JP2020021870A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の半導体装置よりもコンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置SDは、半導体基板SUBの内または上に配置されている導電領域CRと、導電領域CR上に配置されかつ第2面SF2から導電領域CRまで達するコンタクトホールCHが設けられている絶縁膜ILと、コンタクトホールCH中に配置され、かつ導電領域CRと電気的に接続されているコンタクトプラグCP1とを備える。コンタクトプラグCP1は、コンタクトホールCHの側壁と底壁とを覆う第1層CPL1と、コンタクトホールCH内において、第1層CPL1の内側に配置され、かつコンタクトプラグCP1の第3面SF3に位置する第2層CPL2とを含む。第1層CPL1を構成する材料は、アルミニウムおよびコバルトを含む。第2層CPL2を構成する材料は、アルミニウムおよび銅の少なくともいずれかを含み、コバルトを含まない。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、半導体基板中に配置された不純物領域またはゲート電極等の導電領域、該半導体基板上に配置された絶縁膜、絶縁膜上に配置された配線、および絶縁膜を貫通するコンタクトホール内に配置されて導電領域と配線とを電気的に接続するコンタクトプラグを備える半導体装置が知られている。一般的なコンタクトプラグは、タングステン(W)からなり、化学気相成長法(CVD)によって成膜されている。
近年、半導体装置の回路パターンの微細化が進んでいる。これに伴い、コンタクトホールのアスペクト比が高くなっており、またコンタクト抵抗がデバイス性能に与える影響度は高くなっている。そこで、コンタクトプラグの主な構成材料を、タングステン(W)よりも比抵抗が低いアルミニウム(Al)に変更した半導体装置が提案されている。このような半導体装置は、例えば特開2009−26989号公報(特許文献1)に開示されている。
特許文献1に記載のコンタクトプラグは、第1段目のコンタクトプラグとしてのAl膜と、第2段目のコンタクトプラグとしての高融点金属膜との積層体として構成されている。Al膜は、物理気相成長法(PVD)またはCVDによってコンタクトホールの全体を埋めるように成膜される。高融点金属膜は、Al膜の上部をエッチングすることにより形成したリセス内に成膜される。また、特許文献1に記載のコンタクトホールは、直径が70nm、深さが300nmである。
また、従来、トレンチゲート型の半導体装置において、Alをリフローさせることにより、トレンチ内に主にAlで構成されたゲート電極を形成する技術が知られている。この技術では、Alをトレンチ内へ埋め込みやすくするため、Alをリフローさせる前に、トレンチの内周面上にチタン(Ti)またはコバルト(Co)からなる膜が形成される。なお、従来の一般的なトレンチゲートのアスペクト比は、上記コンタクトホールのアスペクト比未満である。
Co膜を用いたAlのリフロー法では、リフローのための加熱時にCoがAl膜中を拡散してAl膜の表面に凝集する。そのため、絶縁膜上に形成されたCo膜およびAl膜を化学機械研磨(CMP)によって研磨除去する場合、CMPに用いられるスラリーによってCoが腐食する。これを抑制するために、トレンチゲート型半導体装置におけるAlリフロー法では、Co膜の厚みが可能な限り薄くされる。
しかしながら、Alを主な構成材料とするAlコンタクトプラグは、特許文献1に記載のコンタクトホールよりもアスペクト比が高いコンタクトホールに埋め込まれるコンタクトプラグには利用されていなかった。これは、従来のPVD法、CVD法、およびリフロー法によって高アスペクト比のコンタクトホール内に形成されたAlコンタクトプラグでは、コンタクト抵抗を十分に低減することが困難であるためである。
例えば、本発明者らは、従来のトレンチゲート形成に用いられているリフロー法に基づき、アスペクト比が5以上のコンタクトホールの内周面にTi膜を形成後、Alをリフローさせた場合、コンタクトホールの上部がAlによって閉塞して当該閉塞部よりも下方に比較的大きなボイドが形成されることを確認した。さらに、本発明者らは、Ti膜に替えてCo膜を用いた従来のリフロー法によっても、コンタクトホール内にボイドが形成されることを確認した。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板の内または上に配置されている導電部と、導電部上に配置されかつ上面から導電部まで達する貫通孔が設けられている絶縁膜と、貫通孔中に配置され、かつ導電部と電気的に接続されているプラグ導電層とを備える。プラグ導電層は、貫通孔の側壁と底壁とを覆う第1層と、貫通孔内において、第1層の内側に配置され、かつプラグ導電層の上面に位置する第2層とを含む。第1層を構成する材料は、アルミニウムおよびコバルトを含む。第2層を構成する材料は、アルミニウムおよび銅の少なくともいずれかを含み、コバルトを含まない。
本実施の形態に係る半導体装置によれば、従来の半導体装置よりもコンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
(実施の形態1)
<半導体装置の構成>
図1に示されるように、実施の形態1に係る半導体装置SDは、半導体基板SUB、導電部としての導電領域CR、絶縁膜IL、バリア層BL,プラグ導電層としてのコンタクトプラグCP1、および配線WL1を備える。
<半導体装置の構成>
図1に示されるように、実施の形態1に係る半導体装置SDは、半導体基板SUB、導電部としての導電領域CR、絶縁膜IL、バリア層BL,プラグ導電層としてのコンタクトプラグCP1、および配線WL1を備える。
半導体基板SUBは、第1面SF1を有している。半導体基板SUBは、例えば単結晶のシリコン(Si)が用いられる。但し、半導体基板SUBに用いられる材料はこれに限られるものではない。例えば、半導体基板SUBには炭化珪素(SiC)等を用いることもできる。
