JP2020025332A - Image pickup unit and image pickup device - Google Patents

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有馬 洋文
Hirofumi Arima
洋文 有馬
亮一 菅沼
Ryoichi Suganuma
亮一 菅沼
鈴木 智
Satoshi Suzuki
智 鈴木
木村 祐二
Yuji Kimura
祐二 木村
佐藤 琢也
Takuya Sato
琢也 佐藤
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Abstract

To solve the problem that a warp of a mounting board changes with the passage of time due to a restitutive force originally possessed by the mounting board on which an image pickup chip is mounted.SOLUTION: An image pickup unit comprises an image pickup chip, a mounting board on which an image pickup chip is mounted, and an encircling member bonded with adhesive to the mounting board and encircling the image pickup chip, and a coefficient of thermal expansion of the adhesive while the adhesive is cured is equal to or less than a coefficient of thermal expansion of the encircling member. An image pickup device includes the image pickup unit which includes the image pickup chip, the mounting board on which the image pickup chip is mounted, and the encircling member bonded with adhesive to the mounting board and encircling the image pickup chip, and has the coefficient of thermal expansion of the adhesive while the adhesive is cured being equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the encircling member.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、撮像ユニットおよび撮像装置に関する。   The present invention relates to an imaging unit and an imaging device.

セラミックパッケージ内に撮像チップが実装されたパッケージ構造の撮像ユニットが知られている。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2007−019423号公報
2. Description of the Related Art An imaging unit having a package structure in which an imaging chip is mounted in a ceramic package is known.
[Prior art documents]
[Patent Document]
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-01423

例えば撮像ユニットの製造過程において、撮像チップを実装する実装基板に反りが生じてしまう場合がある。実装基板に生じた反りは、実装基板が元来持つ復元力によって、経時変化する場合がある。   For example, in a manufacturing process of an imaging unit, a mounting substrate on which an imaging chip is mounted may be warped. The warpage of the mounting board may change with time due to the original restoring force of the mounting board.

本発明の第1の態様においては、撮像ユニットは、撮像チップと、撮像チップが実装される実装基板と、実装基板に接着剤で接着され、撮像チップを環囲する環囲部材とを備え、接着剤が硬化した状態における接着剤の熱膨張率は、環囲部材の熱膨張率以下である。   In a first aspect of the present invention, an imaging unit includes an imaging chip, a mounting substrate on which the imaging chip is mounted, and a surrounding member adhered to the mounting substrate with an adhesive and surrounding the imaging chip, The coefficient of thermal expansion of the adhesive in a state where the adhesive is cured is equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the surrounding member.

本発明の第2の態様においては、撮像装置は、上述した撮像ユニットを備える。   In a second aspect of the present invention, an imaging device includes the above-described imaging unit.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   The above summary of the present invention does not list all of the necessary features of the present invention. Further, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

撮像装置の一例であるカメラ10の模式断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a camera 10 which is an example of an imaging device. 撮像ユニット40を模式的に示す上面図である。FIG. 2 is a top view schematically showing the imaging unit 40. 図2のA−A断面を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the AA cross section of FIG. 2 typically. 実装基板120の反りを模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating warpage of the mounting board 120. 他の態様における撮像ユニット500を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the imaging unit 500 in another aspect.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all combinations of the features described in the embodiments are necessarily essential to the solution of the invention.

図1は、撮像装置の一例であるカメラ10の模式断面図である。カメラ10は、レンズユニット20及びカメラボディ30を備える。カメラボディ30には、レンズユニット20が装着される。レンズユニット20は、その鏡筒内に、光軸22に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ30の撮像ユニット40へ導く。   FIG. 1 is a schematic sectional view of a camera 10 which is an example of an imaging device. The camera 10 includes a lens unit 20 and a camera body 30. The lens unit 20 is mounted on the camera body 30. The lens unit 20 has an optical system arranged along the optical axis 22 in its lens barrel, and guides an incident subject light beam to the imaging unit 40 of the camera body 30.

撮像ユニット40が有する撮像チップ100へ被写体光束が入射する方向をz軸方向と定める。撮像チップ100の長手方向をx軸方向、短手方向をy軸方向と定める。被写体光束が撮像チップ100へ向かう方向をz軸プラス方向と定める。図1においては、紙面手前へ向かう方向をx軸プラス方向、紙面奥へ向かう方向をx軸マイナス方向、紙面下方へ向かう方向をy軸プラス方向、紙面上方へ向かう方向をy軸マイナス方向、紙面右方へ向かう方向をz軸プラス方向、紙面左方へ向かう方向をz軸マイナス方向と定める。   The direction in which the subject light flux enters the imaging chip 100 of the imaging unit 40 is defined as the z-axis direction. The longitudinal direction of the imaging chip 100 is defined as the x-axis direction, and the lateral direction is defined as the y-axis direction. The direction in which the subject light beam travels toward the imaging chip 100 is defined as the z-axis plus direction. In FIG. 1, the direction toward the front of the paper is the plus direction of the x axis, the direction toward the back of the paper is the minus direction of the x axis, the direction toward the bottom of the paper is the plus direction of the y axis, the direction toward the top of the paper is the minus direction of the y axis, The direction toward the right is defined as the plus direction of the z-axis, and the direction toward the left of the paper is defined as the minus direction of the z-axis.

カメラボディ30は、レンズマウント24に結合されるボディマウント26の後方にメインミラー32及びサブミラー33を備える。特に断らない限り、後方とは、z軸プラス方向を表す。メインミラー32は、レンズユニット20が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32に対して回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32とともに進入位置に進入し、メインミラー32とともに退避位置に退避する。   The camera body 30 includes a main mirror 32 and a sub-mirror 33 behind the body mount 26 connected to the lens mount 24. Unless otherwise specified, the term “rear” refers to the positive direction of the z-axis. The main mirror 32 is rotatably supported between an entrance position where the main unit 32 enters the optical path of the subject light beam emitted from the lens unit 20 and a retracted position where the main mirror 32 retreats from the optical path of the subject light beam. The sub mirror 33 is rotatably supported on the main mirror 32. The sub-mirror 33 enters the entry position together with the main mirror 32, and retreats to the retreat position together with the main mirror 32.

メインミラー32が進入位置にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束の一部は、メインミラー32に反射されてピント板80に導かれる。ピント板80は、撮像ユニット40が有する撮像チップ100の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット20の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板80に形成された被写体像は、ペンタプリズム82及びファインダ光学系84を通じてファインダ86から観察される。   When the main mirror 32 is at the entrance position, a part of the subject light beam incident on the main mirror 32 is reflected by the main mirror 32 and guided to the focus plate 80. The focus plate 80 is arranged at a position conjugate with the imaging surface of the imaging chip 100 included in the imaging unit 40, and visualizes a subject image formed by the optical system of the lens unit 20. The subject image formed on the focus plate 80 is observed from a finder 86 through a pentaprism 82 and a finder optical system 84.

メインミラー32が進入位置にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束のうちメインミラー32で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー33に入射する。具体的には、メインミラー32はハーフミラー領域を有し、メインミラー32のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー33に入射する。サブミラー33は、ハーフミラー領域から入射した光束を結像光学系70に向かって反射する。結像光学系70は、入射光束を焦点検出センサ72に導く。焦点検出センサ72は、検出結果をMPU51へ出力する。   When the main mirror 32 is at the entrance position, of the subject light beams incident on the main mirror 32, light beams other than the subject light beam reflected by the main mirror 32 enter the sub mirror 33. Specifically, the main mirror 32 has a half mirror area, and the subject light flux transmitted through the half mirror area of the main mirror 32 enters the sub mirror 33. The sub-mirror 33 reflects the light beam incident from the half mirror area toward the imaging optical system 70. The imaging optical system 70 guides the incident light beam to the focus detection sensor 72. The focus detection sensor 72 outputs a detection result to the MPU 51.

