JP6443494B2 - Imaging unit and imaging apparatus - Google Patents

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本発明は、撮像ユニット及び撮像装置に関する。   The present invention relates to an imaging unit and an imaging apparatus.

セラミック製パッケージの底面に固体撮像素子がダイボンドされ、セラミック製パッケージの上端面をプリント基板に接着したカメラモジュールが知られている。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2007−019423号公報
A camera module is known in which a solid-state imaging device is die-bonded to the bottom surface of a ceramic package, and the upper end surface of the ceramic package is bonded to a printed circuit board.
[Prior art documents]
[Patent Literature]
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-019423

撮像チップで生じる熱を、撮像チップから外へ効率的に放熱することができないという課題があった。   There has been a problem that heat generated in the imaging chip cannot be efficiently radiated from the imaging chip to the outside.

本発明の第1の態様においては、撮像ユニットは、撮像チップと、撮像チップが実装される第1面と、第1面とは反対側の第2面と、第1面の端と第2面の端とに沿って形成される第3面とを含む実装基板とを有する撮像ユニットと、開口部を有し、撮像ユニットを取り付けるための取付部材と、実装基板の第3面と取付部材の開口部を形成する内壁とに接触して設けられた熱伝導性部材と、を備える。   In the first aspect of the present invention, the imaging unit includes an imaging chip, a first surface on which the imaging chip is mounted, a second surface opposite to the first surface, an end of the first surface, and a second surface. An imaging unit having a mounting substrate including a third surface formed along an end of the surface; an attachment member having an opening and for mounting the imaging unit; and a third surface of the mounting substrate and the attachment member And a heat conductive member provided in contact with an inner wall forming the opening.

本発明の第2の態様においては、撮像装置は、上述した撮像ユニットを備える。   In the second aspect of the present invention, an imaging apparatus includes the imaging unit described above.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

撮像装置の一例であるカメラ10の模式断面図である。It is a schematic cross section of the camera 10 which is an example of an imaging device. 撮像ユニット40とともに光学ユニット50を模式的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view schematically showing an optical unit 50 together with an imaging unit 40. FIG. 撮像ユニット40とともに光学ユニット50を模式的に示す斜視図である。2 is a perspective view schematically showing an optical unit 50 together with an imaging unit 40. FIG. 撮像ユニット40とともにブラケット150を模式的に示す上面図である。3 is a top view schematically showing a bracket 150 together with an imaging unit 40. FIG. 撮像チップ100及び実装基板120とともにブラケット150を模式的に示す上面図である。2 is a top view schematically showing a bracket 150 together with an imaging chip 100 and a mounting substrate 120. FIG. 撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット1000を模式的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 1000 as a modification of the imaging unit 40. 撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット800を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 800 as a modification of the imaging unit 40. 撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット900を模式的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 900 as a modification of the imaging unit 40. 撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット1300を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 1300 as a modification of the imaging unit 40. 撮像チップ100、フレーム140、ブラケット150及び熱伝導性樹脂180とともに実装基板120を模式的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view schematically showing a mounting substrate 120 together with an imaging chip 100, a frame 140, a bracket 150, and a heat conductive resin 180. FIG. 撮像チップ100とともに実装基板120を模式的に示す上面図を示す。The top view which shows typically the mounting board | substrate 120 with the imaging chip 100 is shown. 他の形態における撮像ユニット2000を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the imaging unit 2000 in another form. 撮像ユニット2000における撮像チップ100とともにチップ実装基板2110を模式的に示す上面図である。4 is a top view schematically showing a chip mounting substrate 2110 together with the imaging chip 100 in the imaging unit 2000. FIG. 実装基板2110の変形例としての実装基板1800を模式的に示す断面図を示す。Sectional drawing which shows typically the mounting board | substrate 1800 as a modification of the mounting board | substrate 2110 is shown. 実装基板1800における配線層を模式的に示す平面断面図である。5 is a plan sectional view schematically showing a wiring layer in a mounting substrate 1800. FIG.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、撮像装置の一例であるカメラ10の模式断面図である。カメラ10は、レンズユニット20及びカメラボディ30を備える。カメラボディ30には、レンズユニット20が装着される。レンズユニット20は、その鏡筒内に、光軸22に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ30の撮像ユニット40へ導く。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a camera 10 that is an example of an imaging apparatus. The camera 10 includes a lens unit 20 and a camera body 30. The lens unit 20 is attached to the camera body 30. The lens unit 20 includes an optical system arranged along the optical axis 22 in the lens barrel, and guides an incident subject light flux to the imaging unit 40 of the camera body 30.

撮像ユニット40が有する撮像チップ100へ被写体光束が入射する方向をz軸方向と定める。撮像チップ100の長手方向をx軸方向、短手方向をy軸方向と定める。被写体光束が撮像チップ100へ向かう方向をz軸プラス方向と定める。図1においては、紙面手前へ向かう方向をx軸プラス方向、紙面奥へ向かう方向をx軸マイナス方向、紙面下方へ向かう方向をy軸プラス方向、紙面上方へ向かう方向をy軸マイナス方向、紙面右方へ向かう方向をz軸プラス方向、紙面左方へ向かう方向をz軸マイナス方向と定める。   The direction in which the subject luminous flux enters the imaging chip 100 included in the imaging unit 40 is defined as the z-axis direction. The longitudinal direction of the imaging chip 100 is defined as the x-axis direction, and the lateral direction is defined as the y-axis direction. The direction in which the subject light flux travels toward the imaging chip 100 is defined as the z-axis plus direction. In FIG. 1, the direction toward the front of the paper is the x-axis plus direction, the direction toward the back of the paper is the x-axis minus direction, the direction below the paper is the y-axis plus direction, the direction above the paper is the y-axis minus direction, The direction toward the right is defined as the z-axis plus direction, and the direction toward the left in the drawing is defined as the z-axis minus direction.

カメラボディ30は、レンズマウント24に結合されるボディマウント26の後方にメインミラー32及びサブミラー33を備える。特に断らない限り、後方とは、z軸プラス方向を表す。メインミラー32は、レンズユニット20が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32に対して回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32とともに進入位置に進入し、メインミラー32とともに退避位置に退避する。   The camera body 30 includes a main mirror 32 and a sub mirror 33 behind a body mount 26 coupled to the lens mount 24. Unless otherwise specified, the rear represents the z-axis plus direction. The main mirror 32 is rotatably supported between an entry position where it enters the optical path of the subject light beam emitted from the lens unit 20 and a retreat position where it is retracted from the optical path of the subject light flux. The sub mirror 33 is rotatably supported with respect to the main mirror 32. The sub mirror 33 enters the entry position together with the main mirror 32 and retracts to the retract position together with the main mirror 32.

メインミラー32が進入位置にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束の一部は、メインミラー32に反射されてピント板80に導かれる。ピント板80は、撮像ユニット40が有する撮像チップ100の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット20の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板80に形成された被写体像は、ペンタプリズム82及びファインダ光学系84を通じてファインダ86から観察される。   When the main mirror 32 is in the approach position, a part of the subject light beam incident on the main mirror 32 is reflected by the main mirror 32 and guided to the focus plate 80. The focus plate 80 is disposed at a position conjugate with the imaging surface of the imaging chip 100 included in the imaging unit 40, and visualizes the subject image formed by the optical system of the lens unit 20. The subject image formed on the focus plate 80 is observed from the viewfinder 86 through the pentaprism 82 and the viewfinder optical system 84.

メインミラー32が進入位置にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束のうちメインミラー32で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー33に入射する。具体的には、メインミラー32はハーフミラー領域を有し、メインミラー32のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー33に入射する。サブミラー33は、ハーフミラー領域から入射した光束を結像光学系70に向かって反射する。結像光学系70は、入射光束を焦点検出センサ72に導く。焦点検出センサ72は、検出結果をCPU51へ出力する。   When the main mirror 32 is at the entry position, light beams other than the subject light beam reflected by the main mirror 32 out of the subject light beam incident on the main mirror 32 enter the sub mirror 33. Specifically, the main mirror 32 has a half mirror area, and the subject light flux that has passed through the half mirror area of the main mirror 32 enters the sub mirror 33. The sub mirror 33 reflects the light beam incident from the half mirror region toward the imaging optical system 70. The imaging optical system 70 guides the incident light beam to the focus detection sensor 72. The focus detection sensor 72 outputs the detection result to the CPU 51.

ピント板80、ペンタプリズム82、メインミラー32及びサブミラー33は、支持部材としてのミラーボックス60に支持される。メインミラー32及びサブミラー33が退避位置に退避し、シャッタユニット38の先幕及び後幕が開状態となれば、レンズユニット20を透過する被写体光束は、シャッタユニット38の後方に配置された光学ユニット50を透過して、撮像チップ100の撮像面に到達する。   The focus plate 80, the pentaprism 82, the main mirror 32, and the sub mirror 33 are supported by a mirror box 60 as a support member. When the main mirror 32 and the sub mirror 33 are retracted to the retracted position and the front curtain and the rear curtain of the shutter unit 38 are in the open state, the subject luminous flux that passes through the lens unit 20 is an optical unit disposed behind the shutter unit 38. 50, and reaches the imaging surface of the imaging chip 100.

