JP2020009623A - 高電圧発生装置およびx線画像診断装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記直流電源と前記直流交流変換回路の直流端子との間の前記平滑コンデンサよりも前記直流交流変換回路側には、回生ダイオードと回生コンデンサとを備えてなる回生防止回路が設けられ、前記回生防止回路は、前記スイッチング素子に入力される電圧を前記直流電源の電圧よりも高い電圧に押し上げることを特徴とする。
<回路構成>
図1は、本発明の第1の実施形態に係る高電圧発生装置100の回路構成の例を示した図であり、図2は、比較例に係る従来の一般的な高電圧発生装置200の回路構成の例を示した図である。
なお、ここでは、共振コンデンサCp2は、トランス3の二次巻線N2に並列接続されているものとしているが、例えばトランス3の二次巻線N2自身や、整流回路4の入力とグランド間に存在する浮遊容量などを代用することもできる。
このような高周波インバータ2は、制御装置5からのゲート制御信号VG1〜VG4に制御されて、直流I1×Vdc2を入力とし、交流Iinv×Vinvを出力する直流交流変換回路として機能する。
なお、ここでは、スイッチング素子S1〜S4として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いるが、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)など他の半導体デバイスを用いてもよい。
なお、整流回路4は、コッククロフト・ウォルトン回路に限定されず、対称型コッククロフト・ウォルトン回路、全波整流回路などであってもよい。
続いて、本実施形態に係る高電圧発生装置100の回路動作について説明するが、ここでは、その回路動作の特徴を明確化するために、比較例に係る高電圧発生装置200の回路動作を先に説明する。
なお、図3では、横軸は、時間、縦軸は、電圧または電流を表し、太実線は電圧、太破線は電流を表す。
ここで、高周波インバータ2のPWM制御で用いられるデューティ・ファクタDutyを、次の式(1)で定義する。
Duty=(2×Ton1)/Tf=(2×Ton3)/Tf (1)
ここで、モードaは、図3に示された時間t10〜t11の区間、モードbは、時間t11〜t12の区間、モードcは、時間t12〜t13の区間、モードdは、時間t13〜t14の区間における動作モードである。
図4Aに示すように、モードaでは、スイッチング素子S1,S4がオン、スイッチング素子S2,S3がオフの状態である。この場合、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、スイッチング素子S4の経路で電流が流れる。
モードaにおいて、スイッチング素子S1,S4が同時にターンオフすると、モードbへ移行する。
図4Bに示すように、モードbでは、スイッチング素子S1〜S4全てがオフの状態となる。この場合には、ダイオードD2、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、ダイオードD3の経路で電流が流れる。これにより、昇圧インダクタLeに蓄積されたエネルギーは、共振コンデンサCp2へ供給されるとともに、直流電源1側の平滑コンデンサCdcに回生される。このとき、平滑コンデンサCdcの静電エネルギーは、回生エネルギーに対して十分大きいので、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源の出力電圧Vdc1とほぼ等しくなる。
モードbにおいて、昇圧インダクタLeのエネルギーがゼロになると、モードcへ移行する。
図4Cに示すように、モードcでは、スイッチング素子S1〜S4全てがオフの状態が継続している。この場合には、ダイオードD4、共振コンデンサCp2、ダイオードD1の経路で電流が流れる。これにより、共振コンデンサCp2に蓄積されたエネルギーは、直流電源1側の平滑コンデンサCdcに回生される。回生期間は、共振コンデンサCp2の電圧VCp2と高周波インバータ2の入力電圧Vdc2の関係が概ねVdc2>VCp2となるまで継続する。
図4Dに示すように、モードdでは、スイッチング素子S1〜S4全てがオフの状態が継続している。この場合、高周波インバータ2では、ダイオードD1〜D4を含めスイッチング素子S1〜S4の全てに電流が流れていない状態となる。
モードdにおいて、スイッチング素子S2、S3がターンオンするとモードeへ移行する。
図4Eに示すように、モードeは、モードaの対称動作モードであり、モードeでは、スイッチング素子S1,S4がオフ、スイッチング素子S2,S3がオンの状態となる。この場合には、スイッチング素子S3、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2の経路で電流が流れる。