ピント板80、ペンタプリズム82、メインミラー32及びサブミラー33は、支持部材としてのミラーボックス60に支持される。メインミラー32及びサブミラー33が退避位置に退避し、シャッタユニット38の先幕及び後幕が開状態となれば、レンズユニット20を透過する被写体光束は、シャッタユニット38の後方に配置された光学ユニット50を透過して、撮像チップ100の撮像面に到達する。   The focus plate 80, the pentaprism 82, the main mirror 32, and the sub-mirror 33 are supported by a mirror box 60 as a support member. When the main mirror 32 and the sub-mirror 33 are retracted to the retracted position, and the front curtain and the rear curtain of the shutter unit 38 are opened, the subject light flux transmitted through the lens unit 20 is changed to an optical unit disposed behind the shutter unit 38. The light passes through 50 and reaches the imaging surface of the imaging chip 100.

撮像ユニット40の後方には、基板62及び背面表示部88が順次配置される。背面表示部88としては、液晶パネル等を適用できる。背面表示部88の表示面は、カメラボディ30の背面に現れる。背面表示部88は、撮像チップ100からの出力信号から生成される画像を表示する。   Behind the imaging unit 40, a substrate 62 and a rear display unit 88 are sequentially arranged. As the rear display unit 88, a liquid crystal panel or the like can be applied. The display surface of the back display unit 88 appears on the back of the camera body 30. The rear display unit 88 displays an image generated from an output signal from the imaging chip 100.

基板62には、MPU51、ASIC52等の電子回路が実装される。MPU51は、カメラ10の全体の制御を担う。撮像チップ100からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等を介してASIC52へ出力される。ASIC52は、撮像チップ100から出力された出力信号を処理する。   Electronic circuits such as the MPU 51 and the ASIC 52 are mounted on the board 62. The MPU 51 controls the entire camera 10. An output signal from the imaging chip 100 is output to the ASIC 52 via a flexible printed board or the like. The ASIC 52 processes an output signal output from the imaging chip 100.

ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。背面表示部88は、ASIC52が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ASIC52が生成した記録用の画像データは、カメラボディ30に装着された記録媒体に記録される。記録媒体は、カメラボディ30に着脱可能に構成されている。   The ASIC 52 generates display image data based on an output signal from the imaging chip 100. The rear display unit 88 displays an image based on the display image data generated by the ASIC 52. The ASIC 52 generates recording image data based on an output signal from the imaging chip 100. The image data for recording generated by the ASIC 52 is recorded on a recording medium mounted on the camera body 30. The recording medium is configured to be detachable from the camera body 30.

図2は、撮像ユニット40を模式的に示す上面図である。図3は、図2のA−A断面を模式的に示す断面図である。撮像ユニット40は、撮像チップ100と、実装基板120と、フレーム140と、カバーガラス160とを含んで構成される。   FIG. 2 is a top view schematically showing the imaging unit 40. FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an AA cross section of FIG. The imaging unit 40 includes the imaging chip 100, the mounting board 120, the frame 140, and the cover glass 160.

撮像チップ100は、CMOSイメージセンサやCCDイメージセンサである。撮像チップ100は、撮像領域101と周辺領域102とを含んで構成される。撮像領域101は、撮像チップ100の中央部分に形成される。撮像チップ100の撮像領域101には、被写体光を光電変換する複数の光電変換素子で受光面が形成されている。撮像チップ100の周辺領域102は、撮像領域101の周辺に位置する。撮像チップ100の周辺領域102には、光電変換素子における光電変換によって得られた画素信号を読み出して出力するバスドライバと、バスドライバから出力された画素信号に対して信号処理を行う処理回路とを有する。処理回路は、出力された画素信号をデジタル信号に変換するAD変換回路を含む。撮像チップ100は、実装基板120に実装される。撮像チップ100は、実装基板120に例えばフリップチップ実装で実装される。撮像チップ100は、例えばワイヤボンディングで実装基板120と電気的に接続される。撮像チップ100のAD変換回路でデジタル信号に変換された画素信号は、例えばワイヤを介して実装基板120に出力される。撮像チップ100は、実装基板120に例えば接着剤で接着される。撮像チップ100は、フレーム140の開口部141に収容されている。   The imaging chip 100 is a CMOS image sensor or a CCD image sensor. The imaging chip 100 includes an imaging area 101 and a peripheral area 102. The imaging region 101 is formed in a central portion of the imaging chip 100. In the imaging area 101 of the imaging chip 100, a light receiving surface is formed by a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert subject light. The peripheral area 102 of the imaging chip 100 is located around the imaging area 101. The peripheral region 102 of the imaging chip 100 includes a bus driver that reads and outputs a pixel signal obtained by photoelectric conversion in the photoelectric conversion element, and a processing circuit that performs signal processing on the pixel signal output from the bus driver. Have. The processing circuit includes an AD conversion circuit that converts the output pixel signal into a digital signal. The imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120 by, for example, flip-chip mounting. The imaging chip 100 is electrically connected to the mounting substrate 120 by, for example, wire bonding. The pixel signal converted into a digital signal by the AD conversion circuit of the imaging chip 100 is output to the mounting board 120 via, for example, a wire. The imaging chip 100 is adhered to the mounting substrate 120 with, for example, an adhesive. The imaging chip 100 is housed in the opening 141 of the frame 140.

実装基板120は、撮像チップ100を実装する。実装基板120は、第1層121と、芯層207と、第2層122とを含む。第1層121は、ソルダレジスト層201、配線層202、絶縁層203、配線層204、絶縁層205および配線層206を含む。第2層122は、配線層216、絶縁層215、配線層214、絶縁層213、配線層212およびソルダレジスト層211を含む。このように、実装基板120は、芯層207をコア層として有する多層コア基板である。   The mounting substrate 120 mounts the imaging chip 100. The mounting substrate 120 includes a first layer 121, a core layer 207, and a second layer 122. The first layer 121 includes a solder resist layer 201, a wiring layer 202, an insulating layer 203, a wiring layer 204, an insulating layer 205, and a wiring layer 206. The second layer 122 includes a wiring layer 216, an insulating layer 215, a wiring layer 214, an insulating layer 213, a wiring layer 212, and a solder resist layer 211. Thus, the mounting substrate 120 is a multilayer core substrate having the core layer 207 as a core layer.

実装基板120において、光軸22に沿って、撮像チップ100、ソルダレジスト層201、配線層202、絶縁層203、配線層204、絶縁層205、配線層206、芯層207、配線層216、絶縁層215、配線層214、絶縁層213、配線層212、ソルダレジスト層211の順で配される。   On the mounting substrate 120, along the optical axis 22, the imaging chip 100, the solder resist layer 201, the wiring layer 202, the insulating layer 203, the wiring layer 204, the insulating layer 205, the wiring layer 206, the core layer 207, the wiring layer 216, The layer 215, the wiring layer 214, the insulating layer 213, the wiring layer 212, and the solder resist layer 211 are arranged in this order.

絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215および絶縁層213は、例えば樹脂層である。絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215および絶縁層213それぞれの厚みは、30μm〜40μmである。なお、厚みとは、z軸方向の長さである。   The insulating layers 203, 205, 215, and 213 are, for example, resin layers. The thickness of each of the insulating layers 203, 205, 215, and 213 is 30 μm to 40 μm. The thickness is a length in the z-axis direction.

配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212は、配線パターンを含む。配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212の材料として、ニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等を用いることができる。配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212が有する配線パターンそれぞれの厚みは、30μm〜40μm程度である。このように、第1層121は、3層の配線パターンを含む。第2層122は、3層の配線パターンを含む。   The wiring layer 202, the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 include a wiring pattern. As a material of the wiring layers 202, 204, 206, 216, 214 and 212, an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, aluminum, or the like can be used. The thickness of each of the wiring patterns included in the wiring layers 202, 204, 206, 216, 214, and 212 is about 30 μm to 40 μm. As described above, the first layer 121 includes a three-layer wiring pattern. The second layer 122 includes a three-layer wiring pattern.