撮像ユニット40の後方には、基板62及び背面表示部88が順次配置される。背面表示部88としては、液晶パネル等を適用できる。背面表示部88の表示面は、カメラボディ30の背面に現れる。背面表示部88は、撮像チップ100からの出力信号から生成される画像を表示する。   A substrate 62 and a rear display unit 88 are sequentially arranged behind the imaging unit 40. As the rear display unit 88, a liquid crystal panel or the like can be applied. The display surface of the rear display unit 88 appears on the rear surface of the camera body 30. The rear display unit 88 displays an image generated from the output signal from the imaging chip 100.

基板62には、CPU51、ASIC52等の電子回路が実装される。CPU51は、カメラ10の全体の制御を担う。撮像チップ100からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等を介してASIC52へ出力される。ASIC52は、撮像チップ100から出力された出力信号を処理する。   Electronic circuits such as a CPU 51 and an ASIC 52 are mounted on the substrate 62. The CPU 51 is responsible for overall control of the camera 10. An output signal from the imaging chip 100 is output to the ASIC 52 via a flexible printed circuit board or the like. The ASIC 52 processes the output signal output from the imaging chip 100.

ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。背面表示部88は、ASIC52が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ASIC52が生成した記録用の画像データは、カメラボディ30に装着された記録媒体に記録される。記録媒体は、カメラボディ30に着脱可能に構成されている。   The ASIC 52 generates image data for display based on the output signal from the imaging chip 100. The rear display unit 88 displays an image based on the display image data generated by the ASIC 52. The ASIC 52 generates image data for recording based on the output signal from the imaging chip 100. The recording image data generated by the ASIC 52 is recorded on a recording medium attached to the camera body 30. The recording medium is configured to be detachable from the camera body 30.

図2は、撮像ユニット40とともに光学ユニット50を模式的に示す断面図である。図3は、撮像ユニット40とともに光学ユニット50を模式的に示す斜視図である。図2は、図3におけるA−A断面を示す。撮像ユニット40は、撮像チップ100と、実装基板120と、電子部品実装基板130と、フレーム140と、カバーガラス160とを有する。   FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the optical unit 50 together with the imaging unit 40. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the optical unit 50 together with the imaging unit 40. FIG. 2 shows an AA cross section in FIG. The imaging unit 40 includes an imaging chip 100, a mounting board 120, an electronic component mounting board 130, a frame 140, and a cover glass 160.

実装基板120には、撮像チップ100がCOB(Chip On Board)実装されている。具体的には、撮像チップ100は、LGA(Land Grid Array)、BGA(Ball Grid Array)、接着剤等で実装基板120に実装されている。撮像チップ100は、例えばワイヤーボンディングやバンプにより実装基板120と電気的に接続されている。これにより、撮像チップ100は生成した画素信号を実装基板120へ出力することができ、実装基板120は撮像チップ100を駆動するための駆動信号を撮像チップ100へ出力することができる。実装基板120は、撮像チップ100が実装された実装面である第1面121と、第1面121の反対側の面である第2面122と、第1面121の端と第2面122の端とに沿って形成される側面124aと、第1面121の端と第2面122の端とに沿って形成される側面124bと、第1面121の端と第2面122の端とに沿って形成される側面124cと、第1面121の端と第2面122の端とに沿って形成される側面124dとを有する。   The imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120 by COB (Chip On Board). Specifically, the imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120 with an LGA (Land Grid Array), BGA (Ball Grid Array), an adhesive, or the like. The imaging chip 100 is electrically connected to the mounting substrate 120 by, for example, wire bonding or bumps. Thereby, the imaging chip 100 can output the generated pixel signal to the mounting substrate 120, and the mounting substrate 120 can output a drive signal for driving the imaging chip 100 to the imaging chip 100. The mounting substrate 120 includes a first surface 121 that is a mounting surface on which the imaging chip 100 is mounted, a second surface 122 that is a surface opposite to the first surface 121, an end of the first surface 121, and a second surface 122. Side surface 124 a formed along the edge of the first surface 121, side surface 124 b formed along the edge of the first surface 121 and the edge of the second surface 122, and the edge of the first surface 121 and the edge of the second surface 122. And a side surface 124 d formed along the end of the first surface 121 and the end of the second surface 122.

実装基板120は、複数の配線層と、配線層を絶縁する絶縁層とを含む多層基板である。なお、実装基板120は、1つの配線層と、配線層を絶縁する絶縁層とを含む単層基板でもよい。実装基板120は、電子部品実装基板130に実装される。実装基板120は、第2面122が電子部品実装基板130に実装される。実装基板120と電子部品実装基板130との間は、LGA(Land Grid Array)やBGA(Ball Grid Array)等で実装される。   The mounting substrate 120 is a multilayer substrate including a plurality of wiring layers and an insulating layer that insulates the wiring layers. The mounting substrate 120 may be a single-layer substrate including one wiring layer and an insulating layer that insulates the wiring layer. The mounting board 120 is mounted on the electronic component mounting board 130. The mounting substrate 120 has the second surface 122 mounted on the electronic component mounting substrate 130. The mounting substrate 120 and the electronic component mounting substrate 130 are mounted by LGA (Land Grid Array), BGA (Ball Grid Array), or the like.

電子部品実装基板130において、実装基板120が実装される面131と反対側の面132には、電子部品が実装される。電子部品としては、コンデンサ、レジスタ、抵抗等を例示することができる。電子部品は、撮像チップ100に電力を供給する電源回路等を構成する。電子部品が実装された配線層の配線パターンと電子部品とは、はんだ等を介して電気的に接続される。   In the electronic component mounting board 130, an electronic component is mounted on a surface 132 opposite to the surface 131 on which the mounting substrate 120 is mounted. Examples of the electronic component include a capacitor, a resistor, and a resistor. The electronic components constitute a power supply circuit that supplies power to the imaging chip 100 and the like. The wiring pattern of the wiring layer on which the electronic component is mounted and the electronic component are electrically connected via solder or the like.

電子部品実装基板130の面132には、コネクタが実装されてもよい。コネクタは、例えばフレキシブルプリント基板が接続される。この場合には、撮像チップ100から出力された画素信号は、実装基板120及び電子部品実装基板130に設けられたビア等を介して、コネクタへ出力される。コネクタに出力された画素信号は、フレキシブルプリント基板を介して、処理回路の一例としてのASIC52へ出力される。   A connector may be mounted on the surface 132 of the electronic component mounting board 130. For example, a flexible printed circuit board is connected to the connector. In this case, the pixel signal output from the imaging chip 100 is output to the connector via vias and the like provided in the mounting substrate 120 and the electronic component mounting substrate 130. The pixel signal output to the connector is output to the ASIC 52 as an example of a processing circuit via the flexible printed board.

フレーム140は、撮像チップ100を環囲する。フレーム140は、例えば接着剤により実装基板120の第1面121に固定される。フレーム140は、実装基板120の第1面121の周辺部においてフレーム140に固定される。撮像チップ100は、実装基板120に固定されたフレーム140に環囲される。フレーム140の材料としてアルミニウム、真鍮、鉄、ニッケル合金等の金属を用いることができる。フレーム140の材料として樹脂を用いることもできる。フレーム140の材料として、金属と樹脂がインサート成形された材料を用いることもできる。   The frame 140 surrounds the imaging chip 100. The frame 140 is fixed to the first surface 121 of the mounting substrate 120 with an adhesive, for example. The frame 140 is fixed to the frame 140 at the periphery of the first surface 121 of the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is surrounded by a frame 140 fixed to the mounting substrate 120. A metal such as aluminum, brass, iron, or nickel alloy can be used as the material of the frame 140. Resin can also be used as the material of the frame 140. As the material of the frame 140, a material in which a metal and a resin are insert-molded can be used.

フレーム140は、ブラケット150に固定される。ブラケット150は、撮像ユニット40を取り付けるための取付部材の一例である。フレーム140は、ネジ142によりブラケット150に締結される。フレーム140は、撮像面の中心からx軸マイナス方向に離れた端部近傍における2点が、ネジ142によってネジ止めされる。   The frame 140 is fixed to the bracket 150. The bracket 150 is an example of an attachment member for attaching the imaging unit 40. The frame 140 is fastened to the bracket 150 by screws 142. The frame 140 is screwed by screws 142 at two points in the vicinity of the end away from the center of the imaging surface in the minus direction of the x axis.

カバーガラス160は、撮像チップ100を封止する。カバーガラス160の材料としてホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等を用いることができる。カバーガラス160は、例えば接着剤によりフレーム140に固定される。実装基板120と、フレーム140と、カバーガラス160とによって、密封空間が形成される。撮像チップ100は、密封空間内に配置される。撮像チップ100で生じた熱は、フレーム140を介して、撮像ユニット40外へ放熱することができる。フレーム140の材料として金属又は金属と樹脂がインサート成形された材料を用いることで、フレーム140の材料として樹脂を用いる場合と比較して、フレームを介してより効率的に放熱することができる。   The cover glass 160 seals the imaging chip 100. As a material for the cover glass 160, borosilicate glass, quartz glass, non-alkali glass, heat-resistant glass, or the like can be used. The cover glass 160 is fixed to the frame 140 with an adhesive, for example. A sealed space is formed by the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160. The imaging chip 100 is disposed in the sealed space. The heat generated in the imaging chip 100 can be radiated to the outside of the imaging unit 40 via the frame 140. By using a metal or a material in which a metal and a resin are insert-molded as the material of the frame 140, heat can be radiated more efficiently through the frame as compared with the case of using a resin as the material of the frame 140.