導電領域CRは、半導体基板SUB中に形成されている。導電領域CRは、第1面SF1内に配置されている。導電領域CRは、例えば第1の導電型を有する不純物領域である。半導体装置SDがMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である場合、導電領域CRは、例えばソース領域またはドレイン領域として構成されている。
絶縁膜ILは、半導体基板SUBの第1面SF1上に配置されている。絶縁膜ILは、第1面SF1上に配置された上面、以下第2面SF2という、を有している。絶縁膜ILの厚みは、例えば100nm以上2000nm以下である。絶縁膜ILを構成する材料は、電気的絶縁性を有する任意の材料であればよいが、例えばSiO2を含む。絶縁膜ILには、コンタクトホールCHが設けられている。
コンタクトホールCHは、第2面SF2上に開口しており、第2面SF2から導電領域CRまで達するように設けられた貫通孔である。コンタクトホールCHの側壁は絶縁膜ILにより構成されている。コンタクトホールCHの底壁は導電領域CRにより構成されている。絶縁膜ILの第2面SF2におけるコンタクトホールCHの開口寸法W1に対するコンタクトホールCHの深さW2で規定されるアスペクト比W2/W1が5以上である。つまり、コンタクトホールCHの上記アスペクト比は、例えば従来のトレンチゲート型MOSFETにおいてゲートのトレンチ構造のアスペクト比超えである。コンタクトホールCHの開口寸法W1は、第2面SF2を平面視したときにコンタクトホールCHの最も狭い幅である。例えば第2面SF2を平面視したときのコンタクトホールCHの平面形状が長方形状または楕円形状である場合、開口寸法W1はコンタクトホールCHの短辺または短軸の長さである。
また、図2に示されるように、第2面SF2を平面視したときのコンタクトホールCHの長辺または長軸の長さを開口寸法W4とすると、コンタクトホールCHの上記開口寸法W1に対する上記開口寸法W4の比率は、例えば3以下である。つまり、第2面SF2におけるコンタクトホールCHの開口寸法は、例えば従来のトレンチゲート型MOSFETにおいて平面視におけるトレンチゲートの長辺の長さよりも短い。なお、コンタクトホールCHの平面形状は、任意の形状であればよく、正方形状または円形状等であってもよい。
バリア層BLは、コンタクトホールCH中に配置されている。バリア層BLは、コンタクトホールCHの側壁および底壁と接するように配置されている。バリア層BLは、コンタクトホールCHの側壁および底壁と接している外周面と、該外周面とは反対側に配置されており、コンタクトホールCHにおいて内側を向いた内周面とを有している。バリア層BLの上記内周面は、コンタクトプラグCP1の外周面に接している。バリア層BLは、導電領域CRおよびコンタクトプラグCP1と電気的に接続されている。バリア層BLは、例えば複数の膜が積層した積層体として構成されている。バリア層BLは、例えば絶縁膜ILからコンタクトプラグCP1への水素の侵入を防止するように設けられている。例えばタングステン(W)がフッ化タングステン(WF6)を用いてCVD法により成膜される際に半導体基板SUBおよび絶縁膜ILに与えられる、いわゆるフッ素アタックを防止するバリア性能は、バリア層BLには要求されない。バリア層BLは、例えばバリア層BLの上記外周面を有するチタン(Ti)膜と、バリア層BLの上記内周面を有する窒化チタン(TiN)膜との積層体である。バリア層BLの厚み、すなわちバリア層BLの上記外周面と上記内周面との間の間隔は、例えば2nm以上15nm以下である。
コンタクトプラグCP1は、絶縁膜ILのコンタクトホールCH中に配置されている。コンタクトプラグCP1は、バリア層BLによって覆われたコンタクトホールCHの内周面上に配置されている。コンタクトプラグCP1は、バリア層BLを介して、導電領域CRと電気的に接続されている。さらに、コンタクトプラグCP1は配線WL1と電気的に接続されている。コンタクトプラグCP1は、コンタクトホールCH内において密実に配置されている。第1面SF1に沿った第1面SF1に沿った方向のコンタクトプラグCP1の最大幅に対する第1面SF1に垂直な方向のコンタクトプラグCP1の最大幅の比率は5以上である。
コンタクトプラグCP1は、第1面SF1上に配置された上面、以下第3面SF3という、を有している。第3面SF3は、例えば絶縁膜ILの第2面SF2と連なるように設けられている。第2面SF2および第3面SF3は、半導体装置SDの製造方法において化学機械研磨(CMP)による研磨処理によって同時に形成されている。絶縁膜IL、バリア層BL、およびコンタクトプラグCP1は、CMPによる同一の研磨処理によって研磨されるように設けられている。コンタクトプラグCP1の第3面SF3は、配線WL1に接している。
コンタクトプラグCP1は、第1層CPL1および第2層CPL2を含む。第1層CPL1は、コンタクトホールCHの側壁および底壁を覆うように設けられている。第2層CPL2は、コンタクトホールCH内において第1層CPL1の内側に配置され、かつコンタクトプラグCP1の第3面SF3に位置している。第2層CPL2は、第1層CPL1に接している。
第1層CPL1を構成する材料は、アルミニウム(Al)およびコバルト(Co)を含む。第1層CPL1は、AlおよびCoの合金AlCoを含む。第1層CPL1は、WAlおよびCoの合金AlCoを含む。
第2層CPL2を構成する材料はCoを含まない。すなわち、第2層CPL2のCo濃度は、EDX(Energy dispersive X−ray spectrometry)分析における検出限界未満である。第2層CPL2を構成する材料は、CMPによって研磨される材料であり、かつCoと比べてCMPによって電気化学的に腐食されにくい材料である。好ましくは、第2層CPL2を構成する材料の比抵抗は、タングステン(W)の比抵抗未満であり、具体的には5.6×10-8Ω・m未満である。第2層CPL2を構成する材料は、例えばAlを含む。Alは、CMPによって研磨される材料であり、かつCoと比べてCMPによって電気化学的に腐食されにくい材料である。さららに、Alの比抵抗は、Wの比抵抗未満であり、具体的には5.6×10-8Ω・m未満である。第2層CPL2は、Alの合金を含んでいてもよい。