配線層202の少なくとも一部は、撮像チップ100からワイヤを介して出力された画素信号を受け取る配線パターンに使用される。配線層204の配線パターンおよび配線層214の配線パターンは、例えばグランドラインとして使用される。配線層206の配線パターンおよび配線層216の配線パターンは、例えば電源ラインとして使用される。なお、配線層204の配線パターンおよび配線層214の配線パターンを電源ラインとして用いてもよいし、配線層206の配線パターンおよび配線層216の配線パターンをグランドラインとして用いてもよい。   At least a part of the wiring layer 202 is used for a wiring pattern that receives a pixel signal output from the imaging chip 100 via a wire. The wiring pattern of the wiring layer 204 and the wiring pattern of the wiring layer 214 are used, for example, as ground lines. The wiring pattern of the wiring layer 206 and the wiring pattern of the wiring layer 216 are used, for example, as power supply lines. Note that the wiring pattern of the wiring layer 204 and the wiring pattern of the wiring layer 214 may be used as power supply lines, or the wiring pattern of the wiring layer 206 and the wiring pattern of the wiring layer 216 may be used as ground lines.

芯層207は、樹脂で形成される。例えば、芯層207の材料はFR4であってよい。芯層207の厚みは、配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212のいずれの配線層の厚みより厚い。芯層207の厚みは、絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215および絶縁層213のいずれの絶縁層の厚みより厚い。具体的には、芯層207の厚みは、0.1mmから0.4mm程度である。芯層207の剛性は、配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212のいずれの配線層の剛性よりも高い。芯層207の剛性は、第1層121および第2層122の剛性より高くてもよい。   The core layer 207 is formed of a resin. For example, the material of the core layer 207 may be FR4. The thickness of the core layer 207 is larger than the thickness of any of the wiring layers 202, 204, 206, 216, 214 and 212. The thickness of the core layer 207 is larger than the thickness of any of the insulating layers 203, 205, 215, and 213. Specifically, the thickness of the core layer 207 is about 0.1 mm to 0.4 mm. The rigidity of the core layer 207 is higher than the rigidity of any of the wiring layers 202, 204, 206, 216, 214, and 212. The rigidity of the core layer 207 may be higher than the rigidity of the first layer 121 and the second layer 122.

このように、実装基板120は、樹脂コアを有する多層コア基板である。実装基板120の厚みは、全体として0.3mmから1.0mm程度である。   Thus, the mounting substrate 120 is a multilayer core substrate having a resin core. The thickness of the mounting substrate 120 is about 0.3 mm to 1.0 mm as a whole.

撮像チップ100は、ソルダレジスト層201上に実装される。撮像チップ100は、ボンディングワイヤ110によって配線層202に電気的に接続される。配線層202と配線層214は、第1層121および芯層207を貫通するビア131によって電気的に接続されている。ビア131は、絶縁体132により覆われている。撮像チップ100から出力された画素信号は、配線層202およびビア131を介して、配線層212に伝送される。配線層212にはコネクタが接続される。コネクタは、例えばフレキシブル基板に接続される。配線層212に伝送された画素信号は、コネクタおよびフレキシブル基板を介して、ASIC52等の外部の電子回路へ伝送される。   The imaging chip 100 is mounted on the solder resist layer 201. The imaging chip 100 is electrically connected to the wiring layer 202 by the bonding wire 110. The wiring layer 202 and the wiring layer 214 are electrically connected by a via 131 penetrating the first layer 121 and the core layer 207. The via 131 is covered with an insulator 132. The pixel signal output from the imaging chip 100 is transmitted to the wiring layer 212 via the wiring layer 202 and the via 131. A connector is connected to the wiring layer 212. The connector is connected to, for example, a flexible substrate. The pixel signal transmitted to the wiring layer 212 is transmitted to an external electronic circuit such as the ASIC 52 via the connector and the flexible substrate.

電子部品180は、ソルダレジスト層211上に設けられる。電子部品180は、例えばコンデンサ、レジスタ、抵抗等である。電子部品180は、撮像チップ100内の回路に電力を供給する電源回路等を構成する。電子部品180のリード部材は、配線層212にはんだ等で固定されている。電子部品180と配線層212とは、リード部材によって電気的に接続される。このように、撮像チップ100は、1つの実装基板120において電子部品180が設けられた面と反対側の面に実装される。このように、撮像チップ100は、実装基板120にCOB(Chip On Board)実装されている。   Electronic component 180 is provided on solder resist layer 211. The electronic component 180 is, for example, a capacitor, a resistor, a resistor, or the like. The electronic component 180 forms a power supply circuit that supplies power to a circuit in the imaging chip 100, and the like. The lead member of the electronic component 180 is fixed to the wiring layer 212 with solder or the like. Electronic component 180 and wiring layer 212 are electrically connected by a lead member. As described above, the imaging chip 100 is mounted on the surface of the one mounting substrate 120 opposite to the surface on which the electronic component 180 is provided. As described above, the imaging chip 100 is mounted on the mounting board 120 by COB (Chip On Board).

フレーム140は、撮像チップ100を環囲する環囲部材の一例である。フレーム140は、実装基板120と接着部240により接着される。具体的には、フレーム140は、実装基板120のソルダレジスト層201と接着部240により接着される。接着部240は、接着剤により形成される。具体的には、接着部240は、熱硬化性接着剤を熱硬化させることで形成される。   The frame 140 is an example of a surrounding member that surrounds the imaging chip 100. The frame 140 is bonded to the mounting substrate 120 by the bonding unit 240. Specifically, the frame 140 is bonded to the solder resist layer 201 of the mounting substrate 120 by the bonding section 240. The bonding section 240 is formed with an adhesive. Specifically, the bonding portion 240 is formed by thermally curing a thermosetting adhesive.

フレーム140は、第1内壁面142と、第1面155と、第2面156と、第3面157と、第4面158と、第5面159とを有する。第1内壁面142は、開口部141を形成する。開口部141は、例えば中央部分に形成される。   The frame 140 has a first inner wall surface 142, a first surface 155, a second surface 156, a third surface 157, a fourth surface 158, and a fifth surface 159. The first inner wall surface 142 forms an opening 141. The opening 141 is formed, for example, at the center.

第1面155は、カバーガラス160と接着部260により接着される面である。第1面155は、第1内壁面142の端部に接する面である。第1面155は、第1内壁面142の外縁に沿って形成される面である。第1面155は、xy平面と平行な面である。   The first surface 155 is a surface bonded to the cover glass 160 by the bonding unit 260. The first surface 155 is a surface that contacts the end of the first inner wall surface 142. The first surface 155 is a surface formed along the outer edge of the first inner wall surface 142. The first surface 155 is a surface parallel to the xy plane.

第2面156は、第1面155の端部に接する面である。第2面156は、第1面155の外縁に沿って形成される面である。第2面156は、yz平面に平行な面と、xz平面に平行な面とを有する。   The second surface 156 is a surface in contact with an end of the first surface 155. The second surface 156 is a surface formed along the outer edge of the first surface 155. The second surface 156 has a plane parallel to the yz plane and a plane parallel to the xz plane.

第3面157は、第2面156の端部に接する面である。第3面157は、xy平面と平行な面であり、第1面155と平行な面である。   The third surface 157 is a surface that is in contact with an end of the second surface 156. The third surface 157 is a surface parallel to the xy plane, and is a surface parallel to the first surface 155.

第4面158は、第3面157の端部に接する面である。第4面158は、第3面157の外縁に沿って形成される面である。第4面158は、yz平面に平行な面と、xz平面に平行な面とを有する。   The fourth surface 158 is a surface that is in contact with an end of the third surface 157. The fourth surface 158 is a surface formed along the outer edge of the third surface 157. The fourth surface 158 has a surface parallel to the yz plane and a surface parallel to the xz plane.

第5面159は、第4面158の端部に接する面である。第5面159は、第4面158の外縁に沿って形成される面である。第5面159は、xy平面と平行な面である。第5面159は、第1面155及び第3面157と平行な面である。第5面159は、実装基板120のソルダレジスト層201と接着部240により接着される面である。第5面159は、第1内壁面142の端部に接する面である。第5面159は、第1内壁面142の外縁に沿って形成される面である。   The fifth surface 159 is a surface that is in contact with the end of the fourth surface 158. The fifth surface 159 is a surface formed along the outer edge of the fourth surface 158. The fifth surface 159 is a surface parallel to the xy plane. The fifth surface 159 is a surface parallel to the first surface 155 and the third surface 157. The fifth surface 159 is a surface bonded to the solder resist layer 201 of the mounting board 120 by the bonding portion 240. The fifth surface 159 is a surface that contacts the end of the first inner wall surface 142. The fifth surface 159 is a surface formed along the outer edge of the first inner wall surface 142.

