JP2007180408A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留り良く製造可能で、かつ高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1の層間絶縁膜1に形成された第1の配線溝2内に、バリアメタル3、第1のシード膜4、第2のシード膜14、銅膜5を有する埋め込み配線を備えている。第1のシード膜4は金属が添加された銅膜からなり、第2のシード膜14は銅膜からなる。第2のシード膜14は、製造工程中に第1のシード膜4に添加された金属が配線材料膜5中に拡散するのを抑える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、第1の層間絶縁膜1に形成された第1の配線溝2内に、バリアメタル3、第1のシード膜4、第2のシード膜14、銅膜5を有する埋め込み配線を備えている。第1のシード膜4は金属が添加された銅膜からなり、第2のシード膜14は銅膜からなる。第2のシード膜14は、製造工程中に第1のシード膜4に添加された金属が配線材料膜5中に拡散するのを抑える。
【選択図】図1
Description
本発明は、溝埋め込み構造の金属配線を有する半導体装置の構造及びその製造方法に関するものである。
近年、デバイスの配線ピッチの縮小化が進み、配線の信頼性を確保することがますます重要になってきている。このために、配線材料として用いられる銅に様々な元素を添加して信頼性を向上させる検討がなされている。
以下、従来の埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法について説明する。図3(a)〜(i)は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図3(a)に示すように、リソグラフィ工程とエッチング工程とを行って、基板(図示せず)上に設けられた低誘電率材料からなる第1の層間絶縁膜101に第1の配線溝102を形成する。次に、前処理として280℃の水素雰囲気中で60秒間基板(半導体装置)のアニーリングを行って半導体装置の表面に生じた酸化膜の還元処理をした後、バリアメタル103aとして厚さ5nmの窒化タンタル膜と、厚さ10nmのタンタル膜とを第1の層間絶縁膜101上に順次形成する。ここで、バリアメタル103aは、配線材料である銅がその周囲の第1の層間絶縁膜101中に拡散するのを防止するための金属膜である。
続いて、図3(b)に示すように、バリアメタル103a上に厚さ40nmのシード膜104aを形成する。ここで、シード膜104aの材料としては、アルミニウムを1%含有する銅を用いる。シード膜104aにアルミニウムを添加するのはエレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性を向上させ、半導体装置の信頼性を向上させるためである。
次いで、メッキ法により、第1の配線溝102を埋める銅膜105をシード膜104a上に形成した後、図3(c)に示すように、化学的機械的研磨(CMP)により銅膜、シード膜104aおよびバリアメタル103aを研磨して第1の配線溝102内にのみバリアメタル103、シード膜104および銅膜105を残す。これにより、第1の配線が形成される。
次に、図3(d)に示すように、第1の配線を含む第1の層間絶縁膜101上に厚さ約60nmのライナー膜106を形成する。ここで、ライナー膜106は、後工程で形成される第2の層間絶縁膜に配線中の銅が拡散するのを防止するためのものであり、層間絶縁膜材料と比較して比誘電率の高い窒化シリコン膜やシリコン炭化膜により構成される。
次に、図3(e)に示すように、低誘電率材料からなる第2の層間絶縁膜107をライナー膜106上に形成する。
次いで、図3(f)に示すように、リソグラフィ工程とエッチング工程とを繰り返すことにより、第2の層間絶縁膜107内に銅膜105に達するビアホール108と、ビアホール108が開口する第2の配線溝109とを形成する。
次に、図3(g)に示すように、前処理として280℃の水素雰囲気中で60秒間半導体装置のアニール処理を行い、半導体装置表面に形成された酸化膜の除去を行った後、バリアメタル110aとして厚さ5nm窒化タンタル膜と、厚さ10nmのタンタル膜とを順次ビアホール108および第2の配線溝109の内面を含む第2の層間絶縁膜107上に形成する
続いて、図3(h)に示すように、バリアメタル110a上に厚さ約40nmのシード膜111aを形成する。ここでもシード膜111aの材料としては、シード膜104aと同様にアルミニウムを1%含有する銅を用いる。シード膜111aにアルミニウムを添加するのは銅の中に金属を添加するのはエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性を高め、半導体装置の信頼性を向上させるためである。