図2に示されるように、コンタクトプラグCP1の第3面SF3内には、第2層CPL2に加えて、第1層CPL1が配置されている。第2層CPL2は、第3面SF3の中央領域に配置されている。第1層CPL1は上記中央領域を囲む第3面SF3の外周領域に配置されている。第2層CPL2の占有面積は第1層CPL1の占有面積超えである。なお、図2では、配線WL1の図示が省略されている。
上記第1面SF1に沿った方向の第2層CPL2の幅は、上記第1面SF1に沿った方向の第1層CPL1の幅未満である。上記第1面SF1に沿った方向のコンタクトプラグCP1の幅は、上記第1面SF1に沿った方向の第1層CPL1の幅に等しい。上記第1面SF1に垂直な方向の第1層CPL1の第3幅W3は40nm以上である。上記第1面SF1に垂直な方向の第1層CPL1の第3幅W3は、例えば上記第1面SF1に垂直な方向の第2層CPL2の幅超えである。
配線WL1は、コンタクトプラグCP1の第3面SF3および絶縁膜ILの第2面SF2上に配置されている。配線WL1を構成する材料は、例えばAlおよびCuの少なくともいずれかを含み、例えばCuAlを含む。
<半導体装置の製造方法>
実施の形態1に係る半導体装置SDは、図3〜図9に示される各工程が順に実施されることにより、製造される。
実施の形態1に係る半導体装置SDは、図3〜図9に示される各工程が順に実施されることにより、製造される。
まず、図3に示されるように、第1面SF1を有し、第1面SF1内に導電領域CRが配置されている半導体基板SUBが準備される。
次に、図4に示されるように、第1面SF1上に絶縁膜ILが形成される。具体的には、まず第1面SF1上に絶縁膜ILが成膜される。絶縁膜ILは、例えばCVDにより成膜される。次に、絶縁膜ILの第4面SF4上に開口を有するマスク膜が形成される。マスク膜の形成は、例えばフォトリソグラフィーにより行われる。マスク膜の開口は、上記第1面SF1に垂直な方向において導電領域CRと重なるように配置されている。次に、マスク膜を用いた異方性エッチングにより、第4面SF4から導電領域CRまで達するコンタクトホールCHが形成される。次に、上記マスク膜が除去される。このようにして、図4に示される絶縁膜ILが形成される。
次に、図5に示されるように、コンタクトホールCH内において側壁および底壁に接するように配置されたバリア膜BMが形成される。バリア膜BMがTi膜とTiN膜との積層体として構成される場合、Ti膜は例えばPVDにより成膜され、TiN膜は例えばMOCVDにより成膜される。
次に、図6〜図9に示されるように、絶縁膜ILのコンタクトホールCH内に導電領域CRと電気的に接続されているコンタクトプラグCP1が形成される。
具体的には、まず、図6に示されるように、コンタクトホールCHの側壁および底壁上にCoを含む第1膜CPM1が形成される。第1膜CPM1は、例えば絶縁膜ILの第4面SF4上にも形成される。第1膜CPM1を構成する材料は、Coを含む。すなわち、第1膜CPM1は、AlがコンタクトホールCH内に濡れ広がり易いように、形成される。第1膜CPM1は、例えばCVDにより成膜される。第1膜CPM1の厚みは、3nm以上である。
次に、図7に示されるように、第1膜CPM1上にAlを含む第2膜CPM2が形成される。第2膜CPM2は、例えば第1面SF1上の全表面、すなわちコンタクトホールCHの側壁および底壁上、ならびに絶縁膜ILの第4面SF4上に形成される。第2膜CPM2は、例えばPVDにより成膜される。好ましくは、第2膜CPM2の厚みは、次工程においてリフロー後の第2膜CPM2の上面と第1面SF1との間の距離が40nm以上となるように、設定される。
次に、図8に示されるように、半導体基板SUBを350℃以上450℃以下の温度に加熱することにより、第2膜CPM2をコンタクトホールCH内にリフローさせる。これにより、コンタクトホールCH内において底壁側に位置し、かつリフロー前には第2膜CPM2が配置されていない領域に、コンタクトホールCHの側壁上および絶縁膜ILの第4面SF4上に配置されていた第2膜CPM2がリフローされて埋め込まれる。なお、本リフロー処理により、第1膜CPM1中のCoが第2膜CPM2中に拡散する。その結果、第1膜CPM1および第2膜CPM2は、上記リフローにより、AlおよびCoの合金AlCoを含む1つの膜に再構成される。本明細書では、説明の便宜上、リフロー後に形成される当該合金を含む膜を、リフロー後の第2膜とよぶ。リフロー後の第2膜CPM2の表面には、例えばCoが凝集している。
次に、図9に示されるように、リフロー後の第2膜CPM2上にAlおよびCuの少なくともいずれかを含みCoを含まない第3膜CPM3が形成される。第3膜CPM3は、リフロー以外の成膜方法、例えばPVDにより成膜される。第3膜CPM3を形成する工程では、半導体基板SUB、絶縁膜IL、リフロー後の第2膜CPM2、および第3膜CPM3が350℃以上の温度に加熱されない。これにより、コンタクトホールCH内には、バリア膜BM、リフロー後の第2膜CPM2、および第3膜CPM3が密実に配置される。また、絶縁膜ILの第4面SF4上には、バリア膜BM、リフロー後の第2膜CPM2、および第3膜CPM3が順に積層されている。
次に、絶縁膜ILの第4面SF4側、すなわち絶縁膜ILの第4面SF4上に配置されたバリア膜BM、リフロー後の第2膜CPM2、および第3膜CPM3が、CMPによって研磨される。研磨は、少なくとも絶縁膜ILの第4面SF4上が露出するまで行われる。本工程では、例えば、第4面SF4上に配置されたバリア膜BM、リフロー後の第2膜CPM2、および第3膜CPM3に加えて、絶縁膜ILにおいて第4面SF4側に位置する上部領域も研磨される。これにより、コンタクトホールCHに残存した第2膜CPM2および第3膜CPM3からコンタクトプラグCP1が形成される。具体的には、第2膜CPM2から第1層CPL1が形成され、第3膜CPM3から第2層CPL2が形成される。さらに、コンタクトホールCHに残存したバリア膜BMからバリア層BLが形成される。絶縁膜ILには新たな上面としての第2面SF2が形成される。
<半導体装置の効果>
以下、実施の形態に係る半導体装置SDの効果を、上記特許文献1に記載の半導体装置等との対比に基づき説明する。
以下、実施の形態に係る半導体装置SDの効果を、上記特許文献1に記載の半導体装置等との対比に基づき説明する。
