CN113037222A - 一种偏置电路及放大器 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种偏置电路及放大器，该偏置电路包括：镜像电流源和电流电压转换器；镜像电流源的第一端与供电电压端连接；镜像电流源的第二端与参考电压端连接；镜像电流源的第三端与电流电压转换器连接；镜像电流源，用于通过第一端获取供电电压端传输的供电电压，通过第二端获取参考电压端传输的参考电压，并利用参考电压和预设参数对供电电压进行调整，得到与供电电压对应的镜像电流；预设参数为镜像电流源的参数信息；电流电压转化器，用于将镜像电流转化为电压，以基于电压提供偏置电压。

Description

一种偏置电路及放大器
技术领域
本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种偏置电路及放大器。
背景技术
在放大器工作在高线性模式(4G长期演进(Long Term Evolution，LTE)/5G新空口(New Radio，NR))的情况下，放大器的增益需要随着输入功率不断增大尽量保持不变。在放大器增益变化较小的情况下，输出功率会随着输入功率的增加或者减少呈线性变化，因此放大器有着较高的线性度。
现有技术中，当放大器的供电电压给定时，可以利用偏置电路向放大器中的晶体管提供一个偏置电压，使得在该供电电压下，该放大器的输出功率线性度有着比较好的性能。但根据第三代合作伙伴计划(Third Generation PartnershipProject，3GPP)协议，除了常规供电电压为3.5V，该放大器还需要工作在供电电压为低压3V，高压4.6V的情况下，如此偏置电路提供的偏置电压无法满足放大器中的晶体管偏置性能的需求，使得提供的偏置电压的准确性降低。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请实施例期望提供一种偏置电路及放大器，提高了提供的偏置电压的准确性。
本申请的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供一种偏置电路，所述偏置电路包括：
镜像电流源和电流电压转换器；
所述镜像电流源的第一端与供电电压端连接；
所述镜像电流源的第二端与参考电压端连接；
所述镜像电流源的第三端与所述电流电压转换器连接；
所述镜像电流源，用于通过所述第一端获取所述供电电压端传输的供电电压，通过所述第二端获取所述参考电压端传输的参考电压，并利用所述参考电压和预设参数对所述供电电压进行调整，得到与所述供电电压对应的镜像电流；所述预设参数为所述镜像电流源的参数信息；
所述电流电压转化器，用于将所述镜像电流转化为电压，以基于所述电压提供偏置电压。
本申请实施例提供一种放大器，所述放大器包括：
偏置电流固定器、第一放大晶体管、第二放大晶体管和如权利要求1至8任一项所述的偏置电路；
所述偏置电流固定器的输出端和信号输入端分别与所述第一放大晶体管的第一端连接；
所述偏置电路的输出端与所述第二放大晶体管的第一端连接；
所述第一放大晶体管的第二端与所述第二放大晶体管的第二端连接；
所述第二放大晶体管的第三端分别与供电电压端和信号输出端连接；
所述偏置电流固定器用于固定所述第一放大晶体管中的电流；
所述偏置电路用于向所述第二放大晶体管提供偏置电压；
所述第一放大晶体管，用于对从信号输入端获取到的输入信号进行放大处理，得到放大信号，并将所述放大信号传输至所述第二放大晶体管的第二端；
所述第二放大晶体管，用于对所述放大信号进行放大处理，得到所述输出信号，并通过所述信号输出端输出所述输出信号。
本申请实施例提供了一种偏置电路及放大器，该偏置电路包括：镜像电流源和电流电压转换器；镜像电流源的第一端与供电电压端连接；镜像电流源的第二端与参考电压端连接；镜像电流源的第三端与电流电压转换器连接；镜像电流源，用于通过第一端获取供电电压端传输的供电电压，通过第二端获取参考电压端传输的参考电压，并利用参考电压和预设参数对供电电压进行调整，得到与供电电压对应的镜像电流；预设参数为镜像电流源的参数信息；电流电压转化器，用于将镜像电流转化为电压，以基于电压提供偏置电压。采用上述偏置电路的实现方案，利用镜像电流源分别与供电电压端、参考电压端和电流电压转化器连接，以根据利用参考电压和预设参数对供电电压进行调整，得到与供电电压对应的镜像电流，并利用电流电压转化器将该镜像电流转化为电压，使得偏置电路可以基于该电压来提供偏置电压，由于参考电压和预设参数均为定值，提供的偏置电压可随供电电压的升高而升高，可随供电电压的降低而降低，提高了提供的偏置电压的准确性。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种现有技术中的放大器的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种示例性的不同供电电压下一般功率放大器对应的输出1dB压缩点示意图；