続いて、図3(h)に示すように、バリアメタル110a上に厚さ約40nmのシード膜111aを形成する。ここでもシード膜111aの材料としては、シード膜104aと同様にアルミニウムを1%含有する銅を用いる。シード膜111aにアルミニウムを添加するのは銅の中に金属を添加するのはエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性を高め、半導体装置の信頼性を向上させるためである。
次に、図3(i)に示すように、第2の配線溝109およびビアホール108とを埋める銅膜をメッキ法によりシード膜111aの上に形成した後、CMPによりバリアメタル110a、シード膜111aおよび銅膜を研磨して、第2の配線溝109およびビアホール108の内部にのみバリアメタル110、シード膜111および銅膜112を残す。このようにしてプラグ及び第2の配線を形成する。
Thin Solid Films,25(1975)531-544
しかしながら、上記した従来の半導体装置の構造及び製造方法では、プラグと配線との間の抵抗値が上昇する場合があり、半導体デバイスの歩留りが低下してしまうという不具合があった。
図4は、従来の方法により多層の埋め込み配線を形成した場合のビア抵抗値の累積度数分布を示す図である。
設計上は、ビア抵抗値は、すべて2×107Ω以下であるべきである。しかし、図4に示す結果では、ビア抵抗値の分布がブロードになり、且つビア抵抗が上昇していることがわかる。本願発明者らはこの原因について種々の検討を加えた結果、ビア抵抗の上昇は、銅配線上に形成されたアルミニウム酸化膜の除去が不十分であることに起因することを見いだした。
図5は、従来の方法において、配線−プラグ間抵抗が上昇する推定メカニズムを示す図である。従来の製造方法を用いた場合、第1の配線を形成後に加わる熱によって、シード膜104a中に含まれるアルミニウムが銅膜105中に拡散し、銅−アルミニウム合金を形成する。特に、ビアホール108の形成後には、大気中の酸素と結合し、銅酸化膜だけでなく、アルミニウム酸化膜が銅膜105の上面およびシード膜104の上端面に形成されているのではないかと推定される。アルミニウム酸化膜は銅酸化膜に比べて非常に分子間の結合エネルギーが強いので、バリアメタル110aを形成する前に行う水素雰囲気中でのアニーリングでは還元できない。そのため、第1の配線上に形成されたアルミニウム酸化膜113を除去することができず、配線−プラグ間の抵抗値が上昇したものと考えられる。
本発明はこれらの不具合を解決するもので、歩留り良く製造可能で、かつ高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために研究を重ねたところ、シード膜に添加された金属が配線材料膜(銅膜)の上面上で酸化物を形成し、その除去が十分に実施できていないことが判明した。そのため、本発明では、金属酸化膜を除去する工程を導入する。
すなわち、本発明の半導体装置は、基板上に形成された溝を有する第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜の溝に形成された第1の配線と、第1の配線を含む第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜の第1の配線上に形成されたプラグ及び第2の配線とを有する半導体装置であって、第1の配線は、溝を覆うように形成された銅及び銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属を含む第1の金属膜と、第1の金属膜の上に溝を覆うように形成された第1の金属膜よりも酸素との結合エネルギーが小さい金属を含む第2の金属膜と、第2の金属膜の上に溝を埋め込むように形成された銅膜と有し、第1の金属膜及び第2の金属膜の上端面と、銅膜の上面に金属酸化膜を有している。
この構成により、第1の金属膜よりも酸素との結合エネルギーが小さい金属を含む第2の金属膜が第1の金属膜と銅膜との間に設けられているので、製造時に加わる熱処理などで第1の金属膜中から銅膜中へ拡散する、第1の金属膜よりも酸素との結合力が小さい金属の量を減らすことができる。その結果、銅膜の上面上では熱処理によって生じる金属酸化膜の膜厚を従来よりも薄くすることができ、プラグ−配線間の抵抗値を低減することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1の層間絶縁膜に形成された溝に第1の配線を形成する工程(a)と、第1の配線及び第1の層間絶縁膜の上に第2の層間絶縁膜を形成する工程(b)と、第1の配線上の第2の層間絶縁膜にプラグ及び第2の配線を形成する工程(c)とを有する半導体装置の製造方法であって、工程(a)は、溝を覆うように銅及び銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属を含む第1の金属膜を形成する工程(a1)と、第1の金属膜の上に溝を覆うように第1の金属膜よりも酸素との結合エネルギーが小さい金属を含む第2の金属膜を形成する工程(a2)と、第2の金属膜の上に溝を埋め込むように銅膜を形成する工程(a3)とからなり、工程(c)の前に、第1の金属膜及び第2の金属膜の上端面と銅膜の上面に、銅膜及び第2の金属膜の上面に形成された部分の膜厚が第1の金属膜の上端面に形成された部分の膜厚より小さい金属酸化膜が形成されている