上記特許文献1に記載のコンタクトプラグはAlを含むがCoを含まず、AlはPVD法により成膜された後リフローされない。上記アスペクト比が5以上であるコンタクトホールCH内に、PVD法のみによってAlを隙間無く埋め込むことは困難である。そのため、上記特許文献1に記載のコンタクトプラグを上記アスペクト比が5以上であるコンタクトホールCH内に形成されるコンタクトプラグに適用した場合、コンタクト抵抗が高くなるという問題がある。
また、上述のように、本発明者らは、従来のトレンチゲート形成に用いられているリフロー法に基づき、アスペクト比が5以上のコンタクトホールの内周面にTi膜を形成後、Alをリフローさせた場合には、コンタクトホールの上部がAlによって閉塞し、当該閉塞部よりも下方に比較的大きなボイドが形成されることを確認した。
さらに、本発明者らは、従来のトレンチゲート形成に用いられているリフロー法に基づき、Ti膜に替えてCo膜を用いた場合にも、コンタクトホール内にボイドが形成されることを確認した。従来のCo膜を用いるリフロー法では、Al中へのCoの拡散量を低減してCMPによるCoの腐食を抑制するために、Co膜の厚みが例えば1.6nm程度以下に制限されている。本発明者らは、このように比較的薄いCo膜をアスペクト比が5以上のコンタクトホールの内周面に形成後、Alをリフローさせた場合にも、コンタクトホールの上部がAlによって閉塞し、当該閉塞部よりも下方に比較的大きなボイドが形成されることを確認した。なお、Co膜の厚みを厚くすると、Al中へのCoの拡散量が増加してCMPによるCoの腐食量が増し、コンタクトプラグにはボイドが形成される。
これに対し、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1は、AlおよびCoを含み、コンタクトホールCHの側壁と底壁とを覆う第1層CPL1を含んでいる。このような第1層CPL1は、上述のように、Coを含む第1膜CPM1がコンタクトホールCHの側壁と底壁とを覆うように形成された後、Alを含む第2膜CPM2が第1膜CPM1上に成膜され、かつリフローされることにより形成される。これにより、第1層CPL1は、アスペクト比が5以上のコンタクトホールCHにおいてPVD等のみによってはAlを隙間無く成膜することが特に困難である下部領域にも、隙間無く密実に配置されている。よって、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1のコンタクト抵抗は、上記特許文献1に記載の半導体装置のそれと比べて、低減されている。
さらに、第1層CPL1は、半導体装置SDの製造方法において第1膜CPM1中のCoが第2膜CPM2のAl中を拡散することにより形成されたAlCoを含む。そのため、第1層CPL1を備えるコンタクトプラグCP1は、AlCoを含まないコンタクトプラグと比べて、エレクトロマイグレーション(EM)およびストレスマイグレーション(SM)に対して高い耐性を有している。
さらに、半導体装置SDでは、コンタクトプラグCP1がCoを含まない第2層CPL2をさらに含み、第2層CPL2は第3面SF3に位置している。このようなコンタクトプラグCP1は、上述のように、リフローさせた第2膜CPM2上にCoを含まない第3膜CPM3を成膜し、かつCMPによって研磨されることにより形成される。そのため、コンタクトプラグCP1は、Co膜上にAlをリフローさせた後第3膜CPM3を形成することなくCMPによって研磨されるコンタクトプラグ、すなわちCMPによる研磨時に全体がAlCoからなるコンタクトプラグと比べて、CMPによる研磨時に腐食されにくい。その結果、コンタクトプラグCP1にはボイドが形成されにくく、半導体装置SDのコンタクト抵抗は、CMPによる研磨時に全体がAlCoからなるコンタクトプラグを備える半導体装置のコンタクト抵抗と比べて低減されている。
さらに、コンタクトプラグCP1の第1層CPL1中のCo濃度が、従来のCo膜を用いたAlリフロー法により形成されたトレンチゲートのCo濃度と比べて高く設定されても、CMPによる腐食が抑制されている。つまり、第1膜CPM1は、従来のCo膜を用いるリフロー法においてCMPによるCoの腐食を抑制するために厚みが制限されていたCo膜と比べて、厚くされ得る。本発明者らは、厚みが3nm以上の第1膜CPM1上にAlをリフローさせることにより、アスペクト比が5以上であるコンタクトホールCH内にAlを密実に埋め込むことができることを確認した。
第1層CPL1に含まれるAlの比抵抗は2.8×10-8Ω・mである。さらに、第2層CPL2を構成する材料の比抵抗は5.6×10-8Ω・m未満、すなわちWの比抵抗未満である。そのため、コンタクトプラグCP1のコンタクト抵抗は、Wからなる従来の一般的なコンタクトプラグのコンタクト抵抗と比べて、低い。
コンタクトプラグCP1の第3面SF3内において、第2層CPL2は中央領域に配置され、第1層CPL1は中央領域を囲む外周領域に配置されている。第3面SF3内において、第2層CPL2の占有面積は、第1層CPL1の占有面積超えである。このため、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1は、Co膜を用いてAlをリフローさせることにより形成され、CMPによる研磨時に全体がAlCoからなるコンタクトプラグと比べて、CMPによる研磨時に腐食されにくく、ボイドがさらに形成されにくい。そのため、コンタクトプラグCP1を備える半導体装置SDのコンタクト抵抗は、CMPによる研磨時に全体がAlCoからなるコンタクトプラグを備える半導体装置のコンタクト抵抗と比べて、低減されている。
半導体装置SDでは、絶縁膜ILの第2面SF2におけるコンタクトホールCHの上記アスペクト比が5以上である。上述のように、コンタクトホールCHの上記アスペクト比は、例えば従来のトレンチゲート型MOSFETにおいてゲートのトレンチ構造のアスペクト比超えである。リフロー法によってコンタクトホールおよびトレンチ等の凹部に金属材料を埋め込むときに、該凹部のアスペクト比が高くなるほど、凹部内でのボイドの発生を抑制することは難しくなる。従来のAlリフロー法は、上記アスペクト比が5以上のコンタクトホール内でのボイドの発生を抑制できなかった。