モードeにおいて、スイッチング素子S2,S3が同時にターンオフすると、モードbの対称動作モードへ移行する。
図5は、第1の実施形態に係る高電圧発生装置100の各部位における動作波形の例を示した図である。また、図6A〜図6Gは、第1の実施形態に係る高電圧発生装置100におけるモードA〜モードGでの回路動作の例を示した図である。
なお、図5では、横軸は、時間、縦軸は、電圧または電流を表し、太実線は電圧、太破線は電流を表す。例外として、Vdc1は、電圧であるが太破線で表されている。
ここで、モードAは、図5に示された時間t20〜t21の区間、モードBは、時間t21〜t22の区間、モードCは、時間t22〜t23の区間、モードDは、時間t23〜t24の区間、モードEは、時間t24〜t25の区間、モードFは、時間t25〜t26の区間、モードGは、時間t26〜t27の区間における動作モードである。
図6Aに示すように、モードAでは、スイッチング素子S1,S4がオン、スイッチング素子S2,S3がオフの状態である。この場合には、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、スイッチング素子S4、コンデンサCaの経路で電流が流れる。このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の出力電圧Vdc1とコンデンサCaの電圧VCaの和、つまり、Vdc2=Vdc1+VCaとなる。
モードAにおいて、コンデンサCaの放電が終了するとモードBへ移行する。
図6Bに示すように、モードBでは、引き続きスイッチング素子S1,S4がオン状態、スイッチング素子S2,S3がオフ状態となっている。この場合には、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、スイッチング素子S4、ダイオードDaの経路で電流が流れる。このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の出力電圧Vdc1と同じとなる。
モードBにおいて、スイッチング素子S1,S4が同時にターンオフすると、モードCへ移行する。
図6Cに示すように、モードCでは、スイッチング素子S1〜S4全てがオフ状態となる。この場合には、コンデンサCa、ダイオードD2、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、ダイオードD3の経路で電流が流れる。これにより、昇圧インダクタに蓄積されたエネルギーは、共振コンデンサCp2およびコンデンサCaへ供給される。このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の電圧Vdc1とコンデンサCaの電圧VCaの和となるため、過渡的に高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の電圧Vdc1よりも高い電圧となる。
図6Dに示すように、モードDでは、スイッチング素子S1〜S4全てオフの状態が継続している。この場合、コンデンサCa、ダイオードD4、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、ダイオードD1の経路で電流が流れる。これにより、共振コンデンサCp2のエネルギーは直流電源1側の平滑コンデンサCdcに回生される。
モードDにおいて、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2と共振コンデンサCp2の電圧VCp2の関係が概ねVdc2>VCp2となるとモードEへ移行する。
図6Eに示すように、モードEでは、スイッチング素子S1〜S4が全てオフの状態が継続している。この場合、高周波インバータ2では、ダイオードD1〜D4を含めスイッチング素子S1〜S4の全てに電流が流れていない状態となる。
モードEにおいて、スイッチング素子S2、S3がターンオンするとモードFへ移行する。
図6Fに示すように、モードFは、モードAの対称動作モードであり、モードFでは、スイッチング素子S2,S3がオン、スイッチング素子S1,S4がオフの状態となる。この場合には、スイッチング素子S3、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、コンデンサCaの経路で電流が流れる。そして、このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の出力電圧Vdc1とコンデンサCaの電圧VCaの和、つまり、Vdc2=Vdc1+VCaとなる。
モードFにおいて、コンデンサCaの放電が終了するとモードGへ移行する。
