T1〜T6:時刻
Claims (8)
- 第1方向において隣り合い、構造が相互に鏡像対称である第1画素及び第2画素を備え、
前記第1画素及び前記第2画素は、それぞれ、光が入射する開口領域を有し、
前記第1画素の開口領域は、前記第1画素の前記第1方向における幅全体にわたって配置されており、前記第2画素の開口領域は、前記第2画素の前記第1方向における幅全体にわたって配置されている固体撮像装置。 - 第1方向において隣り合い、構造が相互に鏡像対称である第1画素及び第2画素を備え、
前記第1画素及び前記第2画素は、それぞれ、光が入射する開口領域を有し、
前記第1画素の開口領域の外縁は、前記第1画素における前記第1方向中央に位置する軸に関して2回対称であり、前記第2画素の開口領域の外縁は、前記第2画素における前記第1方向中央に位置する軸に関して2回対称である固体撮像装置。 - 前記第1画素の外縁及び前記第2画素の外縁は、それぞれ、前記第1方向に延びる2辺及び前記第1方向に対して直交する第2方向に延びる2辺からなる矩形であり、
前記開口領域の外縁は、前記第1方向に延びる2辺、前記第2方向に延びる2辺、並びに、前記第1方向及び前記第2方向に対して交差する第3方向に延びる2辺からなる六角形である請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1画素の外縁及び前記第2画素の外縁は、それぞれ、前記第1方向に延びる2辺及び前記第1方向に対して直交する第2方向に延びる2辺からなる矩形であり、
前記開口領域の外縁は、前記第1方向に延びる2辺、前記第2方向に延びる2辺、並びに、前記第1方向及び前記第2方向に対して交差する第3方向に延びる1辺からなる五角形である請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1画素の外縁及び前記第2画素の外縁は、それぞれ、前記第1方向に延びる2辺及び前記第1方向に対して直交する第2方向に延びる2辺からなる矩形であり、
前記開口領域の外縁は凹多角形である請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1画素及び前記第2画素は、それぞれ、前記開口領域から離隔した他の開口領域を有する請求項1〜5のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
- 前記第1方向における前記第1画素の前記開口領域の中心と前記第2画素の前記開口領域の中心との距離は、前記第1方向における前記第1画素の幅に等しい請求項1〜6のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
- 第1方向に沿って周期的に配列された複数の画素を備え、
前記第1方向において隣り合う2つの画素の構造は相互に鏡像対称であり、
前記複数の画素は、それぞれ、光が入射する開口領域を有し、
前記複数の画素の前記開口領域は、前記第1方向に沿って周期的に配列されている固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018152297A JP7086783B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 固体撮像装置 |
US16/270,032 US10892288B2 (en) | 2018-08-13 | 2019-02-07 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018152297A JP7086783B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020028037A true JP2020028037A (ja) | 2020-02-20 |
JP7086783B2 JP7086783B2 (ja) | 2022-06-20 |
Family
ID=69406422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018152297A Active JP7086783B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10892288B2 (ja) |
JP (1) | JP7086783B2 (ja) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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