フレーム140は、第1面155と第2面156と第3面157とにより形成された段部を有する。フレーム140は、取付部として取付穴146を有する。フレーム140は、例えば3つの取付穴146を有する。3つの取付穴146はいずれも第3面157から第5面159までを貫通する穴である。3つの取付穴146はいずれも、他の構造体を取り付けるために利用される。フレーム140は、3つの取付穴146を介して例えばビス止めされることで他の構造体に固定される。よって、撮像ユニット40は、他の構造体に固定される。なお、他の構造体は、フレーム140の第1面155と第3面157とに接するように固定されてもよい。他の構造体は、フレーム140の第1面155と第2面156とに接するように固定されてもよい。他の構造体は、フレーム140の第1面155と第2面156とに第3面157とに接するように固定されてもよい。他の構造体としては、例えばミラーボックスが挙げられる。   The frame 140 has a step formed by the first surface 155, the second surface 156, and the third surface 157. The frame 140 has a mounting hole 146 as a mounting portion. The frame 140 has, for example, three mounting holes 146. Each of the three mounting holes 146 is a hole penetrating from the third surface 157 to the fifth surface 159. All three mounting holes 146 are used to mount other structures. The frame 140 is fixed to another structure by, for example, screwing through three mounting holes 146. Therefore, the imaging unit 40 is fixed to another structure. Note that another structure may be fixed to be in contact with the first surface 155 and the third surface 157 of the frame 140. Other structures may be fixed to contact the first surface 155 and the second surface 156 of the frame 140. Another structure may be fixed to the first surface 155 and the second surface 156 of the frame 140 so as to be in contact with the third surface 157. Other structures include, for example, a mirror box.

フレーム140は、位置決め穴147を有する。フレーム140は、例えば2つの位置決め穴147を有する。2つの位置決め穴147はいずれも第3面157から第5面159までを貫通する穴である。位置決め穴147はいずれも、他の構造体を位置決めするために利用される。2つの位置決め穴147のうち、一方の位置決め穴は嵌合穴で形成され、他方の位置決め穴147は長穴で形成されている。   The frame 140 has a positioning hole 147. The frame 140 has, for example, two positioning holes 147. The two positioning holes 147 are holes penetrating from the third surface 157 to the fifth surface 159. All of the positioning holes 147 are used for positioning other structures. One of the two positioning holes 147 is formed by a fitting hole, and the other positioning hole 147 is formed by an elongated hole.

フレーム140は、2つの位置決め穴147を用いて他の構造体に位置決めされる。例えば他の構造体に設けられた2つの位置決めピンが2つの位置決め穴147に挿入されることで、フレーム140と他の構造体とが位置決めされる。フレーム140は、他の構造体に対して位置決めされた状態で固定される。よって、撮像ユニット40は、他の構造体に固定される。他の構造体としては、例えばミラーボックスが挙げられる。   The frame 140 is positioned to another structure using the two positioning holes 147. For example, by inserting two positioning pins provided on another structure into the two positioning holes 147, the frame 140 and the other structure are positioned. The frame 140 is fixed while being positioned with respect to another structure. Therefore, the imaging unit 40 is fixed to another structure. Other structures include, for example, a mirror box.

また、シャッタユニットは、撮像ユニット40又はミラーボックスに固定される。シャッタユニットは、例えば撮像ユニット40及びミラーボックスとともに共締めしてもよい。この場合、シャッタユニットは、フレーム140の位置決め穴147に挿入されるミラーボックスの位置決めピンを用いてミラーボックスに対して位置決めしてもよい。   Further, the shutter unit is fixed to the imaging unit 40 or the mirror box. The shutter unit may be fastened together with the imaging unit 40 and the mirror box, for example. In this case, the shutter unit may be positioned with respect to the mirror box using the positioning pins of the mirror box inserted into the positioning holes 147 of the frame 140.

フレーム140は、樹脂149に金属体148がインサートされて構成されている。金属体148は、例えば開口部141を囲むように環状に形成される。金属体148の材料として、ニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウムを用いることができる。アルミニウム等の軽量な材料を金属体148の材料として用いれば、フレーム140を軽量化することができる。銅等の熱伝導率が比較的に高い材料を金属体148の材料として用いれば、フレーム140からの放熱特性を高めることができる。   The frame 140 is configured by inserting a metal body 148 into a resin 149. The metal body 148 is formed in an annular shape so as to surround the opening 141, for example. As a material of the metal body 148, an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, or aluminum can be used. If a lightweight material such as aluminum is used as the material of the metal body 148, the weight of the frame 140 can be reduced. If a material having relatively high thermal conductivity such as copper is used as the material of the metal body 148, the heat radiation characteristics from the frame 140 can be improved.

カバーガラス160は、撮像チップ100を封止するために用いられる。カバーガラス160は、フレーム140と接着部260により接着される。カバーガラス160は、フレーム140の開口部141を覆うようにフレーム140に固定される。カバーガラス160は、フレーム140及び実装基板120とともに開口部141を密封空間とする。接着部260は、接着剤により形成される。具体的には、接着部260は、光硬化型接着剤を硬化させることで形成される。例えば、接着部260は、紫外線硬化型接着剤を硬化させることで形成される。カバーガラス160の材料としてホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等を用いることができる。カバーガラス160の厚みは、0.5mmから0.8mmである。カバーガラス160は透光性を有するので、カバーガラス160とフレーム140との間を光硬化型接着剤を用いて接着することができる。カバーガラス160は、透光性部材の一例である。透光性部材としては、ガラスの他に水晶等を適用できる。   The cover glass 160 is used to seal the imaging chip 100. The cover glass 160 is bonded to the frame 140 by the bonding unit 260. The cover glass 160 is fixed to the frame 140 so as to cover the opening 141 of the frame 140. The cover glass 160 uses the opening 141 as a sealed space together with the frame 140 and the mounting board 120. The bonding section 260 is formed with an adhesive. Specifically, the bonding section 260 is formed by curing a photocurable adhesive. For example, the bonding section 260 is formed by curing an ultraviolet curable adhesive. As a material of the cover glass 160, borosilicate glass, quartz glass, non-alkali glass, heat-resistant glass, or the like can be used. The thickness of the cover glass 160 is 0.5 mm to 0.8 mm. Since the cover glass 160 has a light-transmitting property, the cover glass 160 and the frame 140 can be bonded to each other using a photocurable adhesive. The cover glass 160 is an example of a translucent member. As the translucent member, quartz or the like can be applied in addition to glass.

このように、実装基板120と、フレーム140と、カバーガラス160とによって、密封空間が形成される。撮像チップ100は、実装基板120と、フレーム140と、カバーガラス160とによって形成される密封空間内に配置されている。これにより、撮像チップ100が外部環境の影響を受けにくくなる。例えば、撮像チップ100が密封空間外に存在する水分の影響を受けにくくなる。そのため、撮像チップ100の劣化を防止できる。   Thus, a sealed space is formed by the mounting board 120, the frame 140, and the cover glass 160. The imaging chip 100 is arranged in a sealed space formed by the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160. This makes the imaging chip 100 less susceptible to the external environment. For example, the imaging chip 100 is less likely to be affected by moisture existing outside the sealed space. Therefore, deterioration of the imaging chip 100 can be prevented.

フレーム140の金属体148の材料としてもカバーガラス160の線膨張係数の値に最も近い線膨張係数の値を持つ材料(例えば、56alloy)を用いれば、カバーガラス160とフレーム140の線膨張係数の違いに起因するフレーム140の反りを低減できる。実装基板120の配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214および配線層212の材料として、撮像チップ100の線膨張係数の値に近い線膨張係数の値を持つ材料を用いる場合、フレーム140の金属体148の材料としても同じ材料を用いるとよい。これにより、撮像ユニット40の反りを低減できる。撮像チップ100の線膨張係数の値に近い線膨張係数の値を持つ材料としては、一例として42alloyである。   When a material having a linear expansion coefficient closest to the linear expansion coefficient of the cover glass 160 (for example, 56 alloy) is used as the material of the metal body 148 of the frame 140, the linear expansion coefficient of the cover glass 160 and the frame 140 can be reduced. Warpage of the frame 140 caused by the difference can be reduced. As a material of the wiring layers 202, 204, 206, 216, 214, and 212 of the mounting substrate 120, a material having a linear expansion coefficient close to that of the imaging chip 100 is used. Is used, the same material may be used as the material of the metal body 148 of the frame 140. Thereby, the warpage of the imaging unit 40 can be reduced. A material having a linear expansion coefficient value close to the linear expansion coefficient value of the imaging chip 100 is, for example, 42 alloy.

