JP2020025083A - 制御方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、プラズマ処理装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図である。
制御部200の具体的構成について、図2Aを参照して説明する。制御部200は、プロセッサ100、信号発生回路102、方向性結合器105,108、電力メータ111、オシロスコープ112を有する。ただし、電力メータ111、オシロスコープ112、方向性結合器108は設けなくてもよい。
次に、本実施形態におけるDCの電圧の供給タイミングの効果について、図4及び図5を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る上部電極及び下部電極の電位とプラズマ電位の一例を示す図である。図5は、本実施形態に係る直流電圧の供給タイミングとその効果を説明するための図である。
以上に説明したように、一実施形態に係る平行平板型のプラズマ処理装置1の制御方法は、バイアスパワーを、ウェハWを載置する下部電極に供給する工程と、負の直流電圧を上部電極に供給する工程とを含む。該制御方法では、図3及び図5(b)に示すように、負の直流電圧は、第1の電圧値をとる第1の状態と、絶対値が前記第1の電圧値よりも小さい第2の電圧値をとる第2の状態とを有し、第1の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又はバイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、第2の状態を第1の状態と連続して印加する第1制御工程を含む。周期的に変動するパラメータは、電圧、電流、電磁界、発生したプラズマの発光の変化又はウェハ上のプラズマのシース厚の変化であってもよい。
次に、一実施形態の変形例1−1〜1−4に係るプラズマ処理装置1の制御方法について説明する。変形例1−1〜1−4では、バイアスパワーとDCの電圧とのいずれか又は両方を間欠的に停止する制御を行う。図6A〜図6Dは、一実施形態の変形例1−1〜1−4に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
次に、一実施形態の変形例2に係る制御方法について、図7を参照して説明する。図7は、一実施形態の変形例2に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
次に、一実施形態の変形例3−1、3−2に係る制御方法について、図8A及び図8Bを参照して説明する。図8Aは、一実施形態の変形例3−1に係る制御方法を示すタイミングチャートである。図8Bは、一実施形態の変形例3−2に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
変形例4では、DCの電圧の第1の状態が、2つ以上の電圧値を繰り返すパルス状の電圧値をとる。図9の例では、DCの電圧の第1の状態は、負の値の電圧値と0の電圧値とを繰り返す。ただし、これに限られず、3つの電圧値を繰り返す等、2つ以上の電圧値を繰り返してもよい。
バイアスパワーは、サイン波形又はパルス波形のパワーであってもよいし、テイラード波形のパワーであってもよい。つまり、バイアスの電圧又は電流は、サイン波形であってもよいし、LFパルス波形であってもよいし、図10に示すテイラード波形でもよい。テイラード波形では、図10に示すDCが第2の状態のときにバイアスのパワーを変調してもよいし、第1の状態のときにバイアスのパワーを変調してもよい。
制御部200の制御について付記する。
(付記1)
制御部200は、前記第1の状態の期間にソースパワーを供給してもよい。すなわち、ソースパワーは、互いに異なる電圧値をとる第1の状態と第2の状態とを有し、前記第1の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、第2の状態を前記第1の状態と連続して印加してもよい。
(付記2)
制御部200は、前記電極電位が正のタイミングにソースパワー及び負の直流電圧の少なくともいずれかを供給してもよい。
16…載置台(下部電極)
34…上部電極
47…給電棒
46…整合器
48…第1の高周波電源
50…可変直流電源
66…処理ガス供給源
84…排気装置
88…整合器
89…給電棒
90…第2の高周波電源
91…GNDブロック
100…プロセッサ
102…信号発生回路
200…制御部
Claims (12)
- 被処理体を載置する第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極とを有するプラズマ処理装置の制御方法であって、
バイアスパワーを前記第1の電極へ供給する工程と、
負の直流電圧を前記第2の電極に供給する工程と、
を有し、
前記負の直流電圧は、第1の電圧値をとる第1の状態と、絶対値が前記第1の電圧値よりも小さい第2の電圧値をとる第2の状態とを周期的に繰り返し、
前記第1の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、前記第2の状態を前記第1の状態と連続して印加する第1制御工程を含む、制御方法。 - 前記周期的に変動するパラメータは、電圧、電流、電磁界、発生したプラズマの発光の変化又は被処理体上のプラズマのシース厚の変化である、
請求項1に記載の制御方法。 - 前記部分期間は、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータが正のピークとなるタイミングを含む、
請求項1又は2のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止する第2制御工程をさらに含む、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止する第3制御工程を含む、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記負の直流電圧を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータの周期とは独立した周期で間欠的に停止する第2制御工程と、
前記バイアスパワーを前記負の直流電圧の周期とは独立した周期で間欠的に停止する第3制御工程とを含み、
前記第2制御工程と前記第3制御工程とは同期する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記バイアスパワーは、サイン波形、パルス波形又はテイラード波形のパワーである、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第1の状態が2つ以上の電圧値をとる、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第2の状態が2つ以上の電圧値をとる、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の制御方法。 - 前記第2の状態の電圧値は0である、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の制御方法。 - 被処理体を載置する第1の電極と、
前記第1の電極と対向する第2の電極と、
前記第1の電極にバイアスパワーを供給するバイアス電源と、
前記第2の電極に負の直流電圧を供給する直流電源と、
前記バイアスパワー及び前記直流電圧を制御する制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記負の直流電圧は、第1の電圧値をとる第1の状態と、絶対値が前記第1の電圧値よりも小さい第2の電圧値をとる第2の状態とを周期的に繰り返し、
前記制御部は、
前記第1の状態を、前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号の各周期内の部分期間、又は前記バイアスパワーの伝達経路で測定された、周期的に変動するパラメータの各周期内の部分期間に印加し、前記第2の状態を前記第1の状態と連続して印加するように制御する、