图3为本申请实施例提供的一种偏置电路组成结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种示例性的偏置电路组成结构示意图；
图5(a)为本申请实施例提供的一种示例性的第二镜像电流与供电电压之间的关系示意图；
图5(b)为本申请实施例提供的一种示例性的电压输出端输出的电压与供电电压之间的关系示意图；
图6为本申请实施例提供的一种示例性的放大器的组成结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种放大器的组成结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种示例性的供电电压、参考电压和电压之间的关系示意图；
图9为本申请实施例提供的一种示例性的放大器结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在功率放大器工作在高线性模式(4G LTE/5G NR)的情况下，放大器的功率增益需要在输入功率逐渐增大的情况下尽量保持不变，使得该增益为一个定值。但在实际操作中，放大器的增益不可能一直为一个定值，在放大器的输入功率不断增大的情况下，放大器的增益将逐渐减小，当放大器增益变化较小时，输出功率会随着输入功率的增减线性变化，因此放大器有着较高的线性度。在金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)制作的功率放大器电路中，由于耐压的需求，一般都会使用共源共栅(Cascode)结构。该结构如图1所示，一般由晶体管M1和M2、反馈电容C1、射频电感L2、偏置电路(VG1)、偏置电路(VG2)、低通滤波器、输入端RF_输入和输出端RF_输出组成。
需要说明的是，放大器有一个线性动态范围，在这个范围内，放大器的输出功率随输入功率进行线性增加。随着输入功率的继续增加，放大器进入非线性区，其输出功率不再随输入功率的增加而线性增加，也就是说，其输出功率低于小信号增益所预计的值。通常把增益下降到比线性增益低1dB时的输出功率值定义为输出功率的1dB压缩点，用P1dB表示，即1分贝压缩输出功率(P1dB)。
需要说明的是，功率放大器的线性度主要是指增益线性度，即在功率放大器输出功率达到1dB压缩点的情况下，所对应的功率放大器的输出功率(P1dB)。
还需要说明的是，其他指标不变的情况下，P1dB越高越好。
目前，在现有的Cascode结构功率放大器中，当供电电压VDD给定时，偏置电路VG1可以向晶体管M1的栅极一个固定偏置电压，偏置电路VG2可以向晶体管M2的栅极一个固定偏置电压。使得在该VDD电压下，该功率放大器的输出功率线性度有着比较好的性能。但根据3GPP协议，除了常规电压供电电压VDD为3.5V，该功率放大器还需要工作在供电电压VDD为低压3V，高压4.6V的情况下。
在供电电压VDD为低压的情况下，由于VG1和VG2不变，因此放大器的偏置电流几乎不变，使得晶体管M2的栅源电压VGS变化很小，因此M2的源漏电压VDS降低的电压约等于VDD减小的电压，因此在输入信号变大的情况下晶体管M2会提前进入三极管区，导致输出功率提前进入1dB压缩点，使得增益线性度下降。
在供电电压VDD为高压的情况下，由于VG1和VG2不变，因此放大器的偏置电流几乎不变，使得晶体管M1的源漏电压VDS几乎不变，因此晶体管M1的交流摆幅不变，由于VDD较高，放大器的输入信号RF_输入也会变大，因此，晶体管M1会较早饱和，导致输出功率的1dB压缩点提升有限。
对于固定VG1和VG2的一般功率放大器来说，常压3.5V，高压4.6V，低压3V，对应的1dB压缩点的输出功率如图2所示，在供电电压为3.5V的情况下，1dB压缩点的输出功率为B位置处的功率；在供电电压为3V的情况下，1dB压缩点的输出功率为A位置处的功率，小于B位置处的功率；在供电电压为4.6V的情况下，1dB压缩点的输出功率为C位置处的功率，大于B位置处的功率。
对于现有技术中存在的问题，具体可通过以下实施例进行解决。
本申请的一种实施例提供一种偏置电路1，如图3所示，该偏置电路1包括：
镜像电流源11和电流电压转换器12；
所述镜像电流源11的第一端与供电电压端连接；
所述镜像电流源11的第二端与参考电压端连接；
所述镜像电流源11的第三端与所述电流电压转换器12连接；