さらに、上述のように、コンタクトホールCHの上記平面形状において、第1方向の幅に対する第2方向の幅の比率は、例えば3以下である。つまり、第2面SF2におけるコンタクトホールCHの開口寸法は、例えば従来のトレンチゲート型MOSFETにおいて平面視におけるトレンチゲートの長辺の長さよりも短い。リフロー法によってコンタクトホールおよびトレンチ等の凹部に金属材料を埋め込むときに、コンタクトホールCHの上記比率が高くなるほど、凹部内でのボイドの発生を抑制することは難しくなる。従来のAlリフロー法は、上記比率が3以下のコンタクトホール内でのボイドの発生を抑制できなかった。
これに対し、半導体装置SDでは、半導体装置SDの製造方法において第1膜CPM1の厚みが従来のAlリフロー法に用いられるCo膜の厚みよりも厚くすることにより、アスペクト比が5以上かつ上記比率が3以下のコンタクトホールCH内に密実に配置されたコンタクトプラグCP1が実現されている。上述のように、半導体装置SDでは、CMPによるコンタクトプラグCP1の腐食防止が第2層CPL2によって実現されている。そのため、半導体装置SDの製造方法において、第1膜CPM1の厚みは、CMPによるコンタクトプラグCP1の腐食防止の観点によって特に制限されず、ボイドの発生を抑制する観点に基づき設定され得る。これにより、半導体装置SDは上記高アスペクト比を有しかつ上記比率が3以下であるコンタクトホールCH内に密実に配置されたコンタクトプラグCP1を備えることができる。
絶縁膜ILの第3面SF3に垂直な方向の第1層CPL1の幅は、当該方向の第2層CPL2の幅超えである。つまり、リフロー法により形成される第1層CPL1がコンタクトホールCHの下方においてその深さの半分超えを占めており、リフロー以外の成膜方法により形成される第2層CPL2がコンタクトホールCHの上方においてその深さの半分未満を占めている。この場合、コンタクトホールCHの上記アスペクト比が5以上であっても、第2膜CPM2がリフローされた後のコンタクトホールCH内において、第3膜CPM3が形成されるべき領域の深さは、比較的浅い。そのため、リフロー以外の成膜方法により成膜される第3膜CPM3においても、ボイドの発生が抑制されている。その結果、第3膜CPM3から形成される第2層CPL2において、ボイドの発生が抑制されている。
(実施の形態2)
実施の形態2に係る半導体装置SD2は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。第2層CPL2を含むコンタクトプラグCP1に替えて第2層CPL2を含まないコンタクトプラグCP2を備える点で、半導体装置SDと異なる。
実施の形態2に係る半導体装置SD2は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。第2層CPL2を含むコンタクトプラグCP1に替えて第2層CPL2を含まないコンタクトプラグCP2を備える点で、半導体装置SDと異なる。
図10に示されるように、半導体装置SD2のコンタクトプラグCP2は、図1に示される第2層CPL2を含まない。コンタクトプラグCP2を構成する材料は、AlおよびCoを含む。コンタクトプラグCP2の第3面SF3には、Coが凝集している。コンタクトプラグCP2は、コンタクトホールCH内に密実に配置されている。
半導体装置SD2の製造方法は、実施の形態1に係る半導体装置SDの製造方法と基本的に同様の構成を備えるが、CMPによる研磨後にコンタクトプラグCP1を加熱してコンタクトプラグCP1内にCoを拡散させる工程をさらに備える点で、実施の形態1に係る半導体装置SDの製造方法と異なる。つまり、半導体装置SD2の製造方法では、まず半導体装置SDを製造し、次に、該半導体装置SDのコンタクトプラグCP1の第1層CPL1内のCoを第2層CPL2内に拡散させる。これにより、半導体装置SD2が製造される。
このような半導体装置SD2も、CMPによる研磨時には半導体装置SDと同等の構成を備えるため、半導体装置SDと同等の効果を奏することができる。
さらに、半導体装置SD2のコンタクトプラグCP2は、その全体がAlCoを含むため、AlCoを含まない第2層CPL2を含むコンタクトプラグCP1と比べて、エレクトロマイグレーション(EM)およびストレスマイグレーション(SM)に対してより高い耐性を有している。
(実施の形態3)
図11に示されるように、実施の形態3に係る半導体装置SD3は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態3に係るコンタクトプラグCP3は、コンタクトホールCHの内周面を覆うように配置された第3層CPL3をさらに含む点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
図11に示されるように、実施の形態3に係る半導体装置SD3は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態3に係るコンタクトプラグCP3は、コンタクトホールCHの内周面を覆うように配置された第3層CPL3をさらに含む点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
第3層CPL3層を構成する材料は、Coを含む。第3層CPL3は、バリア層BLの上記内周面と接している外周面と、該外周面とは反対側に配置されており、コンタクトホールCHにおいて内側を向いた内周面とを有している。第3層CPL3の上記内周面は、コンタクトプラグCP3の第1層CPL1と接している。第3層CPL3のCo濃度は、第1層CPL1のCo濃度以上である。
半導体装置SD3の製造方法は、実施の形態1に係る半導体装置SDの製造方法と基本的に同様の構成を備える。半導体装置SD3の製造方法は、半導体装置SDの製造方法と比べて第1膜CPM1が厚く形成される点で、半導体装置SDの製造方法と異なる。第1膜CPM1の厚みは、例えば5nm以上である。
このような第1膜CPM1上に形成された第2膜CPM2を、上記リフロー処理によってリフローさせることにより、第1膜CPM1中のCoが第2膜CPM2中に拡散する。このとき、第1膜CPM1の厚みが厚いため、第1膜CPM1においてコンタクトホールCHの外周側に位置する一部が残存する。その結果、第1膜CPM1および第2膜CPM2は、上記リフローにより、リフロー前と比べて厚みが減じられた第1膜CPM1と、AlおよびCoの合金AlCoを含むリフロー後の第2膜CPM2とに再構成される。