ブラケット150は、第1面151と、第2面152と、第3面153と、第4面154と、開口155とを有する。第1面151は、例えばz軸方向と直交する面であり、フレーム140に対向する面である。第2面152は、例えばz軸方向と直交する面であり、第1面151とは反対側の面である。第3面153は、例えばz軸方向と直交する面であり、z軸方向において第1面151と第2面152との間に位置する。第4面154は、第1面151と第3面153との間に形成される面である。具体的には、第4面154は、第1面151の端と第3面153の端とに沿って形成される。すなわち、第4面154は、第1面151の外縁と第3面153の外縁とに沿って形成される。ブラケット150は、カメラボディ30に固定される。   The bracket 150 has a first surface 151, a second surface 152, a third surface 153, a fourth surface 154, and an opening 155. The first surface 151 is a surface orthogonal to the z-axis direction, for example, and is a surface facing the frame 140. The second surface 152 is a surface orthogonal to the z-axis direction, for example, and is a surface opposite to the first surface 151. The third surface 153 is, for example, a surface orthogonal to the z-axis direction, and is located between the first surface 151 and the second surface 152 in the z-axis direction. The fourth surface 154 is a surface formed between the first surface 151 and the third surface 153. Specifically, the fourth surface 154 is formed along the end of the first surface 151 and the end of the third surface 153. That is, the fourth surface 154 is formed along the outer edge of the first surface 151 and the outer edge of the third surface 153. The bracket 150 is fixed to the camera body 30.

実装基板120とフレーム140との間には、熱伝導性樹脂180を有する。例えば、実装基板120とフレーム140との間の隙間には、熱伝導性樹脂180が充填される。撮像チップ100で発生した熱は、実装基板120及び熱伝導性樹脂180を介してブラケット150へ伝達される。ブラケット150へ伝達した熱は、構造体を介して放熱され得る。   A heat conductive resin 180 is provided between the mounting substrate 120 and the frame 140. For example, the gap between the mounting substrate 120 and the frame 140 is filled with the heat conductive resin 180. The heat generated in the imaging chip 100 is transmitted to the bracket 150 via the mounting substrate 120 and the heat conductive resin 180. The heat transmitted to the bracket 150 can be dissipated through the structure.

熱伝導性樹脂180は、実装基板120とブラケット150とを熱的に接続する。熱伝導性樹脂180は、伝熱部として機能する。熱伝導性樹脂180は、例えば熱伝導性接着剤である。熱伝導性接着剤は、例えば熱硬化性の熱伝導性接着剤である。熱伝導性接着剤とは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂を例示できる。熱伝導性樹脂180は、熱伝導性のフィラーを含んでいる。   The thermally conductive resin 180 thermally connects the mounting substrate 120 and the bracket 150. The thermally conductive resin 180 functions as a heat transfer unit. The heat conductive resin 180 is, for example, a heat conductive adhesive. The heat conductive adhesive is, for example, a thermosetting heat conductive adhesive. Examples of the thermally conductive adhesive include resins such as an epoxy resin, an acrylic resin, a silicon resin, and a urethane resin. The thermally conductive resin 180 includes a thermally conductive filler.

フレーム140とブラケット150とを組み付けた状態において、熱伝導性樹脂180が設けられる空間と連通する開口141a、開口141b、開口141c、開口141dが形成される。熱伝導性樹脂180は、フレーム140とブラケット150とを組み付けた状態で、開口141a、開口141b、開口141c、開口141dから注入される。熱伝導性接着剤として熱硬化性接着剤を使用する場合、開口141a、開口141b、開口141c、開口141dから熱硬化性接着剤を注入した後、硬化温度まで加熱することで熱硬化性接着剤を硬化させる。   In the state in which the frame 140 and the bracket 150 are assembled, an opening 141a, an opening 141b, an opening 141c, and an opening 141d that communicate with a space in which the heat conductive resin 180 is provided are formed. The heat conductive resin 180 is injected from the opening 141a, the opening 141b, the opening 141c, and the opening 141d in a state where the frame 140 and the bracket 150 are assembled. When a thermosetting adhesive is used as the heat conductive adhesive, the thermosetting adhesive is injected by injecting the thermosetting adhesive from the opening 141a, the opening 141b, the opening 141c, and the opening 141d and then heated to the curing temperature. Is cured.

熱伝導性樹脂180は、撮像ユニット40に使用される半田の融点未満の硬化温度を有する樹脂であることが好ましい。熱伝導性樹脂180は、撮像チップ100の耐熱温度未満の硬化温度を有する樹脂であることが好ましい。熱伝導性樹脂180は、電子部品実装基板130に設けられる電子部品の耐熱温度未満の硬化温度を有する樹脂であることが好ましい。熱伝導性樹脂180は、撮像ユニット40に使用される半田の融点と撮像チップ100の耐熱温度と電子部品実装基板130に設けられる電子部品の耐熱温度とのうち最も低い温度未満の硬化温度を有する樹脂であることが好ましい。熱伝導性樹脂180は、摂氏230度未満の硬化温度を有する樹脂であることが好ましい。熱伝導性樹脂180は、摂氏120度未満の硬化温度を有する樹脂であることがより好ましい。硬化した熱硬化性接着剤は、実装基板120とフレーム140とブラケット150とに接触している。熱伝導性接着剤として光硬化性接着剤を使用する場合、開口141a、開口141b、開口141c、開口141dから光硬化性接着剤を注入した後、例えば紫外線等の光を照射することで光硬化性接着剤を硬化させる。   The heat conductive resin 180 is preferably a resin having a curing temperature lower than the melting point of the solder used in the imaging unit 40. The heat conductive resin 180 is preferably a resin having a curing temperature lower than the heat resistant temperature of the imaging chip 100. The heat conductive resin 180 is preferably a resin having a curing temperature lower than the heat resistance temperature of the electronic component provided on the electronic component mounting substrate 130. The thermal conductive resin 180 has a curing temperature lower than the lowest temperature among the melting point of the solder used in the imaging unit 40, the heat resistance temperature of the imaging chip 100, and the heat resistance temperature of the electronic component provided on the electronic component mounting board 130. A resin is preferred. The heat conductive resin 180 is preferably a resin having a curing temperature of less than 230 degrees Celsius. The heat conductive resin 180 is more preferably a resin having a curing temperature of less than 120 degrees Celsius. The cured thermosetting adhesive is in contact with the mounting substrate 120, the frame 140, and the bracket 150. When using a photocurable adhesive as the heat conductive adhesive, after photoinjecting the photocurable adhesive from the opening 141a, the opening 141b, the opening 141c, and the opening 141d, the photocurable resin is irradiated with light such as ultraviolet rays. The adhesive is cured.

このように、熱伝導性樹脂180は、実装基板120とフレーム140とブラケット150とに接触して設けられる。なお、熱伝導性樹脂180は、実装基板120とブラケット150とに接触して設けられればよく、フレーム140には接触していなくてもよい。   Thus, the heat conductive resin 180 is provided in contact with the mounting substrate 120, the frame 140, and the bracket 150. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the mounting substrate 120 and the bracket 150, and may not be in contact with the frame 140.

熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続することで、熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続しないときと比較して、実装基板120とブラケット150との間の熱抵抗を低減することができる。熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続することで、熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続しないときと比較して、実装基板120とブラケット150との間の単位時間あたりの伝熱量を大きくすることができる。熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続することで、熱伝導性樹脂180が実装基板120とブラケット150とを熱的に接続しないときと比較して、実装基板120とブラケット150との間の単位温度差あたりの伝熱量を大きくすることができる、すなわち、実装基板120とブラケット150との間の単位温度差あたりの熱流束を大きくすることができる。   The thermal conductive resin 180 thermally connects the mounting substrate 120 and the bracket 150, so that the mounting substrate 120 is compared with the case where the thermal conductive resin 180 does not thermally connect the mounting substrate 120 and the bracket 150. And the thermal resistance between the bracket 150 can be reduced. The thermal conductive resin 180 thermally connects the mounting substrate 120 and the bracket 150, so that the mounting substrate 120 is compared with the case where the thermal conductive resin 180 does not thermally connect the mounting substrate 120 and the bracket 150. The amount of heat transfer per unit time between the bracket 150 and the bracket 150 can be increased. The thermal conductive resin 180 thermally connects the mounting substrate 120 and the bracket 150, so that the mounting substrate 120 is compared with the case where the thermal conductive resin 180 does not thermally connect the mounting substrate 120 and the bracket 150. The amount of heat transfer per unit temperature difference between the bracket 150 and the bracket 150 can be increased, that is, the heat flux per unit temperature difference between the mounting substrate 120 and the bracket 150 can be increased.

光学ユニット50は、マスクゴム272と、光学素子274と、押さえ部材280とを含む。光学素子274は、光学ローパスフィルタ276と、赤外カットフィルタ278とを含む。光学ローパスフィルタ276及び赤外カットフィルタ278は、z軸プラス方向に、光学ローパスフィルタ276、赤外カットフィルタ278の順で配置されている。なお、光学ローパスフィルタ276を構成する複数の光学層のうち一部の光学層の機能をカバーガラス160に含めてもよい。この場合、光学ローパスフィルタ276は、カバーガラス160に含めた一部の光学層の機能を除いて、すなわち複数の光学層のうち残りの光学層だけで構成することができる。   The optical unit 50 includes a mask rubber 272, an optical element 274, and a pressing member 280. The optical element 274 includes an optical low-pass filter 276 and an infrared cut filter 278. The optical low-pass filter 276 and the infrared cut filter 278 are arranged in the order of the optical low-pass filter 276 and the infrared cut filter 278 in the positive z-axis direction. In addition, you may include in the cover glass 160 the function of some optical layers among the some optical layers which comprise the optical low-pass filter 276. FIG. In this case, the optical low-pass filter 276 can be configured by excluding the functions of some optical layers included in the cover glass 160, that is, only the remaining optical layers among the plurality of optical layers.