フレーム140の厚みについて説明する。フレーム140の厚みは、撮像チップ100の受光面とカバーガラス160との間の距離確保の観点、フレーム140の剛性の観点等の種々の観点から適宜調整される。ここで、カバーガラス160に異物等が付着したり傷がついたりすることに起因する画像への映り込みは、カバーガラス160が撮像チップ100の受光面から離れるほど低減できる。よって、映りこみによる影響を低減するという観点では、撮像チップ100の受光面とカバーガラス160との間の距離は長いほうが好ましい。したがって、フレーム140の厚みは、厚いほうが好ましい。映りこみは、撮像チップ100のサイズにも影響される。例えば、撮像チップ100のサイズが小さいほど被写界深度が深いので、撮像チップ100の受光面とカバーガラス160との間の距離が短い場合に影響が現れ易い。したがって、フレーム140の厚みは、厚いほうが好ましい。加えて、フレーム140の剛性の観点でも、フレーム140の厚みは、厚いほうが好ましい。   The thickness of the frame 140 will be described. The thickness of the frame 140 is appropriately adjusted from various viewpoints such as securing a distance between the light receiving surface of the imaging chip 100 and the cover glass 160 and rigidity of the frame 140. Here, the reflection on the image caused by the attachment of foreign matter or the like to the cover glass 160 or the scratching can be reduced as the cover glass 160 moves away from the light receiving surface of the imaging chip 100. Therefore, from the viewpoint of reducing the influence of the reflection, it is preferable that the distance between the light receiving surface of the imaging chip 100 and the cover glass 160 is long. Therefore, the thickness of the frame 140 is preferably thicker. The reflection is also affected by the size of the imaging chip 100. For example, the smaller the size of the imaging chip 100 is, the deeper the depth of field is. Therefore, the influence is likely to appear when the distance between the light receiving surface of the imaging chip 100 and the cover glass 160 is short. Therefore, the thickness of the frame 140 is preferably thicker. In addition, from the viewpoint of the rigidity of the frame 140, the thickness of the frame 140 is preferably thick.

一方で、撮像チップ100の受光面とカバーガラス160との間の距離は、撮像ユニット40が実装される撮像装置の機種毎に制限される。本実施形態によれば、フレーム140の厚みによって、機種毎に制限される距離に調整することができる。また、厚みを持たせることにより、フレーム140そのものが、他の構造物が直接的に結合される構造体としての機能を担うことができる。フレーム140の厚みは、0.5mmから2.0mmであってよい。   On the other hand, the distance between the light receiving surface of the imaging chip 100 and the cover glass 160 is limited for each model of the imaging device on which the imaging unit 40 is mounted. According to the present embodiment, it is possible to adjust the distance to be limited for each model by the thickness of the frame 140. Further, by providing a thickness, the frame 140 itself can function as a structure to which other structures are directly connected. The thickness of the frame 140 may be from 0.5 mm to 2.0 mm.

金属体148は、下端部151と、上端部152と、下端部151と上端部152を繋ぐ連結部153とを含む。下端部151は、例えばxy平面と平行な面を有する。上端部152は、例えばxy平面と平行な面を有する。下端部151とは、上端部152に対してz軸方向プラス側に位置している。上端部152は、フレーム140の外表面に露出するように形成してもよい。この場合、上端部152は、他の構造体と接した状態で他の構造体に取り付けることができる。したがって、例えば撮像チップ100で生じた熱の放熱特性を高めることができる。   The metal body 148 includes a lower end 151, an upper end 152, and a connecting portion 153 that connects the lower end 151 and the upper end 152. The lower end 151 has, for example, a plane parallel to the xy plane. The upper end 152 has, for example, a plane parallel to the xy plane. The lower end 151 is located on the plus side in the z-axis direction with respect to the upper end 152. The upper end 152 may be formed to be exposed on the outer surface of the frame 140. In this case, the upper end 152 can be attached to another structure while being in contact with the other structure. Therefore, for example, the heat radiation characteristics of the heat generated in the imaging chip 100 can be improved.

金属体148は、下端部151の端面、すなわち、フレーム140における撮像チップ100側の端面に露出しないように形成してもよい。金属体148が樹脂149に覆われているので、フレーム140の第1内壁面142での反射を抑制することができる。下端部151は、配線層202と直接接するように形成してもよい。   The metal body 148 may be formed so as not to be exposed on the end surface of the lower end 151, that is, the end surface of the frame 140 on the imaging chip 100 side. Since the metal body 148 is covered with the resin 149, reflection on the first inner wall surface 142 of the frame 140 can be suppressed. The lower end 151 may be formed so as to be in direct contact with the wiring layer 202.

上端部152と樹脂149が積層されている部分にビス150が貫通できるように上端部152および樹脂149を貫通する取付穴146が形成されている。したがって、上端部152は、取付穴146の内壁面154の一部を形成する。取付穴146を用いてフレーム140と他の構造体とを例えば金属のビスでビス止めした場合、上端部152とビス150が接触することになる。これにより、撮像チップ100で生じた熱をビス150を介して構造体側に熱を逃がすための伝熱経路を形成することができる。なお、取付穴146の内壁面154の全体が金属体148により形成される構成とすれば、撮像チップ100で生じた熱の放熱特性をより高めることができる。   A mounting hole 146 penetrating the upper end 152 and the resin 149 is formed so that the screw 150 can penetrate the portion where the upper end 152 and the resin 149 are laminated. Therefore, the upper end portion 152 forms a part of the inner wall surface 154 of the mounting hole 146. When the frame 140 and another structure are screwed with, for example, a metal screw using the mounting hole 146, the upper end 152 and the screw 150 come into contact with each other. This makes it possible to form a heat transfer path for releasing the heat generated in the imaging chip 100 to the structure via the screw 150. If the entire inner wall surface 154 of the mounting hole 146 is formed by the metal body 148, the heat radiation characteristic of the heat generated in the imaging chip 100 can be further improved.

図4は、実装基板120の反りを模式的に示す。フレーム140を実装基板120に接着する接着工程において、フレーム140は、熱硬化型接着剤を介して実装基板120に取り付けられた状態で、常温より高い高温環境下に置くことで熱硬化型接着剤を硬化させる。高温環境下において熱硬化型接着剤の硬化時間以上の時間が経過した後、実装基板120およびフレーム140は常温へ戻される。   FIG. 4 schematically shows the warpage of the mounting substrate 120. In the bonding step of bonding the frame 140 to the mounting substrate 120, the frame 140 is attached to the mounting substrate 120 via the thermosetting adhesive, and is placed in a high-temperature environment higher than room temperature, so that the thermosetting adhesive To cure. After a lapse of time equal to or longer than the curing time of the thermosetting adhesive in a high-temperature environment, the mounting substrate 120 and the frame 140 are returned to room temperature.

したがって、実装基板120およびフレーム140は、フレーム140の接着工程において大きな温度変化を受ける。フレーム140の熱膨張率と実装基板120の熱膨張率とに差があることで、フレーム140は実装基板120とは異なる量だけ変形する。その結果、実装基板120に反りが生じる場合がある。例えば、実装基板120の周縁部が、実装基板120の中心部よりz軸方向に大きく変位する場合がある。   Therefore, the mounting substrate 120 and the frame 140 are subjected to a large temperature change in the bonding process of the frame 140. Due to the difference between the coefficient of thermal expansion of the frame 140 and the coefficient of thermal expansion of the mounting board 120, the frame 140 is deformed by an amount different from that of the mounting board 120. As a result, the mounting substrate 120 may be warped. For example, the periphery of the mounting substrate 120 may be displaced more in the z-axis direction than the center of the mounting substrate 120.