所述镜像电流源11，用于通过所述第一端获取所述供电电压端传输的供电电压，通过所述第二端获取所述参考电压端传输的参考电压，并利用所述参考电压和预设参数对所述供电电压进行调整，得到与所述供电电压对应的镜像电流；所述预设参数为所述镜像电流源的参数信息；
所述电流电压转化器12，用于将所述镜像电流转化为电压，以基于所述电压提供偏置电压。
本申请实施例提供的一种偏置电路适用于产生偏置电压的场景下。
在本申请实施例中，供电电压端，用于为偏置电路提供供电电压，该供电电压可以为3.5V，也可以为3V，还可以4.6V，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，参考电压端用于给偏置电路提供参考电压，该参考电压可以为3.5V，还可以为其他数值，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，电流电压转化器具体可以为数字模拟转换器(Digitaltoanalog converter，DAC)，也可以为其他的将电流转换为电压的转换器，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，预设参数为所述镜像电流源的参数信息。
在本申请实施例中，镜像电流源可以为利用晶体管搭建的电流源，也可以为利用三极管搭建的电流源，还可以为其他器件搭建的电流源，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具体的晶体管可以为C-MOS晶体管，也可以为P-MOS晶体管，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，在偏置电路应用于放大器中，为放大器中的晶体管提供偏置电压的情况下，偏置电路中的供电电压端与放大器中的供电电压端为同一供电电压端。
可选的，如图4所示，镜像电流源11包括第一镜像电流源111和第二镜像电流源112；
所述第一镜像电流源111的第一输入端与所述供电电压端连接；
所述第一镜像电流源111的第二输入端与所述参考电压端连接；
所述第一镜像电流源111的输出端与所述第二镜像电流源112的输入端连接；
所述第二镜像电流源112的输出端与所述电流电压转换器12连接；
所述第一镜像电流源111，用于利用所述参考电压和第一参数对所述供电电压进行调整，产生第一镜像电流；所述第一参数为所述第一镜像电流源的参数信息，为所述预设参数中的部分参数；
所述第二镜像电流源112，用于根据所述第一镜像电流和正相关系数，得到与所述第一镜像电流正相关的第二镜像电流；所述正相关系数为根据所述第二镜像电流源的参数得到的系数；所述第二镜像电流源的参数为所述预设参数中除所述第一参数外的参数。
需要说明的是，图4中的电流i1即为第一镜像电流。
在本申请实施例中，根据第一镜像电流(i1)和正相关系数可以先得到正相关电流(图4中的电流i2)，之后再根据正相关电流和第三固定电流源133中的电流，就可以得到第二镜像电流(图4中的电流I输出)。
可选的，如图4所示，所述第一镜像电流源111包括第一晶体管1111，所述第二镜像电流源112包括第二晶体管1121；
所述第一晶体管1111的第一漏极与所述第二晶体管1121的第二漏极连接；
所述第二晶体管1121，用于从所述第一漏极处获取所述第一镜像电流。
可选的，如图4所示，所述偏置电路1还包括第一镜像电流源111还包括第三晶体管1112；
所述第一晶体管1111的栅极与所述第三晶体管1112的栅极连接；
所述第一晶体管1111的源极通过第一上拉电阻1113与所述参考电压端连接；
所述第三晶体管1112的源级通过第二上拉电阻1114与所述供电电压端连接；
所述第三晶体管1112的漏极与所述第三晶体管1112的栅极连接；
所述第一晶体管1111的源极，用于通过所述第一上拉电阻1113从所述供电电压端获取供电电压；
所述第三晶体管1112的源级，用于通过所述第二上拉电阻1114从所述参考电压端获取参考电压；
所述第一镜像电流源111，用于利用所述参考电压、所述第一参数、所述第一上拉电阻1113和所述第二上拉电阻1114对所述供电电压进行调整，得到所述第一镜像电流。
可选的，如图4所示，所述第二镜像电流源112还包括第四晶体管1122；
所述第二晶体管1121的栅极与所述第四晶体管1122的栅极连接；
所述第二晶体管1121的栅极与所述第二晶体管1121的第二漏极连接；
所述第二晶体管1121的源极与所述第四晶体管1122的源极连接；
所述第二镜像电流源112，用于利用所述正相关系数对所述第一镜像电流进行调整，得到所述第二镜像电流。
在本申请实施例中，可以根据第一镜像电流与正相关系数之间的乘积，得到正相关电流(i2)，之后再根据正相关电流和第三固定电流源133中的电流之间的差值，就可以得到第二镜像电流(I输出)。