図6Gに示すように、モードGでは、スイッチング素子S2,S3がオン、スイッチング素子S1,S4がオフの状態である。この場合には、スイッチング素子S3、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、ダイオードDaの経路で電流が流れる。このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の出力電圧Vdc1と同じとなる。
モードGにおいて、スイッチング素子S2,S3が同時にターンオフすると、モードCに対称な動作モードへ移行する。
以上に説明した第1の実施形態(図1参照)では、回生防止回路7は、直流電源1の負極と高周波インバータ2の下位側の直流端子との間に設けられているが、直流電源1の正極と高周波インバータ2の上位側の直流端子との間に設けられていてもよい。ただし、この場合には、回生防止回路7を構成するダイオードDaのアノードは、直流電源1の正極に接続され、ダイオードDaのカソードは、高周波インバータ2の上位側の直流端子に接続される。
このような回生防止回路7の接続配置であっても、前記した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
図7は、本発明の第2の実施形態に係る高電圧発生装置102の回路構成の例を示した図であり、図8は、その高電圧発生装置102の各部位における動作波形の例を示した図である。また、図9A〜図9Fは、第2の実施形態に係る高電圧発生装置102におけるモードA〜モードGでの回路動作の例を示した図である。
なお、図8では、横軸は、時間、縦軸は、電圧または電流を表し、太実線は電圧、太破線は電流を表す。例外として、Vdc1は、電圧であるが太破線で表されている。
図9Aに示すように、モードAでは、スイッチング素子S1,S4がオン、スイッチング素子S2,S3がオフの状態である。この場合には、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、スイッチング素子S4、コンデンサCa2の経路で電流が流れる。また、このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、コンデンサCa2の電圧VCa2となり、ダイオードDaによって高周波インバータ2と直流電源1は切り離された状態となる。したがって、モードAでは、高周波インバータ2には、コンデンサCa2のみから電力が供給されることになる。
モードAにおいて、コンデンサCa2の電圧VCa2が直流電源1の出力電圧Vdc1以下となるとモードBへ移行する。
図9Bに示すように、モードBでは、スイッチング素子S1,S4がオン、スイッチング素子S2,S3がオフの状態が継続している。この場合には、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、スイッチング素子S4、ダイオードDaの経路で電流が流れる。
モードBにおいて、スイッチング素子S1,S4がターンオフすると、モードCへ移行する。
図9Cに示すように、モードCでは、スイッチング素子S1〜S4の全てがオフ状態となる。この場合には、コンデンサCa2、ダイオードD2、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、ダイオードD3の経路で電流が流れる。そして、昇圧インダクタLeに蓄積されたエネルギーは、共振コンデンサCp2およびコンデンサCa2へ供給される。このとき、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、コンデンサCa2の電圧VCa2と同じになるため、過渡的に高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、直流電源1の電圧Vdc1よりも高い電圧となる。
モードCにおいて、昇圧インダクタLeのエネルギーが全て放出されるとモードDへ移行する。
図9Dに示すように、モードDでは、スイッチング素子S1〜S4の全てオフの状態が継続しているが、この場合には、高周波インバータ2では、ダイオードD1〜D4を含めスイッチング素子S1〜S4の全てに電流が流れていない状態となる。
モードDにおいて、スイッチング素子S2,S3がターンオンするとモードEに移行する。
図9Eに示すように、モードAの対称動作モードであるモードEでは、スイッチング素子S2,S3がオン状態、スイッチング素子S1,S4がオフ状態となる。この場合には、スイッチング素子S3、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、コンデンサCa2の経路で電流が流れる。この状態は、ダイオードDaにより高周波インバータ2と直流電源1が切り離された状態であり、高周波インバータ2には、コンデンサCa2のみから電力が供給される。したがって、高周波インバータ2の入力電圧Vdc2は、コンデンサCa2の電圧VCa2となる。
モードEにおいて、コンデンサCa2の電圧VCa2が直流電源1の出力電圧Vdc1以下となるとモードFへ移行する。
