JP2020021800A - 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置100の平面図である。半導体装置100は、たとえば、家電用、産業用、自動車用、電車用等のパワーモジュールである。
次に、本実施の形態の特徴的な構成(以下、「構成Ct1」ともいう)について説明する。構成Ct1は、領域Rg1(領域Rg1a,Rg1b)に封止材を注入するための構成である。
以上説明したように、本実施の形態によれば、半導体装置100は、半導体素子S1およびワイヤW1を内包する領域Rg1bを囲むケースCs1を備える。ケースCs1には、領域Rg1bへ封止材4を排出するためのs(kより大きい、3以上の整数)個の排出経路H1aが設けられている。平面視においてs個の排出経路H1aが領域Rg1bを囲むように、当該s個の排出経路H1aは設けられている。平面視において、s個の排出経路H1aは渦状に設けられている。
前述したように、実施の形態1の構成を、「構成Ct1」ともいう。また、以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm1」ともいう。構成Ctm1は、貫通孔H1に含まれる複数の排出経路H1aの各々が、異なる断面積を有する構成である。構成Ctm1は、構成Ct1(実施の形態1)に適用される。
以上説明したように、本変形例によれば、注入工程において、各貫通孔H1の複数の排出経路H1aの各々が排出する液状の封止材4の量のばらつき、領域Rg1bへの液状の封止材4の注入タイミングのばらつき等を抑制することができる。当該ばらつきは、例えば、貫通孔H1において、注入口In1から排出口Ot1までの経路の長さが異なることにより生じる。また、当該ばらつきは、例えば、貫通孔H1が有する複数の経路における圧力損失により生じる。
以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm2」ともいう。構成Ctm2は、基板に溝を設けた構成である。構成Ctm2は、構成Ct1および構成Ctm1の全てまたは一部に適用される。
以上説明したように、本変形例によれば、注入工程において、領域Rg1bへ排出される液状の封止材4の流動方向を溝V1により矯正することができる。そのため、流動する液状の封止材4が中央部Cbまで到達しやすくできる。また、液状の封止材4の流動による、安定的な、渦の形成を実現することができる。
以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm3」ともいう。構成Ctm3は、回路パターンに溝を設けた構成である。構成Ctm3は、構成Ct1、構成Ctm1および構成Ctm2の全てまたは一部に適用される。構成Ctm3における対象排出経路は、溝V2が対応づけられた排出経路H1aである。また、対象排出経路は、当該対象排出経路に対応づけた溝V2を設ける対象となる排出経路H1aである。
以上説明したように、本変形例によれば、溝V1により矯正された、液状の封止材4の流動方向を、溝V2により、さらに、矯正することができる。そのため、流動する封止材4が中央部Cbまで、より到達しやすくできる。また、液状の封止材4の流動による、安定的な、渦の形成を実現することができる。
以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm4」ともいう。構成Ctm4は、注入口にテーパー面を設けた構成である。構成Ctm4は、構成Ct1、構成Ctm1、構成Ctm2および構成Ctm3の全てまたは一部に適用される。
以上説明したように、本変形例によれば、注入口In1には、テーパー面Tp1(斜面)が設けられている。これにより、注入工程において、液状の封止材4の注入速度を向上させることができる。そのため、半導体装置100の製造時間を短縮することができる。
以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm5」ともいう。構成Ctm5は、垂直方向において、複数の排出口を設けた構成である。構成Ctm5は、構成Ct1、構成Ctm1、構成Ctm2、構成Ctm3および構成Ctm4の全てまたは一部に適用される。
以上説明したように、本変形例によれば、注入工程において、液状の封止材4の注入速度を向上させることができる。そのため、半導体装置100の製造時間を短縮することができる。
以下においては、実施の形態1、変形例1、変形例2、変形例3、変形例4、および、変形例5のいずれかにかかる半導体装置100を、「半導体装置Dv1」ともいう。本実施の形態の構成は、半導体装置Dv1を電力変換装置に適用した構成(以下、「構成Ct2」ともいう)である。以下においては、構成Ct2における電力変換装置を、「電力変換装置800」ともいう。電力変換装置800は、半導体装置Dv1を使用した装置である。
以上説明したように、電力変換装置800は、電力変換回路801と、制御回路802とを備える。電力変換回路801は、半導体装置Dv1を含む。半導体装置Dv1は、実施の形態1、変形例1、変形例2、変形例3、変形例4、および、変形例5のいずれかにかかる半導体装置100である。
Claims (12)
- 封止材が充填される領域を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板に固定されている半導体素子と、
前記半導体素子に接続されているワイヤと、
前記半導体素子および前記ワイヤを内包する前記領域を囲むケースとを備え、
前記ケースには、k(2以上の整数)個の貫通孔が設けられており、
各前記貫通孔には、
前記封止材を注入するための注入口が設けられており、
前記ケースには、前記領域へ前記封止材を排出するためのs(kより大きい、3以上の整数)個の排出経路が設けられており、
前記各貫通孔は、前記s個の排出経路に含まれる複数の排出経路を有し、
平面視において前記s個の排出経路が前記領域を囲むように、当該s個の排出経路は設けられており、
平面視において、前記s個の排出経路は渦状に設けられている
半導体装置。 - kは4であり、
平面視における前記領域の形状は、4つの辺を有する矩形であり、
前記領域は、前記4つの辺にそれぞれ対応する4つの側面を含み、
前記ケースは、前記領域を囲む4つの直線部を有し、
前記4つの直線部は、それぞれ、前記4つの側面に接し、
前記4つの直線部には、それぞれ、4個の前記貫通孔が設けられている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記各貫通孔に含まれる前記複数の排出経路の各々の端部は、前記4つの側面に含まれる1つの側面である対応側面に接し、