その後、半導体装置SDの製造方法と同様に処理されることにより、半導体装置SD3が製造される。
コンタクトプラグCP3はCoを含む第3層CPL3を備えるが、コンタクトプラグCP1と同様に第2層CPL2を備えている。そのため、コンタクトプラグCP3の第3面SF3においてCoが含まれる領域は、第2層CPL2を備えないコンタクトプラグにおいてCoが含まれる領域と比べて、狭小化されている。そのため、半導体装置SD3も、半導体装置SDと同様の効果を奏することができる。
なお、半導体装置SD3は、半導体装置SDではなく、半導体装置SD2と基本的に同様の構成を備えていてもよい。つまり、半導体装置SD2のコンタクトプラグCP2は、コンタクトホールCHの内周面を覆うように配置された第3層CPL3をさらに含んでいてもよい。異なる観点から言えば、図17に示されるように、半導体装置SD3のコンタクトプラグCP3は、第2層CPL2を含んでいなくてもよい。この場合、コンタクトプラグCP3は、CMPによる研磨後に第1層CPL1および第3層CPL3中の一部のCoを第2層CPL2内に拡散させることによって形成されたAlCoを含む第4層CPL4と、残存した第3層CPL3との積層体として構成されている。このような半導体装置SD3は、半導体装置SD2と同様の効果を奏することができる。
(実施の形態4)
実施の形態4に係る半導体装置SD4は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態4に係るコンタクトプラグCP4は、第2層CPL2がAlではなくCuを含む点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
実施の形態4に係る半導体装置SD4は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態4に係るコンタクトプラグCP4は、第2層CPL2がAlではなくCuを含む点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
Cuは、CMPによって研磨される材料であり、かつCoと比べてCMPによって電気化学的に腐食されにくい材料である。さららに、Cuの比抵抗は、Wの比抵抗未満であり、具体的には5.6×10-8Ω・m未満である。第2層CPL2は、Cuの合金を含んでいてもよい。第2層CPL2は、第1層CPL1を構成するAlおよびCoのいずれも含まない。
半導体装置SD4においても第2層CPL2を構成する材料はCoを含まないため、半導体装置SD4は半導体装置SDと同様の効果を奏することができる。
(実施の形態5)
図12に示されるように、実施の形態5に係る半導体装置SD5は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態5に係るコンタクトプラグCP5は、バリア層BLを介さずに導電領域CRと接している点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
図12に示されるように、実施の形態5に係る半導体装置SD5は、実施の形態1に係る半導体装置SDと基本的に同様の構成を備える。実施の形態5に係るコンタクトプラグCP5は、バリア層BLを介さずに導電領域CRと接している点で、半導体装置SDのコンタクトプラグCP1と異なる。
バリア層BLは、コンタクトホールCHの側壁と接するように配置されている。バリア層BLは、コンタクトホールCHの底壁上で開口している。バリア層BLの当該開口は、コンタクトホールCHの底壁の中央領域上に配置されている。バリア層BLの上記開口の内周面は、例えばバリア層BLの上記内周面と連なるように配置されている。
コンタクトプラグCP5の第1層CPL1は、コンタクトホールCH内においてバリア層BLの上記内周面およびバリア層BLの上記開口の内周面よりも内側に配置されている。コンタクトプラグCP5の第1層CPL1は、バリア層BLを介さずに、導電領域CRと直接接している。
半導体装置SD5の製造方法は、半導体装置SDの製造方法と基本的に同様の構成を備える。半導体装置SD5の製造方法では、バリア層BLを形成する工程において、コンタクトホールCHの底壁上に形成されたバリア層BLの一部が除去される点で、半導体装置SDの製造方法と異なる。
具体的には、半導体装置SDの製造方法と同様に、コンタクトホールCH内において側壁および底壁に接するように配置されたバリア層BLが形成される。次に、図13に示されるように、コンタクトホールCHの底壁上に配置されたバリア層BLの一部が除去される。バリア層BLの一部の除去は、例えば半導体基板SUBにバイアスを印加してコンタクトホールCHの底壁上に配置されたバリア層BLの一部をArイオンでスパッタリングすることにより、行われる。このようなスパッタリングは、例えばTiN膜をスパッタリングにより成膜する場合には、TiN膜の成膜に用いたスパッタ装置により実施され得る。このようにして、図12に示されるバリア層BLが形成される。
次に、図14に示されるように、第1膜CPM1が、導電領域CRに接するように配置される。その後、半導体装置SDの製造方法と同様に処理されることにより、半導体装置SD5が製造される。
このような半導体装置SD5も、半導体装置SDと同等の構成を備えるため、半導体装置SDと同等の効果を奏することができる。
さらに、半導体装置SD5の製造方法では、半導体装置SDの製造方法と同様に、第1膜CPM1、第2膜CPM2、および第3膜CPM3を成膜するときに、WF6等のフッ素系ガスが用いられない。そのため、半導体装置SDおよび半導体装置SD5では、半導体基板SUBへのいわゆるフッ素アタックを防止するためのバリア層は不要とされている。そこで、半導体装置SD5では、例えば絶縁膜ILからコンタクトプラグCP5への水素の侵入を防止しながらも、半導体装置SDと比べてコンタクト抵抗をより低減する観点から、コンタクトホールCHの側壁を覆い、コンタクトホールCHの底壁上で開口したバリア層BLが形成されている。つまり、半導体装置SD5では、半導体装置SDと同様にバリア層BLによって絶縁膜ILからコンタクトプラグCP5への水素の侵入が防止されており、かつ半導体装置SDと比べてコンタクト抵抗がより低減されている。