これにより、銅よりも酸素との結合エネルギーが強い金属を第1の金属膜に添加してストレスマイグレーション耐性やエレクトロマイグレーション耐性の向上を図るとともに、第1の金属膜への当該添加された金属の拡散を抑えて銅膜上面での金属酸化膜の形成を抑制することができる。このため、プラグー銅膜間の抵抗を低減し、信頼性が向上した半導体装置を歩留まり良く生産することが可能となる。
これにより、銅よりも酸素との結合エネルギーが強い金属を第1の金属膜に添加してストレスマイグレーション耐性やエレクトロマイグレーション耐性の向上を図るとともに、第1の金属膜への当該添加された金属の拡散を抑えて銅膜上面での金属酸化膜の形成を抑制することができる。このため、プラグー銅膜間の抵抗を低減し、信頼性が向上した半導体装置を歩留まり良く生産することが可能となる。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、銅膜に比べて酸素との結合エネルギーが強い金属をシード膜に添加してもプラグ−配線間の抵抗値の上昇を抑制できるので、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く生産することができるようになる。
(実施形態)
図1(a)〜(i)は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図1(a)〜(i)は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図1(a)に示すように、リソグラフィ工程とエッチング工程とを行うことにより、基板(図示せず)上に設けられた低誘電率材料からなる第1の層間絶縁膜1に第1の配線溝2を形成する。次に、前処理として280℃の水素雰囲気中で60秒間基板(半導体装置)のアニーリングを行って半導体装置の表面に生じた酸化膜の還元処理をした後、バリアメタル3aとして厚さ5nmの窒化タンタル膜と、厚さ10nmのタンタル膜とをスパッタリング等により第1の層間絶縁膜1上に形成する。ここで、バリアメタル3aは、配線材料である銅がその周囲の第1の層間絶縁膜1中に拡散するのを防止するための金属膜である。
次に、図1(b)に示すように、スパッタリングを用いてバリアメタル3a上に厚さ20nmのシード膜4aを形成する。ここで、シード膜4aの材料としては、アルミニウムを1wt%含有する銅を用いる。シード膜4aにアルミニウムを添加するのはエレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性等を強化し、半導体装置の信頼性を向上させるためである。続いて、スパッタリングなどを用いてシード膜4a上に厚さ20nmのシード膜14aを形成する。シード膜14aの材料としてはアルミニウム等の不純物金属が含まれていない銅を用いる。
次いで、第1の配線溝2を埋める銅膜をメッキ法によりシード膜14a上に形成した後、図1(c)に示すように、CMPにより銅膜、シード膜14a、シード膜4aおよびバリアメタル3を研磨して第1の配線溝2内にのみバリアメタル3、シード膜4、シード膜14および銅膜5を残す。これにより、第1の配線が形成される。なお、本工程においてシード膜4の上端面に薄いAl2O3膜からなるアルミニウム酸化膜13が形成される。
次に、図1(d)に示すように、第1の配線を含む第1の層間絶縁膜1上に厚さ約60nmのライナー膜6をCVD法により形成する。ここで、ライナー膜6は、後工程で形成される第2の層間絶縁膜に第1の配線中の銅が拡散するのを防止するためのものであり、層間絶縁膜材料と比較して比誘電率の高い窒化シリコン膜やシリコン炭化膜等により構成される。なお、ライナー膜6の形成時に加わる熱によって、シード膜14の上端面および銅膜5の上面付近までシード膜4に含まれるアルミニウムが拡散するので、銅膜5の上面にもアルミニウム酸化膜13が非常に薄くであるが形成される。また、シード膜4およびシード膜14の上端面と、銅膜5の上面には薄く銅酸化膜(図示せず)も形成される。
次いで、図1(e)に示すように、低誘電率材料からなる第2の層間絶縁膜7をCVD法などによりライナー膜6上に形成する。第2の層間絶縁膜7の形成時に加わる熱によってシード膜14および銅膜5中シード膜4に含まれるにアルミニウムがさらに拡散する。