平面視において、前記複数の排出経路の各々の前記端部と前記対応側面とが鋭角を形成するように、当該複数の排出経路は設けられている
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記各貫通孔に含まれる前記複数の排出経路の各々の端部は、前記4つの側面に含まれる1つの側面である対応側面に接し、
前記複数の排出経路は、第1排出経路および第2排出経路を含み、
前記第1排出経路は、前記複数の排出経路のうち、前記対応側面の水平方向における当該対応側面の端に最も近い排出経路であり、
前記第2排出経路は、前記複数の排出経路のうち、前記対応側面の水平方向における当該対応側面の中心に最も近い排出経路であり、
前記第1排出経路の断面積は、前記第2排出経路の断面積より大きい
請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記s個の排出経路の各々には、前記領域に接する排出口が設けられており、
前記基板の表面には、前記s個の排出経路に含まれる少なくとも1個の排出経路である対象排出経路に対応する第1の溝が設けられており、
前記第1の溝は、前記対象排出経路の前記排出口が向いている方向に存在する
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記基板の表面には、回路パターンが形成されており、
前記回路パターンには、前記対象排出経路に対応する第2の溝が設けられており、
前記第2の溝は、前記対象排出経路の前記排出口が向いている方向に存在する
請求項5に記載の半導体装置。 - 平面視における前記第1の溝の形状は、長尺状であり、
平面視において、前記第1の溝の一方の端は、前記対象排出経路の前記排出口に接しており、
平面視において、前記第1の溝の他方の端は前記第2の溝に接している
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記s個の排出経路の各々には、前記領域に接する排出口が設けられており、
前記基板の表面には、回路パターンが形成されており、
前記回路パターンには、前記s個の排出経路に含まれる少なくとも1個の排出経路である対象排出経路に対応する第2の溝が設けられており、
前記第2の溝は、前記対象排出経路の前記排出口が向いている方向に存在する
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記注入口には、テーパー面が設けられている
請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記s個の排出経路の各々には、前記領域に接する排出口が設けられており、
前記k個の貫通孔に含まれる少なくとも1個の貫通孔には、
前記排出口である第1排出口と、
前記領域へ前記封止材を排出するための第2排出口とが設けられており、
前記第2排出口は、前記領域に接し、
前記第2排出口は、前記第1排出口の上方に設けられている
請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置を使用した電力変換装置であって、
前記半導体装置を含み、入力される電力を変換し、変換した当該電力を出力する電力変換回路と、
前記電力変換回路を制御するための制御信号を当該電力変換回路に出力する制御回路とを備える
電力変換装置。 - 封止材が充填される領域を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板に固定されている半導体素子と、
前記半導体素子に接続されているワイヤと、
前記半導体素子および前記ワイヤを内包する前記領域を囲むケースとを備え、
前記ケースには、k(2以上の整数)個の貫通孔が設けられており、
各前記貫通孔には、
前記封止材を注入するための注入口が設けられており、
前記ケースには、前記領域へ前記封止材を排出するためのs(kより大きい、3以上の整数)個の排出経路が設けられており、
前記各貫通孔は、前記s個の排出経路に含まれる複数の排出経路を有し、
平面視において前記s個の排出経路が前記領域を囲むように、当該s個の排出経路は設けられており、
平面視において、前記s個の排出経路は渦状に設けられており、
前記製造方法は、
前記封止材が前記s個の排出経路から前記領域へ排出されるように、前記各貫通孔の前記注入口に当該封止材を注入する工程を含む
半導体装置の製造方法。
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JP2009147030A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2010092982A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2014082233A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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JPH11297727A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Dexter Kk | 半導体チップの樹脂封着用ノズルと光センサーチップの製造方法 |
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JP2016025154A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 三菱電機株式会社 | 高耐電圧樹脂封止型半導体装置及び金型 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2009147030A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2010092982A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2014082233A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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