可选的，如图4所示，所述偏置电路1还包括固定电流源13；所述固定电流源13包括第一固定电流源131、第二固定电流源132和第三固定电流源133；
所述第三晶体管1112的漏极通过所述第一固定电流源131与所述第二晶体管1121的源极连接；
第四晶体管1122的源极通过所述第二固定电流源132与所述电流电压转换器12的第二端连接；
所述供电电压端通过所述第三固定电流源133分别与所述电流电压转化器12的第一端和所述第四晶体管1122的漏极连接。
可选的，如图4所示，所述第一晶体管1111为与第三晶体管1112相同的晶体管；所述第二晶体管1121为与第四晶体管1122相同的晶体管。
在本申请实施例中，第一晶体管和第三晶体管可以都为C-MOS晶体管，也可以都为P-MOS晶体管，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，第二晶体管和第四晶体管可以都为C-MOS晶体管，也可以都为P-MOS晶体管，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
可选的，所述电流电压转换器12包括数模转换器。
需要说明的是，数模转换器具体为DAC转换器。
在本申请实施例中，图4为偏置电路的简化图，在图4中的参考电压为3.5V，在供电电压为3.5V的情况下，电压输出端可以输出准确的偏置电压，在供电电压升高的情况下，电流i1升高，流经晶体管1121的电流增加，因此晶体管1121的栅源电压VGS升高，又因为晶体管1121和1122的栅源电压相同，因此流经晶体管1122的电流i2增大。因为电流i2是由I输出和固定电流133相加而成，因此I输出会增大，增大的I输出会经过电流电压转换器进行电流(I)到电压(V)的转换，因此电压输出端的电压增大。在供电电压降低的情况下，i1会减小，因此流过晶体管1122的i2也会减小，由于固定电流133不变，因此I输出会减小，通过电流电压转换器转换并通过输出端输出的电压就减小。
在本申请实施例中，第二镜像电流(I输出)和电压输出端输出的电压(VG2)随着供电电压(VDD)的变化而变化的趋势如图5所示：在图5(a)中，VDD与I输出之间呈线性关系，在VDD减小的情况下I输出也减小，在VDD增大的情况下I输出也增大，在VDD与参考电压(Vref)相同的情况下I输出为0。在图5(b)中，VDD与VG2之间也呈线性关系，在VDD减小的情况下VG2也减小，在VDD增加的情况下VG2也增加。
在本申请实施例中，正相关电流(i2)等于第三固定电流源133中的电流与第二镜像电流(I输出)的和，由于第三固定电流源133中的电流为定值，该电流不变，则正相关电流(i2)的变化量就等于第二镜像电流(I输出)的变化量。
在本申请实施例中，第一镜像电流(i1)与正相关电流(i2)相同，则第一镜像电流(i1)的变化量与正相关电流(i2)的变化量相同，第一镜像电流(i1)的变化量约为供电电压与参考电压之间的差值除以1113处的电阻的阻值，则第二镜像电流(I输出)的变化量和正相关电流(i2)的变化量也为供电电压与参考电压之间的差值除以1113处的电阻的阻值，即I输出与VDD之间呈线性关系。
在本申请实施例中，电流电压转换器可以根据转换系数将第二镜像电流转化为电压，而转换系数为常数，故VDD与VG2之间也呈线性关系。
可以理解的是，利用镜像电流源分别与供电电压端、参考电压端和电流电压转化器连接，以根据利用参考电压和预设参数对供电电压进行调整，得到与供电电压对应的镜像电流，并利用电流电压转化器将该镜像电流转化为电压，使得偏置电路可以基于该电压来提供偏置电压，由于参考电压和预设参数均为定值，提供的偏置电压可随供电电压的升高而升高，可随供电电压的降低而降低，提高了提供的偏置电压的准确性。
本申请的另一种实施例提供一种放大器，如图6所示，该放大器2包括：
偏置电流固定器21、第一放大晶体管22、第二放大晶体管23和本申请实施例一所述的偏置电路1；
所述偏置电流固定器21的输出端和信号输入端分别与所述第一放大晶体管22的第一端连接；
所述偏置电路1的输出端与所述第二放大晶体管23的第一端连接；
所述第一放大晶体管22的第二端与所述第二放大晶体管23的第二端连接；
所述第二放大晶体管23的第三端分别与供电电压端和信号输出端连接；
所述偏置电流固定器21，用于固定所述第一放大晶体管22中的电流；
所述偏置电路1，用于向所述第二放大晶体管23提供偏置电压；
所述第一放大晶体管22，用于对从信号输入端获取到的输入信号进行放大处理，得到放大信号，并将所述放大信号传输至所述第二放大晶体管23的第二端；
所述第二放大晶体管23，用于对所述放大信号进行放大处理，得到所述输出信号，并通过所述信号输出端输出所述输出信号。