次に、図1(f)に示すように、リソグラフィ工程とエッチング工程とを繰り返すことにより、第2の層間絶縁膜7内に銅膜5に達するビアホール8と、ビアホール8が開口する第2の配線溝9とを形成する。また、ライナー膜6に開口部18を形成する。ここで、シード膜14が形成されていなければシード膜4に含まれるアルミニウムの拡散が進行するため、ビアホール8の形成時に銅膜5の上面が露出して厚いアルミニウム酸化膜が形成されてしまう。しかし、本実施形態の方法では、シード膜14が設けられるため、シード膜14を設けない場合に比べて銅膜5の上面に形成されるアルミニウム酸化膜13は非常に薄くなる。なお、銅膜5の上面には、銅膜5が露出する際に銅酸化膜(図示せず)も薄く形成される。その後、前処理として半導体装置を280℃の水素雰囲気中で60秒間アニール処理し、半導体装置の表面に形成されたアルミニウム酸化膜13および銅酸化膜を除去する。
その後、図1(g)に示すように、バリアメタル10aとして厚さ5nmの窒化タンタル膜と厚さ10nmのタンタル膜とを順次形成する。
次に、図1(h)に示すように、スパッタリングなどを用いてバリアメタル10aの上に厚さ約20nmのシード膜11aを形成する。シード膜11aの材料としては1%のアルミニウムを含む銅を用いる。シード膜11aにアルミニウムを添加するのは、エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性等を強化して半導体装置の信頼性を向上させるためである。次いで、スパッタリングなどを用いてシード膜11aの上に厚さ20nmのシード膜15aを形成する。シード膜15aは、シード膜14と同様にアルミニウム等の元素は含んでいない。
次に、図1(i)に示すように、第2の配線溝9、ビアホール8を埋める銅膜をメッキ法によりシード膜15aの上に形成した後、CMPにより第2の層間絶縁膜7の上面が露出するまでバリアメタル10a、シード膜11a、シード膜15aおよび銅膜を研磨して第2の配線溝9、ビアホール8および開口部18の内面にバリアメタル10、シード膜11、15および銅膜12からなる第2の配線を形成する。以上のようにして、本実施形態の埋め込み配線は形成される。
上述のように、従来の配線形成方法では、銅配線上に形成されたアルミニウム酸化膜の除去が不十分であったため、配線−プラグ間抵抗が上昇していた。
これに対し、本実施形態の製造方法においては、アルミニウムを含むシード膜4の上にアルミニウムを含まないシード膜14を形成する。そのため、第1の配線を形成した後に熱処理を受けた場合に、アルミニウムの銅膜5への拡散量を従来の半導体装置に比べて大きく低減することができる。そのため、アルミニウム酸化膜13の厚みは、シード膜4の上端面に形成された部分よりもシード膜14の上端面および銅膜5の上面に形成された部分の方が薄くなっている。特に、図1(f)に示す工程でアニール処理によってアルミニウム酸化膜13がある程度除去されるので、アルミニウム酸化膜13のうち銅膜5の上面に形成された部分は非常に薄くなっている。
これに対し、本実施形態の製造方法においては、アルミニウムを含むシード膜4の上にアルミニウムを含まないシード膜14を形成する。そのため、第1の配線を形成した後に熱処理を受けた場合に、アルミニウムの銅膜5への拡散量を従来の半導体装置に比べて大きく低減することができる。そのため、アルミニウム酸化膜13の厚みは、シード膜4の上端面に形成された部分よりもシード膜14の上端面および銅膜5の上面に形成された部分の方が薄くなっている。特に、図1(f)に示す工程でアニール処理によってアルミニウム酸化膜13がある程度除去されるので、アルミニウム酸化膜13のうち銅膜5の上面に形成された部分は非常に薄くなっている。
図2は、本実施形態の半導体装置の製造方法の特徴を説明するための断面図である。同図に掲載されたグラフに示すように、銅膜5においては、配線上部(ビア底部)でのアルミニウム濃度を配線下部に比べて低減させることができる。この結果、従来の半導体装置と比べて、銅膜5上に形成されるアルミニウム酸化膜13の厚みを低減させることができる。これにより、エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性を向上させつつ、配線−プラグ間抵抗の値を問題のない範囲に抑制することが可能になる。
なお、本実施形態では、第2の配線のバリアメタル10aを形成した後にリスパッタを行わない例について説明したが、図1(g)に示す工程でバリアメタル10aを形成した後に第1の配線の銅膜上に形成されたアルミニウム酸化膜13をリスパッタリングにより除去してもよい。このリスパッタリングにより、ビアホール8中のバリアメタル10aの膜厚を厚くしてエレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性を向上させることもできる。
また、バリアメタル10aの形成前に水素プラズマ処理を用いてアルミニウム酸化膜13を除去してもよい。