なお、半導体装置SD5は、半導体装置SDではなく、半導体装置SD2と基本的に同様の構成を備えていてもよい。つまり、図18に示されるように、半導体装置SD5のコンタクトプラグCP5は、第2層CPL2を含んでいなくてもよい。このような半導体装置SD5は、半導体装置SD2と同様の効果を奏することができる。
<変形例>
半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5では、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5が電気的に接続される導電部が半導体基板SUB内に配置された導電領域CRとして構成されているが、これに限られるものではない。図15および図16に示されるように、各実施の形態に係る導電部は、例えばゲート電極GEとして構成されていてもよい。この場合、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5は、ゲート電極GEの上面に接続され、ゲート電極GEと電気的に接続されている。さらに、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5は配線WL2と電気的に接続されている。ゲート電極GEは、例えばトレンチTR内に配置されたトレンチゲートとして構成されていてもよい。トレンチTRは、第1面SF1に対して凹状に形成されている。トレンチTRは、ソース領域SR及びベース領域BRを貫通し、ドリフト領域DRに達している。ゲート電極GEとトレンチTRの側壁および底壁との間には、ゲート絶縁膜GOが形成されている。
半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5では、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5が電気的に接続される導電部が半導体基板SUB内に配置された導電領域CRとして構成されているが、これに限られるものではない。図15および図16に示されるように、各実施の形態に係る導電部は、例えばゲート電極GEとして構成されていてもよい。この場合、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5は、ゲート電極GEの上面に接続され、ゲート電極GEと電気的に接続されている。さらに、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5は配線WL2と電気的に接続されている。ゲート電極GEは、例えばトレンチTR内に配置されたトレンチゲートとして構成されていてもよい。トレンチTRは、第1面SF1に対して凹状に形成されている。トレンチTRは、ソース領域SR及びベース領域BRを貫通し、ドリフト領域DRに達している。ゲート電極GEとトレンチTRの側壁および底壁との間には、ゲート絶縁膜GOが形成されている。
ゲート電極GEを構成する材料は、金属材料を含み、例えばAlを含む。この場合、ゲート電極は、Alがトレンチ内にリフローされることにより、形成されてもよい。このような半導体装置も、導電部以外の各構成が半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5と同様の構成を備えていることにより、半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5と同様の効果を奏することができる。
また、図15に示されるように、半導体装置SD5の導電部がAlを含むゲート電極GEとして構成されている場合、好ましくは、コンタクトホールCHの底壁上に配置されたバリア層BLの一部を除去する工程でのエッチング時間は、バリア層BLの一部を除去するために必要とされるエッチング時間よりも長く設定されている。このオーバーエッチングによりゲート電極上に形成されたAl酸化膜が除去され、コンタクト抵抗がさらに低減される。
また、上記導電部は、例えば半導体基板SUB上に配置された電極、または配線であってもよい。つまり、実施の形態に係る貫通孔は電極−配線間、または多層配線間に配置されたビアホールとして構成され、プラグ導電層は電極−配線間、または多層配線間を電気的に接続するプラグとして構成されていてもよい。このような半導体装置も、導電部以外の構成、すなわち絶縁膜IL、コンタクトホールCH、コンタクトプラグCP、および配線WL1の各構成が半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5と同様の構成を備えていることにより、半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5と同様の効果を奏することができる。
半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5は、少なくともコンタクトホールCHの側壁を覆うように配置されたバリア層BLを備えるが、バリア層BLを備えていなくてもよい。上述のように、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5はフッ素系の反応ガスを用いて成膜されるものではないため、バリア層BLにはいわゆるフッ素アタックを防止するバリア性能は要求されない。そのため、信頼性確保などの他の観点を考慮しても、バリア層BLの必要性が低い場合、半導体装置SD,SD2,SD3,SD4,SD5はバリア層BLを備えていなくてもよい。つまり、コンタクトプラグCP1,CP2,CP3,CP5は、コンタクトホールCHの側壁および底壁に接するように配置されていてもよい。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
SUB 半導体基板、CR 導電領域、IL 絶縁膜、BL バリア層、CH コンタクトホール、CP,CP2,CP3,CP4,CP5 コンタクトプラグ、CPL1 第1層、CPL2 第2層、CPL3 第3層、CPM1 第1膜、CPM2 第2膜、CPM3 第3膜、LN 配線、SD,SD2,SD3,SD4,SD5 半導体装置、SF1 第1面、SF2 第2面、SF3 第3面、SF4 第4面。