図9Fに示すように、モードBの対称動作モードであるモードFでは、スイッチング素子S2、S3がオン、スイッチング素子S1,S4がオフの状態が継続している。この場合には、スイッチング素子S3、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、ダイオードDaの経路で電流が流れる。
モードFにおいて、スイッチング素子S2,S3がターンオフすると、モードCの対称動作モードへ移行する。
以上に説明した第2の実施形態(図7参照)では、回生防止回路702を構成するダイオードDaは、直流電源1の負極と高周波インバータ2の下位側の直流端子との間に設けられているが、直流電源1の正極と高周波インバータ2の上位側の直流端子との間に設けられていてもよい。ただし、この場合には、ダイオードDaのアノードは、直流電源1の正極に接続され、ダイオードDaのカソードは、高周波インバータ2の上位側の直流端子に接続される。
このような回生防止回路702の構成であっても、前記した第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る高電圧発生装置103の回路構成の例を示した図である。図10に示すように、第3の実施形態に係る高電圧発生装置103は、直流電源1、平滑コンデンサCdc、高周波インバータ2、トランス3、整流回路4、制御装置5、回生防止回路703、電圧検出回路8および共振コンデンサCp2を備えて構成される。高電圧発生装置103は、直流電源1の電圧Vdc1を昇圧して、負荷6に直流の高電圧Vxを供給する。
図15は、本発明の第4の実施形態に係る高電圧発生装置104の回路構成の例を示した図であり、図16は、その高電圧発生装置104の各部位における動作波形の例を示した図である。また、図17A〜図17Gは、第4の実施形態に係る高電圧発生装置104における各動作モードでの回路動作の例を示した図である。
なお、図16では、横軸は、時間、縦軸は、電圧または電流を表し、太実線は電圧、太破線は電流を表す。例外として、Vdc11,Vdc12は、電圧であるが太破線で表されている。
図17Aに示すように、モードAでは、スイッチング素子S1がオン、スイッチング素子S2がオフの状態となる。この場合には、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、平滑コンデンサCdc1、コンデンサCa1の経路で電流が流れる。さらに、直流電源1からコンデンサCa1、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、平滑コンデンサCdc2の経路でも電流が流れ、平滑コンデンサCdc2が充電される。したがって、高周波インバータ204の入力電圧Vdc21は、直流電圧Vdc11とコンデンサCa1の電圧VCa1の合計値となり、直流電圧Vdc11よりも高い電圧となる。
モードAにおいて、コンデンサCa1の放電が終了すると、モードBへ移行する。
図17Bに示すように、モードBでは、スイッチング素子S1がオン、スイッチング素子S2がオフの状態が継続している。この場合には、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、平滑コンデンサCdc1、ダイオードDa1の経路で電流が流れる。さらに、直流電源1からダイオードDa1、スイッチング素子S1、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、平滑コンデンサCdc2の経路でも電流が流れ、平滑コンデンサCdc2が充電される。したがって、高周波インバータ204の入力電圧Vdc21は、直流電圧Vdc11と同じとなる。
モードBにおいて、スイッチング素子S1がターンオフすると、モードCへ移行する。
図17Cに示すように、モードCでは、スイッチング素子S1、S2がともにオフの状態となる。この場合には、コンデンサCa2、ダイオードD2、昇圧インダクタLe、共振コンデンサCp2、平滑コンデンサCdc1の経路で電流が流れ、昇圧インダクタに蓄積されたエネルギーが共振コンデンサCp2とコンデンサCa2に供給される。このとき、高周波インバータ204の入力電圧Vdc22は、コンデンサCa2の電圧VCa2と直流電圧Vdc12の和となるため、過渡的に高周波インバータ2の入力電圧Vdc22は、電源電圧Vdc12よりも高い電圧となる。
モードCにおいて、昇圧インダクタLeのエネルギーが全て放出されるとモードDへ移行する。
図17Dに示すように、モードDでは、スイッチング素子S1、S2がともにオフの状態が継続している。この場合には、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、ダイオードD1、コンデンサCa1、平滑コンデンサCdc1の経路で電流が流れる。このとき、直流電源1、平滑コンデンサCdc2、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、ダイオードD1、コンデンサCa1、の経路でも電流が流れ、平滑コンデンサCdc2のエネルギーを放電する。
