JP2020022163A5 - 電力増幅器システム、電力増幅器段の利得を調整する方法、及び携帯デバイス - Google Patents

Claims (20)

1. 電力増幅器システムであって、
   バイアス電圧を受けてバイアス信号を生成するべく構成されたバイアス回路と、
   入力無線周波数信号を受信して出力無線周波数信号を生成するべく構成された電力増幅器段と、
   前記バイアス回路と前記電力増幅器段との間に動作可能に結合されたバイアスインピーダンスコンポーネントと
   を含み、
   前記バイアスインピーダンスコンポーネントはトランジスタを含み、
   前記トランジスタは、制御信号を受信し、前記制御信号に応答して前記トランジスタのインピーダンス値を調整するべく構成され、
   前記バイアスインピーダンスコンポーネントは、前記トランジスタのインピーダンス値を適用して前記電力増幅器段にバイアスを印加するように構成され、
   前記制御信号は、前記バイアス回路から独立して受信される、電力増幅器システム。
2. 前記制御信号は、前記トランジスタのトライオード領域内で前記トランジスタを動作させるべく構成された電圧を有する、請求項１の電力増幅器システム。
3. 前記トランジスタは電界効果トランジスタを含み、
   前記電力増幅器段は、前記入力無線周波数信号を増幅させるべく構成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む、請求項２の電力増幅器システム。
4. 前記電界効果トランジスタ及び前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、単数の半導体ダイ上に作製される、請求項３の電力増幅器システム。
5. 前記トランジスタのインピーダンス値は、前記電力増幅器段の利得の変動が０ｄＢ／ｄｍから一定しきい値未満となるように選択される、請求項１の電力増幅器システム。
6. 前記バイアス電圧を受けて付加バイアス信号を生成するべく構成された付加バイアス回路と、
   前記電力増幅器段から前記出力無線周波数信号を受信して付加無線周波数出力信号を生成するべく構成された付加電力増幅器段と、
   前記付加バイアス回路と前記付加電力増幅器段との間に動作可能に結合された付加バイアスインピーダンスコンポーネントと
   をさらに含み、
   前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントは、付加制御信号を受信し、前記付加制御信号に応答して前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントのインピーダンス値を調整するべく構成される、請求項１の電力増幅器システム。
7. 前記トランジスタのインピーダンス値と前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントのインピーダンス値とは、前記電力増幅器段及び前記付加電力増幅器段の全体的な利得の変動が０ｄＢ／ｄｍから一定しきい値未満となるように選択される、請求項６の電力増幅器システム。
8. 前記バイアスインピーダンスコンポーネントと前記電力増幅器段との間に動作可能に結合された付加バイアスインピーダンスコンポーネントをさらに含み、
   前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントは、前記制御信号を受信し、前記制御信号に応答して前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントのインピーダンス値を調整するべく構成される、請求項１の電力増幅器システム。
9. 前記電力増幅器段は、第１電流を有する前記出力無線周波数信号を生成するべく構成され、
   前記バイアス回路は、前記第１電流をミラーリングする第２電流を有する前記バイアス信号を生成するべく構成される、請求項１の電力増幅器システム。
10. 電力増幅器段の利得を調整する方法であって、
    バイアス回路においてバイアス電圧を受けることと、
    前記バイアス回路によって、前記バイアス電圧に基づくバイアス信号を生成することと、
    バイアスインピーダンスコンポーネントにおいて、前記バイアス電圧及び制御信号を受信することであって、前記バイアスインピーダンスコンポーネントはトランジスタを含み、前記制御信号は前記バイアス回路から独立して受信されることと、
    前記バイアスインピーダンスコンポーネントにおいて、受信した前記制御信号に基づいて前記トランジスタのインピーダンス値を調整することと、
    前記トランジスタのインピーダンス値を前記バイアス電圧に適用することと、
    電力増幅器段において、入力無線周波数信号と、前記バイアスインピーダンスコンポーネントからのバイアス電圧とを受けることと、
    前記入力無線周波数信号と前記バイアス電圧とに基づいて出力無線周波数信号を生成することと
    を含む、方法。
11. 前記制御信号は、トライオードにおけるトランジスタとともに動作するべく構成された電圧を有する、請求項１０の方法。
12. 前記トランジスタは電界効果トランジスタを含み、
    前記電力増幅器段はヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、
    前記方法はさらに、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて前記入力無線周波数信号を増幅することを含む、請求項１１の方法。
13. 前記電界効果トランジスタ及び前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、単数の半導体ダイ上に作製される、請求項１２の方法。
14. 前記電力増幅器段の利得の変動が０ｄＢ／ｄｍから一定しきい値未満となるように前記トランジスタのインピーダンス値をもたらすべく、前記制御信号の電圧を選択することをさらに含む、請求項１０の方法。
15. 付加バイアスインピーダンスコンポーネントにおいて、前記バイアスインピーダンスコンポーネントからのバイアス電圧と前記制御信号とを受けることと、
    前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントにおいて、受信した前記制御信号に基づいて前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントのインピーダンス値を調整することと
    をさらに含み、
    前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントは、前記バイアスインピーダンスコンポーネントと前記電力増幅器段との間に動作可能に結合される、請求項１０の方法。
16. 携帯デバイスであって、
    入力無線周波数信号を増幅して出力無線周波数信号を生成するべく構成された電力増幅器と、
    前記出力無線周波数信号に基づいて無線周波数送信信号を生成するべく構成された変調器と
    を含み、
    前記電力増幅器は、
    バイアス電圧を受けてバイアス信号を生成するべく構成されたバイアス回路と、
    前記入力無線周波数信号を受信して前記出力無線周波数信号を生成するべく構成された電力増幅器段と、
    前記バイアス回路と前記電力増幅器段との間に動作可能に結合されたバイアスインピーダンスコンポーネントと
    を含み、
    前記バイアスインピーダンスコンポーネントはトランジスタを含み、
    前記トランジスタは、制御信号を受信し、前記制御信号に応答して前記トランジスタのインピーダンス値を調整するべく構成され、
    前記バイアスインピーダンスコンポーネントは、前記トランジスタのインピーダンス値を適用して前記電力増幅器段にバイアスを印加するように構成され、
    前記制御信号は、前記バイアス回路から独立して受信され、
    前記電力増幅器はさらに、前記バイアスインピーダンスコンポーネントと前記電力増幅器段との間に動作可能に結合された付加バイアスインピーダンスコンポーネントを含み、
    前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントは、前記制御信号を受信し、前記制御信号に応答して前記付加バイアスインピーダンスコンポーネントのインピーダンス値を調整するべく構成される、携帯デバイス。
17. 前記制御信号は、前記トランジスタのトライオード領域内で前記トランジスタとともに動作するべく構成された電圧を有する、請求項１６の携帯デバイス。
18. 前記トランジスタは電界効果トランジスタを含み、
    前記電力増幅器は、前記入力無線周波数信号を増幅させるべく構成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む、請求項１７の携帯デバイス。
19. 前記電界効果トランジスタ及び前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、単数の半導体ダイ上に作製される、請求項１８の携帯デバイス。
20. 前記トランジスタのインピーダンス値は、前記電力増幅器段の利得の変動が０ｄＢ／ｄｍから一定しきい値未満となるように選択される、請求項１６の携帯デバイス。