また、上述の説明では2つの埋め込み配線を形成する例を挙げたが、同様の配線形成工程を繰り返すことによってさらに多層の配線を形成することができる。
本実施形態の製造方法により形成される半導体装置は、図1(i)に示すように、シリコンからなる基板上に設けられ、第1の配線溝2が形成された低誘電率材料からなる第1の層間絶縁膜1と、第1の配線溝2の中に設けられ、例えば窒化タンタル膜とタンタル膜とにより構成されるバリアメタル3と、バリアメタル3上に設けられ、例えば1wt%のアルミニウムを含む銅からなるシード膜4と、シード膜4上に設けられ、銅からなるシード膜14と、シード膜14上に設けられ、第1の配線溝2に埋め込まれた銅膜5と、第1の層間絶縁膜1上に設けられ、銅膜5上に開口部18が形成された絶縁膜からなるライナー膜6と、シード膜4、14の上端面および銅膜5の上面に設けられ、銅膜5の上面に設けられた部分の膜厚がシード膜4の上端面に設けられた部分の膜厚より小さいアルミニウム酸化膜13とを備えている。また、本実施形態の半導体装置は、ライナー膜6の開口部18に向かって一端が開口するビアホール8と、ビアホール8の他端が開口する第2の配線溝9とが形成された低誘電率材料からなる第2の層間絶縁膜7と、第2の配線溝9、ビアホール8および開口部18の中に設けられ、例えば窒化タンタル膜とタンタル膜とにより構成されるバリアメタル10と、バリアメタル10上に設けられ、例えば1wt%のアルミニウムを含む銅からなるシード膜11と、シード膜11上に設けられた銅からなるシード膜15と、シード膜15上に設けられ、第2の配線溝9およびビアホール8に埋め込まれた銅膜12とを備えている。シード膜4、11の上端面および銅膜5の上面には動作に問題がない程度の薄い銅酸化膜が形成されている(図示せず)。第2の配線溝の幅は例えば0.1μmであり、深さは例えば0.15μmである。
本実施形態の製造方法により形成される半導体装置は、図1(i)に示すように、シリコンからなる基板上に設けられ、第1の配線溝2が形成された低誘電率材料からなる第1の層間絶縁膜1と、第1の配線溝2の中に設けられ、例えば窒化タンタル膜とタンタル膜とにより構成されるバリアメタル3と、バリアメタル3上に設けられ、例えば1wt%のアルミニウムを含む銅からなるシード膜4と、シード膜4上に設けられ、銅からなるシード膜14と、シード膜14上に設けられ、第1の配線溝2に埋め込まれた銅膜5と、第1の層間絶縁膜1上に設けられ、銅膜5上に開口部18が形成された絶縁膜からなるライナー膜6と、シード膜4、14の上端面および銅膜5の上面に設けられ、銅膜5の上面に設けられた部分の膜厚がシード膜4の上端面に設けられた部分の膜厚より小さいアルミニウム酸化膜13とを備えている。また、本実施形態の半導体装置は、ライナー膜6の開口部18に向かって一端が開口するビアホール8と、ビアホール8の他端が開口する第2の配線溝9とが形成された低誘電率材料からなる第2の層間絶縁膜7と、第2の配線溝9、ビアホール8および開口部18の中に設けられ、例えば窒化タンタル膜とタンタル膜とにより構成されるバリアメタル10と、バリアメタル10上に設けられ、例えば1wt%のアルミニウムを含む銅からなるシード膜11と、シード膜11上に設けられた銅からなるシード膜15と、シード膜15上に設けられ、第2の配線溝9およびビアホール8に埋め込まれた銅膜12とを備えている。シード膜4、11の上端面および銅膜5の上面には動作に問題がない程度の薄い銅酸化膜が形成されている(図示せず)。第2の配線溝の幅は例えば0.1μmであり、深さは例えば0.15μmである。
本実施形態の半導体装置においては、下層のシード膜4にアルミニウムを添加した場合の例について説明したが、銅に添加する金属は銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属であればよく、Mg、Zn、Fe、Sn、Ti等でもよい。また、銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属が2種類以上シード膜材料(銅など)に添加されていてもよい。
また、本実施形態の半導体装置においては、上層のシード膜15および下層のシード膜14に銅以外の金属が添加されていないが、シード膜4、14共に酸素との結合エネルギーが銅と同程度、もしくは銅よりも小さいAg、Au等の金属を含んでいてもよい。
本発明の埋め込み配線構造は、一般的な半導体集積回路などに利用される。
1 第1の層間絶縁膜
2 第1の配線溝
3、3a バリアメタル
4、4a、11、11a、14、14a、15、15a シード膜
5、12 銅膜
6 ライナー膜
7 第2の層間絶縁膜
8 ビアホール
9 第2の配線溝
10、10a バリアメタル
13 アルミニウム酸化膜
18 開口部
2 第1の配線溝
3、3a バリアメタル
4、4a、11、11a、14、14a、15、15a シード膜
5、12 銅膜
6 ライナー膜
7 第2の層間絶縁膜
8 ビアホール