モードDにおいて、共振コンデンサCp2の電圧VCp2が直流電源1の出力電圧Vdc1よりも低くなると、モードEへ移行する。
図17Eに示すように、モードEでは、スイッチング素子S1、S2がともにオフの状態が継続している。この場合、高周波インバータ204では、ダイオードD1,D2を含めスイッチング素子S1,S2の全てに電流が流れていない状態となる。モードDにおいて、スイッチング素子S2がターンオンするとモードFに移行する。
図17Fに示すように、モードAの対称動作モードであるモードFでは、スイッチング素子S2がオン、スイッチング素子S1がオフの状態である。この場合には、平滑コンデンサCdc2、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、コンデンサCa2の経路で電流が流れる。さらに、直流電源1、平滑コンデンサCdc1、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、コンデンサCa2の経路でも電流が流れ、平滑コンデンサCdc1が充電される。このとき、高周波インバータ204の入力電圧Vdc22は、直流電圧Vdc12とコンデンサCa2の電圧VCa2の合計値となり、直流電圧Vdc12よりも高い電圧となる。
モードFにおいて、コンデンサCa2の放電が終了するとモードGへ移行する。
図17Gに示すように、モードBの対称動作モードであるモードGでは、スイッチング素子S2がオン、スイッチング素子S1がオフの状態が継続している。この場合には、平滑コンデンサCdc2、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、ダイオードDa2の経路で電流が流れる。さらに、直流電源1、平滑コンデンサCdc1、共振コンデンサCp2、昇圧インダクタLe、スイッチング素子S2、ダイオードDa2の経路でも電流が流れ、平滑コンデンサCdc1が充電される。このとき、高周波インバータ204の入力電圧Vdc22は、直流電圧Vdc12となる。
モードGにおいて、スイッチング素子S2をターンオフすると次のモードへ移行する。
図18は、本発明の第1の実施形態に係る高電圧発生装置100を適用したX線画像診断装置300の構成の例を模式的に示した図である。ここでは、X線画像診断装置300は、透過型X線撮影装置であるとする。このようなX線画像診断装置300では、X線管301から照射されテーブル304上に載置された被写体305を透過したX線303をX線検出器306で検出し、被写体305のX線透過画像を撮影する。
2,204 高周波インバータ(直流交流変換回路)
3 トランス
4 整流回路
5 制御装置
6 負荷
7,702,703,704 回生防止回路
8 電圧検出回路
100,102,103,104 高電圧発生装置
200 高電圧発生装置
300 X線画像診断装置
301 X線管
302 X線管保持体
303 X線
304 テーブル
305 被写体
306 X線検出器
307 支柱
310 撮影制御装置
S1〜S4 スイッチング素子
D1〜D4 ダイオード
DH11,DH22 整流ダイオード
Le 昇圧インダクタ
Cdc,Cdc1,Cdc2 平滑コンデンサ
Cp2 共振コンデンサ
N1 一次巻線
N2 二次巻線
T1 磁性体コア
Cm1,Cm2 平滑コンデンサ
CH1,CH2 整流コンデンサ
Da,Da1,Da2 ダイオード(回生ダイオード)
Ca,Ca1,Ca2 コンデンサ(回生コンデンサ)
SW1 スイッチ素子
VG1〜VG4 ゲート制御信号
VGSW スイッチ制御信号
Vx 直流の高電圧
Vdc1 直流電源の出力電圧
Vdc2 高速インバータの入力電圧
Vdc3 検出電圧
VCp2 共振コンデンサの電圧
Vxref 出力指令値
Vcmp 閾値
Vdcref 閾値
Claims (9)
- 直流電源と、
前記直流電源に並列に接続された平滑コンデンサと、
スイッチング素子と前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードの複数の組により構成され、前記直流電源から供給される直流を交流に変換して出力する直流交流変換回路と、
前記直流交流変換回路から出力される交流を昇圧するトランスと、
前記トランスの出力端子に並列に接続された共振コンデンサと、
前記トランスにより昇圧された交流を整流する整流回路と、
前記直流交流変換回路に含まれる前記スイッチング素子のオン・オフを制御する制御装置と、
を備えてなる高電圧発生装置において、
