JP2020025083A5 - - Google Patents
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Description
本開示の一の態様によれば、被処理体を載置する第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極とを有するプラズマ処理装置の制御方法であって、バイアスパワーを前記第１の電極へ供給する工程と、負の直流電圧を前記第２の電極に供給する工程と、を有し、前記負の直流電圧は、第１の電圧値をとる第１の状態と、絶対値が前記第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値をとる第２の状態とを周期的に繰り返し、前記第１の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、前記第２の状態を前記第１の状態と連続して印加する第１制御工程を含む、制御方法が提供される。
Claims (20)
- 被処理体を載置する第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極とを有するプラズマ処理装置の制御方法であって、
バイアスパワーを前記第１の電極へ供給する工程と、
負の直流電圧を前記第２の電極に供給する工程と、
を有し、
前記負の直流電圧は、第１の電圧値をとる第１の状態と、絶対値が前記第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値をとる第２の状態とを周期的に繰り返し、
前記第１の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、前記第２の状態を前記第１の状態と連続して印加する第１制御工程を含む、制御方法。 - 前記周期的に変動するパラメータは、電圧、電流、電磁界、発生したプラズマの発光の変化又は被処理体上のプラズマのシース厚の変化である、
請求項１に記載の制御方法。 - 前記部分期間は、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータが正のピークとなるタイミングを含む、
請求項１又は２のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止する第２制御工程をさらに含む、
請求項１～３のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止する第３制御工程を含む、
請求項１～４のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止する第２制御工程と、
前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止する第３制御工程とを含み、
前記第２制御工程と前記第３制御工程とは同期する、
請求項１～３のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記バイアスパワーは、サイン波形、パルス波形又はテイラード波形のパワーである、
請求項１～６のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第１の状態が２つ以上の電圧値をとる、
請求項１～７のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第２の状態が２つ以上の電圧値をとる、
請求項１～８のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第２の状態の電圧値は０である、
請求項１～９のいずれか一項に記載の制御方法。 - 被処理体を載置する第１の電極と、
前記第１の電極と対向する第２の電極と、
前記第１の電極にバイアスパワーを供給するバイアス電源と、
前記第２の電極に負の直流電圧を供給する直流電源と、
前記バイアスパワー及び前記直流電圧を制御する制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記負の直流電圧は、第１の電圧値をとる第１の状態と、絶対値が前記第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値をとる第２の状態とを周期的に繰り返し、
前記制御部は、
前記第１の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、前記第２の状態を前記第１の状態と連続して印加するように制御する、
プラズマ処理装置。 - 前記周期的に変動するパラメータは、電圧、電流、電磁界、発生したプラズマの発光の変化又は被処理体上のプラズマのシース厚の変化である、
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部分期間は、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータが正のピークとなるタイミングを含む、
請求項１１又は１２に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止する、
請求項１１～１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止する、
請求項１１～１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止し、
前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止し、
前記負の直流電圧を間欠的に停止することと、前記バイアスパワーを間欠的に停止することとは同期する、
請求項１１～１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バイアスパワーは、サイン波形、パルス波形又はテイラード波形のパワーである、
請求項１１～１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第１の状態が２つ以上の電圧値をとる、
請求項１１～１７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第２の状態が２つ以上の電圧値をとる、
請求項１１～１８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第２の状態の電圧値は０である、
請求項１１～１９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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