Claims (18)
- 半導体基板の内または上に配置されている導電部と、
前記導電部上に配置されかつ上面から前記導電部まで達する貫通孔が設けられている絶縁膜と、
前記貫通孔中に配置され、かつ前記導電部と電気的に接続されているプラグ導電層とを備え、
前記プラグ導電層は、
前記貫通孔の側壁と底壁とを覆う第1層と、
前記貫通孔内において、前記第1層の内側に配置され、かつ前記プラグ導電層の上面に位置する第2層とを含み、
前記第1層を構成する材料は、アルミニウムおよびコバルトを含み、
前記第2層を構成する材料は、アルミニウムおよび銅の少なくともいずれかを含み、コバルトを含まない、半導体装置。 - 前記第2層を構成する材料の比抵抗は、5.6×10-8Ω・m未満である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記プラグ導電層の前記上面内において、前記第2層は中央領域に配置され、前記第1層は前記中央領域を囲む外周領域に配置されており、前記第2層の占有面積は前記第1層の占有面積超えである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の前記上面における前記貫通孔の開口寸法に対する前記貫通孔の深さで規定されるアスペクト比が5以上である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の前記上面に垂直な方向の前記第1層の幅は、前記垂直な方向の前記第2層の幅超えである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記プラグ導電層は、前記貫通孔内において前記第1層よりも外側に配置された第3層をさらに含み、
前記第3層を構成する材料は、コバルトを含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記貫通孔内において前記側壁に接するように配置されたバリア層をさらに備え、
前記プラグ導電層は、前記貫通孔内において前記バリア層の内側に配置され、かつ前記導電部と接している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記導電部は、前記半導体基板内に配置され、第1の導電型を有する不純物領域である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電部は、前記半導体基板内に配置されているゲート電極である、請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板の内または上に配置されている導電部と、
前記導電部上に配置されかつ上面から前記導電部まで達する貫通孔が設けられている絶縁膜と、
前記貫通孔中に配置され、かつ前記導電部と電気的に接続されているプラグ導電層とを備え、
前記プラグ導電層を構成する材料は、アルミニウムおよびコバルトを含み、
前記絶縁膜の前記上面における前記貫通孔の開口寸法に対する前記貫通孔の深さで規定されるアスペクト比が5以上であり、
前記プラグ導電層は、前記貫通孔内に密実に配置されている、半導体装置。 - 前記プラグ導電層は、前記貫通孔の内周面を覆うように配置された第2層をさらに含み、
前記第2層を構成する材料は、コバルトを含む、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記貫通孔の側壁に接するように配置されたバリア層をさらに備え、
前記プラグ導電層は、前記貫通孔内において前記バリア層の内側に配置され、かつ前記導電部と接している、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記導電部は、前記半導体基板内に配置され、第1の導電型を有する不純物領域である、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記導電部は、前記半導体基板内に配置されているゲート電極である、請求項10に記載の半導体装置。
- 導電部を含む半導体基板を準備する工程と、
前記導電部上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面から前記導電部に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に前記導電部と電気的に接続されているプラグ導電層を形成する工程とをさらに備え、
前記プラグ導電層を形成する工程は、
少なくとも前記貫通孔の側壁および底壁上にコバルトを含む第1膜を形成する工程と、
前記第1膜上にアルミニウムを含む第2膜を形成する工程と、
前記第2膜をリフローさせる工程と、
リフローさせた前記第2膜上にアルミニウムおよび銅の少なくともいずれかを含みコバルトを含まない第3膜を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁膜の前記上面が露出するまで、前記絶縁膜の前記上面側を研磨する工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記第1膜の厚みは、3nm以上である、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラグ導電層を形成する工程後に、前記プラグ導電層を加熱して前記プラグ導電層においてコバルトを拡散させる工程をさらに備える、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貫通孔を形成する工程の後であって前記プラグ導電層を形成する工程の前に、前記貫通孔内において前記側壁に接するように配置されたバリア層を形成する工程をさらに備え、
前記プラグ導電層を形成する工程では、前記プラグ導電層が前記導電部に接するように形成される、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
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