前記直流電源と前記直流交流変換回路の直流端子との間の前記平滑コンデンサよりも前記直流交流変換回路側には、回生ダイオードと回生コンデンサとを備えてなる回生防止回路が設けられ、
前記回生防止回路は、前記直流交流変換回路に入力される直流電圧を前記直流電源の電圧よりも高い電圧に押し上げること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生コンデンサと前記回生ダイオードとは互いに並列に接続され、
前記回生ダイオードのカソードが前記直流電源の負極に接続され、前記回生ダイオードのアノードが前記直流交流変換回路の下位側直流端子に接続されていること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生コンデンサと前記回生ダイオードとは、互いに並列に接続され、
前記回生ダイオードのアノードが前記直流電源の正極に接続され、前記回生ダイオードのカソードが前記直流交流変換回路の上位側直流端子に接続されていること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生コンデンサは、前記直流交流変換回路の上位側直流端子と前記直流交流変換回路の下位側直流端子の間に接続され、
前記回生ダイオードのカソードが前記直流電源の負極に接続され、前記回生ダイオードのアノードが前記直流交流変換回路の下位側直流端子に接続されていること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生コンデンサは、前記直流交流変換回路の上位側直流端子と前記直流交流変換回路の下位側直流端子の間に接続され、
前記回生ダイオードのアノードが前記直流電源の正極に接続され、前記回生ダイオードのカソードが前記直流交流変換回路の上位側直流端子に接続されていること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生防止回路は、前記制御装置によりオン・オフ制御されるスイッチ素子をさらに備えてなり、
前記回生コンデンサと前記回生ダイオードと前記スイッチ素子とは互いに並列に接続されるとともに、前記回生ダイオードのカソードが前記直流電源の負極に接続され、前記回生ダイオードのアノードが前記直流交流変換回路の下位側直流端子に接続されており、
前記制御装置は、外部から入力された電圧出力指令値が所定の閾値よりも大きい場合には、前記スイッチ素子をオフし、前記電圧出力指令値が前記所定の閾値以下である場合には、前記スイッチ素子をオンすること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記回生防止回路は、前記制御装置によりオン・オフ制御されるスイッチ素子をさらに備えてなり、
前記回生コンデンサと前記回生ダイオードと前記スイッチ素子とは互いに並列に接続されるとともに、前記回生ダイオードのカソードが前記直流電源の負極に接続され、前記回生ダイオードのアノードが前記直流交流変換回路の下位側直流端子に接続されており、
前記制御装置は、前記直流電源の出力電圧を検出して得られる検出電圧が所定の閾値よりも小さい場合には、前記スイッチ素子をオフし、前記検出電圧が前記所定の閾値以上である場合には、前記スイッチ素子をオンすること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1に記載の高電圧発生装置において、
前記平滑コンデンサは、2つのコンデンサが直列に接続されて構成され、
前記直流交流変換回路は、前記スイッチング素子と前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとの組が2組直列に接続されて構成され、
前記トランスの入力端子の一方の端子は、前記平滑コンデンサを構成する2つの前記コンデンサが互いに直列接続される接続箇所に接続され、
前記トランスの入力端子の他方の端子は、前記直流交流変換回路を構成する2つの前記スイッチング素子が互いに直列接続された接続箇所に接続され、
前記回生防止回路は、互いに並列接続された第1の回生ダイオードと第1の回生コンデンサの組と、互いに並列接続された第2の回生ダイオードと第2の回生コンデンサの組とにより構成され、
前記第1の回生ダイオードのアノードが前記直流電源の正極に接続され、前記第1の回生ダイオードのカソードが前記直流交流変換回路の上位側直流端子に接続され、
前記第2の回生ダイオードのカソードが前記直流電源の負極に接続され、前記第2の回生ダイオードのアノードが前記直流交流変換回路の下位側直流端子に接続されていること
を特徴とする高電圧発生装置。 - 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の高電圧発生装置を有すること
を特徴とするX線画像診断装置。
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