プラズマ処理装置。 - 前記制御部が、
前記バイアスパワーの高周波の周期に同期する信号又は前記周期的に変動するパラメータに同期する同期信号を作成し、該同期信号から前記直流電圧を出力する直流電源用の制御信号を生成し、前記直流電源に送信する、
請求項11に記載のプラズマ処理装置。
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US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
JP2022117669A (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ回路及びプラズマ処理装置 |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010192668A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
WO2013018776A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
WO2013046640A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20160064194A1 (en) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Ken Tokashiki | Semiconductor fabricating apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same |
JP2016066593A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2017212361A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びパーティクル付着抑制方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2869384B2 (ja) * | 1995-06-30 | 1999-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
CN1178392A (zh) * | 1996-09-19 | 1998-04-08 | 株式会社日立制作所 | 静电吸盘和应用了静电吸盘的样品处理方法及装置 |
JP4672455B2 (ja) | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4672456B2 (ja) | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4704087B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5213496B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP5221403B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体 |
US8383001B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium |
JP5496568B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20120022251A (ko) * | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
KR102038649B1 (ko) * | 2012-02-20 | 2019-10-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 전원 시스템, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 |
US10081869B2 (en) * | 2014-06-10 | 2018-09-25 | Lam Research Corporation | Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates |
US10115567B2 (en) * | 2014-09-17 | 2018-10-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP6424120B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法 |
JP6479698B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2019-03-06 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US10672589B2 (en) * | 2018-10-10 | 2020-06-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and control method |
JP7345382B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
JP7158308B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2019
- 2019-06-10 JP JP2019108223A patent/JP7306886B2/ja active Active
- 2019-07-17 KR KR1020207025237A patent/KR20210035072A/ko active Search and Examination
- 2019-07-17 US US16/978,193 patent/US11764082B2/en active Active
- 2019-07-17 CN CN201980017608.6A patent/CN111819664B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010192668A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
WO2013018776A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
WO2013046640A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20160064194A1 (en) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Ken Tokashiki | Semiconductor fabricating apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same |
JP2016066593A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2017212361A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びパーティクル付着抑制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111819664B (zh) | 2024-04-12 |
US11764082B2 (en) | 2023-09-19 |
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