押さえ部材280は、ネジ282によりブラケット150にネジ止めされる。押さえ部材280は、マスクゴム272を介して光学素子274を撮像ユニット40に押さえ付けた状態で固定する。光学素子274は、押さえ部材280をブラケット150にネジ止めする場合に押さえ部材280から加わるz軸プラス方向の力により、撮像ユニット40に押さえ付けられる。   The holding member 280 is screwed to the bracket 150 with a screw 282. The pressing member 280 is fixed in a state where the optical element 274 is pressed against the imaging unit 40 via the mask rubber 272. The optical element 274 is pressed against the imaging unit 40 by a z-axis plus direction force applied from the pressing member 280 when the pressing member 280 is screwed to the bracket 150.

押さえ部材280は一対の平坦部288を有する。押さえ部材280は、平坦部288においてネジ282によりブラケット150にネジ止めされる。これにより、光学ユニット50が撮像ユニット40に組み付けられる。   The pressing member 280 has a pair of flat portions 288. The holding member 280 is screwed to the bracket 150 with a screw 282 at the flat portion 288. Thereby, the optical unit 50 is assembled to the imaging unit 40.

図4は、撮像ユニット40とともにブラケット150を模式的に示す上面図である。図5は、撮像チップ100及び実装基板120とともにブラケット150を模式的に示す上面図である。   FIG. 4 is a top view schematically showing the bracket 150 together with the imaging unit 40. FIG. 5 is a top view schematically showing the bracket 150 together with the imaging chip 100 and the mounting substrate 120.

撮像チップ100は、画素領域101と回路領域102とを含んで構成される。画素領域101は、例えば撮像チップ100の中央部分に形成される。画素領域101は、受光した被写体像を光電変換する光電変換素子を複数有し、撮像面を形成する。回路領域102は、光電変換によって得られた画素信号の信号処理を行う処理回路を有する。処理回路は、アナログ信号である画素信号をデジタル信号に変換するAD変換回路を含む。処理回路は、CDS回路等の、画素信号のノイズを除去する回路を含む。処理回路は、画素信号を増幅する増幅回路を含む。回路領域102は、撮像チップ100の画素領域101周辺に形成されている。回路領域102は、撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち1つの長辺110近傍に形成されている。   The imaging chip 100 includes a pixel area 101 and a circuit area 102. The pixel region 101 is formed in the central part of the imaging chip 100, for example. The pixel region 101 includes a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert the received subject image, and forms an imaging surface. The circuit region 102 includes a processing circuit that performs signal processing of pixel signals obtained by photoelectric conversion. The processing circuit includes an AD conversion circuit that converts a pixel signal that is an analog signal into a digital signal. The processing circuit includes a circuit that removes noise of the pixel signal, such as a CDS circuit. The processing circuit includes an amplifier circuit that amplifies the pixel signal. The circuit region 102 is formed around the pixel region 101 of the imaging chip 100. The circuit region 102 is formed in the vicinity of one long side 110 among the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100.

ブラケット150は、電子部品実装基板130を収容するための開口155を有している。ブラケット150は、第1面151、第4面154及び第3面153で形成される段部158を有している。   The bracket 150 has an opening 155 for accommodating the electronic component mounting board 130. The bracket 150 has a step portion 158 formed by the first surface 151, the fourth surface 154, and the third surface 153.

熱伝導性樹脂180は、段部158に接触して設けられている。熱伝導性樹脂180は、段部158を形成する第4面154及び第3面153に接触して設けられている。熱伝導性樹脂180は、熱伝導性樹脂180a、熱伝導性樹脂180b、熱伝導性樹脂180c及び熱伝導性樹脂180dからなる。熱伝導性樹脂180aは、実装基板120の側面124aと、側面124aに対向する段部158aとに接触して設けられている。熱伝導性樹脂180bは、実装基板120の側面124bと、側面124bに対向する段部158bとに接触して設けられている。熱伝導性樹脂180cは、実装基板120の側面124cと、側面124cに対向する段部158cに接触して設けられている。熱伝導性樹脂180dは、実装基板120の側面124dと、側面124dに対向する段部158dとに接触して設けられている。   The thermally conductive resin 180 is provided in contact with the step portion 158. The thermally conductive resin 180 is provided in contact with the fourth surface 154 and the third surface 153 that form the step portion 158. The heat conductive resin 180 includes a heat conductive resin 180a, a heat conductive resin 180b, a heat conductive resin 180c, and a heat conductive resin 180d. The thermally conductive resin 180a is provided in contact with the side surface 124a of the mounting substrate 120 and the step portion 158a facing the side surface 124a. The thermally conductive resin 180b is provided in contact with the side surface 124b of the mounting substrate 120 and the step portion 158b facing the side surface 124b. The thermally conductive resin 180c is provided in contact with the side surface 124c of the mounting substrate 120 and the step portion 158c facing the side surface 124c. The thermally conductive resin 180d is provided in contact with the side surface 124d of the mounting substrate 120 and the step portion 158d facing the side surface 124d.

なお、熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dのうち回路領域102に近い側面に接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b及び側面124cには接触せず、側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b、側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124aに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124d及び側面124aに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124d及び側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124cには接触せず、実装基板120の側面124a、側面124b及び側面124dに接触して設ければよい。   Note that the heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface near the circuit region 102 among the side surface 124a, the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124d without contacting the side surface 124a, the side surface 124b, and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124d and the side surface 124a of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124d and the side surface 124b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124 a and the side surface 124 b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124 c and the side surface 124 d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124b, and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124c of the mounting substrate 120.

回路領域102は、撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち1つの長辺近傍に形成されている例を挙げて説明したが、撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち1つの短辺近傍に形成されてもよい。撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち1つの短辺近傍に回路領域102が形成されている場合、熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dのうち回路領域102に近い側面に接触して設ければよい。   The circuit region 102 has been described by taking an example in which the circuit region 102 is formed in the vicinity of one long side of the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100. However, the circuit region 102 has four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100. It may be formed near one short side. When the circuit region 102 is formed in the vicinity of one short side of the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100, the thermal conductive resin 180 is formed from the side surface 124a, the side surface 124b, the side surface 124c, and the mounting substrate 120. What is necessary is just to contact and provide the side surface near the circuit area | region 102 among the side surfaces 124d.

撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち2つの長辺近傍に回路領域102が形成されている場合、熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dのうち回路領域102に近い側面に接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b、側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124aに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124b及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124b及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124bには接触せず、実装基板120の側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a、側面124b及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124aには接触せず、実装基板120の側面124b、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124bには接触せず、実装基板120の側面124a、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。   In the case where the circuit region 102 is formed in the vicinity of two long sides of the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100, the thermal conductive resin 180 is composed of the side surface 124 a, the side surface 124 b, the side surface 124 c, and the mounting substrate 120. What is necessary is just to contact and provide the side surface near the circuit area | region 102 among the side surfaces 124d. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124 a and the side surface 124 b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124 c and the side surface 124 d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124c and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124b of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124b, and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a of the mounting substrate 120. The thermally conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120.

回路領域102は、撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち2つの長辺近傍に形成されている例を挙げて説明したが、撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち2つの短辺近傍に形成されてもよい。撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺のうち2つの短辺近傍に回路領域102が形成されている場合、熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dのうち回路領域102に近い側面に接触して設ければよい。   The circuit region 102 has been described by taking an example in which the circuit region 102 is formed in the vicinity of two long sides of the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100. However, the circuit region 102 has four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100. Of these, it may be formed near two short sides. When the circuit region 102 is formed in the vicinity of two short sides of the four sides that form the pixel region 101 in the imaging chip 100, the thermal conductive resin 180 is formed from the side surface 124 a, the side surface 124 b, the side surface 124 c, and the mounting substrate 120. What is necessary is just to contact and provide the side surface near the circuit area | region 102 among the side surfaces 124d.

撮像チップ100において画素領域101を形成する4辺それぞれの近傍に回路領域102が形成されている場合、熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dのうち回路領域102に近い側面に接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b、側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124aに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面b及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124c及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124bに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124b及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124a及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124dには接触せず、実装基板120の側面124b及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124cには接触せず、実装基板120の側面124b及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a及び側面124bには接触せず、実装基板120の側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124dには接触せず、実装基板120の側面124a、側面124b及び側面124cに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124aには接触せず、実装基板120の側面124b、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124bには接触せず、実装基板120の側面124a、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dに接触して設ければよい。   In the case where the circuit region 102 is formed in the vicinity of each of the four sides forming the pixel region 101 in the imaging chip 100, the thermal conductive resin 180 is formed of the side surface 124a, the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. It may be provided in contact with the side surface close to the circuit region 102. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a, the side surface c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a, the side surface 124b, and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a, the side surface b, and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124 a and the side surface 124 b of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124 c and the side surface 124 d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124c of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124c and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a and the side surface 124b of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124b, and the side surface 124c of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124d of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124a of the mounting substrate 120. The thermally conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120 without contacting the side surface 124b of the mounting substrate 120. The heat conductive resin 180 may be provided in contact with the side surface 124a, the side surface 124b, the side surface 124c, and the side surface 124d of the mounting substrate 120.