本申请实施例提供的一种放大器适用于利用偏置电路提供偏置电压的场景下。
在本申请实施例中，放大器还包括低通滤波器、电感和电容等，具体的可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，放大器中的第一放大晶体管和第二放大晶体管的数量可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，放大器中的低通滤波器的数量与第一放大晶体管和第二放大晶体管的总数量相同。
示例性的，放大器如图7所示，VDD通过电感L2为放大器提供供电电压，M1和M2为晶体管，RF_输入为放大器的输入端，放大器对输入的信号放大后，通过电容C传输至RF_输出端进行输出，偏置电流固定器(VG1偏置电路)输出的偏置电压通过低通滤波器进行滤波后传输至M1晶体管(第一放大晶体管)中，为M1晶体管提供偏置电压；偏置电路(VG2偏置电路)输出的偏置电压通过低通滤波器进行滤波及电容C1后传输至M2晶体管(第二放大晶体管)中，为M2晶体管提供偏置电压；偏置电路提供的偏置电压可随VDD的改变而改变，以在VDD改变的情况下，为级联的晶体管提供合适的偏置电压。
可选的，所述放大器2包括共源共栅放大器和/或多级晶体管级联结构的放大器。
在本申请实施例中，放大器可以为共源共栅放大器，放大器也可以为多级晶体管级联结构的放大器，放大器还可以为利用三极管搭建的放大电路，具体的可根据实际情况进行确定。
示例性的，通过多次试验，放大器中使用了实施例一中的偏置电路之后，放大器的线性度有了明显提升，输出功率的1dB压缩点有了提高。如图8中虚线所示，使用了上述偏置电路后，在放大器的供电电压VDD为3V的情况下，包含偏置电路的放大器的输出功率相较于现有的技术中，1dB压缩点的功率增加；在放大器的供电电压VDD为4.6V的情况下，包含偏置电路的放大器的输出功率相较于现有的技术中，1dB压缩点的功率也增加了，并且VDD为4.6V时的增加幅度大于VDD为3V时的增加幅度，故放大器的输出功率相比于现有技术，本申请中的放大器1dB压缩点的功率均有所提升。
在本申请实施例中，若放大器为多级晶体管级联结构的放大器，则放大器的电路结构图如图9所示，VDD通过电感L2为放大器提供供电电压，M1、M2、....Mn为级联的晶体管，RF_输入为放大器的输入端，放大器对输入的信号放大后，通过电容C传输至RF_输出端进行输出，偏置电流固定器(VG1偏置电路)输出的偏置电压通过低通滤波器进行滤波后传输至M1晶体管中，为M1晶体管提供偏置电压；VG2偏置电路输出的偏置电压通过低通滤波器进行滤波及电容C1后传输至M2晶体管中，为M2晶体管提供偏置电压；....；VGn偏置电路输出的偏置电压通过低通滤波器进行滤波及电容Cn后传输至Mn晶体管中，为Mn晶体管提供偏置电压，其中VG2偏置电路、…VGn偏置电路为本申请实施例1提供的偏置电路，该偏置电路提供的偏置电压可随VDD的改变而改变，以在VDD改变的情况下，为级联的晶体管提供合适的偏置电压。
在本申请实施例中，相对于现有技术中的固定VG2偏置的电路结构来说，本申请中的放大器不但保证了正常供电电压(3.5V)下的输出功率线性度，还能有效提高供电电压升高或者降低时的功率放大器的输出功率线性度。且该偏置电路不仅可以用在cascode结构功率放大器中，还可以用在多级晶体管Stack结构的功率放大器中(如图9所示的放大器中)，该偏置电路可以有效提高功率放大器的输出线性度。
可以理解的是，通过将偏置电路的输出端与第二放大晶体管的第一端连接，第二放大晶体管的第三端与供电电压端连接，使得在供电电压改变的情况下，偏置电路可以根据改变后的供电电压为第二放大晶体管提供准确的偏置电压，从而提高了放大器的线性度。
以上所述，仅为本申请的较佳实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用硬件实施例、软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅为本申请的较佳实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括：
镜像电流源和电流电压转换器；
所述镜像电流源的第一端与供电电压端连接；
所述镜像电流源的第二端与参考电压端连接；
所述镜像电流源的第三端与所述电流电压转换器连接；
所述镜像电流源，用于通过所述第一端获取所述供电电压端传输的供电电压，通过所述第二端获取所述参考电压端传输的参考电压，并利用所述参考电压和预设参数对所述供电电压进行调整，得到与所述供电电压对应的镜像电流；所述预设参数为所述镜像电流源的参数信息；
所述电流电压转化器，用于将所述镜像电流转化为电压，以基于所述电压提供偏置电压。