接着工程が終了した後、実装基板120には実装基板120を元の状態に戻ろうとする復元力が働く。そのため、実装基板120の反り量が時間的に変化する。例えば、接着工程における温度変化によって実装基板120の反り量が拡大した場合は、実装基板120の復元力によって、反り量が時間的に減少していく。接着工程において実装基板120が大きく反った場合には、実装基板120の復元力による反り量の経時変化が長時間にわたって生じることがある。また、フレーム140を実装基板120に接着する接着部の弾性率が小さい場合にも、実装基板120の復元力による反り量の経時変化は長時間にわたって生じることがある。   After the end of the bonding step, a restoring force acts on the mounting substrate 120 to return the mounting substrate 120 to its original state. Therefore, the amount of warpage of the mounting board 120 changes with time. For example, when the amount of warpage of the mounting substrate 120 increases due to a temperature change in the bonding process, the amount of warpage decreases with time due to the restoring force of the mounting substrate 120. If the mounting substrate 120 is greatly warped in the bonding step, the amount of warpage due to the restoring force of the mounting substrate 120 may change over time for a long time. Further, even when the elasticity of the bonding portion for bonding the frame 140 to the mounting board 120 is small, the temporal change in the amount of warpage due to the restoring force of the mounting board 120 may occur for a long time.

フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の熱膨張率は、例えばフレーム140の熱膨張率以下である。これにより、熱硬化型接着剤の熱膨張率がフレーム140の熱膨張率より大きい場合と比較して、接着工程において生じる反り量を低減することができる。したがって、実装基板120の復元力による反り量の経時変化を抑制することができる。   The coefficient of thermal expansion of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the frame 140. This makes it possible to reduce the amount of warpage that occurs in the bonding process, as compared with the case where the coefficient of thermal expansion of the thermosetting adhesive is larger than the coefficient of thermal expansion of the frame 140. Therefore, it is possible to suppress a change with time in the amount of warpage due to the restoring force of the mounting board 120.

フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の体積収縮率は、例えば20%以下であることが望ましい。熱硬化型接着剤の線膨張係数は、ガラス転移点以下の温度において例えば10ppm/℃から80ppm/℃の範囲であることが好ましい。熱硬化型接着剤の線膨張係数は、ガラス転移点を超える温度において例えば100ppm/℃から200ppm/℃の範囲であることが望ましい。   The volume shrinkage of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120 is desirably, for example, 20% or less. The linear expansion coefficient of the thermosetting adhesive is preferably, for example, in the range of 10 ppm / ° C. to 80 ppm / ° C. at a temperature equal to or lower than the glass transition point. The linear expansion coefficient of the thermosetting adhesive is desirably in the range of, for example, 100 ppm / ° C. to 200 ppm / ° C. at a temperature exceeding the glass transition point.

フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えば1GPa以上であることが望ましい。フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えば5GPa以上であることが望ましい。フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えば10GPa以上であることが望ましい。   The elastic modulus of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting board 120 is desirably, for example, 1 GPa or more. The elastic modulus of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120 is desirably, for example, 5 GPa or more. The elastic modulus of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120 is desirably, for example, 10 GPa or more.

フレーム140の弾性率は、例えば20GPa以上であることが望ましい。フレーム140の弾性率は、例えば25GPa以上であることが望ましい。フレーム140の弾性率は、例えば30GPa以上であることが望ましい。   The elastic modulus of the frame 140 is desirably, for example, 20 GPa or more. The elastic modulus of the frame 140 is desirably, for example, 25 GPa or more. The elastic modulus of the frame 140 is desirably, for example, 30 GPa or more.

フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えばフレームの弾性率の1/30以上である。フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えばフレームの弾性率の1/5以上である。フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えばフレームの弾性率の1/2以上である。フレーム140を実装基板120に接着するために使用される熱硬化型接着剤の弾性率は、例えばフレーム140の弾性率以上である。これにより、接着部240の弾性率がフレーム140の弾性率より小さい場合と比較して、実装基板120が復元力によって反り量が減少していくことを、接着部240が抑制することができる。したがって、実装基板120の復元力による反り量の経時変化を抑制することができる。   The elastic modulus of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, 1/30 or more of the elastic modulus of the frame. The elastic modulus of the thermosetting adhesive used to adhere the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, 1/5 or more of the elastic modulus of the frame. The elastic modulus of the thermosetting adhesive used to adhere the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, 1 / or more of the elastic modulus of the frame. The elastic modulus of the thermosetting adhesive used to adhere the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, equal to or higher than the elastic modulus of the frame 140. Thus, compared to the case where the elastic modulus of the bonding portion 240 is smaller than the elastic modulus of the frame 140, the bonding portion 240 can suppress the amount of warpage of the mounting substrate 120 from being reduced by the restoring force. Therefore, it is possible to suppress a change with time in the amount of warpage due to the restoring force of the mounting board 120.

なお、熱硬化型接着剤の熱膨張率がフレーム140の熱膨張率以下であれば、熱硬化型接着剤の弾性率がフレーム140の弾性率より小さくてもよい。熱硬化型接着剤の弾性率がフレーム140の弾性率以上であれば、熱硬化型接着剤の熱膨張率がフレーム140の熱膨張率より大きくてもよい。しかし、熱硬化型接着剤の熱膨張率がフレーム140の熱膨張率以下であり、かつ、熱硬化型接着剤の弾性率がフレーム140の弾性率以上であることがより好ましい。   Note that if the thermal expansion coefficient of the thermosetting adhesive is equal to or less than the thermal expansion coefficient of the frame 140, the elastic modulus of the thermosetting adhesive may be smaller than the elastic modulus of the frame 140. If the elastic modulus of the thermosetting adhesive is not less than the elastic modulus of the frame 140, the thermal expansion coefficient of the thermosetting adhesive may be larger than the thermal expansion coefficient of the frame 140. However, it is more preferable that the coefficient of thermal expansion of the thermosetting adhesive be equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the frame 140 and that the elastic modulus of the thermosetting adhesive be equal to or more than the elastic modulus of the frame 140.

なお、熱硬化型接着剤のガラス転移点は、より高いことがより望ましい。ガラス転移点が高い熱硬化型接着剤を使用することで、接着部240がゲル化することを抑制できる。また、接着部240の耐クリープ性を高めることができる。   It is more desirable that the glass transition point of the thermosetting adhesive be higher. By using a thermosetting adhesive having a high glass transition point, gelation of the bonding portion 240 can be suppressed. Further, the creep resistance of the bonding portion 240 can be improved.

熱硬化型接着剤としては、エポキシ樹脂系接着剤を使用してもよい。使用する熱硬化型接着剤は、二液混合型接着剤であってもよいし、一液型接着剤であってもよい。   An epoxy resin-based adhesive may be used as the thermosetting adhesive. The thermosetting adhesive to be used may be a two-component adhesive or a one-component adhesive.

上述したように、カバーガラス160は、光硬化型接着剤によってフレーム140に接着される。この場合、カバーガラス160をフレーム140に接着する工程では高温環境は必要ない。したがって、実装基板120の反り状態が変化することを抑制できる。   As described above, the cover glass 160 is adhered to the frame 140 by the photo-curable adhesive. In this case, a high-temperature environment is not required in the step of bonding the cover glass 160 to the frame 140. Therefore, a change in the warped state of the mounting board 120 can be suppressed.

以上の説明において、芯層207に樹脂コアを用いた例を説明したが、芯層207はメタルコアを用いてもよい。芯層207がメタルコアである場合、実装基板120の第1層121には、配線層206と芯層207との間に絶縁層が設けられ、実装基板120の第2層122には、配線層216と芯層207との間に絶縁層が設けられる。芯層207がメタルコアである場合、芯層207の材料として、ニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等を用いることができる。芯層207は、例えばグランドとしても利用できる。   In the above description, an example in which a resin core is used for the core layer 207 has been described, but the core layer 207 may use a metal core. When the core layer 207 is a metal core, an insulating layer is provided between the wiring layer 206 and the core layer 207 on the first layer 121 of the mounting board 120, and a wiring layer is provided on the second layer 122 of the mounting board 120. An insulating layer is provided between the core layer 216 and the core layer 207. When the core layer 207 is a metal core, an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, aluminum, or the like can be used as a material of the core layer 207. The core layer 207 can be used, for example, as a ground.