なお、撮像ユニット40においては、熱伝導性樹脂180は電子部品実装基板130の面132には接触していないが、熱伝導性樹脂180は電子部品実装基板130の面132に接触させてもよい。熱伝導性樹脂180は、電子部品実装基板130の面132の一部を覆ってもよい。そのため、電子部品実装基板130が有する電子回路で発生した熱を、ブラケット150へより高い効率で伝達することができる。特に、熱伝導性樹脂180は、熱伝導性樹脂180が電子部品実装基板130の面132を覆う領域の少なくとも一部の領域は、xy平面において撮像チップ100の少なくとも一部の領域と重なるように設けられてよい。特に、熱伝導性樹脂180が電子部品実装基板130の面132を覆う領域の少なくとも一部の領域は、xy平面において撮像チップ100の周辺部の領域と重なってよい。この場合、撮像チップ100の周辺部で発生した熱をブラケット150へ効率よく伝達することができる場合がある。そのため、撮像チップ100の画素領域101へ向かう熱流束を低減することができる場合がある。   In the imaging unit 40, the heat conductive resin 180 is not in contact with the surface 132 of the electronic component mounting board 130, but the heat conductive resin 180 may be in contact with the surface 132 of the electronic component mounting board 130. . The heat conductive resin 180 may cover a part of the surface 132 of the electronic component mounting substrate 130. Therefore, the heat generated in the electronic circuit included in the electronic component mounting board 130 can be transmitted to the bracket 150 with higher efficiency. In particular, in the heat conductive resin 180, at least a part of a region where the heat conductive resin 180 covers the surface 132 of the electronic component mounting substrate 130 overlaps with at least a part of the imaging chip 100 in the xy plane. May be provided. In particular, at least a part of the region in which the heat conductive resin 180 covers the surface 132 of the electronic component mounting substrate 130 may overlap with the peripheral region of the imaging chip 100 in the xy plane. In this case, the heat generated at the periphery of the imaging chip 100 may be efficiently transmitted to the bracket 150. Therefore, the heat flux toward the pixel region 101 of the imaging chip 100 may be able to be reduced.

図6は、撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット1000を模式的に示す断面図である。撮像ユニット1000において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 1000 as a modification of the imaging unit 40. In the imaging unit 1000, members having the same configuration as each part of the imaging unit 40 may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

撮像ユニット1000において、熱伝導性樹脂180は、実装基板120に接触し、電子部品実装基板130には接触していない。撮像ユニット1000におけるブラケット150の第3面153のz軸方向の位置は、撮像ユニット40におけるブラケット150の第3面153のz軸方向の位置よりz軸マイナス側にある。   In the imaging unit 1000, the heat conductive resin 180 is in contact with the mounting substrate 120 and is not in contact with the electronic component mounting substrate 130. The position of the third surface 153 of the bracket 150 in the imaging unit 1000 in the z-axis direction is on the minus side of the z-axis from the position of the third surface 153 of the bracket 150 in the imaging unit 40 in the z-axis direction.

撮像ユニット1000において、電子部品実装基板130には、グラファイトシート、板金のシールド材等の伝熱性部材を介して撮像ユニット40の外部に接続される。例えば、電子部品実装基板130は、伝熱性部材を介して撮像ユニット40の構造材に接続される。電子部品実装基板130に実装された電子部品で生じた熱は、伝熱性部材を介して、撮像ユニット40の外部に放出される。   In the imaging unit 1000, the electronic component mounting substrate 130 is connected to the outside of the imaging unit 40 via a heat conductive member such as a graphite sheet or a sheet metal shield material. For example, the electronic component mounting board 130 is connected to the structural material of the imaging unit 40 via a heat conductive member. Heat generated by the electronic component mounted on the electronic component mounting board 130 is released to the outside of the imaging unit 40 via the heat conductive member.

図7は、撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット800を模式的に示す断面図である。撮像ユニット800において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 800 as a modified example of the imaging unit 40. In the imaging unit 800, members having the same configurations as the respective parts of the imaging unit 40 may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

ブラケット150には、第2面152から第3面153まで貫通した貫通部810が形成されている。貫通部810は、撮像ユニット800の外部と熱伝導性樹脂180が設けられる空間とを連通する。撮像ユニット800の外部から貫通部810を介して熱伝導性接着剤を注入して熱伝導性接着剤を硬化させる。   The bracket 150 is formed with a penetrating portion 810 penetrating from the second surface 152 to the third surface 153. The through portion 810 communicates the outside of the imaging unit 800 and the space where the heat conductive resin 180 is provided. A thermally conductive adhesive is injected from the outside of the imaging unit 800 through the through portion 810 to cure the thermally conductive adhesive.

貫通部810は、第2面152から第3面153まで達する穴であってよい。第2面152及び第3面153における貫通部810の断面形状は、円形状に限らず任意の形状とすることができる。貫通部810に代えて、第2面152から第3面153まで達し、実装基板120の側部に沿って溝をブラケット150に形成してもよい。この場合、撮像ユニット800の外部から溝を介して熱伝導性接着剤を注入して熱伝導性接着剤を硬化させる。   The through portion 810 may be a hole that reaches from the second surface 152 to the third surface 153. The cross-sectional shape of the penetrating portion 810 on the second surface 152 and the third surface 153 is not limited to a circular shape and can be an arbitrary shape. Instead of the through portion 810, a groove may be formed in the bracket 150 along the side portion of the mounting substrate 120 from the second surface 152 to the third surface 153. In this case, a thermally conductive adhesive is injected from the outside of the imaging unit 800 through a groove to cure the thermally conductive adhesive.

図8は、撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット900を模式的に示す断面図である。撮像ユニット900において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 900 as a modification of the imaging unit 40. In the imaging unit 900, members having the same configurations as the respective parts of the imaging unit 40 may be denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted.

撮像ユニット900において、フレーム140には、第1面941から第2面942まで貫通した貫通部910が形成されている。貫通部910は、撮像ユニット900の外部と熱伝導性樹脂180が設けられる空間とを連通する。撮像ユニット900の外部から貫通部910から熱伝導性接着剤を注入して熱伝導性接着剤を硬化させる。   In the imaging unit 900, a through portion 910 that penetrates from the first surface 941 to the second surface 942 is formed in the frame 140. The through portion 910 communicates the outside of the imaging unit 900 with the space where the heat conductive resin 180 is provided. A thermally conductive adhesive is injected from the outside of the imaging unit 900 from the through portion 910 to cure the thermally conductive adhesive.

貫通部910は、第1面941から第2面942まで達する穴であってよい。第1面941及び第2面942における貫通部910の断面形状は、円形状に限らず任意の形状とすることができる。なお、撮像ユニット900において、フレーム140が貫通部910を有するとともに、撮像ユニット800の貫通部810と同様の貫通部をブラケット150が有してもよい。   The through portion 910 may be a hole that reaches from the first surface 941 to the second surface 942. The cross-sectional shape of the penetrating portion 910 on the first surface 941 and the second surface 942 is not limited to a circular shape and can be an arbitrary shape. Note that in the imaging unit 900, the frame 140 may have the penetration part 910, and the bracket 150 may have a penetration part similar to the penetration part 810 of the imaging unit 800.

図9は、撮像ユニット40の変形例としての撮像ユニット1300を模式的に示す断面図である。撮像ユニット1300において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 1300 as a modification of the imaging unit 40. In the imaging unit 1300, members having the same configurations as those of the respective units of the imaging unit 40 may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

撮像ユニット1300において、撮像チップ100は、1つの実装基板1320に実装される。実装基板1320は、一例として、撮像チップ100が実装されるコア基板である。具体的には、実装基板1320は、複数の配線層と、配線層と配線層の間を絶縁する絶縁層と、芯層とを有する。   In the imaging unit 1300, the imaging chip 100 is mounted on one mounting substrate 1320. For example, the mounting substrate 1320 is a core substrate on which the imaging chip 100 is mounted. Specifically, the mounting substrate 1320 includes a plurality of wiring layers, an insulating layer that insulates the wiring layers from each other, and a core layer.

実装基板1320の厚みは、例えば全体として0.8mmから3.0mmである。一例として、芯層は、配線層と配線層により挟まれる。なお、芯層は、絶縁層と絶縁層により挟まれてもよい。実装基板1320として、ニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等の金属を芯層に用いたメタルコア基板や、エポキシ系樹脂等の樹脂を芯層に用いた樹脂コア基板を挙げることができる。なお、実装基板1320は、芯層を含まなくてもよい。実装基板1320として、例えばセラミック等で構成された基板を挙げることができる。   The thickness of the mounting substrate 1320 is, for example, 0.8 mm to 3.0 mm as a whole. As an example, the core layer is sandwiched between the wiring layer and the wiring layer. The core layer may be sandwiched between the insulating layer and the insulating layer. Examples of the mounting substrate 1320 include a metal core substrate using a metal such as an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, or aluminum as a core layer, or a resin core substrate using a resin such as an epoxy resin as a core layer. be able to. Note that the mounting substrate 1320 may not include the core layer. Examples of the mounting substrate 1320 include a substrate made of ceramic or the like.