9 第2の配線溝
10、10a バリアメタル
13 アルミニウム酸化膜
18 開口部
Claims (13)
- 基板上に形成された溝を有する第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の前記溝に形成された第1の配線と、
前記第1の配線を含む前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の前記第1の配線上に形成されたプラグ及び第2の配線とを有する半導体装置であって、
前記第1の配線は、前記溝を覆うように形成された銅及び銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属を含む第1の金属膜と、前記第1の金属膜の上に前記溝を覆うように形成された前記第1の金属膜よりも酸素との結合エネルギーが小さい金属を含む第2の金属膜と、前記第2の金属膜の上に前記溝を埋め込むように形成された銅膜と有し、
前記第1の金属膜及び第2の金属膜の上端面と、前記銅膜の上面に金属酸化膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の金属膜は、銅膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の金属膜は、さらにAgまたはAuを含んでいることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属はAl、Mg、Zn、Fe、Sn、Tiのいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属酸化膜は、前記銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属の酸化膜と銅酸化膜とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の配線は、前記第1の層間絶縁膜と前記第1の金属膜との間にさらに前記溝を覆うように形成されたバリアメタル膜を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属酸化膜は、前記銅膜及び前記第2の金属膜の上面に形成された部分の膜厚が前記第1の金属膜の上端面に形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の層間絶縁膜と前記第2の層間絶縁膜の間に、前記第1の配線上に開口部を有するライナー絶縁膜をさらに備え、
前記開口部は前記プラグが埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線における銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属の濃度は、前記第1の金属膜よりも前記第2の金属膜の方が小さくなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1の層間絶縁膜に形成された溝に第1の配線を形成する工程(a)と、
前記第1の配線及び前記第1の層間絶縁膜の上に第2の層間絶縁膜を形成する工程(b)と、
前記第1の配線上の前記第2の層間絶縁膜にプラグ及び第2の配線を形成する工程(c)とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記工程(a)は、前記溝を覆うように銅及び銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属を含む第1の金属膜を形成する工程(a1)と、
前記第1の金属膜の上に前記溝を覆うように前記第1の金属膜よりも酸素との結合エネルギーが小さい金属を含む第2の金属膜を形成する工程(a2)と、
前記第2の金属膜の上に前記溝を埋め込むように銅膜を形成する工程(a3)とからなり、
前記工程(c)の前に、前記第1の金属膜及び前記第2の金属膜の上端面と前記銅膜の上面に、前記銅膜及び前記第2の金属膜の上面に形成された部分の膜厚が前記第1の金属膜の上端面に形成された部分の膜厚より小さい金属酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の金属膜は、銅膜であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の金属膜は、さらにAgまたはAuを含んでいることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属酸化膜は、前記銅よりも酸素との結合エネルギーが大きい金属の酸化膜と銅酸化膜とを含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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