実装基板120は、芯層及び6層の配線層を有する多層基板を用いて説明したが、配線層の数は6層に限られない。実装基板120は、芯層及び2層以上の配線層を有する多層基板を用いてもよい。実装基板120は、芯層及び1層の配線層を有する単層基板を用いてもよい。   Although the mounting substrate 120 has been described using a multilayer substrate having a core layer and six wiring layers, the number of wiring layers is not limited to six. The mounting substrate 120 may be a multilayer substrate having a core layer and two or more wiring layers. The mounting substrate 120 may be a single-layer substrate having a core layer and one wiring layer.

また、実装基板120は、芯層207を有していなくてもよい。例えば、実装基板120は、芯層207を有していない多層基板であってもよい。実装基板120は、芯層を有していない単層基板であってもよい。   Further, the mounting substrate 120 may not have the core layer 207. For example, the mounting substrate 120 may be a multilayer substrate having no core layer 207. The mounting substrate 120 may be a single-layer substrate having no core layer.

なお、フレーム140は、金属体148がインサートされずに形成されたフレームであってもよい。フレーム140は、例えば樹脂で形成された樹脂フレームであってもよい。フレーム140が樹脂フレームである場合、フレーム140を形成する材料は例えばエポキシ系樹脂等であってもよい。フレーム140は、金属で形成された金属フレームであってもよい。例えば、フレーム140は、ニッケルを含む金属で形成された金属フレームであってもよい。フレーム140が金属フレームである場合、フレーム140を形成する材料はニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等であってもよい。   Note that the frame 140 may be a frame formed without the metal body 148 being inserted. The frame 140 may be, for example, a resin frame formed of a resin. When the frame 140 is a resin frame, the material forming the frame 140 may be, for example, an epoxy resin. The frame 140 may be a metal frame formed of metal. For example, the frame 140 may be a metal frame formed of a metal including nickel. When the frame 140 is a metal frame, the material forming the frame 140 may be an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, aluminum, or the like.

なお、カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤も、フレーム140を実装基板120に接着する接着剤と同様の物性を有してよい。例えば、カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤の熱膨張率は、カバーガラス160の熱膨張率以下であってもよい。また、カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤の弾性率は、カバーガラス160の弾性率以上であってよい。例えば、カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤は、熱膨張率がカバーガラス160の熱膨張率以下であり、かつ、弾性率がカバーガラス160の弾性率以上であってもよい。カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤は、熱膨張率がカバーガラス160の熱膨張率以下であり、弾性率がカバーガラス160の弾性率より低くてもよい。カバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤は、熱膨張率がカバーガラス160の熱膨張率より低く、弾性率がカバーガラス160の弾性率以上であってもよい。これにより、カバーガラス160の熱膨張率とフレーム140の熱膨張率との間の違いによって生じるフレーム140の反りが、実装基板120の反りに与える影響を軽減することができる。上述したようにカバーガラス160をフレーム140に接着するために使用する接着剤は、光硬化型接着剤であってもよいし、熱硬化型接着剤であってもよい。   The adhesive used for bonding the cover glass 160 to the frame 140 may have the same physical properties as the adhesive for bonding the frame 140 to the mounting substrate 120. For example, the adhesive used to bond the cover glass 160 to the frame 140 may have a coefficient of thermal expansion equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the cover glass 160. The elastic modulus of the adhesive used to adhere the cover glass 160 to the frame 140 may be equal to or greater than the elastic modulus of the cover glass 160. For example, the adhesive used to bond the cover glass 160 to the frame 140 has a coefficient of thermal expansion equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the cover glass 160 and an elastic modulus equal to or greater than the elastic modulus of the cover glass 160. Good. The adhesive used to adhere the cover glass 160 to the frame 140 may have a coefficient of thermal expansion equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the cover glass 160 and may have an elastic modulus lower than that of the cover glass 160. The adhesive used to bond the cover glass 160 to the frame 140 may have a lower coefficient of thermal expansion than the coefficient of thermal expansion of the cover glass 160 and an elastic modulus equal to or higher than that of the cover glass 160. Thus, the effect of the warpage of the frame 140 caused by the difference between the coefficient of thermal expansion of the cover glass 160 and the coefficient of thermal expansion of the frame 140 on the warpage of the mounting substrate 120 can be reduced. As described above, the adhesive used to adhere the cover glass 160 to the frame 140 may be a light-curing adhesive or a thermosetting adhesive.

図5は、他の態様における撮像ユニット500を模式的に示す断面図である。撮像ユニット500は、実装基板510と、電子部品基板520と、撮像チップ100と、カバーガラス160と、フレーム140とを有する。撮像ユニット500において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating an imaging unit 500 according to another embodiment. The imaging unit 500 includes a mounting substrate 510, an electronic component substrate 520, the imaging chip 100, a cover glass 160, and a frame 140. In the imaging unit 500, members having the same configuration as each part of the imaging unit 40 are denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted.

実装基板510は、撮像チップ100を実装する。実装基板510は例えばセラミックを基体とするセラミック基板である。実装基板510は芯層を有しない。実装基板510は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。   The mounting substrate 510 mounts the imaging chip 100. The mounting substrate 510 is, for example, a ceramic substrate having a ceramic base. The mounting substrate 510 has no core layer. The mounting board 510 may be a single-layer board or a multilayer board.

電子部品基板520は、電子部品180を実装する基板である。電子部品基板520において電子部品180が実装された面とは反対側の面には、実装基板510が実装される。実装基板510は、LGA(Land Grid Array)やBGA(Ball Grid Array)等で電子部品基板520に実装される。電子部品基板520は、実装基板120と同様の層構成を有する。具体的には、電子部品基板520における配線層202は、実装基板510を実装するためのLGA(Land Grid Array)やBGA(Ball Grid Array)等を有する。   Electronic component substrate 520 is a substrate on which electronic component 180 is mounted. The mounting substrate 510 is mounted on the surface of the electronic component substrate 520 opposite to the surface on which the electronic component 180 is mounted. The mounting substrate 510 is mounted on the electronic component substrate 520 using an LGA (Land Grid Array), a BGA (Ball Grid Array), or the like. Electronic component substrate 520 has the same layer configuration as mounting substrate 120. Specifically, the wiring layer 202 in the electronic component substrate 520 has an LGA (Land Grid Array), a BGA (Ball Grid Array), or the like for mounting the mounting substrate 510.

フレーム140は、熱硬化型接着剤により実装基板510に接着される。フレーム140と実装基板510との間の接着に用いられる熱硬化型接着剤としては、撮像ユニット40においてフレーム140を実装基板120に接着するのに用いた熱硬化型接着剤の物性と同様の物性の熱硬化型接着剤を適用することできる。   The frame 140 is bonded to the mounting substrate 510 with a thermosetting adhesive. As the thermosetting adhesive used for bonding between the frame 140 and the mounting board 510, the same physical properties as those of the thermosetting adhesive used for bonding the frame 140 to the mounting board 120 in the imaging unit 40 are used. Thermosetting adhesive can be applied.

実装基板120に関連して説明したように、電子部品基板520が有する配線層の数は6層に限られない。電子部品基板520は、芯層及び2層以上の配線層を有する多層基板であってもよい。電子部品基板520は、芯層及び1層の配線層を有する単層基板であってもよい。電子部品基板520は、芯層を有しない多層基板であってもよい。   As described in connection with the mounting substrate 120, the number of wiring layers included in the electronic component substrate 520 is not limited to six. The electronic component substrate 520 may be a multilayer substrate having a core layer and two or more wiring layers. The electronic component substrate 520 may be a single-layer substrate having a core layer and one wiring layer. Electronic component substrate 520 may be a multilayer substrate having no core layer.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As described above, the present invention has been described using the embodiments, but the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. It is apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiment. It is apparent from the description of the appended claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The execution order of each processing such as operation, procedure, step, and step in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before”, “before”. It should be noted that they can be realized in any order as long as the output of the previous process is not used in the subsequent process. Even if the operation flow in the claims, the specification, and the drawings is described using "first," "second," or the like for convenience, it means that it is essential to perform the operation in this order. Not something.