実装基板1320は、第1面1321と、第1面1321とは反対側の面である第2面1322とを有する。電子部品実装基板130と同様、実装基板1320の第2面1322には、電子部品、コネクタ等が実装される。このように、実装基板1320は、撮像ユニット40、撮像ユニット1000、撮像ユニット800及び撮像ユニット900における実装基板120及び電子部品実装基板130の機能を有する。熱伝導性樹脂180は、実装基板1320の側部と、ブラケット150と、フレーム140とに接触する。これらの点は撮像ユニット40における実装基板120と同様であるので、説明を省略する。   The mounting substrate 1320 has a first surface 1321 and a second surface 1322 that is the surface opposite to the first surface 1321. Similar to the electronic component mounting substrate 130, electronic components, connectors, and the like are mounted on the second surface 1322 of the mounting substrate 1320. As described above, the mounting board 1320 has the functions of the mounting board 120 and the electronic component mounting board 130 in the imaging unit 40, the imaging unit 1000, the imaging unit 800, and the imaging unit 900. The thermally conductive resin 180 is in contact with the side portion of the mounting substrate 1320, the bracket 150, and the frame 140. Since these points are the same as those of the mounting board 120 in the imaging unit 40, description thereof will be omitted.

なお、実装基板1320は、上述したメタルコアや樹脂コアを有する多層基板以外の基板であってよい。実装基板1320は、1つの配線層と、配線層を絶縁する絶縁層とを含む単層基板であってよい。実装基板1320は、コアを有しない多層基板であってよい。   Note that the mounting substrate 1320 may be a substrate other than the multilayer substrate having the metal core and the resin core described above. The mounting substrate 1320 may be a single layer substrate including one wiring layer and an insulating layer that insulates the wiring layer. The mounting substrate 1320 may be a multilayer substrate without a core.

撮像ユニット40、撮像ユニット1000、撮像ユニット800、撮像ユニット900の説明において、熱伝導性樹脂180は熱伝導性接着剤で形成される。熱伝導性樹脂180は、熱伝導性接着剤以外の材料で形成されてよい。熱伝導性樹脂180は、接着剤に代えて熱伝導性ゴムで形成されてよい。熱伝導性樹脂180を熱伝導性ゴムで形成することで、実装基板120とブラケット150との間に熱伝達部を形成するための工程を簡略化できる。例えば、熱硬化性の熱伝導性接着剤を使用する場合に必要な熱硬化工程を省略することができる。   In the description of the imaging unit 40, the imaging unit 1000, the imaging unit 800, and the imaging unit 900, the heat conductive resin 180 is formed of a heat conductive adhesive. The heat conductive resin 180 may be formed of a material other than the heat conductive adhesive. The heat conductive resin 180 may be formed of heat conductive rubber instead of the adhesive. By forming the heat conductive resin 180 with heat conductive rubber, a process for forming a heat transfer portion between the mounting substrate 120 and the bracket 150 can be simplified. For example, a thermosetting step required when using a thermosetting heat conductive adhesive can be omitted.

図10は、撮像ユニット40における撮像チップ100、実装基板120、フレーム140、ブラケット150及び熱伝導性樹脂180を模式的に示す断面図である。図11は、撮像チップ100とともに実装基板120を模式的に示す上面図を示す。   FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the imaging chip 100, the mounting substrate 120, the frame 140, the bracket 150, and the heat conductive resin 180 in the imaging unit 40. FIG. 11 is a top view schematically showing the mounting substrate 120 together with the imaging chip 100.

実装基板120は、ソルダレジスト層610と、配線層620a及び配線層620bを含む配線層620と、絶縁層630a及び絶縁層630bを含む絶縁層630とを有する。撮像ユニット40がカメラ10に組み付けられた場合、z軸プラス方向に、ソルダレジスト層610、配線層620a、絶縁層630a、配線層620b、絶縁層630bの順で配置される。撮像チップ100は、ソルダレジスト層610に実装される。配線層620は、例えば銅箔である。配線層620aは、配線層620のうち撮像チップ100に最も近い層である。絶縁層630は、配線層620を絶縁する層である。   The mounting substrate 120 includes a solder resist layer 610, a wiring layer 620 including a wiring layer 620a and a wiring layer 620b, and an insulating layer 630 including an insulating layer 630a and an insulating layer 630b. When the imaging unit 40 is assembled to the camera 10, the solder resist layer 610, the wiring layer 620a, the insulating layer 630a, the wiring layer 620b, and the insulating layer 630b are arranged in this order in the z-axis plus direction. The imaging chip 100 is mounted on the solder resist layer 610. The wiring layer 620 is, for example, a copper foil. The wiring layer 620a is a layer closest to the imaging chip 100 in the wiring layer 620. The insulating layer 630 is a layer that insulates the wiring layer 620.

実装基板120は、第1面121の外周部に、配線層620aが露出した領域を有する。すなわち、実装基板120は、第1面121の外周部に、ソルダレジスト層610が形成されていない領域を有する。フレーム140は、配線層620aが露出した領域、すなわちソルダレジスト層610が形成されていない領域に設けられる。このため、フレーム140がソルダレジスト層610に設けられた場合と比較して、フレーム140を介してブラケット150へ放出される熱量を高めることができる。配線層620aの厚さは、配線層620bの厚さより厚く形成することが好ましい。配線層620aの厚さは、実装基板120が有する他のいずれの配線層620の厚さよりも厚く形成することが好ましい。これにより、撮像チップ100で発生した熱をフレーム140へ効率よく伝達することができる。したがって、撮像チップ100で発生した熱を外部へ効率よく放出することができる。   The mounting substrate 120 has a region where the wiring layer 620 a is exposed on the outer periphery of the first surface 121. That is, the mounting substrate 120 has a region where the solder resist layer 610 is not formed on the outer peripheral portion of the first surface 121. The frame 140 is provided in a region where the wiring layer 620a is exposed, that is, a region where the solder resist layer 610 is not formed. For this reason, compared with the case where the flame | frame 140 is provided in the soldering resist layer 610, the amount of heat discharge | released to the bracket 150 via the flame | frame 140 can be raised. The wiring layer 620a is preferably formed thicker than the wiring layer 620b. The wiring layer 620a is preferably formed to be thicker than any other wiring layer 620 included in the mounting substrate 120. Thereby, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently transmitted to the frame 140. Therefore, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently released to the outside.

配線層620a及び配線層620bは、実装基板120の側面124a及び側面124bまで延伸する。配線層620a及び配線層620bは、実装基板120の124a及び側面124bに露出している。熱伝導性樹脂180は、実装基板120の124a及び側面124bにおいて、配線層620a及び配線層620bに接触している。そのため、撮像チップ100で発生した熱を熱伝導性樹脂180へ効率よく伝達することができる。したがって、撮像チップ100で発生した熱を外部へ効率よく放出することができる。   The wiring layer 620a and the wiring layer 620b extend to the side surface 124a and the side surface 124b of the mounting substrate 120. The wiring layer 620a and the wiring layer 620b are exposed at the 124a and the side surface 124b of the mounting substrate 120. The thermally conductive resin 180 is in contact with the wiring layer 620a and the wiring layer 620b on the 124a and the side surface 124b of the mounting substrate 120. Therefore, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently transmitted to the heat conductive resin 180. Therefore, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently released to the outside.

実装基板120は、複数のビア650を有する。ビア650はサーマルビアとして機能する。撮像チップ100は、ビア650を介して配線層620aと熱的に接続される。これにより、撮像チップ100で発生した熱をフレーム140へ効率よく伝達することができる。したがって、撮像チップ100で発生した熱を外部へ効率よく放出することができる。また、撮像チップ100は、ビア650を介して配線層620a及び配線層620bと熱的に接続される。これにより、撮像チップ100で発生した熱を熱伝導性樹脂180へ効率よく伝達することができる。したがって、撮像チップ100で発生した熱を外部へ効率よく放出することができる。   The mounting substrate 120 has a plurality of vias 650. The via 650 functions as a thermal via. The imaging chip 100 is thermally connected to the wiring layer 620a through the via 650. Thereby, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently transmitted to the frame 140. Therefore, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently released to the outside. The imaging chip 100 is thermally connected to the wiring layer 620a and the wiring layer 620b through the via 650. Thereby, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently transmitted to the heat conductive resin 180. Therefore, the heat generated in the imaging chip 100 can be efficiently released to the outside.

ビア650は、実装基板120において撮像チップ100の回路領域102に対応する位置に設けられる。回路領域102に対応する位置に設けられているビア650の密度は、実装基板120において回路領域102に対応する位置以外に設けられているビア650の密度より高くすることが好ましい。したがって、回路領域102の処理回路で発生し画素領域101へ向かう熱を低減することができる。   The via 650 is provided at a position corresponding to the circuit region 102 of the imaging chip 100 on the mounting substrate 120. The density of the vias 650 provided at positions corresponding to the circuit region 102 is preferably higher than the density of the vias 650 provided at locations other than the positions corresponding to the circuit region 102 in the mounting substrate 120. Therefore, heat generated in the processing circuit in the circuit region 102 and traveling toward the pixel region 101 can be reduced.

熱伝導性樹脂180に接触する実装基板120の側面124a、側面124b、側面124c及び側面124dは、曲面、凹凸面等、熱伝導性樹脂180との接触面積を増大するような形状にしてもよい。例えば、熱伝導性樹脂180に接触する配線層620の外縁が、絶縁層630の外縁より突出して設けられてよい。   The side surface 124 a, the side surface 124 b, the side surface 124 c, and the side surface 124 d of the mounting substrate 120 in contact with the heat conductive resin 180 may be shaped to increase the contact area with the heat conductive resin 180, such as a curved surface or an uneven surface. . For example, the outer edge of the wiring layer 620 that contacts the heat conductive resin 180 may be provided so as to protrude from the outer edge of the insulating layer 630.