2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述镜像电流源包括第一镜像电流源和第二镜像电流源；
所述第一镜像电流源的第一输入端与所述供电电压端连接；
所述第一镜像电流源的第二输入端与所述参考电压端连接；
所述第一镜像电流源的输出端与所述第二镜像电流源的输入端连接；
所述第二镜像电流源的输出端与所述电流电压转换器连接；
所述第一镜像电流源，用于利用所述参考电压和第一参数对所述供电电压进行调整，产生第一镜像电流；所述第一参数为所述第一镜像电流源的参数信息，为所述预设参数中的部分参数；
所述第二镜像电流源，用于根据所述第一镜像电流和正相关系数，得到与所述第一镜像电流正相关的第二镜像电流；所述正相关系数为根据所述第二镜像电流源的参数得到的系数；所述第二镜像电流源的参数为所述预设参数中除所述第一参数外的参数。
3.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述第一镜像电流源包括第一晶体管，所述第二镜像电流源包括第二晶体管；
所述第一晶体管的第一漏极与所述第二晶体管的第二漏极连接；
所述第二晶体管，用于从所述第一漏极处获取所述第一镜像电流。
4.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第一镜像电流源还包括第三晶体管；
所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接；
所述第一晶体管的源极通过第一上拉电阻与所述参考电压端连接；
所述第三晶体管的源级通过第二上拉电阻与所述供电电压端连接；
所述第三晶体管的漏极与所述第三晶体管的栅极连接；
所述第一晶体管的源极，用于通过所述第一上拉电阻从所述供电电压端获取供电电压；
所述第三晶体管的源级，用于通过所述第二上拉电阻从所述参考电压端获取参考电压；
所述第一镜像电流源，用于利用所述参考电压、所述第一参数、所述第一上拉电阻和所述第二上拉电阻对所述供电电压进行调整，得到所述第一镜像电流。
5.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第二镜像电流源还包括第四晶体管；
所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极连接；
所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第二漏极连接；
所述第二晶体管的源极与所述第四晶体管的源极连接；
所述第二镜像电流源，用于利用所述正相关系数对所述第一镜像电流进行调整，得到所述第二镜像电流。
6.根据权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路还包括固定电流源；所述固定电流源包括第一固定电流源、第二固定电流源和第三固定电流源；
所述第三晶体管的漏极通过所述第一固定电流源与所述第二晶体管的源极连接；
第四晶体管的源极通过所述第二固定电流源与所述电流电压转换器的第二端连接；
所述供电电压端通过所述第三固定电流源分别与所述电流电压转化器的第一端和所述第四晶体管的漏极连接。
7.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第一晶体管为与第三晶体管相同的晶体管；所述第二晶体管为与第四晶体管相同的晶体管。
8.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述电流电压转换器包括数模转换器。
9.一种放大器，其特征在于，所述放大器包括：
偏置电流固定器、第一放大晶体管、第二放大晶体管和如权利要求1至8任一项所述的偏置电路；
所述偏置电流固定器的输出端和信号输入端分别与所述第一放大晶体管的第一端连接；
所述偏置电路的输出端与所述第二放大晶体管的第一端连接；
所述第一放大晶体管的第二端与所述第二放大晶体管的第二端连接；
所述第二放大晶体管的第三端分别与供电电压端和信号输出端连接；
所述偏置电流固定器，用于固定所述第一放大晶体管中的电流；
所述偏置电路，用于向所述第二放大晶体管提供偏置电压；
所述第一放大晶体管，用于对从信号输入端获取到的输入信号进行放大处理，得到放大信号，并将所述放大信号传输至所述第二放大晶体管的第二端；
所述第二放大晶体管，用于对所述放大信号进行放大处理，得到所述输出信号，并通过所述信号输出端输出所述输出信号。
10.根据权利要求9所述的放大器，其特征在于，所述放大器包括共源共栅放大器和/或多级晶体管级联结构的放大器。
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