10 カメラ
20 レンズユニット
22 光軸
24 レンズマウント
26 ボディマウント
30 カメラボディ
32 メインミラー
33 サブミラー
38 シャッタユニット
40、500 撮像ユニット
50 光学ユニット
51 MPU
52 ASIC
60 ミラーボックス
62 基板
70 結像光学系
72 焦点検出センサ
80 ピント板
82 ペンタプリズム
84 ファインダ光学系
86 ファインダ
88 背面表示部
100 撮像チップ
101 撮像領域
102 周辺領域
110 ボンディングワイヤ
120 実装基板
121 第1層
122 第2層
131 ビア
132 絶縁体
160 カバーガラス
180 電子部品
140 フレーム
141 開口部
142 第1内壁面
146 取付穴
147 位置決め穴
148 金属体
149 樹脂
150 ビス
151 下端部
152 上端部
153 連結部
154 内壁面
155 第1面
156 第2面
157 第3面
158 第4面
159 第5面
201、211 ソルダレジスト層
202、204、206、212、214、216 配線層
203、205、213、215 絶縁層
207 芯層
240、260 接着部
510 実装基板
520 電子部品基板
10 Camera 20 Lens Unit 22 Optical Axis 24 Lens Mount 26 Body Mount 30 Camera Body 32 Main Mirror 33 Sub Mirror 38 Shutter Unit 40, 500 Imaging Unit 50 Optical Unit 51 MPU
52 ASIC
Reference Signs List 60 mirror box 62 substrate 70 imaging optical system 72 focus detection sensor 80 focus plate 82 pentaprism 84 finder optical system 86 finder 88 rear display unit 100 imaging chip 101 imaging region 102 peripheral region 110 bonding wire 120 mounting substrate 121 first layer 122 Second layer 131 Via 132 Insulator 160 Cover glass 180 Electronic component 140 Frame 141 Opening 142 First inner wall surface 146 Mounting hole 147 Positioning hole 148 Metal body 149 Resin 150 Screw 151 Lower end 152 Upper end 153 Connection 154 Inner wall 155 First surface 156 Second surface 157 Third surface 158 Fourth surface 159 Fifth surface 201, 211 Solder resist layers 202, 204, 206, 212, 214, 216 Wiring layers 203, 205, 213, 215 Insulating layer 207 Core layer 24 , 510 mounting board 260 bonded portion 520 electronic component substrate

Claims (11)

被写体を撮像する撮像チップと、
前記撮像チップが実装される第1面と、前記第1面とは反対側の面であって前記撮像チップに電力を供給する電源回路が実装される第2面と、前記第1面と前記第2面との間に形成され、前記電源回路から前記撮像チップに電力を供給するための第1配線と、前記第1面と前記第2面との間において樹脂で形成され、コア層として機能する芯層と、を有する実装基板と、
前記実装基板の前記第1面において前記撮像チップが実装される領域よりも外側の領域で接着剤により接着される金属体を有し、前記撮像チップを環囲する環囲部材と、を備え、
前記接着剤が硬化した状態における前記接着剤の熱膨張率は、前記環囲部材の熱膨張率以下であり、
前記金属体は、前記接着剤に接触される第1領域と前記接着剤に接触されない第2領域とを有し、
前記第2領域は、他の構造体に取り付けるための取付部が形成される撮像ユニット。
An imaging chip for imaging the subject;
A first surface on which the imaging chip is mounted, a second surface on a side opposite to the first surface, on which a power supply circuit for supplying power to the imaging chip is mounted, A first wiring formed between the first surface and the second surface, the first wiring being formed between the first surface and the second surface, for supplying power from the power supply circuit to the imaging chip; A mounting substrate having a functioning core layer,
A surrounding member surrounding the imaging chip, comprising a metal body bonded by an adhesive in a region outside the region where the imaging chip is mounted on the first surface of the mounting substrate;
The coefficient of thermal expansion of the adhesive in a state where the adhesive is cured is equal to or less than the coefficient of thermal expansion of the surrounding member,
The metal body has a first region that is in contact with the adhesive and a second region that is not in contact with the adhesive,
An imaging unit in which the second region has an attachment portion for attachment to another structure.
前記接着剤が硬化した状態における前記接着剤の弾性率は、前記環囲部材の弾性率以上である請求項1に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to claim 1, wherein an elastic modulus of the adhesive in a state where the adhesive is cured is equal to or greater than an elastic modulus of the surrounding member. 被写体を撮像する撮像チップと、
前記撮像チップが実装される第1面と、前記第1面とは反対側の面であって前記撮像チップに電力を供給する電源回路が実装される第2面と、前記第1面と前記第2面との間に形成され、前記電源回路から前記撮像チップに電力を供給するための第1配線と、前記第1面と前記第2面との間において樹脂で形成され、コア層として機能する芯層と、を有する実装基板と、
前記実装基板の前記第1面において前記撮像チップが実装される領域よりも外側の領域に接着剤で接着される金属体を有し、前記撮像チップを環囲する環囲部材と、を備え、
前記接着剤が硬化した状態における前記接着剤の弾性率は、前記環囲部材の弾性率以上であり、
前記金属体は、前記接着剤に接触される第1領域と前記接着剤に接触されない第2領域とを有し、
前記第2領域は、他の構造体に取り付けるための取付部が形成される撮像ユニット。
An imaging chip for imaging the subject;
A first surface on which the imaging chip is mounted, a second surface on a side opposite to the first surface, on which a power supply circuit for supplying power to the imaging chip is mounted, A first wiring formed between the first surface and the second surface, the first wiring being formed between the first surface and the second surface, for supplying power from the power supply circuit to the imaging chip; A mounting substrate having a functioning core layer,
A surrounding member surrounding the imaging chip, comprising a metal body adhered to the first surface of the mounting substrate by an adhesive in a region outside the region where the imaging chip is mounted,
The elastic modulus of the adhesive in a state where the adhesive is cured is equal to or higher than the elastic modulus of the surrounding member,
The metal body has a first region that is in contact with the adhesive and a second region that is not in contact with the adhesive,
An imaging unit in which the second region has an attachment portion for attachment to another structure.
前記環囲部材は、前記金属体と樹脂とで形成されている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   4. The imaging unit according to claim 1, wherein the surrounding member is formed of the metal body and a resin. 5. 前記環囲部材は、前記樹脂に前記金属体がインサートされて形成されている請求項4に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to claim 4, wherein the surrounding member is formed by inserting the metal body into the resin. 前記環囲部材の前記樹脂に接着剤で固定され、前記実装基板および前記環囲部材とともに前記撮像チップを密封する透光性部材をさらに備える請求項4又は請求項5に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to claim 4, further comprising a translucent member fixed to the resin of the surrounding member with an adhesive, and sealing the imaging chip together with the mounting substrate and the surrounding member. 前記透光性部材は、前記環囲部材の前記樹脂に光硬化型接着剤で接着される請求項6に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to claim 6, wherein the translucent member is bonded to the resin of the surrounding member with a photocurable adhesive. 前記実装基板の熱膨張率は、前記環囲部材の熱膨張率とは異なる請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to any one of claims 1 to 7, wherein a thermal expansion coefficient of the mounting substrate is different from a thermal expansion coefficient of the surrounding member. 前記実装基板と前記環囲部材との間において前記接着剤で形成される接着部の厚さは3μm以上である請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   9. The imaging unit according to claim 1, wherein a thickness of an adhesive portion formed by the adhesive between the mounting board and the surrounding member is 3 μm or more. 10. 前記実装基板は、前記第1面と前記第2面との間に形成され、前記撮像チップで撮像された被写体の信号を出力する第2配線と、前記第1配線と前記第2配線とを絶縁するための樹脂層と、を含む請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   The mounting substrate is formed between the first surface and the second surface, and includes a second wiring that outputs a signal of a subject imaged by the imaging chip, and the first wiring and the second wiring. The imaging unit according to any one of claims 1 to 9, further comprising: a resin layer for insulation. 請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の撮像ユニットを備える撮像装置。   An imaging apparatus comprising the imaging unit according to any one of claims 1 to 10.
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