図10及び図11に関連して、撮像ユニット40における撮像チップ100、実装基板120、フレーム140、ブラケット150及び熱伝導性樹脂180の構成を説明した。撮像ユニット1000、撮像ユニット800及び撮像ユニット900に対しても、同様の構成を適用できる。また、同様の構成を、撮像ユニット1300にも適用できる。例えば、実装基板120に関連して説明した多層構造を、撮像ユニット1300が有する単一の実装基板1320の多層構造に適用できる。   10 and 11, the configuration of the imaging chip 100, the mounting substrate 120, the frame 140, the bracket 150, and the thermal conductive resin 180 in the imaging unit 40 has been described. The same configuration can be applied to the imaging unit 1000, the imaging unit 800, and the imaging unit 900. A similar configuration can also be applied to the imaging unit 1300. For example, the multilayer structure described in relation to the mounting substrate 120 can be applied to the multilayer structure of the single mounting substrate 1320 included in the imaging unit 1300.

図12は、他の形態における撮像ユニット2000を模式的に示す断面図である。撮像ユニット2000は、撮像チップ100と、実装基板2110と、フレーム140と、カバーガラス160とを有する。図13は、撮像ユニット2000における撮像チップ100とともに実装基板2110を模式的に示す上面図である。撮像ユニット2000において、撮像ユニット40の各部と同様の構成を有する部材には同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。   FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 2000 in another form. The imaging unit 2000 includes the imaging chip 100, a mounting substrate 2110, a frame 140, and a cover glass 160. FIG. 13 is a top view schematically showing the mounting substrate 2110 together with the imaging chip 100 in the imaging unit 2000. In the imaging unit 2000, members having the same configuration as each part of the imaging unit 40 may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

実装基板2110は、撮像チップ100を実装する。フレーム140は、撮像チップ100を環囲する。カバーガラス160は、撮像チップ100を封止する。カバーガラス160は、フレーム140に固着される。実装基板2110と、フレーム140と、カバーガラス160とによって、密封空間が形成される。撮像チップ100は、密封空間内に配置される。   The mounting substrate 2110 mounts the imaging chip 100. The frame 140 surrounds the imaging chip 100. The cover glass 160 seals the imaging chip 100. Cover glass 160 is fixed to frame 140. A sealed space is formed by the mounting substrate 2110, the frame 140, and the cover glass 160. The imaging chip 100 is disposed in the sealed space.

実装基板2110としては、実装基板120及び電子部品実装基板130と同様の構成や、実装基板1320と同様の構成を適用できる。図10に関連して説明した実装基板120、図9等に関連して説明した実装基板1320と同様、実装基板2110は、撮像チップ100を実装するソルダレジスト層2610と、ソルダレジスト層2610が形成された配線層2620とを少なくとも含む。   As the mounting substrate 2110, a configuration similar to that of the mounting substrate 120 and the electronic component mounting substrate 130 or a configuration similar to that of the mounting substrate 1320 can be applied. Similar to the mounting substrate 120 described with reference to FIG. 10 and the mounting substrate 1320 described with reference to FIG. 9 and the like, the mounting substrate 2110 includes a solder resist layer 2610 on which the imaging chip 100 is mounted and a solder resist layer 2610. Wiring layer 2620 formed at least.

撮像ユニット40がカメラ10に組み付けられた場合、z軸プラス方向に、ソルダレジスト層2610、配線層2620の順で配置される。実装基板2110は、撮像チップ100が実装される実装面の外周部に、配線層2620が露出した領域を有する。すなわち、実装基板2110は、実装面の外周部に、ソルダレジスト層2610が形成されていない領域を有する。フレーム140は、ソルダレジスト層2610が形成されていない領域に設けられる。   When the imaging unit 40 is assembled to the camera 10, the solder resist layer 2610 and the wiring layer 2620 are arranged in this order in the z-axis plus direction. The mounting substrate 2110 has a region where the wiring layer 2620 is exposed on the outer periphery of the mounting surface on which the imaging chip 100 is mounted. That is, the mounting substrate 2110 has a region where the solder resist layer 2610 is not formed on the outer peripheral portion of the mounting surface. The frame 140 is provided in a region where the solder resist layer 2610 is not formed.

これにより、フレーム140がソルダレジスト層2610に設けられた場合と比較して、撮像チップ100とフレーム140との間の熱抵抗を低減できる。そのため、撮像チップ100からフレーム140への熱流束を大きくすることができる。   Thereby, compared with the case where the frame 140 is provided in the solder resist layer 2610, the thermal resistance between the imaging chip 100 and the frame 140 can be reduced. Therefore, the heat flux from the imaging chip 100 to the frame 140 can be increased.

図14は、実装基板2110の変形例としての実装基板1800を模式的に示す断面図を示す。図15は、実装基板1800における配線層を模式的に示す平断面図である。実装基板1800は、配線層2620が、内側配線層2621と外側配線層2622とに実質的に分離されている点で、実装基板2110と相違する。   FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a mounting board 1800 as a modified example of the mounting board 2110. FIG. 15 is a plan sectional view schematically showing a wiring layer in the mounting substrate 1800. The mounting substrate 1800 is different from the mounting substrate 2110 in that the wiring layer 2620 is substantially separated into an inner wiring layer 2621 and an outer wiring layer 2622.

内側配線層2621は、画素領域101に対応して設けられる。具体的には、内側配線層2621は、xy面内において画素領域101に対応する位置に設けられる。外側配線層2622は、内側配線層2621より外側に位置する。外側配線層2622は、内側配線層2621の周囲に位置する。外側配線層2622は、画素領域101以外の領域に対応して設けられる。   The inner wiring layer 2621 is provided corresponding to the pixel region 101. Specifically, the inner wiring layer 2621 is provided at a position corresponding to the pixel region 101 in the xy plane. The outer wiring layer 2622 is located outside the inner wiring layer 2621. The outer wiring layer 2622 is located around the inner wiring layer 2621. The outer wiring layer 2622 is provided corresponding to a region other than the pixel region 101.

外側配線層2622と内側配線層2621とは、熱的に隔てられている。外側配線層2622は、間隙1820によって内側配線層2621と隔てられている。間隙1820は、環状の形状を有する。外側配線層2622と内側配線層2621とが熱的に隔てられているので、回路領域102で発生して外側配線層2622に伝達した熱は、内側配線層2621に伝達しにくい。外側配線層2622に伝達した熱は、フレーム140を介して外へ放出できる。   The outer wiring layer 2622 and the inner wiring layer 2621 are thermally separated. The outer wiring layer 2622 is separated from the inner wiring layer 2621 by a gap 1820. The gap 1820 has an annular shape. Since the outer wiring layer 2622 and the inner wiring layer 2621 are thermally separated, heat generated in the circuit region 102 and transmitted to the outer wiring layer 2622 is difficult to be transmitted to the inner wiring layer 2621. The heat transferred to the outer wiring layer 2622 can be released to the outside through the frame 140.

実装基板1800は、実装基板120におけるビア650と同様のビアを有してよい。例えば、撮像チップ100の回路領域102に対応してサーマルビアとして機能するビアを設けて、回路領域102と外側配線層2622とを熱的に接続してよい。これにより、回路領域102で発生した熱を外側配線層2622へ伝達しやすくすることができ、画素領域101へ向かう熱流束を低減することができる。   The mounting substrate 1800 may have a via similar to the via 650 in the mounting substrate 120. For example, vias that function as thermal vias may be provided corresponding to the circuit region 102 of the imaging chip 100 to thermally connect the circuit region 102 and the outer wiring layer 2622. Accordingly, heat generated in the circuit region 102 can be easily transferred to the outer wiring layer 2622, and heat flux toward the pixel region 101 can be reduced.

実装基板1800における変形例としては、外側配線層2622を設けて、内側配線層2621を設けない構成も採用できる。この構成によっても、画素領域101へ向かう熱流束を低減することができる。   As a modified example of the mounting substrate 1800, a configuration in which the outer wiring layer 2622 is provided and the inner wiring layer 2621 is not provided can be employed. Also with this configuration, the heat flux toward the pixel region 101 can be reduced.

なお、実装基板1800は、実装基板2110の変形例として説明したが、実装基板1800と同様の構成は、実装基板120や実装基板1320にも適用できる。例えば、内側配線層2621及び外側配線層2622と同様の構成を、実装基板120における配線層620等に適用できる。内側配線層2621及び外側配線層2622と同様の構成を、実装基板1320に適用できる。   Note that although the mounting substrate 1800 has been described as a modification of the mounting substrate 2110, the same configuration as the mounting substrate 1800 can be applied to the mounting substrate 120 and the mounting substrate 1320. For example, the same structure as that of the inner wiring layer 2621 and the outer wiring layer 2622 can be applied to the wiring layer 620 and the like in the mounting substrate 120. A structure similar to that of the inner wiring layer 2621 and the outer wiring layer 2622 can be applied to the mounting substrate 1320.

上述した実施形態は、以下のように変形することができる。撮像チップ100は、実装基板120、実装基板1320及び実装基板2110等の実装基板と、フレーム140と、カバーガラス160とで形成された密封空間内に配置したが、これに限らず、フレームが一体成型された実装基板とカバーガラスとで形成された密封空間内に配置してもよい。   The embodiment described above can be modified as follows. The imaging chip 100 is disposed in a sealed space formed by a mounting substrate such as the mounting substrate 120, the mounting substrate 1320, and the mounting substrate 2110, the frame 140, and the cover glass 160. You may arrange | position in the sealed space formed with the shape | molded mounting substrate and cover glass.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The execution order of each process such as operation, procedure, step, and stage in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the specification, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for the sake of convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 カメラ
20 レンズユニット
22 光軸
24 レンズマウント
26 ボディマウント
30 カメラボディ
32 メインミラー
33 サブミラー
38 シャッタユニット
40 撮像ユニット
50 光学ユニット
51 CPU
52 ASIC
60 ミラーボックス
62 基板
70 結像光学系
72 焦点検出センサ
80 ピント板
82 ペンタプリズム
84 ファインダ光学系
86 ファインダ
88 背面表示部
100 撮像チップ
101 画素領域
102 回路領域
110 長辺
120 実装基板
121 第1面
122 第2面
124 側面
130 電子部品実装基板
131 面
132 面
140 フレーム
142 ネジ
150 ブラケット
151 第1面
152 第2面
153 第3面
154 第4面
155 開口
158 段部
160 カバーガラス
180 熱伝導性樹脂
272 マスクゴム
274 光学素子
132 面
141 開口
180 熱伝導性樹脂
276 光学ローパスフィルタ
278 赤外カットフィルタ
280 部材
282 ネジ
288 平坦部
610 ソルダレジスト層
620 配線層
630 絶縁層
650 ビア
800 撮像ユニット
810 貫通部
900 撮像ユニット
910 貫通部
941 第1面
942 第2面
1000 撮像ユニット
1300 撮像ユニット
1320 実装基板
1321 第1面
1322 第2面
1800 実装基板
1820 間隙
2000 撮像ユニット
2110 実装基板
2610 ソルダレジスト層
2620 配線層
2621 内側配線層
2622 外側配線層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Camera 20 Lens unit 22 Optical axis 24 Lens mount 26 Body mount 30 Camera body 32 Main mirror 33 Sub mirror 38 Shutter unit 40 Imaging unit 50 Optical unit 51 CPU
52 ASIC
60 Mirror box 62 Substrate 70 Imaging optical system 72 Focus detection sensor 80 Focus plate 82 Penta prism 84 Finder optical system 86 Finder 88 Rear display unit 100 Imaging chip 101 Pixel region 102 Circuit region 110 Long side 120 Mounting substrate 121 First surface 122 Second surface 124 Side surface 130 Electronic component mounting board 131 Surface 132 Surface 140 Frame 142 Screw 150 Bracket 151 First surface 152 Second surface 153 Third surface 154 Fourth surface 155 Opening 158 Step portion 160 Cover glass 180 Thermal conductive resin 272 Mask rubber 274 Optical element 132 Surface 141 Opening 180 Thermal conductive resin 276 Optical low-pass filter 278 Infrared cut filter 280 Member 282 Screw 288 Flat portion 610 Solder resist layer 620 Wiring layer 630 Insulating layer 650 Via 800 Imaging unit Knit 810 Penetration unit 900 Imaging unit 910 Penetration unit 941 First surface 942 Second surface 1000 Imaging unit 1300 Imaging unit 1320 Mounting substrate 1321 First surface 1322 Second surface 1800 Mounting substrate 1820 Gap 2000 Imaging unit 2110 Mounting substrate 2610 Solder resist layer 2620 Wiring layer 2621 Inner wiring layer 2622 Outer wiring layer

Claims (19)

被写体を撮像する撮像チップと、
前記撮像チップが配置される第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面の端と前記第2面の端とに沿って形成される第3面と、を有する基板と、
前記第1面において前記撮像チップの外側に配置され、前記第1面に対向する第1領域と前記第1領域とは異なる第2領域とを有する第1部材と、
前記基板の前記第3面と前記第1部材の前記第2領域とに接触するように配置された熱伝導性を有する第2部材と、
前記第1部材が取り付けられ、前記第2部材に接触される第3部材と、
を備える撮像装置。
An imaging chip for imaging a subject;
A first surface on which the imaging chip is disposed; a second surface opposite to the first surface; a third surface formed along an end of the first surface and an end of the second surface; A substrate having,
A first member disposed outside the imaging chip on the first surface and having a first region facing the first surface and a second region different from the first region;
A second member having thermal conductivity disposed to contact the third surface of the substrate and the second region of the first member;
A third member attached to the first member and in contact with the second member;
An imaging apparatus comprising:
前記第部材は、樹脂で構成されている請求項に記載の撮像装置。 The imaging device according to claim 1 , wherein the second member is made of resin. 前記第3部材は、前記第3面と対向する第3領域を有し、
前記第2部材は、前記第3領域に接触するように配置されている請求項又はに記載の撮像装置。
The third member has a third region facing the third surface,
It said second member, the imaging apparatus according to claim 1 or 2 is placed in contact with the third region.
前記第3部材は、前記第2領域において前記第1部材取り付けられる請求項から請求項のいずれか一項に記載の撮像装置。 The third member, the imaging apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the first member in said second region is mounted. 前記基板は、前記撮像チップを駆動させるための電子部品が配置される請求項1から請求項のいずれか一項に記載の撮像装置。 The substrate may imaging apparatus according to any one of claims 1 to 4, electronic components for driving the imaging chip is disposed. 前記基板は、前記第2面において前記電子部品が配置される請求項に記載の撮像装置。 The imaging apparatus according to claim 5 , wherein the electronic component is disposed on the second surface of the substrate. 前記電子部品は、能動素子を含む請求項又は請求項に記載の撮像装置。 The electronic components, an imaging apparatus according to claim 5 or claim 6 including an active element. 前記撮像チップは、光電変換された電荷により信号を生成する画素が複数配置される画素部と、前記画素部の外側に配置され、前記信号を処理する処理回路を有する処理回路部を有する請求項1から請求項のいずれか一項に記載の撮像装置。 The imaging chip includes a pixel unit in which a plurality of pixels that generate a signal by photoelectrically converted charges are arranged, and a processing circuit unit that is arranged outside the pixel unit and has a processing circuit that processes the signal. The imaging device according to any one of claims 1 to 7 . 前記基板は、前記信号を出力するための配線を有する請求項に記載の撮像装置。 The imaging apparatus according to claim 8 , wherein the substrate has a wiring for outputting the signal. 被写体を撮像する撮像チップと、
前記撮像チップが配置される第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面の端と前記第2面の端とに沿って形成される第3面と、を有する基板と、
前記第1面において前記撮像チップの外側に配置され、前記第1面に対向する第1領域と前記第1領域とは異なる第2領域とを有する第1部材と、
前記基板の前記第3面に接触するように配置された熱伝導性を有する第2部材と、
前記第1部材取り付けられ、前記第2部材に接触される第3部材と、
を備える撮像装置。
An imaging chip for imaging a subject;
A first surface on which the imaging chip is disposed; a second surface opposite to the first surface; a third surface formed along an end of the first surface and an end of the second surface; A substrate having,
A first member disposed outside the imaging chip on the first surface and having a first region facing the first surface and a second region different from the first region;
A second member having thermal conductivity arranged to contact the third surface of the substrate;
Wherein the first member is attached, and a third member to be contacted with said second member,
An imaging apparatus comprising:
前記第2部材は、前記第2領域に接触される請求項10に記載の撮像装置。 The imaging device according to claim 10 , wherein the second member is in contact with the second region. 前記第3部材は、前記第3面と対向する第3領域を有し、前記第2部材は、前記第3領域に接触するように配置されている請求項10又は請求項11に記載の撮像装置。 The imaging according to claim 10 or 11 , wherein the third member has a third region facing the third surface, and the second member is disposed so as to contact the third region. apparatus. 前記第3部材は、前記第2領域において前記第1部材取り付けられる請求項10から請求項12のいずれか一項に記載の撮像装置。 The third member, the imaging apparatus according to any one of claims 12 to claim 10, wherein the first member is attached in the second region. 前記基板は、前記撮像チップを駆動させるための電子部品が配置される請求項10から請求項13のいずれか一項に記載の撮像装置。 The substrate may imaging device according to any one of claims 13 claim 10, electronic components for driving the imaging chip is disposed. 前記基板は、前記第2面において前記電子部品が配置される請求項14に記載の撮像装置。 The imaging device according to claim 14 , wherein the electronic component is disposed on the second surface of the substrate. 前記電子部品は、能動素子を含む請求項14又は請求項15に記載の撮像装置。 The electronic components, an imaging apparatus according to claim 14 or claim 15 including active elements. 前記撮像チップは、光電変換された電荷により信号を生成する画素が複数配置される画素部と、前記画素部の外側に配置され、前記信号を処理する処理回路を有する処理回路部を有する請求項10から請求項16のいずれか一項に記載の撮像装置。 The imaging chip includes a pixel unit in which a plurality of pixels that generate a signal by photoelectrically converted charges are arranged, and a processing circuit unit that is arranged outside the pixel unit and has a processing circuit that processes the signal. The imaging device according to any one of claims 10 to 16 . 前記基板は、前記信号を出力するための配線を有する請求項17に記載の撮像装置。 The imaging device according to claim 17 , wherein the substrate has a wiring for outputting the signal. 前記第部材は、樹脂で構成されている請求項10から請求項18のいずれか一項に記載の撮像装置。 Said second member, the imaging apparatus according to any one of claims 18 claim 10 which is made of a resin.
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